JP2018501509A - オフセット印刷用クリシェの製造方法及びオフセット印刷用クリシェ - Google Patents

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Abstract

本明細書は、オフセット印刷用クリシェの製造方法及びオフセット印刷用クリシェに関する。

Description

本発明は、２０１５年０８月２６日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１５−０１２０１５９号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
本明細書は、オフセット印刷用クリシェの製造方法及びオフセット印刷用クリシェに関する。
一般に、液晶表示装置、半導体素子等の電子素子は基板上に複数層のパターンが形成されて製作される。このようなパターンを形成するために、今まではフォトリソグラフィ工程が主に多用されてきた。しかし、フォトリソグラフィ工程は、所定のパターンマスクを製作しなければならず、化学的エッチング、ストリッピング過程を繰り返さなければならないため製作工程が複雑であり、環境に有害な化学廃棄物を多量に発生させるという問題点がある。これは、製作費用の上昇につながり、製品の競争力を低下させる。このようなフォトリソグラフィ工程の短所を解決するための新しいパターン形成方法として印刷ロールを用いたロール印刷方法が提案された。
ロール印刷方法には様々な方法があるが、グラビア印刷方法及びリバースオフセット印刷方法の二つに大別することができる。
グラビア印刷は、凹版にインクを付け、余分のインクをかき出して印刷をする印刷方式であって、出版用、包装用、セロハン用、ビニール用、ポリエチレン用等の様々な分野の印刷に好適な方法として知られており、表示素子に適用される能動素子や回路パターンの製作に前記グラビア印刷方法を適用するための研究が行われている。グラビア印刷は、転写ロールを用いて基板上にインクを転写するため、所望の表示素子の面積に対応する転写ロールを用いることにより、大面積の表示素子の場合にも１回の転写によりパターンを形成することができるようになる。このようなグラビア印刷は、基板上にレジスト用であるインクパターンを形成するだけでなく、表示素子の各種パターン、例えば、液晶表示素子の場合、ＴＦＴだけでなく、前記ＴＦＴと接続するゲートライン及びデータライン、画素電極、キャパシタ用金属パターンをパターニングするのに用いられることができる。
しかし、通常のグラビア印刷に用いられるブランケットは、硬いマスターモールドにシリコン系樹脂をキャスティングして製造されており、このように製造されたブランケットは、均一な厚さを有するように製造するには限界があるだけでなく、パイロットスケールで量産するにも困難がある。そこで、精密な微細パターンを形成するためには主にリバースオフセット印刷方式が採用される。
本明細書は、オフセット印刷用クリシェの製造方法及びオフセット印刷用クリシェを提供しようとする。
本明細書は、基板上に遮光マスクパターンを形成するステップ、前記遮光マスクパターンが備えられた基板上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ、基板側に光を照射して露光するステップ、及び露光されたネガティブフォトレジスト層を現像して、突出された陽刻部と現像された溝部パターンを有するネガティブフォトレジストパターン層を形成するステップを含み、前記ネガティブフォトレジスト層の平均厚さは３μｍ以上であり、前記ネガティブフォトレジストパターン層は線幅が互いに異なる少なくとも２種の溝部パターンを有し、前記少なくとも２種の溝部パターン間の線幅差は１０μｍ以上であり、前記線幅差が１０μｍ以上の少なくとも２種の溝部パターンは互いに連結されているオフセット印刷用クリシェの製造方法を提供する。
また、本明細書は、基板、前記基板上に備えられ、陽刻部と溝部パターンを有するネガティブフォトレジストパターン層、及び前記溝部パターンの底部に備えられた遮光マスクパターンを含み、前記ネガティブフォトレジストの溝部パターンの平均深さは３μｍ以上であり、前記ネガティブフォトレジストパターン層は線幅が互いに異なる少なくとも２種の溝部パターンを含み、前記ネガティブフォトレジストパターン層の溝部パターンの平均深さは同一であり、前記少なくとも２種の溝部パターン間の線幅差は１０μｍ以上であり、前記線幅差が１０μｍ以上の少なくとも２種の溝部パターンは互いに連結されているオフセット印刷用クリシェを提供する。
本明細書に係るクリシェの製造方法は、クリシェの製作時に高費用のレーザ直接露光工程が必要でないので費用が節減されるという長所がある。
本明細書に係るクリシェの製造方法は、厚膜を有するネガティブフォトレジストパターンを容易に製造することができる。
本明細書に係るクリシェの製造方法は、クリシェのネガティブフォトレジストパターンの厚さを調節してパターンの線幅増加に応じた底部接触の問題を解決することができる。
従来技術による線幅が互いに異なる溝部パターンを有するクリシェの製造方法を示す。 従来技術による互いに異なる線幅に応じて深さを調節した溝部パターンを有するクリシェの製造方法を示す。 本明細書の一実施態様によるクリシェの製造方法を示す。 本明細書の一実施態様によるクリシェの断面図である。 本明細書の他の実施態様によるクリシェの断面図である。 実施例１のガラス基板上に形成されたアルミニウムパターンの光学顕微鏡イメージである。 実施例１で製造されたクリシェの走査電子顕微鏡イメージである。 実施例３で製造されたクリシェの走査電子顕微鏡イメージである。 比較例のクリシェ製造順を示すものである。 比較例で製造されたクリシェの走査電子顕微鏡イメージである。 連結部（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）パターンの線幅が次第に変更されることを示す光学顕微鏡イメージであり、この時の連結部パターンの平均線幅を計算するための線幅測定を示す。 印圧実験に対するイメージである。 印圧が１００μｍである時における、実施例１のクリシェと比較例のクリシェを用いて印刷されたパターンの光学顕微鏡イメージである。
以下、本明細書について詳細に説明する。
本明細書は、基板上に遮光マスクパターンを形成するステップ、前記遮光マスクパターンが備えられた基板上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ、基板側に光を照射して露光するステップ、及び露光されたネガティブフォトレジスト層を現像して、突出された陽刻部と現像された溝部パターンを有するネガティブフォトレジストパターン層を形成するステップを含むオフセット印刷用クリシェの製造方法を提供する。
前記オフセット印刷用クリシェの製造方法は、基板上に遮光マスクパターンを形成するステップを含むことができる。
前記基板上に遮光マスクパターンを形成する方法は特に限定されないが、当技術分野で一般的に用いられる方法を採用することができる。例えば、前記基板上に遮光マスクパターンを形成する方法は、ロール印刷、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、蒸着法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等であってもよい。
前記遮光マスクパターンを形成するステップは、基板上に遮光材料を用いて遮光膜を形成するステップ、及び前記遮光膜をエッチングして遮光マスクパターンを形成するステップを含むことができる。
前記遮光マスクパターンを形成するステップは、基板を遮光材料でパターンが形成された印刷版または印刷ロールと基板を接触して基板上に遮光マスクパターンを転写するステップであってもよい。
前記遮光マスクパターンを形成するステップは、基板上に遮光材料インクでパターニングをするステップであってもよい。
前記遮光マスクパターンの厚さは照射される光を遮断できるのであれば特に限定されないが、例えば、前記遮光マスクパターンの平均厚さは２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。
前記遮光マスクパターンの材質は照射される光を遮断できるものであれば特に限定されないが、例えば、前記遮光マスクパターンの材質は金属パターンであってもよく、具体的には、前記金属パターンは銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）のうち少なくとも一つからなってもよい。
前記遮光マスクパターンの線幅は特に限定されないが、例えば、前記遮光マスクパターンの線幅は２μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
前記基板上に備えられた遮光マスクパターンの少なくとも一部領域の線幅は残りの領域の線幅と互いに異なってもよい。言い換えれば、前記遮光マスクパターンは、線幅が互いに異なる２種以上の遮光マスクパターンを含むことができる。
線幅が互いに異なる２種以上の遮光マスクパターン間の線幅差は１０μｍ以上であってもよい。
前記線幅差が１０μｍ以上の少なくとも２種の遮光マスクパターンは互いに連結して形成されたものであってもよい。
前記遮光マスクパターンの形状は、金属パターンまたはフォトレジストパターンが必要な分野のパターン形状であってもよい。
前記遮光マスクパターンの形状はタッチパネルの金属パターンの形状であってもよく、同一のパターンが繰り返された形状であるか、または互いに異なる２以上のパターンが離隔または連結された形状であってもよい。例えば、前記遮光マスクパターンの形状は格子状の画面部（Ａｃｔｉｖｅ）パターン、前記画面部パターンと連結され、外部の印刷回路基板と連結される配線部（Ｒｏｕｔｅｒ）パターン、及び前記画面部パターンと配線部パターンの連結時に抵抗を下げる連結部（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）パターンのうち少なくとも一つであってもよい。
前記遮光マスクパターンが画面部（Ａｃｔｉｖｅ）パターン、配線部（Ｒｏｕｔｅｒ）パターン及び連結部（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）パターンを全て含む場合、画面部パターンと配線部パターンの連結時に抵抗を下げるために、前記連結部パターンの線幅は画面部パターンから配線部パターンに行くほど線幅が増加する。
図１１に示すように、画面部パターンと配線部パターンを連結する連結部パターンは、画面部パターンから配線部パターンに行くほど線幅が増加し、この時、前記連結部パターンの平均線幅は、連結部パターン内で最小線幅、中間線幅及び最大線幅を有する少なくとも３個以上の線幅値を測定し、これらの平均値を平均線幅にする。
また、前記遮光マスクパターンの形状は外部の印刷回路基板の回路の接地（Ｇｒｏｕｎｄ）パターンをさらに含むことができ、前記接地パターンは画面部パターン、配線部パターン及び連結部パターンと連結されずに離隔して形成されることができる。
前記オフセット印刷用クリシェの製造方法は、遮光マスクパターンが備えられた基板上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップを含むことができる。
前記ネガティブフォトレジスト層は、光に露出されることによって現像液に対する耐性が変化する高分子を含むことができる。具体的には、前記ネガティブフォトレジスト層は、基板上の遮光マスクパターンによって光が遮断されず光に露出された部分が現像液によって現像されないため遮光マスクパターンと反対のパターンが形成される高分子を含むことができる。
前記ネガティブフォトレジスト層の平均厚さは３μｍ以上であってもよい。この場合、溝部パターンの線幅と関係なく３μｍ以上の溝部深さが確保され、溝部深さの不足による底部接触現象及び溝部深さの変化による連結部の断線現象を防止することができる。
具体的には、前記ネガティブフォトレジスト層の平均厚さは３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、より具体的には前記ネガティブフォトレジスト層の平均厚さは３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
前記ネガティブフォトレジスト層を形成するステップは、ネガティブフォトレジストの組成物を準備するステップ、前記遮光マスクパターンが備えられた基板上にネガティブフォトレジストの組成物を塗布して膜を形成するステップ、及び前記ネガティブフォトレジストの組成物からなる膜を乾燥してネガティブフォトレジスト層を形成するステップを含むことができる。
前記ネガティブフォトレジストの組成物は感光性樹脂を含むことができ、架橋剤、密着力促進剤、界面活性剤及び溶媒のうち少なくとも一つをさらに含むことができる。
前記感光性樹脂、架橋剤、密着力促進剤、界面活性剤及び溶媒の種類は特に限定されず、当技術分野で一般的に用いられる材質を選択することができる。
前記オフセット印刷用クリシェの製造方法は、基板側に光を照射して露光するステップ（以下、露光ステップ）を含むことができる。
前記露光ステップは、基板側に光を照射して露光し、具体的には、基板の遮光マスクパターン及びネガティブフォトレジスト層が備えられた面の反対側に光を照射して基板上の遮光マスクパターンによって光が選択的にネガティブフォトレジスト層に露光されることができる。
前記露光ステップは、基板の遮光マスクパターン及びネガティブフォトレジスト層が備えられた面の反対側に光を照射して、前記遮光マスクパターンが形成されていない領域にのみ光が透過して前記遮光マスクパターンが形成されていない領域に形成されたネガティブフォトレジスト層のうち一部が透過した光に露出されることができる。
前記露光ステップによって光に露出されたネガティブフォトレジスト層の一部は現像液によって現像されない性質に変化することができる。
前記露光条件は塗布されたネガティブフォトレジストの性質に応じて調節されることができ、特に限定されるものではない。
前記オフセット印刷用クリシェの製造方法は、露光されたネガティブフォトレジスト層を現像するステップ（以下、現像ステップ）を含むことができる。
前記現像ステップは、露光されたネガティブフォトレジスト層を現像して、突出された陽刻部と現像液によって現像された溝部パターンを有するネガティブフォトレジストパターン層を形成するステップであってもよい。この時、突出された陽刻部は前記露光ステップにおいて光に露出された部分であり、現像液によって現像された部分は前記露光ステップにおいて光に露出されないか、または現像液によって耐性が生じるほど十分な光の照射を受けていない部分である。
前記ネガティブフォトレジストパターン層の溝部パターンの平均線幅は２μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
前記ネガティブフォトレジストパターン層の溝部パターンの個別の線幅は２μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
前記溝部パターンは遮光マスクパターンによって光が遮断されることによって光に露出されず現像液によって現像されて形成されるため、前記溝部パターンの線幅は遮光マスクパターンの線幅と光源の光の性質に応じて決定されることができる。前記溝部パターンの線幅は遮光マスクパターンの線幅と比例し、具体的には、前記溝部パターンの線幅は遮光マスクパターンの線幅と同一または類似したものであってもよい。
前記溝部パターンの少なくとも一部領域の線幅は残りの領域の線幅と互いに異なる。
前記ネガティブフォトレジストパターン層は、線幅が互いに異なる少なくとも２種の溝部パターンを有することができる。
前記少なくとも２種の溝部パターン間の線幅差は１０μｍ以上であってもよい。
前記線幅差が１０μｍ以上の少なくとも２種の溝部パターンは互いに連結して形成されたものであってもよい。
前記溝部パターンの形状は、金属パターンまたはフォトレジストパターンが必要な分野のパターン形状であってもよい。
前記溝部パターンの形状はタッチパネルの金属パターンの形状であってもよく、同一のパターンが繰り返された形状であるか、または互いに異なる２以上のパターンが離隔または連結された形状であってもよい。例えば、前記遮光マスクパターンの形状は、格子状の画面部パターン、前記画面部パターンと連結され、外部のフレキシブル印刷回路基板と連結される配線部パターン、及び前記画面部パターンと配線部パターンの連結時に抵抗を下げる連結部パターンのうち少なくとも一つであってもよい。また、前記遮光マスクパターンの形状は、外部の印刷回路基板の回路の接地（Ｇｒｏｕｎｄ）パターンをさらに含むことができる。
前記溝部パターンの平均深さは３μｍ以上であってもよい。この場合、溝部深さの不足による底部接触現象及び溝部深さの変化による連結部の断線現象を防止することができる。
具体的には、前記溝部パターンの平均深さは３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、より具体的には、前記溝部パターンの平均深さは３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
前記溝部パターンの平均深さはネガティブフォトレジスト層の平均厚さによって決定されることができる。前記溝部パターンの深さはネガティブフォトレジスト層の平坦度、現像程度に応じて影響を受けるが、理論的に前記溝部パターンの平均深さは同一であってもよい。
前記溝部パターンが互いに異なる線幅を有する２種以上のパターンを含む場合にも、前記溝部パターンの平均深さは同一であってもよい。
前記オフセット印刷用クリシェの製造方法は、前記現像ステップ後に、ネガティブフォトレジストパターン層を硬化するステップをさらに含むことができる。
前記硬化条件はネガティブフォトレジストに応じて調節されることができ、特に限定されるものではない。
前記オフセット印刷用クリシェの製造方法は、前記現像ステップ後に、ネガティブフォトレジストパターン層が形成された基板上に金属酸化物を蒸着するステップをさらに含むことができる。
前記金属酸化物を蒸着する方法は特に限定されず、当技術分野で一般的に用いられる方法を採用することができる。
前記金属酸化物の種類はＩＴＯ、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３のうち少なくとも一つであってもよい。
蒸着された金属酸化物の平均厚さは２００ｎｍ以下であってもよい。具体的には、蒸着された金属酸化物の平均厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。
図１に示すように、クリシェに製造される基板１上に金属または金属酸化物を蒸着し、金属または金属酸化物上に幅が様々なレジストパターン３を形成した後、金属または金属酸化物をエッチングしてエッチングパターン２を形成した。前記エッチングパターン２が形成されていない基板をエッチングしてクリシェにパターンを形成することができる。
図１のように幅が様々なクリシェをオフセット印刷に用いる場合、クリシェの溝部パターンの幅が広くなれば、クリシェと接触する印刷ロールがクリシェの溝部パターンの底部と接する。印刷ロールがクリシェの溝部パターンの底部と接すれば、クリシェの溝部パターンの底部と接した部分のインクが除去されてクリシェの溝部パターンの形状と互いに異なるパターンが印刷ロールに残るようになる。
印刷ロールの底部接触をなくすために、図２に示すように、溝部パターンの線幅が広くなることによって深さのさらに深い溝部パターンをクリシェ１０に形成することができる。この場合、線幅に応じた深さを計算しなければならず、計算された深さを形成するために少なくとも２層以上のエッチングパターンを形成しなければならず、２回以上のエッチング工程を経なければならないため、工程が複雑になるという短所がある。
それを単純化するために、図１のように１回のエッチングパターンを形成し、エッチングパターンに基板をエッチングする時、印刷ロールの底部接触がないように基板を一度に深くパターンを形成することができるが、溝部パターンの深さを増加させるためにエッチングする時間を増加させる場合、溝部パターンの深さだけでなく、オーバーエッチングされて溝部パターンの幅も増加し、クリシェに形成された溝部パターンの形態が所望の溝部パターンの形態とは互いに異なるようになる。
本明細書に係るクリシェの製造方法は、ネガティブフォトレジストパターンの平均厚さを調節してクリシェの溝部パターンの平均深さを調節することができるため、パターンの線幅増加に応じた底部接触の問題を容易に解決することができる。
本明細書は、基板、前記基板上に備えられ、陽刻部と溝部パターンを有するネガティブフォトレジストパターン層、及び前記溝部パターンの底部に備えられた遮光マスクパターンを含むオフセット印刷用クリシェを提供する。
前記オフセット印刷用クリシェにおいて、上述したオフセット印刷用クリシェの製造方法と重複する説明は省略し、オフセット印刷用クリシェの構成はオフセット印刷用クリシェの製造方法に対する説明を引用することができる。
前記基板の材質は特に限定されないが、例えば、ガラス基板、厚膜のプラスチック基板または薄膜のプラスチックフィルムであってもよい。
前記プラスチック基板またはプラスチックフィルムの材質は特に限定されないが、例えば、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリプロピレン（ＰＰ；ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ；ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンエーテルフタルレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンフタルレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリブチレンフタルレート（ｐｏｌｙｂｕｔｈｙｌｅｎｅ ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ；Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ；ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリスチレン（ＰＳ；ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ；ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ；Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ）及びポリイミド（ＰＩ；ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）のいずれか一つ以上を含むことができる。
前記基板としては透明度の高い基板を用いることができ、前記基板の光透過度は５０％以上であってもよい。
前記基板の平均厚さは１５μｍ以上２ｍｍ以下であってもよいが、これに限定されるものではない。
前記ネガティブフォトレジストパターン層は陽刻部と溝部パターンを有することができる。
前記ネガティブフォトレジストの溝部パターンの平均深さは３μｍ以上であってもよい。この場合、溝部の線幅に関係なく３μｍ以上の溝部深さが確保され、溝部深さの不足による底部接触現象及び溝部深さの変化による連結部の断線現象を防止することができる。
具体的には、前記溝部パターンの平均深さは３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、より具体的には、前記溝部パターンの平均深さは３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
前記溝部パターンの少なくとも一部領域の線幅は残りの領域の線幅と互いに異なる。具体的には、前記ネガティブフォトレジストパターン層は、線幅が互いに異なる少なくとも２種の溝部パターンを有することができる。
前記少なくとも２種の溝部パターン間の線幅差は１０μｍ以上であってもよい。
前記線幅差が１０μｍ以上の少なくとも２種の溝部パターンは互いに連結されることができる。
前記溝部パターンの形状は金属パターンまたはフォトレジストパターンが必要な分野のパターン形状であってもよい。
前記溝部パターンの形状はタッチパネルの金属パターンの形状であってもよく、同一のパターンが繰り返された形状であるか、または互いに異なる２以上のパターンが離隔または連結された形状であってもよい。例えば、前記遮光マスクパターンの形状は、格子状の画面部パターン、前記画面部パターンと連結され、外部のフレキシブル印刷回路基板と連結される配線部パターン、及び前記画面部パターンと配線部パターンの連結時に抵抗を下げる連結部パターンのうち少なくとも一つであってもよい。また、前記遮光マスクパターンの形状は、外部の印刷回路基板の回路の接地（Ｇｒｏｕｎｄ）パターンをさらに含むことができる。
前記遮光マスクパターンは、ネガティブフォトレジストパターン層の溝部パターンの底部に備えられることができる。
前記フォトレジストパターン層が備えられた基板上に備えられた金属酸化膜をさらに含むことができる。
前記金属酸化膜の平均厚さは２００ｎｍ以下であってもよい。具体的には、前記金属酸化膜の平均厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。
前記金属酸化膜は、クリシェの表面エネルギーを上昇して、印刷工程中レジストパターンの転写特性が増加し、繰り返しの印刷工程に応じたクリシェのパターン層の損傷を防止することができる。
本明細書において、クリシェは溝部パターンが形成された凹版であり、前記クリシェは、凹版にインクを付け、余分のインクをかき出し、溝部パターンに残っているインクを被印刷体に転写するために用いられるか、全面にインクがコーティングされた印刷版または印刷ロールと凹版が接触して凹版の突出部と接触したインクは印刷版または印刷ロールから除去され、印刷版または印刷ロールには凹版の溝部パターンと対応するインクパターンが形成され、形成されたインクパターンを被印刷体に転写するために用いられることができる。
以下では、実施例を通じて本明細書についてより詳細に説明する。但し、以下の実施例は本明細書を例示するためのものに過ぎず、本明細書を限定するためのものではない。
［実施例１］
ガラス基板上にアルミニウムを１２０ｎｍ蒸着した後、前記アルミニウム蒸着層上にリバースオフセット印刷工程を利用して、配線部の線幅が３０．２μｍであり、連結部の線幅が３．７μｍ〜２９．７μｍであり、画面部の線幅が３．２μｍのレジストパターンを形成した。アルミニウムエッチング液でレジストパターンが形成されていないアルミニウムを除去した後、レジスト剥離液でレジストパターンを除去して、遮光マスクパターンとしてアルミニウムパターンを図６のように形成した（この時、配線部のアルミニウムパターンの平均線幅：３０μｍ、連結部のアルミニウムパターンの線幅：３．５〜２９．５μｍ、連結部のアルミニウムパターンの平均線幅：１６．８７μｍ、画面部のアルミニウムパターンの平均線幅：３．０μｍ）。
前記アルミニウムパターンが形成されたガラス基板上にＳＵ−８ ２００５ネガティブフォトレジストを用いて平均厚さが３．５μｍのネガティブフォトレジスト層を形成した。
アルミニウムパターンが形成されていないガラス基板面にＫａｒｌ Ｓｕｓｓ Ｍａｓｋ Ａｌｉｇｎｅｒを用いて背面露光した後、９５℃のホットプレートで３分間ネガティブフォトレジスト層をＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）した。
ＳＵ−８現像液を用いて１０分間現像した後、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ；Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）で洗浄してクリシェを製造した。この時、現像後、ネガティブフォトレジストパターン層において、配線部の溝部パターンの平均線幅は３０μｍであり、連結部の溝部パターンの線幅は３．５μｍ〜２９．５μｍ（平均線幅：１６．８７μｍ）であり、画面部の溝部パターンの平均線幅は３μｍであった。
前記ネガティブフォトレジストパターン層が備えられた全面にスパッタを用いてＳｉＯ２層を１００ｎｍ厚さで形成した。
製造されたクリシェを走査電子顕微鏡で撮影したイメージを図７に示す。
［実施例２］
実施例１で製造されたアルミニウムパターンが形成されたガラス基板上にＳＵ−８ ２００５ネガティブフォトレジストを用いて平均厚さが６．０μｍのネガティブフォトレジスト層を形成した。
アルミニウムパターンが形成されていないガラス基板面にＫａｒｌ Ｓｕｓｓ Ｍａｓｋ Ａｌｉｇｎｅｒを用いて背面露光した後、９５℃のホットプレートで３分間ネガティブフォトレジスト層をＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）した。
ＳＵ−８現像液を用いて１０分間現像した後、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ；Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）で洗浄してクリシェを製造した。この時、現像後、ネガティブフォトレジストパターン層において、配線部の溝部パターンの平均線幅は３０μｍであり、連結部の溝部パターンの線幅は３．５μｍ〜２９．５μｍ（平均線幅：１６．８７μｍ）であり、画面部の溝部パターンの平均線幅は３μｍであった。
前記ネガティブフォトレジストパターン層が備えられた全面にスパッタを用いてＳｉＯ２層を１００ｎｍ厚さで形成した。
［実施例３］
実施例１で製造されたアルミニウムパターンが形成されたガラス基板上にＳＵ−８ ２００５ネガティブフォトレジストを用いて平均厚さが７．０μｍのネガティブフォトレジスト層を形成した。
アルミニウムパターンが形成されていないガラス基板面にＫａｒｌ Ｓｕｓｓ Ｍａｓｋ Ａｌｉｇｎｅｒを用いて背面露光した後、９５℃のホットプレートで３分間ネガティブフォトレジスト層をＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）した。
ＳＵ−８現像液を用いて１０分間現像した後、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ；Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）で洗浄してクリシェを製造した。この時、現像後、ネガティブフォトレジストパターン層において、配線部の溝部パターンの線幅は３０μｍであり、連結部の溝部パターンの線幅は３．５μｍ〜２９．５μｍ（平均線幅：１６．８７μｍ）であり、画面部の溝部パターンの線幅は３μｍであった。
前記ネガティブフォトレジストパターン層が備えられた全面にスパッタを用いてＳｉＯ２層を１００ｎｍ厚さで形成した。
製造されたクリシェを走査電子顕微鏡で撮影したイメージを図８に示す。
［比較例］
クロムが１００ｎｍ厚さで蒸着されたガラス基板上にフォトレジスト（ＰＲ）を塗布した後、レーザ露光及びクロムエッチング工程によりクロムマスクパターンを形成した。クロムマスクパターンが備えられた全面にモリブデンを１００ｎｍ厚さで蒸着した。前記積層体上にフォトレジスト（ＰＲ）を塗布した後、レーザ露光及びモリブデンエッチング工程により配線部に対応する領域のモリブデン層を選択的に除去した。フッ酸エッチング液を用いて前記積層体の露出されたガラス面（配線部に該当）を５μｍ深さでエッチングした。前記積層体の上面のモリブデン層をモリブデンエッチング液を活用して除去した後、フッ酸エッチング液を用いて露出されたガラス面を２５０ｎｍ深さでさらにエッチングした。前記積層体の上面のクロム層をクロムエッチング液で除去して二重エッチングクリシェを完成した。前記工程により製造された二重エッチングクリシェの画面部の線幅は３μｍ、画面部の溝部深さは２５０ｎｍであり、配線部の線幅は３０μｍ、配線部の溝部深さは５．２５μｍであった。
比較例のクリシェの製造工程図を図９に示す。
製造されたクリシェを走査電子顕微鏡で撮影したイメージを図１０に示す。
［実験例１］
剥離液の耐久性実験
前記実施例１〜３及び比較例により製造されたクリシェをレジスト剥離液（ＬＧ化学、品名：ＬＧＳ−２０２）に２４時間浸漬した後、溝部深さの変化及びパターンの脱膜有無を観察し、その結果を下記の表１に示す。
この時、溝部深さが減少するか、またはパターンの脱膜現象が観察される場合には×、変化が観察されない場合には○で判定した。
［実験例２］
印圧マージンに関連した実験
レジストインクが３μｍ厚さで塗布されたブランケットロールを前記実施例１〜３及び比較例により製造されたクリシェに回転接触した。不要なレジストパターンがブランケットロールから前記クリシェ上部に転写された後、レジストパターンが備えられているブランケットロールを被印刷基材と回転接触して被印刷基材上にレジストパターンを転写した。
ブランケットロールとクリシェを接触する時、パターンが正常に実現される印圧マージンは下記の表１のとおりである。
この時、印圧はブランケットロールがクリシェと接触する時にＺ軸に押す圧力を意味する。前記印圧を示す実際数値は、圧力で表示せず、前記圧力を代弁できるＺ軸に押す圧力によりブランケットとクリシェが接触する接点がＺ軸に移動した距離（ｄ）で表示した。
前記印圧マージンは、該当パターンが底部接触なしに印刷できるＺ軸に移動した距離（ｄ）の最大値を意味する。
印圧が１００μｍの条件で、前記ブランケットロールと実施例１と比較例により製造されたクリシェを用いて被印刷基材上に印刷されたレジストパターンを図１３に示す。
図１３に示すように、実施例１のクリシェでは、画面部パターンと連結部パターンが切れることなく印刷されていることが分かる。その反面、比較例のクリシェでは、ブランケットロールがクリシェの溝部パターンの底部に接して除去されてはいけないレジストが除去され、被印刷基材に印刷された画面部パターンと連結部パターンが切れていることが分かる。
１ ・・・基板またはクリシェ
２ ・・・エッチングパターン
３ ・・・レジストパターン
１０ ・・・クリシェ
１００ ・・・基板
２００ ・・・遮光マスクパターン
３００ ・・・ネガティブフォトレジスト層
３１０ ・・・ネガティブフォトレジストパターン層
３２０ ・・・硬化したネガティブフォトレジストパターン層
３３０ ・・・溝部パターン
３４０ ・・・陽刻部
４００ ・・・金属酸化膜

Claims (5)

  1. 基板上に遮光マスクパターンを形成するステップ、
    前記遮光マスクパターンが備えられた基板上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ、
    基板側に光を照射して露光するステップ、及び
    露光されたネガティブフォトレジスト層を現像して、突出された陽刻部と現像された溝部パターンを有するネガティブフォトレジストパターン層を形成するステップを含み、
    前記ネガティブフォトレジスト層の平均厚さは３μｍ以上であり、
    前記ネガティブフォトレジストパターン層は線幅が互いに異なる少なくとも２種の溝部パターンを有し、前記少なくとも２種の溝部パターン間の線幅差は１０μｍ以上であり、
    前記線幅差が１０μｍ以上の少なくとも２種の溝部パターンは互いに連結されているオフセット印刷用クリシェの製造方法。
  2. 前記ネガティブフォトレジスト層を現像するステップ後に、ネガティブフォトレジストパターン層が形成された基板上に金属酸化物を蒸着するステップをさらに含む、請求項１に記載のオフセット印刷用クリシェの製造方法。
  3. 基板、
    前記基板上に備えられ、陽刻部と溝部パターンを有するネガティブフォトレジストパターン層、及び
    前記溝部パターンの底部に備えられた遮光マスクパターンを含み、
    前記ネガティブフォトレジストパターン層の溝部パターンの平均深さは３μｍ以上であり、
    前記ネガティブフォトレジストパターン層は線幅が互いに異なる少なくとも２種の溝部パターンを含み、前記ネガティブフォトレジストパターン層の溝部パターンの平均深さは同一であり、
    前記少なくとも２種の溝部パターン間の線幅差は１０μｍ以上であり、前記線幅差が１０μｍ以上の少なくとも２種の溝部パターンは互いに連結されているオフセット印刷用クリシェ。
  4. 前記ネガティブフォトレジストパターン層が備えられた基板上に備えられた金属酸化膜をさらに含む、請求項３に記載のオフセット印刷用クリシェ。
  5. 前記金属酸化膜の平均厚さは２００ｎｍ以下である、請求項４に記載のオフセット印刷用クリシェ。
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