KR20170001774A - 미세 패턴의 형성 방법 및 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐 - Google Patents

미세 패턴의 형성 방법 및 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐 Download PDF

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Abstract

미세 패턴의 형성 방법 및 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴의 형성 방법에 따르면, 베이스 기판 상에 금속층을 형성하고, 상기 금속층 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광하고, 현상액을 이용하여 상기 포토레지스트의 일부를 제거하여 포토 패턴을 형성하고, 상기 금속층 상에 상기 포토 패턴에 인접한 영역에 도금 공정을 통하여 범프를 형성하고, 박리액을 이용하여 상기 포토 패턴을 제거한다. 따라서, 금속 범프의 형성을 통하여, 금속의 식각을 통한 금속 패턴의 형성시 패턴의 폭이 넓어지는 문제점을 해소할 수 있으며, 이에 따라 고 종횡비를 가지는 미세 패턴을 형성할 수 있다.

Description

미세 패턴의 형성 방법 및 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐{METHOD OF FORMING FINE PATTERN AND CLICHE FOR REVERSE OFFSET PRINTING}
본 발명은 미세 패턴의 형성 방법 및 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고 종횡비를 가지는 미세 패턴을 형성하는 방법 및 이에 따라 형성된 미세 패턴을 포함하는 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐에 관한 것이다.
최근 전자소자에 각종 기능성 재료의 패턴이 요구되고 있다. 예컨대, 전극용 도전성 패턴, 컬러필터용 블랙매트릭스 패턴 및 컬러 패턴, 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)용 절연패턴 및 레지스트 패턴 등이 요구되어, 이러한 패턴을 형성하기 위한 다양한 인쇄 기술이 개발되고 있다.
인쇄 기술은 전자디바이스 및 스마트기기 등의 대량 소요로 인해 값비싼 포토리소그래피 공정의 대체방안으로서, 저가의 비용으로 전자부품을 대량 생산하는 방향으로 연구 개발되고 있다. 즉, 상기 패턴들은 포토리소그래피 공정으로 형성될 수도 있으나, 공정 비용이나 효율을 고려하여 인쇄 기술을 이용한 패턴 형성이 시도되고 있다.
기본의 인쇄 기술은 대부분 인쇄회로기판(PCB) 생산에 필요한 선폭 100 마이크로미터(㎛) 내외의 배선 제조 공정으로 평판 또는 로타리 스크린 프린팅이 이용되고 있으나, 현재 시장에서는 터치스크린이나 반도체에 필요한 수 마이크로미터 내외의 선폭을 구현할 수 있는 포토리소그래피 수준의 정밀한 인쇄 기술이 요구되고 있다.
기존의 롤 프린팅(roll printing)에 의한 미세 패턴의 형성 방법에는 대표적으로 그라비아 오프셋(gravure offset), 리버스 오프셋(reverse offset) 등이 있으며 이들은 액정 표시 장치(LCD)의 컬러 필터(color filter) 및 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM) 패턴, 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT), 또는 터치스크린의 투명 전극용 메탈 메쉬 패턴 등 미세 선폭 회로 패턴 형성에 이용될 수 있다.
특히, 리버스 오프셋 인쇄로 패턴을 형성하는 공정은, 코터(coater)로부터 롤의 블랭킷(blanket)으로 잉크(ink)를 코팅하는 단계, 블랭킷에서 클리쉐(cliche)에 의해 원하지 않는 패턴을 제거하는 단계, 및 블랭킷에 남은 패턴을 글래스 또는 필름 기판으로 전사하는 세 단계를 거친다.
리버스 오프셋 인쇄를 위한 장비는 기본적으로 코터, 블랭킷 롤, 클리쉐 및 기판 스테이지로 구성되며 이중 클리쉐는 미세 패터닝을 수행하는 가장 핵심 부품으로 이는 원하지 않는 패턴을 롤 블랭킷에서 제거할 수 있는 미세 패턴이 새겨진 인쇄판이다. 이러한, 클리쉐를 이용한 리버스 오프셋 인쇄 공정은 기존의 포토리소그래피 공정에 비하여 재료 소비가 적고, 공정이 간단하며, 잉크젯 인쇄나 레이저 전사에 비하여 공정 속도가 빠르다. 다만, 그러나, 패턴이 다른 기판에 대한 각각의 클리쉐가 있어야 하며, 보통 유리로 제작되는 클리쉐의 제작공정이 복잡하고 고가인 단점이 있다. 즉, 일반적으로 클리쉐는 포토레지스트를 크롬이 증착된 유리 위에 코팅하고 패터닝하여 유리 표면을 원하는 모양으로 식각해서 제조되고 있다. 이경우 식각되는 인쇄 패턴은 폭은 좁고 깊이는 깊을수록 또는 깊이와 폭의 비가 클수록 인쇄 특성이 우수해지나 식각을 이용해 제작하는 방법은 깊이를 깊게 식각하려고 할수록 폭도 넓어지기 때문에 고 종횡비(aspect ratio)의 미세 패턴을 갖는 인쇄판을 제작하기에 불리하여 이에 따라 패턴 해상도 및 전사 특성을 향상시키기 어렵다는 단점이 있었다.
한국 공개특허문헌 제10-2011-0048605호
본 발명은 미세 패턴의 형성시 금속의 식각을 통한 금속 패턴을 형성하는 것이 아닌, 금속 범프 형성을 통하여 고 종횡비를 가지는 미세 패턴을 형성하는 방법을 제공하고자 한다.
또한, 상기 방법에 따라 형성된 미세 패턴을 포함하는 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴의 형성 방법은 베이스 기판 상에 금속층을 형성하고, 상기 금속층 상에 포토레지스트를 도포하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광하고, 현상액을 이용하여 상기 포토레지스트의 일부를 제거하여 포토 패턴을 형성하고, 상기 금속층 상에 상기 포토 패턴에 인접한 영역에 도금 공정을 통하여 범프를 형성하고, 박리액을 이용하여 상기 포토 패턴을 제거한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층을 형성하기 전, 상기 베이스 기판 상에 밀착층을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 밀착층은 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나이상을 포함하는 금속 또는 이들의 합금을 스퍼터링하여 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층은 금(Au)을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 도금 공정은 시안화금(AuCN)을 포함하는 도금액을 이용하는 전해 도금 공정이며, 상기 범프는 은(Ag)을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트는 네거티브 형(negative type) 포토레지스트 일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트는 노광 전에 105 내지 115℃에서 1 내지 10분 동안 소프트 베이크(soft bake) 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토 패턴은 노광한 후 상기 범프를 형성하기 전에 125 내지 135℃에서 1 내지 10분 동안 하드 베이크(hard bake) 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토 패턴을 하드 베이크 한 후, 상기 포토 패턴의 폭 및 두께를 감소시키기 위하여 산소 플라즈마 처리할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐는, 상기 방법에 따라 형성된 미세 패턴을 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 미세 패턴의 폭은 5 내지 10㎛ 일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 미세 패턴의 패턴 피치는 500㎛ 이하 일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 미세 패턴의 두께는 5,000Å 이하 일 수 있다.
본 발명의 실시예들은 미세 패턴의 형성 방법에 있어서, 금속 범프의 형성을 통하여, 금속의 식각을 통한 금속 패턴의 형성시 패턴의 폭이 넓어지는 문제점을 해소할 수 있으며, 이에 따라 고 종횡비를 가지는 미세 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 이러한 미세 패턴을 가지는 클리쉐를 제조하여 리버스 오프셋 인쇄를 통하여, 공정 비용 및 효율이 향상된 패턴을 형성할 수 있다.
도 1 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 미세 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 클리쉐를 이용하여 리버스 오프셋 인쇄 공정을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하에서는 본 발명의 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이하의 실시 예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 충분히 전달하기 위해 제시하는 것이다. 본 발명은 여기서 제시한 실시 예만으로 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면은 본 발명을 명확히 하기 위해 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하고, 이해를 돕기 위해 구성요소의 크기를 다소 과장하여 표현할 수 있다.
도 1 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 베이스 기판(100) 상에 금속층(120)을 형성한다.
상기 금속층(120)을 형성하기 전, 상기 베이스 기판(100) 상에 밀착층(110)을 형성한다. 상기 금속층(120)의 밀착을 위하여, 상기 밀착층(110)이 상기 베이스 기판(100) 상에 형성된다.
예를 들어, 상기 밀착층(110)은 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn)을 포함하며, 이들의 합금을 포함할 수 있다. 상기 밀착층(110)은 상기 금속 또는 이들의 합금을 스퍼터링(sputtering)하여 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 밀착층(110)은 고전압에 의하여 이온화된 아르곤 가스(Argon gas)를 사용하여 타겟(target)으로부터 금속 입자를 떼어내어 금속 박막을 상기 베이스 기판(100)에 증착하는 스퍼터링 공정에 의하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 밀착층(110)은 500 내지 1,500Å의 두께로 증착될 수 있으며, 바람직하게는 1,000Å의 두께로 증착될 수 있다.
상기 금속층(120)은 상기 베이스 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(120)은 상기 밀착층(110) 상에 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 금속층(120)은 금(Au)을 포함한다.
예를 들어, 상기 금속층(120)은 1,500 내지 2,500Å의 두께로 증착될 수 있으며, 바람직하게는 2,000Å의 두께로 증착될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 금속층(120) 상에 포토레지스트(PR)를 도포한다.
예를 들어, 상기 포토레지스트(PR)은 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 공정을 통하여 도포될 수 있다. 바람직하게는 상기 포토레지스트(PR)은 스핀 코팅을 통하여 도포될 수 있다.
예를 들어, 상기 포토레지스트(PR)는 네거티브 형(negative type) 포토레지스트 일 수 있다. 네거티브 형 포토레지스트는 후에 노광된 영역이 경화되며, 비노광된 영역이 현상을 통하여 제거되어 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 포토레지스트(PR)는 그 종류에 한정이 있는 것은 아니나, JSR사의 THB-430N을 사용할 수 있다.
예를 들어, 상기 포토레지스트(PR)는 20 내지 30㎛ 두께로 형성될 수 있다. 바람직하게는 상기 포토레지스트(PR)는 25㎛ 두께로 형성될 수 있다.
상기 포토레지스트(PR) 내부의 용매를 제거하여 상기 포토레지스트(PR)를 노광에 적합하도록 이를 경화시키기 위하여 소프트 베이크(soft bake) 한다. 또한, 상기 소프트 베이크를 통하여, 상기 포토레지스트(PR)가 상기 금속층(120) 상에 밀착할 수 있으며, 상기 스핀 코팅을 통하여 도포될 때 가하여진 힘을 완화시킬 수 있다. 또한, 상기 소프트 베이크를 통하여 상기 포토레지스트(PR)의 미세 기포를 제거시키면서 평탄한 표면을 형성시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 소프트 베이크는 노광 이전에 105 내지 115℃에서 1 내지 10분 동안 진행할 수 있다.
도 4를 참조하면, 마스크(MASK)를 이용하여 상기 포토레지스트(PR)를 노광한다.
상기 마스크(MASK)는 광을 투과시키는 슬릿 영역을 포함하여 전면에서 제공되는 광의 일부는 반사시키거나 흡수하며, 나머지 광의 일부를 투과하여 상기 포토레지스트(PR)에 제공할 수 있다.
예를 들어, 노광 되는 광은 자외선을 포함하며, 예를 들어, 제공되는 광량은 350mJ/cm2 일 수 있다. 예를 들어, 노광기는 Suss사의 MA-150가 사용될 수 있으며, 선폭 5㎛ 이하의 더욱 정밀한 패터닝을 위해서 Nikon사의 NSR i6A이 사용될 수 있다. 노광 방법으로 근접 노광(proximity exposure), 접촉 노광(contact exposure) 등이 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 포토레지스트(PR)의 일부는 현상액을 이용하여 제거되며, 이에 따라 제1 포토 패턴(PR')을 형성한다.
상기 제1 포토 패턴(PR')은 후술할 범프가 형성될 위치에 대응하여 형성된다.
상기 현상액은 알칼리 현상액일 수 있으며, 예를 들어, 상기 현상액은 그 종류에 한정이 있는 것은 아니나, 2.38%의 수산화테트라메틸암모늄(tetramethyl ammonium hydroxide, TMAH)일 수 있다.
예를 들어, 상기 포토레지스트(PR)는 이중 퍼들(double puddle) 현상 공정을 통하여 총 120 내지 150초 동안 상기 현상액을 이용하여 현상될 수 있다.
상기 제1 포토 패턴(PR')을 견고하게 경화시키기 위하여 하드 베이크(hard bake) 한다.
예를 들어, 상기 하드 베이크는 상기 제1 포토 패턴(PR')을 노광한 후에 범프(130)를 형성하기 이전에, 125 내지 135℃에서 1 내지 10분 동안 진행할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 포토 패턴(PR')을 하드 베이크 한 후, 상기 제1 포토 패턴(PR')의 폭 및 두께를 감소시키기 위하여 산소 플라즈마 처리한다. 이에 따라, 폭 및 두께가 상기 제1 포토 패턴(PR') 보다 감소한 제2 포토 패턴(PR")이 형성된다.
예를 들어, 상기 산소 플라즈마는 RF 파워 50 내지 300W를 인가한 상태에서 산소 가스를 50 내지 150sccm을 흘려 파티클(PT)을 생성하여 상기 제1 포토 패턴(PR')의 폭 및 두께를 감소시킬 수 있으며, 이러한 산소 플라즈마 처리는 30 내지 90초 동안 수행될 수 있다. 이에 따라, 제2 포토 패턴(PR")을 형성할 수 있다.
이러한, 산소 플라즈마 처리는 상기 제1 포토 패턴(PR')의 폭을 감소시키지 않더라도 원하는 폭의 패턴을 얻을 수 있는 경우라면 생략 가능하다. 상기 제1 포토 패턴(PR')의 폭이 후술할 상기 범프(130)의 폭을 결정하므로 결과적으로 미세 패턴의 폭을 결정한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도금 공정을 통하여 상기 제2 포토 패턴(PR")에 인접한 영역에 범프(130)가 형성된 단면을 나타내는 단면도이며, 도 8은 도 7의 단면을 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)을 통하여 측정한 사진이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 금속층(120) 상에 상기 제2 포토 패턴(PR")에 인접한 영역에 도금 공정을 통하여 범프(130)를 형성한다.
상기 도금 공정은 시안화금(AuCN)을 포함하는 도금액을 이용하는 전해 도금 공정으로 진행된다. 상기 제2 포토 패턴(PR")이 형성되지 않은 영역에 금(Au)이 채워져 상기 범프(130)를 형성하며, 따라서, 상기 범프(130)는 금(Au)을 포함한다.
이는 종래의 금속의 식각에 의한 패턴 형성 방법인 탑-다운(top-down) 방식에 의한 미세 패턴 형성이 아닌, 범프의 형성을 통한 패턴 형성 방법으로 바텀-업(bottom-up) 방식에 의한 미세 패턴 형성 방법이다.
예를 들어, 상기 범프(130)의 두께는 5,000Å 이하가 되도록 형성될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 미세 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 7 내지 도 10을 참조하면, 박리액을 이용하여 상기 제2 포토 패턴(PR")을 제거한다.
예를 들어, 상기 박리액은 그 종류에 한정이 있는 것은 아니나, JSR사의 THB-S2를 사용할 수 있다. 상기 제2 포토 패턴(PR")은 50 내지 60℃의 온도의 상기 박리액에 5 내지 20분 동안 담가질 수 있다.
상기 제2 포토 패턴(PR")이 제거되어 상기 금속층(120) 상에 배치된 상기 범프(130)를 형성할 수 있다.
이에 상기 금속층(120) 상에 상기 범프(130)가 배치된 패턴이 미세 패턴이며 상기의 공정들을 통하여 상기 미세 패턴을 형성할 수 있다.
상기 미세 패턴을 형성하는 공정을 통하여 상기 미세 패턴을 포함하는 클리쉐를 제조할 수 있다.
예를 들어, 상기 미세 패턴의 폭(w)은 5 내지 10㎛ 일 수 있다.
또한, 예를 들어, 상기 미세 패턴의 패턴 피치(P)는 500㎛ 이하 일 수 있으며, 바람직하게는 100 내지 500㎛ 일 수 있다.
또한, 예를 들어, 상기 미세 패턴의 두께(t)는 5,000Å 이하 일 수 있으며, 바람직하게는 500 내지 5,000Å 일 수 있다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 클리쉐를 이용하여 리버스 오프셋 인쇄 공정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 클리쉐(C)는 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐(C)로서, 리버스 오프셋 인쇄 공정의 일 예를 나타낸다.
인쇄롤은 롤(R)과 상기 롤(R)의 표면을 감싸도록 구비된 블랭킷(B)을 포함한다. 상기 롤(R)의 상기 블랭킷(B) 상에 코터(coater, C)를 이용하여 포토레지스트(PR)을 코팅한다. 이어서, 클리쉐(C)에 상기 인쇄롤의 상기 블랭킷(B)를 접촉시켜, 상기 인쇄롤의 상기 블랭킷(B)으로부터 포토레지스트(PR)의 일부를 제거함으로써, 상기 블랭킷(B) 상에 인쇄 패턴(PR')을 형성한다. 이후, 상기 인쇄롤의 상기 블랭킷(B)을 피식각층인 금속층(M)이 베이스(10)상에 형성된, 상기 금속층(M)에 접촉함으로써 인쇄 패턴(PR')을 상기 금속층(M)에 전사한다.
상술한 바에 있어서, 본 발명의 예시적인 실시예들을 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변경 및 변형이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 밀착층
120: 금속층 130: 범프
PR: 포토레지스트 PR': 제1 포토 패턴
PR": 제2 포토 패턴 PT: 파티클
C: 클리쉐 B: 블랭킷
R: 롤 M: 금속층

Claims (13)

  1. 베이스 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;
    마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 노광하는 단계;
    현상액을 이용하여 상기 포토레지스트의 일부를 제거하여 포토 패턴을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 상기 포토 패턴에 인접한 영역에 도금 공정을 통하여 범프를 형성하는 단계; 및
    박리액을 이용하여 상기 포토 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속층을 형성하기 전, 상기 베이스 기판 상에 밀착층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 밀착층은 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 아연(Zn)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나이상을 포함하는 금속 또는 이들의 합금을 스퍼터링하여 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au)을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도금 공정은 시안화금(AuCN)을 포함하는 도금액을 이용하는 전해 도금 공정이며,
    상기 범프는 금(Au)을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 네거티브 형(negative type) 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 노광 전에 105 내지 115℃에서 1 내지 10분 동안 소프트 베이크(soft bake)하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 포토 패턴은 노광한 후 상기 범프를 형성하기 전에 125 내지 135℃에서 1 내지 10분 동안 하드 베이크(hard bake)하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 포토 패턴을 하드 베이크 한 후, 상기 포토 패턴의 폭 및 두께를 감소시키기 위하여 산소 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따라 형성된 미세 패턴을 포함하는 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐.
  11. 제10항에 있어서, 상기 미세 패턴의 폭은 5 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐.
  12. 제10항에 있어서, 상기 미세 패턴의 패턴 피치는 500㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐.
  13. 제10항에 있어서, 상기 미세 패턴의 두께는 5,000Å 이하인 것을 특징으로 하는 리버스 오프셋 인쇄용 클리쉐.


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