JPS6089925A - 電子回路エレメントの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 集積電子回路は、通常は、明確なパターンをなす結晶性
ウェーバ或いはテップ上に、例えば、結合子や接点、及
び導線などのノＱターン化１−た薄膜層を逐次デポジッ
トして得られる。これ等のパターン化した層は蒸着マス
キング或いは写真食刻法によりデポジットされる。

蒸着マスキング法においては、薄膜層をデポジットＬ、
たい面に密接して適当な形状の物理的障壁が存在する。

この障壁は蒸着体ビームの一定部分を遮断する。この遮
断された部分は表面への凝縮が阻止される。蒸着ビーム
の凝縮物は表面に薄膜ノ９ターンを形成する。

写真食刻法においては、減法エツチングとしても公知の
ように、薄膜が予め表面に形成され、そして所望の７９
ターンが、前記薄膜の部分的選択除去によ〕前記薄膜内
に形成される。上記の部分選択除去は感光性有機ラッカ
、即ちホトレジストを用いて達成される。このホトレジ
ストは薄膜面上にデポジットされ、所望のパターンが化
学線にょ９ホトレジスト層内に形成される。ホトレジス
ト層の現像は、ホトレジスト層の露出及び未露出領域の
可溶性に有意の差をもたらす。ホトレジスト層のよル可
溶性の部分は適切な溶剤にょｐ除去される。このようｉ
ｔ、て、下にある薄膜の１都がエツチング用試薬に対１
７て露出され、エツチングされ、所望の表面ノ９ターン
が後に残される。

写真食刻工程では、Ｉリーンはステンシル或いはマスク
、即ち、光マスクによって規定される。

このマスクはエツチングされるべきノ９ターンの精密像
である。これは初めの図版の２００倍〜１０００倍の写
真縮尺により作成される。最初の図版から、ヒトの裸眼
によって読増ル可能な縮尺で薄膜上に／Ｑターンが形成
されることが分る。

写真食刻工程で紘、高分子ホトレジスト層は被エツテン
、グ薄ｊｌ［面上に形成される。次に、ホトレジスト層
が光マスク、例えばコンタクトプリント法により化学線
に露出される。化学線はホトレジストの１８分を比較的
可溶性にし、その他の部分を比較的不溶性にする。ホト
レジストのより可溶な部分は、例えば、薄膜の露出部分
を適切表溶剤による可溶化により除去される。次に、薄
膜の露出部分がエツチングにより除去され、光マスクツ
９ターンの模写或いは逆模写が残される。

高分子ホトレジスト膜を形成する先行技術が開発されて
お〕、これ紘特に小型の剛性要素に適合されている。先
行技術で説明されるように、堅い小型要素は線状寸法が
約３インチ以下のものである。これ等の要素は、剛性の
非軟質要素、例えば単結晶要素上に形成され、該要素を
包囲ｔ７、従って狂いや弓そルは殆んどない。従来のホ
トレジスト塗布法は、吹付や浸漬、スピン或いは振回１
２コーティング、及びグラビアロール塗などを包む。

スピンコーティング法が最も一般に用いられる。

スピンコーティングにおいては、振回しコーティングと
しても公知だが、ホトレジスト組成物のプール、即ち、
溶剤中のホトレジストポリマー〇プ−ルが被塗布要素の
表面上に形成される。その後、該要素は毎分約２０００
〜約６０００回転の速度で回転され、これによシ小さな
剛性要素面をほは一様に横切ってホトレジスト組成物が
デポジットされる。ホトレジストデポジットの厚みはホ
トレジスト組成物の粘性と密度、及び被塗布要素の角速
度との関数である。

スピンコーティングは大きな、非剛性の軟質要素及び連
続工程の両者には適さないことが見出された。特に、ス
ピンコーティングは軟質基板上に微細回路を形成するた
めのロール間工程には適さないことが見出された。前記
の基板は、幅が約３インチ以上で、各種のデポジション
工程を通ｔ２て１つのロールから次のロールへ引張移動
される。

同様に１７て、ローラコーティングは、グラビアコーテ
ィングとしても知られ、大きくて軟質の非剛性要素には
最適ではないことが見出されている。

発明の要約 溶剤中のホトレジストポリマー膜は、例えば、押出しに
よって成形され、その後被塗布面上にデポジットされる
。本発明の方法により、電子回路の７９ターン化した薄
膜層が、該回転要素のエツチング可能面上にホトレジス
ト物質をデポジットすることと、該ホトレジスト物質の
１７１１１分を化学線に露出１１、その可溶性及び不溶
性部分を形成することからなる方法によって形成される
。次に、ホトレジストの可溶性部分を除去し、回路要素
のエツチング可能面の１部分を回収し、次に前記回路要
素のエツチング可能面の回収した部分をエツチングし、
ノ９ターン化した薄膜層を形成する。ここで意図したよ
うに、ホトレジストをホトレジストポリマーと溶剤とか
らなるホトレジスト組成物の膜の形成法によりデポジッ
トし、ここで、ホトレジストポリマーの膜を回路要素の
エツチング可能薄膜面から分離して形成し、その後ホト
レジスト組成物の膜を回路要素のエツチング可能な薄層
面上にデポジットする。

ホトレジスト組成物膜はほぼ連続する粘性ウェブを意味
１７、該ウェブは、はぼ不連続な粒子のスプレィとは異
な如、押出機からの膜の排出と回路要素面上の膜のデポ
ジションとの間でウェブの形態と保全性とを維持するこ
とが出来る。

本発明の特に好ましい例示に従って、回路要素を支承す
る連続する、軟質の機械的な構造用基板を備える電子要
素或いは回路の形成法が与えられ、ここに前記の基板は
少なくとも１つの表面寸法が３インチ以上のものである
。

この例示に従って、軟質の、機械的構造用基板が−巻き
の基板物質から取出され、アモルファス半導体物質デポ
ジション装置の少なくとも１段を通過させられる。前記
の装置は軟質の構造的、機械的基板上に少なくとも１層
のアモルファス半導体物質をデポジットする。このアモ
ルファス半導体物質のデポジットはエツチング可能な外
面を有する。次に、ホトレジスト組成物の膜を形成し、
前記のエツチング可能外部面上にデポジットする。

ホトレジスト組成物の膜を光マスクを通１７て化学線に
露出し、可溶部分及び非可溶部分を形成する。

ホトレジスト膜の可溶部分を除去Ｌ／　、エツチング可
能面のパターン化ｔ７た部分を露出する。次に、エツチ
ング可能面の露出部分を除去ｌ７、これによって光マス
クツＱターンの模写或いは逆模写である回路要素を定め
る。

ここに開示する本発明は、回路要素の薄膜のエツチング
可能面上にホトレジストをデポジットｔ７、且つ光マス
クを通してホトレジストの１ｆｌ１分を化学線に露出し
、これによりホトレジスト膜内に光マスクの模写或いは
逆模写を形成する方法によ）、電子要素、例えば集積回
路を形成する方法を与える。化学線はホトレジスト膜内
の光マスク・３ターンに対応して比較的可溶性の部分と
比較的不溶性の部分とを形成する、ホトレジストの可溶
部分を除去する。これは回路要素のエツチング可能な薄
膜面の１＠分を露出させる。次に、回路要素のエツチン
グ可能な薄膜面の露出部分をエツチングによシ除去する
。

本発明は、ホトレジスト組成物が、回路要素のエツチン
グ可能な薄膜面から分Ｍｌ、てホトレジスト組成物の膜
を形成することと、その後回路要素のエツチング可能面
上にホトレジスト組成物の膜を□デポジットすることか
らなる方法によってデポジットされることを特徴とする
。

本発明の特に好ま１．い例示に従って、連続する軟質の
機械的基板上に電子回路、例えば集積回路を形成する方
法が与えられ、ここに機械的基板は３′インチ以上の少
なくとも１つの直線表面寸法を有する。この例示に従っ
て連続する、軟質の機械的基板が−巻きの基板物質から
はぼ連続的に増出され、アモルファス半導体デポジショ
ン装置の少なくとも１段を通過させられる。よく用いら
れるアモルファス半導体デポジション装置は、「結晶半
導体に相描するアモルファス半導体」の名称で５ｔａｎ
ｆｏｒｄ　Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｌＯ’等に与えられた米
国特許第４，２１７，３７４号及び「グロー放電工程に
よ如製造した結晶半導体に相当するアモルファス半導体
」と題する５ｔａｎｆｏｒｄ　Ｒ，０ｖｓｈｉｎａｋ３
’等に与えられた米国特許第４．２２６．８９８号に開
示されている。

（以下余白） このようにして、少な（とも一層のアモルファス半導体
合金を軟質の機械的基板上にデポジットされる。アモル
ファス半導体物質のデポジットはエツチング可能な外部
面を備え、そこでは、）臂ターンを蝕□刻すること、例
えば要素を規定し、接続し、或かは分離することが必要
となる。ホトレジスト組成物からなる膜がアモルファス
半導体１質のエツチング可能な外゛部面から分離して形
成され、その後′該外部面上にデポジットされる。光マ
スクを化学線源とデポジットしたホトレジスト膜との間
に配置し、該ホトレジスト膜を化学線に露出する。これ
は可婢度が比較的高い部分と低い部分とをホトレジスト
膜内に形成せしめる。可溶度の大きな部分を除去し、ア
モルファス牛導体物質のエツチング可能面内のホトマス
クに対応する・り二ンをｌＩ出させ、或いはその逆を実
施し、そしてアモルファス苧導体物質のその他の部分を
上塗シする。アモルファス牛導体物質のエツチング可能
面の露出部分を化学エツチング剤忙よプ除去し、アモル
ファス半導体物質内にホトマスクに対応するＡターンを
形成し、或いはこれの逆を実施する。

本発明に従って、ホトレジスト組成物をオリフィスを通
じて通過させ、その膜を形成し、その後このように形成
し九ホトレジスト組成瞼の膜を回路要素のエツチング可
能面上にデポジットする。

特□に、オリフィスは細長い水平オリフィスでアル１被
塗布回路要素はオリフィスを直線的に通過移動する。

本発明の特に好ましい例示においては、塗布したい要素
の線速度はオリフィスを出るホトレジスト組成−６線一
度より大きく、これＫよってホトレジスト組成物膜がオ
リフィスとエツチング可能面との間に引きおろされる。

即ち、ホトレジスト膜を被塗布要素より大き”な線速度
で、比較的大きな厚みの、即ち、オリアイスの厚みを通
過させ、ホトレジスト組成物の膜を引伸してよ如薄いデ
？ジット膜を形成する。

ホトレジストはネガティブ形ホトレジストであり、照明
により不溶性にされ、これによってホトレジストの相補
的な或いはネガティブ形の模写が与えられる。一方、又
より好壕しくは、ホトレジストはポジティブ形ホトレジ
ストであり、これは照明によ如更に９溶にされ、これｋ
よってホトマスクのポジティブ形の模写が与えられる。

ネガティブ形のホトレジストは、照射された領域がホト
レジストの露出された或いはマスクされた領域に対して
不溶にされる。ネガティブ形のホトレジスト樹脂は不飽
和ｌリマ一で６９、更に化学線によって重合される。樹
脂自身は感光性である必要はないが、増感剤との反応を
通して不溶化出来なければならない、この増感剤は化学
ｍＫよル活性化出来る。

例示のネガティブ形ホトレジスト樹脂は、ポリビニルシ
ンナメートや、ポリスチレンーシンナ々ｚ３− リデンアセテートなどの感光性シンナメート、ジアリル
フタレートプレポリマー樹脂、及びイソプレノイド樹脂
とを含む・ ホトレジストポリマーは増感剤を有する溶剤中に、即ち
活性剤或いは開始剤中に分散或いは溶解される。ネガテ
ィブ形ホトレジスト用の光増感剤は波長がｇｏｏ〜４０
０ナノメートルの近紫外化学線によって活性化する。

シンナメート及びジアリルフタレート用の例示としての
増感剤は、アジド化合物、例えば４，４／−アジドジペ
ンザルアルデヒ１ドラニトロ化合物、例え［Ｄ−二トロ
ジフェニルやアルファ−ニトロナフメレン；ニトロアニ
リン誘導体、例えば、４−ニトロ−２−クロロアニリン
、２ａ４ｍＢ　）リニト關アニリン、及びＳ−ニトロ−
２−ア７ノトルエン；アントロン、例えば、２−ケト−
３−メチル−１，３−ジベンズアントロン；キノン、例
えは１．２−ベンズアントラキノン、ベータークロ２１
− ロアントラΦノン、及び９．１Ｏ−アントラキノン；ジ
フェニル類、例えば４．４１−テトツメチルジア２ノジ
フェニルケトン、及び類似のカルビノール、及び４．４
１−テトラメチルシア建ノペンゾフエノン；及びチアゾ
リン、例えばｌ−メチル−８−ベンゾイルメチレンナフ
トチアゾリン、８−メチル−Ｘ−品トローペーターナフ
メチオゾール、及びｌ−エチル−意−アセチルメチレン
ーペーターナッチアゾリンを含む。

イソプレノイドに用いられる増感剤としては、例えば、
アジドであｌ：＞、４　、４’−ジアジドスチル４ｙ、
４　、４／−ジアジドベンゾフェノン、２，６−ジ（４
１−アジドベンザル）−４−メチルシフゝ　ロヘキサノ
ン、及び４，４′−ジアジドジペンザルアセトンとを含
む。好ましい例としてはカル−ニル結合を有するアジド
である。特に１好ましいものは、可溶性と安定性の点か
ら、８＃６−ジー（４五−アジドベンザル）−４メチル
シクロヘキサノンが与えられる。

更に、各種の安定化剤や添加剤が熱重合や浮き泡形成を
防止するために与えられる。

ネガティブ形ホトレジストに適した溶剤としては、１，
４−ジオキャン：脂肪族エステル、例えばブチルアセテ
ート、及びセロソルブアセテート、即ち、２−エトキシ
エチルアセテート；セルソルブエーテル、例えばエチレ
ングリコールモノエチルエーテル、及びエチレングリコ
ール七ツメチルエーテル：芳香族炭化水素、例えばキシ
レンやエチルベンゼンなどが挙げられる。一方、塩素化
炭化水素、例えばクロロベンゼンやメチオリンクロライ
ドが用いられ：ケトン、特にアセトン及びシクロヘキサ
ノンなどの環状ケトンが用いられる。

一方、ホトレジスト物質は、ポジティブ形ホトレジスト
物質でありＳ該瞼質は適切な溶剤中に分散されたポジテ
ィブ形のホトレジストポリマーを有する。ポジティブ形
ホトレジストポリマーは低分子量ポリマーであシ、不融
和性が殆んどないことを特徴とする特に好ましいポジテ
ィブ形ホトレジストポリマーはツメラック形樹脂、即ち
フェノールを末端基とするフェノール−ホルムアルデヒ
ドポリマーである。他のポリマーがノボラック形樹脂と
共に存在し、そのモノマーはフェノールヲ末端基とする
フェノールーホルムアルデヒドノＩツツク形樹脂と共に
重合化４可能である。

これ等には、スチレン、メチルスチレン、スチレン−無
水マレイン酸、スチレン−アクリル酸、スチレン−メタ
クリル酸、メジしヘメフミンースクロースペンゾエート
等が含まれる。

ポジティブ形ホトレジスト増感剤の例としては、キノン
ジアジド、例えばベンゾキノン１．２−ジアジド−４−
スルフオクロリド、ナフタトキノンー＝１．２−ジアジ
ド−５−スルフオフ匈すド、ナフトキノン−１＃２．−
ジアジド−４−スルフオクロリド、ナフトキノｙ−ｇｅ
ｔ−ジアジド−４−スルフオクロリド、類似のカルミン
酸りロリド等が含まれる。一般に、増感剤の量は樹脂坪
量が約１０〜９０重置部、好ましくは樹脂秤量が約２５
〜５０重量優である。

ポジティブ形ホトレジストに用いられる溶剤の例として
は、エチレングリコールモノエチルエーテル及ヒエチレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのセロソルブエー
テル；エチレンダリコールモノエチルエーテルアセテー
トなどのセロソルブアセテート：ブチルアセテートなど
の脂肪族エステル；キシレン及びエチルベンゼンなどの
芳香族炭化水素；クロ關ベンゼン及びメチレンク目リド
なとの塩素化炭化水素；及びシクロヘキサノンなどのｌ
状ケトンによｐ例示されるケトンなどが挙げられる。

ホトレジスト組成物は、通常は、溶剤中で約１５〜４５
重置部のホトレジストポリｉ−の溶液で供給され、ｇ５
℃で約ＩＯ〜約１２５センチストークスの粘度を有する
。ここに記載し九ホトレジスト組成物は、例えばシンナ
ーを加えることによｐ約２〜約８９６固体に希釈する。

シンナーは相溶性溶剤・である。固体含量を減らして１
．粘度が約１′〜２０センチストークスのホトレンジス
ト組成物が得られ′る。このようにして、ホトレジスト
組成物の自己支持形の軟質薄膜が被塗布回路要素とは別
に形成される。

ホトレジスト組成物の薄り軟質膜は、押出ダイのトラフ
にホトレジスト組成物のプールを形成し、前・・記の押
出ダイに静水圧ヘッドｔｌｉしてホトレジスト組成物を
押出ダイからオリフィスを通して強制形成される。ホト
レジスト組成物の膜は被塗布面に＠接して、例えば、被
塗布面の約α００１インチから約０．０１インチの距離
に形成されるが、これは蔓に離して形成させることが出
来、或いは予備成形も可能である。こむに記載したホト
レジスト組成物の薄壁は回路要素のエツチング可能面上
の層及びオリフィスから生ずる。

塗布時の、処理以前の膜厚は、通常は、約Ｓζクロン以
上、約１０３ンク四ン以下であるが、有害な作用なしに
よｐ厚い、より薄い膜を用いることも出来る。

デポジットされた膜は乾燥空気によシ実施されるソフト
ペーキンダ或いはプレベーキング工程に課される。ソフ
トペーキンダ或いはプレベーキングは対流的工程或いは
抵抗加熱工程である。プレベーキングは溶剤駆除を目的
とする。溶剤は露出や、化学線で開始される化学反応、
及び現像を妨害する。プレベーキング工程は、通常Ｌ１
約７０℃から約１１０℃の温度で約１０分から約４０分
の間で、好ましくは、約９０℃から約１０１℃の　１温
度で実施される。正確な時間と温度とは定期的な実験に
よシ見出される。

プレベーキングの結果として、ホトレジストデポジット
の厚みは約α２から２０ｔクロンまで低減される。

従って、ホトレジスト物質は化学線に露出される。通常
は、化学線は約ｇｏｏ〜５００ナノメートルの波長を有
する。通常は、化学線の鉱は約２〜８秒間は平方センナ
メートル当ｐ約４〜６０ミリワットであシ、化学線源は
水銀蒸気ランプである。正確な露出時間及び強度とは日
常実験によシ見出される。

次に、ホトレジストを現像して北回溶性の大きい領域を
除去し、一方ホトマスクの１ｊＴＩｉｌ＃に直接対応し
、或いはそれに相捕的な北回溶性の低い領域が４ＩｋＫ
残される。現像は、浸漬或いは噴霧によシ実施する。現
像は約ＸＳ〜約１５０秒の関に実施し、一般には約３０
〜約６０秒の間に実施する。

現像が浸漬現像の場合、窒素Ａプルによる攪拌が行われ
る。現像後、表面針、聞えは脱イオン水で水洗する。

噴霧現像は、それが浴液−ホトレジスト界面における現
像液の連続的な更新を可能にするために、特に好ましい
。更に、ホトレジスト物質のよシ可溶な部分を除去する
噴得の研磨、ブラッシング、或いは洗浄作用が与えられ
る。

現像と水洗の後に例えは、空気又は窒素による乾燥、及
びポストベーキングが行われる。ポストベーキングは通
常は約り００℃〜約２００℃の温度で実施され、これに
より現像及び水洗機残留するホトレジストのより不溶性
の部分をして電子回路要素の表面により強く密層せしめ
る。

ポストベーキングの後、エツチング溶剤はエツチング可
能物質の新しく露出され、保護されていない表面に塗布
される。エツチング剤の例としては、酸化剤の希釈液、
例えば、硝酸；燐酸、硝酸、及び弗化水素酸の溶液；硼
酸、硝酸及び弗化水素酸の溶液：ｐＨ９のメタノールに
溶解した水酸化アン篭ニウムの溶液；弗化水ｊ［の緩債
叡；硝誠、弗化水素酸及び水の溶液などが与えられる。

溶液は水溶液が用６られるが、メタノールやエチレング
リ；−ル、或いはグリセリン々どのアルコールが酸性溶
液に付加されエツチング反応が緩和され、る。エツチン
グ後、残留するホトレジストが、例えば、脱脂剤として
技術的に公知の研磨によシ、或いは高温の塩素化炭化水
素溶液によシ除去される。これ等にはトリフルロエチレ
ン、テトラクロロエチレン、及びそれ等の混合物が含ま
れる。

ここで図面を参照すると、第１図は本発明の方法の好ま
しい例示であυ、ここに連続する軟質の機械的基板１が
！！１板物質のロール１０１から取出され、３つのアモ
ルファス牛導体アモルファスデポジション室１０８．１
０５．１０７を通過され、これによ如アモルファス半導
体物質の８層がデポジットされる。例えば、Ｐ形の外因
性半導体物質がデポジション室１０８に塗布され、内因
性アモルファスシリーン苧導体がデポジション室１０５
に、そして外因性の肱形ア毫ルファスシリコン半導体が
デポジション室１０７に塗布される。その後、導電物質
の薄膜或いは層がｎ形外因性半導体層上に塗布され、そ
の中にエツチングされた）Ｒターンを有する。被エツチ
ング面は導体、半導体、絶縁体、或いは該状態間でセッ
ト可能又はスイッチ可能な物質である。前記の面はアモ
ルファス、多結晶質、結晶質、或いはそれ等の間でスイ
ッチ可能又はセット可能な物質、或いはそれ等の混合物
を用いることが出来る。

このようにして、被エツチング面は、アモルファス牛導
体合金、或いは、比較的導電性の状態及びカルコゲン化
物のような比較的非導電性の状態とを有するセット可能
物質で与えられる。

エツチングは多重ステップ工程であシ、該工程は、例え
ば加熱により電子回路要素を予備処理することを含む。

加熱室１０９は、抵抗加熱装置１１０、或９は図？略し
た導電加熱装置を備え、これによ〕牛導体塗布基板が約
１０〜３０分間約８５℃〜約３５０℃まで加熱される。

加熱後、ホトレジスト組成物１１が仕切シ、即ち室１１
１内で塗布される。該組成物は、入口２１を通してオリ
フィス３１を内蔵する押出ダイヘッド２３への該組成物
の供給を通して集積回１８要素に膜として塗布される。

はぼ連続する回路要素が、回転成いは角速度又は加速度
の成分を持九ずに一定の直線速度で室１１１を通して引
き出される。好ましくは、連続する回路要素の直線速度
は押出機のダイス型ヘッド２３内のオリフィス３１から
のホトレジスト組成ｆ＃１１ＩＪＢ７Ｘ１１への直線速
度よルわずかに大きい。これはホトレジスト組成物議１
１の引落し１１６を惹起する。

ホトレジスト組成物議１１ａを塗布した回路要素は塗布
室・ｉｌｌから乾燥室１１Ｂに進み、該乾燥室におｉて
は抵抗加熱要素１１４或いは導体がｔＪｒＵ熱を与え、
これによシ回収予定の溶剤が蒸発される。このステップ
はホトレジスト膜の厚みを因子的５〜４θ０だけ低減さ
せる。

ホトレジスト膜を塗布した連続回路要素は、次に、写真
室、即ち仕切ｂｘｘｓに進行し、ここで該回路要素の表
面にホトマスク１１６が配置され、ホトレジスト＠１１
が、例えば光源１１７からホトマスク１１６を通して化
学線に露出される。この露出の後、ホトレジスト塗布回
路要素は現像及び噴霧室１１９に進行し、ここで該回路
要素の表面に現像液及び水洗液が噴霧される。これは可
溶度が比較的高い領域を除去し、−言回溶度の比較的低
い領域を前記の回路要素に殆んどそのｔ１残す。

次に、ホトマスクが上に模写され、ホトレジストを通し
て露出されないエツチング可能部分を有するホトレジス
ト塗布回路要素は、例えば室１２１内で加熱され、残る
ホトレジストを硬化させる。

次に、ホトレジスト塗布回路要素はエツチング室１２１
に到９、ζこでエツチング用溶液がノズル１２４を通し
て前記の回路要素に塗布される。エツチングがほぼ終ろ
うとすると、ホトレジスト塗布回路要素は残留するホト
レジス］・物質を除去する丸めに次（Ｄ［１１！５に進
む。その後、エツチングされた連続集積回路は後続デポ
ジション室で処理され、例えば、アモルファス中導体物
質の他のＩＹｌ、或いは導電性物質層が塗布される。更
に、他のデポジション並びにホトレジストステップが実
施され、連続回路要素がロー２１１９に引き上げられる
。

第２図は、被エツチング薄ＩＩ面から離れてホトレジス
ト組成物膜が形成されることを示し、又、被エツチング
面上にホトレジスト組成物議が引き続きデポジットされ
ることを示すものである。９、第２図に示したように、
ｐ形ア七ルファスシリコン半導体物質３と、真性アモル
ファスシリコン半導体物質５と、ｎ形ア毫ルファス牛導
体シリコン牛導体物質７との層を上にデポジットさせた
軟質機械的基板１を有する回路要素が押出機ヘッド２３
の下を通過する。押出機ヘッド２３は、底面の半分２４
と上面の半分２５とからな９、又、それ等の間にガスケ
ットを有する。ホトレジスト組成物は正圧力の下で供給
ライン２１ｆ：通して押出機ヘッドＳ！３に導かれ、は
ぼ水平のオリフィス３１を通して押出される。このオリ
フィスは上部層７から約０．００２〜０．０１インチだ
け隔置され、これによシ押出し膜１１は厚い膜１１ｍと
して取出され、中間厚みの膜１１ｂに絞られ、その後薄
−押出膜１１ａに成形される。

回路要素はオリフィス３１に対して直線方向に移動する
。回路要素は、好ましくは、オリフィスから出るホトレ
ジスト膜１１組成物の線速度よ如速い線速度で移動し、
これによｐホトレジスト組成ｖｌＪ膜が引き降ろされる
０例えば、第２図に示すように１ホトレジスト組成物は
、引き降ろし作川のために、該組成物が集積回路要素の
上部Ｉ＠７に遭遇する時はより薄（１１ａ、オリフィス
３１においてはよｐ厚く１１ａになる。

第８図は押出しダイス型ヘッド２３の部分破断図である
。ダイス臘ヘッド２３は、最上部２５と底部２４とを有
し、又、それ等の間にガスケット２６を有する。底部部
分２４Ｆ！、その中にトップ３０を備え、これによりホ
トレジスト組成物のプールが与えられる。

供給ツインｉｌ内のホトレジスト組成−の正水圧ヘッド
は、ガスケット２６内のノツチにより形成されたオリフ
ィス８１から前方に出るホトレジスト組成物１１に対し
て駆動力を与える。ガスケット２６の厚みは普通約α０
０１〜約０．００１ｓインチの範囲にある。押出しヘッ
ドは、例えば図に示した一ル）ｊｌ？及びナラ）２！ｉ
手段によｐ圧縮維持される。

第２図及び第８図に示し友ように、ホトレジスト組成物
は下に配置された回路要素の表面７から離れた層膜１１
としてスロット或いはダイス源を通して押出され、該層
膜上に表面１１ａを形成する。

ホトレジスト組成物供給ライン２１の高圧は、ホトレジ
スト組成物のポリマーや、溶剤、並びに開始剤をダイス
源を通して、又、その中に駆動する。オリフィス３１か
ら前進すゐ膜は約５０ンクロンの厚み、例えば、好まし
くは、約２〜約１０ミクロンの厚みを有する。この膜は
、粘度が２５℃で約１〜約２０センチストークスのシロ
ップ様の液体の、或いはシム様の薄い柔軟ウェブとして
押出機ダイス型オリフィス３１から前出する。

ダイス源２３はｔ形状を表し、マニホルド形平坦膜ダイ
ス型として公知であり５１４１節自在の最上部２５及び
底部２４とを有する、即ち、それ等はガスケット２６を
通して調節自在である。ダイス型の開口、即ちオリフィ
ス３１は所望の湿潤性膜ホトレジスト物質１１の厚みに
郷しく、引き降ろしによシ細くなった場合はｍ潤性膜或
いはホトレジスト物質の厚みの約１０倍に等しい。

ダイス型開口、即ちオリフィス３１がデポジットされた
ｇ１潤性ホトレジスト膜１１ａの所望厚み以上の場合は
、塗布するべき電子回路要素或いは構造上に膜を塗布す
る速度は層膜を有意に引き降ろすほど十分に大きく、膜
を薄くする上記現象を伴う。

本発明の方法は、軟質で、はぼ連続する機械的基板上に
形成され、ロール対ロール方式で形成可能な集積回路要
素について記載されたが、本方法は更に、結晶基板を含
む剛性で、はぼ非軟質の機械的基板を％徴とする電子成
分或φは回路要素の製造にも適用可能である。更に、本
発明の方法は集積回路要素に関して記載され九が、この
集積回路要素の名称には太陽電池パキル、表示パネル、
圧電人カッ臂ネル、及び感光柱入カバネルなどが包含さ
れることが理解されるべきである。

更に、本発明の範囲は上記の実施例及び例示によｐ限定
されるものではなく、厳密には添付した特許請求の範囲
により規定されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法の概略図であり、ここに該方法は
、機械的基板をロールから取抄出し、アモ＃７７ス牛導
体デポジション装置を通過させ、その後ホトレジストの
押出し成形、更にエツチングされ九ｍ膜上にアモルファ
ス半導体層を逐次デポジットさせることを含む写真蝕刻
法に供する各種の室を通過させて彦るものであり、第２
図は、エツチング可能面層とは別にホトレジスト膜を形
成し、エツチング可能面層上にホトレジストをデポジッ
トさせ、ホトレジスト膜を引き降ろす状態を示す概略図
でおり、第３図は、ホトレジスト物質の膜を形成するた
めの、オリフィスを内部に有する押出しヘッドの展開部
分破断図である。 １・・・・・・基板、ｉｌｌ・・・・・・供給ライン、
２３・・・・・・ダイス型ヘッド、３１・・・・・・オ
リフィス、２６・・・・・・ガスケット、１０１・・・
・・・ロール、１０３，１０１１ｉ。 １０７・・・・・・デポジション室、１０９・・・・・
・加熱室、１１０．１１４・・・・・・加熱装置、１１
１，１１５・・。 ・・・仕切り、ｔｔａ・・・・・・乾燥室、１１６・・
・・・・ホトマスク、１１７・・・・・・光源、１１９
・・・・・・噴霧室、１２３・・・・・・エツチング室
、１２４・・・・・・ノズル、１１１９・・・・・・ロ
ーラ。 −も−１ 手続？Ｆ４ｉ−ＩＦ山 昭和５９年１２月６■ １、事件の表示　昭和５９年特許願第１８７２２６号２
、発明の名称　大表面積集積回路の形成法３、補正をす
る者 事件との関係　特許出願人 名　称　エナージー・コンバージョン・デバイセス・イ
ンコーホレーテッド ４、代　理　人　東京都新宿区新宿１丁目１番１４号　
山田ビル（郵便番号１６０）電話（０３）　３５４−８
６２３６、補正ににり増加する発明の数 ７、補正の対象　明細書 ２、特許請求の範囲 （１）　電子回路要素の１ツチング可能薄膜面上にホト
レジストをデポジットすることと、該ボトレジストの１
部分を化学線に露出り“ることと、前記のホトレジスト
の可溶部分を除去して１−ツチング可能面の１部分を露
出さけることと、エツチング可能面の露出させた部分を
１ツチングすることとからなる電子回路要素形成法にお
（ｊる改良であり、ここに、前記のホトレジストが、 ａ１回路要素のエツヂング可能簿ＩＩＩ面から分離した
溶剤とホトレジスト−とからなる粘性液体を形成するこ
とと、 ｂ、該粘性液体をエツチング可能薄膜面から隔置された
細長い水平Ａリフイスを通過さＶ粘性液体の軟質ＭＩＪ
を形成することと、 Ｃ１回路要素を水平Ａリフイスに対する粘性液体組成物
の線速度Ｊ：り人なる線速度でＡリフイス−１− に対して移動さｕｌこれにより、オリフィスと濾過可能
面との間に粘性液体組成物を引きおろし、それによりホ
トレジストの膜をｅ過可能面上にデポジットさせること
と、 ｄ２ホトレジストの膜を加熱して層膜から溶剤を駆除し
、これにより濾過可能面に薄い粘着性のホトレジスト膜
を設けることからなる方法によりデポジットされてなる
改良電子回路要素形成法。 （２）　ホトレジスト組成物は約２〜約８重量％の固体
とバランス溶剤とからなる特許請求の範囲第１項に記載
の電子回路要素形成法。 （３）　ホトレジストはポジティブ形ホトレジストであ
り、又固体はフェノールを末端基とするフェノールホル
ムアルデヒドホトレジストポリマーとキノンジアジド光
増感剤とからなる特許請求の範囲第２項に記載の電子回
路要素形成法。 　２− （４）　ホ１〜レジメＩ〜はネガ−１イブ形ホトレジス
トであり、又固体は光活性シンナメー１−、ジアリルフ
タル酸プレポリマー樹脂、及びイソプレノイド樹脂から
なるグルー、プから選択されたボトレジストポリマーと
、アジド化合物、ニトロ化合物、ニトロアニリン誘導体
、アン］〜ロン、キノン、ジフェニル、及びチアゾリン
からなるグループから選択された光増感剤とからなる特
許請求の範囲第２項に記載の電子回路要素形成法。 （５）　ホ］・レジスト組成物は２５℃で約１〜約２０
センチストークスの動粘度を有する特許請求の範囲第２
項に記載の電子回路要素形成法。 （６）　エツチング可能面に厚い湿潤性ホトレジスト膜
をデポジットし、そしてフィルムを加熱して　・該フィ
ルムから溶剤を除去し、１つ薄いホトレジスト膜を与え
ることからなる特許請求の範囲第１項に記載の電子回路
！！ｉ素形成法。 （７）濾過可能面上に厚さが約５〜１０３ミクロンの厚
い湿潤性ホトレジスト膜をデポジットすることと、Ｄつ
湿潤性フィルムを加熱し、これによりホトレジスト膜の
厚みを約０．２〜２．０ミクロンに低減させることから
なる特許請求の範囲第６項に記載の電子回路要素形成法
。 （８）　エツチング可能面は導体と半導体、絶縁体及び
該状態の間でセット可能な組成物からなるグループから
選択される物質で形成されてなる特許請求の範囲第１項
に記載の電子回路要素形成法。 （９）　エツチング可能面はアモルファス物質、多結晶
質物質、結晶質、該状態の間でセット可能な組成物から
なるグループから選択された物質で形成されてなる特許
請求の範囲第１項に記載の電子回路要素形成法 （１０）エツチング可能面はアモルファス半導体合金で
形成されてなる特許請求の範囲第１項に記載の電子回路
要素形成法。 （１１）エツチング可能面、比較的非導電性の状態と比
較的高い導電状態とを有し、Ｕつ前記の状態の１つから
前記の状態の他の１つにセット可能な載の電子回路用要
素形成法。 （１２）Ｉ？ッ１〜可能物質は前記状態間でセラ１〜可
能であり、且つ再セッ１〜可能である特許請求の範囲第
１１項に記載の電子回路要素形成法。 （１３）　レット可能物質はｈルコゲン化物である特許
請求の範囲第１２項に記載の電子回路要素形成法。 （１４）回路要素は軟質の機械的基板からなる特許請求
の範囲第１項に記載の電子回路要素形成法。 （１５）軟質の機械的基板はロールから取出され、これ
にＪ：りその上に電子要素が形成されてなる特許請求の
第１４項に記載の電子回路要素形成法。 （１６）可撓性の機械的基板でその十に電子要素が形成
された惨版利−ｑ囲Ｃ絶剰参年番基板がロールに収集さ
れてなる特許請求の範囲第１５項に記載の電子回路要素
形成法。 （１７）電子要素は３インチ以上の主要寸法を有してな
る特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （１８）少なくとも１つの表面寸法が３インチ以上の連
続する可撓性の機械的基板を備える電子要素形成法にし
て、 ａ、軟質基板をそのロールから取出すステップと、ｂ、
少なくとも１段のアモルファス半導体デポジションｔｉ
詔を通して軟質基板を通過させ、これにより少なくとも
１層のアモルファス半導体物質を軟質基板上にデポジッ
トし、該デポジットはエツチング可能な外部面を有して
なるステップと、 Ｃ１回路要素のエツチング可能な薄膜面から分離したホ
トレジストと溶剤とからなる粘性液体を−ρ　− 形成するステップと、 ｄ、　ＩＴエツチング可能薄膜面から隔置された細長い
水平オリフィスを通して粘性液体を通過させ、これによ
り粘性液体の可撓性の薄膜を形成するステップと、 ｅ、細長い水平オリフィスに対する粘性液体組成物の線
速度以上の線速度で前記のオリフィスに対して回路要素
を移動させ、これにより粘性液体組成物をオリフィスと
浸出可能面との間に引き時ろし、それによりボ１〜レジ
スト膜を浸出可能面にデポジットさせるステップと、 ｆ、ボトレジスト膜を加熱して護膜から溶剤を駆除し、
それによりｅ過可能面上に薄い粘着性ホトレジスト膜を
設（プるステップと、 ０、デポジットされたホ］・レジス］・膜をマスク装置
を通して化学線に露出するステップと、ホトレジスト膜
の１部分を除去し、これによりエラ　７− チング可能面の１部分を露出させるステップと、ｈ、−
［ツチング可能面の露出させた部分を除去するステップ
とからなる電子回路要素形成法。 （１９）ロール装置上に、連続する可撓性の機械的基板
を面える形成された電子要素を収集することからなる特
許請求の範囲第１８項に記載の電子回路要素形成法。 （２０）ボトレジスト組成物は約２〜約８重量％の固体
とバランス溶剤とからなる特許請求の範囲第１８項に記
載の電子回路要素形成法。 （２１）ホトレジストはポジティブ形ホトレジストであ
り、固体はフェノールを末端基とするフェノールホルム
アルデヒドホトレジストポリマーとキノンジアト光増感
剤とからなる特許請求の範囲第２０項に記載の電子回路
要素形成法。 （２２）ホトレジストはネガティブ形ホトレジストであ
り、固体は、光活性シンナメートと、ジアリルフタル酸
ポリマー樹脂とイソプレノイド樹脂とからなるグループ
から選択された小トレジストポリマーと、アジド化合物
と、二ｌ・口止合物と、ニトロアニリン誘導体と、アン
ド［ｌンと、キノンどシフ］、ニルどチアゾリンとから
なるグループから選択された光増感剤とからなる特許請
求の範囲第２０項に記載の電子回路要素形成法。 （２３）ホトレジスト組成物は２５℃において約１〜約
２０センチスト一りスの動粘度を有してなる特許請求の
範囲第２０項に記載の電子回路要素形成法。 （２４）　エツチング可能面−１−に厚い湿潤性ホトレ
ジスト膜をデポジットすることと、１つ層膜を加熱して
層膜から溶剤を除去し薄いボＩ・レジスト膜を設けるこ
とからなる特許請求の範囲第１８項に記載の電子回路要
素形成法。 （２５）エツチング可能面上に厚さが約５〜１０３ミク
ロンの厚い湿潤性ボトレジスト膜をデポジットすること
と、該湿潤性膜を加熱し、これによりホトレジスト膜の
厚みを約０．２〜２，０ミクロンに低減させることから
なる特許請求の範囲第２４項に記載の電子回路要素形成
法、１ （２６）エツチング可能面は導体と、半導体と、絶縁体
と該状態の間でセット可能な組成物からなるグループか
ら選択された物質で形成されてなる特許請求の範囲第１
８項に記載の電子回路要素形成法。 （２７）エツチング可能面は、アモルファス物質と、多
結晶質物質と、結晶物質と、該状態の間でセット可能な
組成物と、それ等の混合物とからなるグループから選択
された物質で形成されてなる特許請求の範囲第１８項に
記載の電子回路要素形成法。 （２８）　ｘツチング可能面はアモルファス半導体合金
で形成されてなる特許請求の範囲第１８項に記載の電子
回路要素形成法。 （２９）　エツチング可能面は、はぼ非導電状態と比　
１０− 較的高い導電状態とを有し、該状態１つから、該状態の
他の１つに［ット可能であるセット可能な物質で形成さ
れてなる特許請求の範囲第１８項に記載の電子回路要素
形成法。 （３０）セラ１〜可能物質【ま前記の状態の間でセット
可能であり、かつリセット可能である特許請求の範囲第
２９項に記載の電子回路要素形成法。 （３１）セラ１〜可能物質はカルコゲナイトである特許
請求の範囲第３０項に記載の電子回路要素形成法。 −１１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）電子回路要素のエツチング可能薄膜面上にホトレ
   ジストをデポジットすることと、該ホトレジストの１部
   分を化学線に露出することと、前記のホトレジメトの可
   溶部分を除去ｌ。 てエツチング可能面のｌｐ分を露出式せることと、エツ
   チング可能面の露出させた部分をエツチングすることと
   からなる電子回路要素形成法における改良であｐ、ここ
   に、前記のホトレジストが、 ａ８回路要素のエツチング可能薄膜面から分離した溶剤
   とホトレジストとからなる粘性液体を形成することと、 ｂ、該粘性液体をエツチング可能薄膜面から隔置された
   細長い水平オリフィスを通過させ粘性液体の軟質薄膜を
   形成することと、Ｃ０回路要素を水平オリフィスに対す
   る粘性液体組成物の線速度より大なる線速度でオリフィ
   スに対ｌ−て移動させ、これにより、オリフィスと濾過
   可能面との間に粘性液体組成物を引きおろし、それによ
   シホトレジストリ膜を濾過可能面上にデポジットさせる
   ことと、ｄ、ホトレジストの膜を加熱して線膜から溶剤
   を駆除し、これにより濾過可能面に薄い粘着性のホトレ
   ジスト膜を設けることからなる方法によυデポジットさ
   れてなる改良電子回路要素形成法。 （２）ホトレジスト組成物は約２〜約８重量−の固体と
   Ａランス溶剤とからなる特許請求の範囲第１項に記載の
   電子回路要素形成法。 （３）ホトレジストはポジティブ形ホトレジストであ少
   、又固体はフェノールを末端基とするフェノールホルム
   アルデヒドポリマーとキノンジアシト光増感剤とからな
   る特許請求の範囲第１項に記載の電子回路要素形成法。 （４）　ホトレジストはネガティブ形ポトレジストでア
   シ、又固体は光活性シンナメート、ジアリルフタル酸プ
   レポリマー樹脂、及びイソプレノイド樹脂からなるグル
   ープから選択されたホトレジスト７１背リマーと、アジ
   ド化合物、ニトロ化合物、ニトロアニリン誘導体、アン
   トロン、キノン、ジフェニル、及びチアゾリンからなる
   グループから選択された光増感剤とからなる特許請求の
   範囲第１項に記載の電子回路要素形成法。 （５）ホトレジスト組成物は２５℃で約１〜約２０セン
   チストークスの動粘度を有する特許請求の範Ｆ！ｌＩ第
   １項に記載の電子回路要素形成法。 （６）エツチング可能面に厚い浸潤性ホトレジスト膜を
   デポジットし、そしてフィルムを力り熱して該フィルム
   から溶剤を除去し、且つ薄いホトレジスト族を与えるこ
   とからなる特許請求の範囲第１項に記載の電子回路要素
   形成法。 （７）濾過可能面上に厚さが約５〜１０３ミクロンの厚
   い浸潤性ホトレジスト膜をデポジットすることと、且つ
   浸潤性フィルムを加熱し、これによシホトレジスト膜の
   厚みを約０．２〜２．０ミクロンに低減させることから
   なる％許請求の範囲第６項に記載の電子回路要素形成法
   。 （８）エツチング可能面は導体と半導体、絶縁体、及び
   該状態の間でセット可能な組成物からなるグループから
   選択される物質で形成されてなる特許請求の範囲第１項
   に記載の電子回路要素形成法。 （９）エツチング可能面はアモルファス物質、多結晶質
   物質、結晶質、該状態の間でセット可能な組成物からな
   るグループから選択された物質で形成されてなる特許請
   求の範囲第１項に記載の電子回路要素形成法。 顛　エツチング可能面はアモルファス牛導体合金で形成
   されてなる特許請求の範囲第１項に記載の電子回路要素
   形成法。 （ｌυ　エツチング可能面は、比較的非導電性の状態と
   比較的高い導電状態とを有し、且つ前記の状態の１つか
   ら前記の状態の他の１つにセット可能である特許請求の
   範囲第１項に記載の電子回路要素形成法。 ａ辱　セット可能物質は前記状態間でセット可能であ夛
   、且つ再セツト可能である特許請求の範囲第１１項に記
   載の電子回路要素形成法。 ０１　セット可能物質はカルコゲン化物である特許請求
   の範囲第１’２項に記載の電子回路要素形成法。 Ｉ　回路要素は軟質の機械的基板からなる特許請求の範
   囲第１項に記載の電子回路要素形成法。 （１５軟質の機械的基板はロールから取出され、これに
   よりその上に電子要素が形成されてなる特許請求の範囲
   第１４項に記載の電子回路要素形成法。 （国　可撓性の機械的基板でその上に電子要素が形成さ
   れた基板がロールに収集されてなる特許請求の範囲第１
   ５項に記載の電子回路要素形成法。 Ｃ７）電子要素は３インチ以上の主要寸法を有してなる
   特許請求の範囲第１項記載の方法。 舖　少なくとも１つの表面寸法が３インチ以上の連続す
   る可撓性の機械的基板を備える電子要素形成法にして、 ａ、軟質基板をそのロールから取出すステップと、 ｂ、少なくとも１段のアモルファス半導体デポジシ田ン
   装置を通して軟質基板を通過させ、これｋよ〕少なくと
   も１層のアモルファス半導体物質を軟質基板上にデポジ
   ットし、該デポジット社エツチング可能な外部面を有し
   て凍るステップと、 Ｃ０回路要素のエツチング可能な薄膜面から分離Ｉ７た
   ホトレジストと溶剤とから々る粘性液体を形成するステ
   ップと、 ｄ、エツチング可能な薄膜面から隔置された細長い水平
   オリフィスを通１．て通過させ、これにより粘性液体の
   可撓性の薄膜を形成するステップと、 ｅ、細長い水平オリフィスに対する粘性液体組成物の線
   速度以上の線速度で前記のオリフィスに対して回路要素
   を移動させ、これによシ粘性液体組成物をオリフィスと
   浸出可能面との間に引き降ろ１７、それによりホトレジ
   スト膜を浸出可能面にデポジットさせるステップと、 ｆ、ホトレジスト膜を加熱して線膜から溶剤を駆除し、
   それによシ濾過可能面上に薄い粘着性ホトレジスト膜を
   設けるステップと、ｇ、デポジットされたホトレジスト
   膜をマスク装置を通して化学線に露出するステップと、
   ホトレジスト膜の１部分を除去し、これＫよりエツチン
   グ可能面の１部分を露出させるステップと、 ｈ、エツチング可能面の露出させた部分を除去するステ
   ップとからなる電子回路要素形成法。 ＯＩ　ロール装置上に、連続する可撓性の機械的基板を
   備える形成された電子要素を収集することからなる％許
   請求の範囲第１８項に記載の電子回路要素形成法。 翰　ホトレジスト組成物は約２〜約８重量パーセントの
   固体とノ々ランス溶剤とからなる特許請求の範囲第１８
   項に記載の電子回路要素形成法。 ０υ　ホトレジストはホシティブ形ホトレジストであ勺
   、固体はフェノールを末端基とするフェノールホルムア
   ルデヒドホトレジストポリマーとキノンジアジド光増感
   剤とからなる％１ｙＩ−請求の範囲第２０項に記載の電
   子回路要素形成法。 （２匂　ホトレジストはネガティブ形ホトレジストであ
   り、固体は、光活性シンナメートと、ジアリルフタル酸
   ポリマー樹脂とイソプレノイド樹脂とからなるグループ
   から選択されたホトレジストポリマーと、アジド化合物
   と、ニトロ化合物ト、ニトロアニリン誘導体と、アント
   ロンと、キノンとジフェニルとチアゾリンとからなる３
   グループから選択された光増感剤とからなる特許請求の
   範囲第２０項に記載の電子回路要素形成法。 （ハ）　ホトレジスト組成物は２５℃において約１〜約
   ２０センチストークスの動粘度を有してなる特許請求の
   範囲第２０項に記載の電子回路要素形成法。 ０荀　エツチング可能面上に厚い浸潤性ホトレジスト膜
   をデポジットすることと、且っ線膜を加熱して核層から
   溶剤を除去［、薄いホトレジスト膜を設けることからな
   る特許請求の範囲第１８項に記載の電子回路要素形成法
   。 Ｃ最　エツチング可能面上に厚さが約５〜１０３　ミク
   ロンの厚い浸潤性ホトレジスト膜をデポジットすること
   と、該浸潤性膜を加熱ｌ２、これによりホトレジスト膜
   の厚みを約０．２〜２．０ミクロンに低減させることか
   らなる特許請求の範囲第２４項に記載の電子回路要素形
   成法。 （ハ）エツチング可能面は導体と、半導体と、絶縁体と
   該状態の間でセット可能な組成物からなるグループから
   選択された物質で形成されてなる特許請求の範囲第１８
   項に記載の電子回路要素形成法。 （５）エツチング可能面は、アモルファス物質ト、多結
   晶質物質と、結晶物質と、咳状態の間でセット可能な組
   成物と、それ等の混合物とからなるグループから選択さ
   れた物質で形成されてなる特許請求の範囲第１８項に記
   載の電子回路要素形成法。 （ハ）エツチング可能面はアモルファス半導体装置で形
   成されてなる特許請求の範囲第１８項に記載の電子回路
   要素形成法。 翰　エツチング可能面は、はぼ非導電状態と比較的高い
   導電状態とを有ｌ１、該状態の１つから、核状態の他の
   １つにセット可能であるセット可能な物質で形成されて
   なる％杵請求の範囲第１８項に記載の電子回路要素形成
   法。 （至）セット可能物質は前記の状態の間でセット可能で
   あり、かつリセット可能である特許請求の範囲第２９項
   に記載の電子回路要素形成法。 Ｃ３１）セット可能物質はカルコゲナイドである特許請
   求の範囲第３０項に記載の電子回路要素形成法。