JP2010175697A

JP2010175697A - 濃度分布マスク

Info

Publication number: JP2010175697A
Application number: JP2009016496A
Authority: JP
Inventors: Daisuke Nakamura; 大亮中村; Koki Hayashi; 甲季林
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2009-01-28
Filing date: 2009-01-28
Publication date: 2010-08-12

Abstract

【課題】パターンの解像度が高く、かつ、低露光の露光量を精密に制御することができる濃度分布マスクを得る。
【解決手段】微小網点図形の厚さが、透過光の位相を、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下位相シフトする厚さであり、前記微小網点図形の透過率が１％以上１０％以下であり、前記微小網点図形を透過する光量と前記微小網点図形間の微小間隙を通過する光量を同じ値にして光を相殺させた遮光領域を形成した濃度分布マスクを製造する。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶パネルに形成する微小立体形状の配列、半導体基板などに形成される微小立体形状の配列やＭＥＭＳやバイオチップ等の微小立体形状の配列を製造するために用いる濃度分布マスクに関するものである。特に、撮像デバイスの半導体において、画像を投影されて受光する半導体の各受光素子毎にマイクロレンズ（単位レンズ）の微小立体形状の配列を製造する場合や、それらを形成する金型や母型で微小立体形状の配列を製造する場合に用いる濃度分布マスクに関するものである。

ビデオカメラ、ディジタルカメラ、携帯電話に用いられる撮像デバイスは高画素化が求められている。画素が微細になると、画素を構成するＣＣＤ、ＣＭＯＳ等からなる受光素子も微細になる。微細な受光素子への集光効率を高めるため、広くマイクロレンズが利用されている。これは、画素への入射光を効率よくマイクロレンズにて集光して、受光素子に入射させ、受光感度を向上させるためである。

特許文献１には、被露光基板の表面に感光性レジストの層を形成し、この感光性レジスト層に、濃度分布マスクのパターンを投影露光し、現像してマイクロレンズの微小立体形状を得る技術が開示されている。この方法は、濃度分布マスクのレチクルに微小図形（微小網点図形）を微細ピッチで形成し、その濃度分布マスクのパターンを、その微小図形（微小網点図形）と微細ピッチが解像されない光の波長以下の寸法に投影されるようにステッパーで縮小投影して光学基板の感光性レジストを露光することで露光濃度を分布させる。これにより、隣接するマイクロレンズ同士を接して形成することが可能になる。

従来の濃度分布マスクは、透明基板にクロム（Ｃｒ）などの金属薄膜のパターンを形成した濃度分布マスクが広く用いられている。また、特許文献２では、そのマスクのパターンを金属と珪素を含む金属シリサイド系材料で形成する技術が提案されていた。すなわち、特許文献２では、透明基板の表面にＭｏＳｉＯ層を１０ｎｍ形成し、その上に１００ｎｍのＭｏＳｉ層を形成した構成、あるいは、透明基板の表面に１０ｎｍのＭｏＳｉＡｌ層を形成し、その上に１００ｎｍのＭｏＳｉ層を形成するなどの構成で微小網点図形を形成していた。

特表平０８−５０４５１５号公報特開２００７−２７１８９１号公報

しかし、特許文献１及び特許文献２では、濃度分布マスクの遮光領域及び低露光を与える領域では、微小網点図形間の微小間隙が小さくなり、わずかな形状の違いによりマスクの露光量が大きく変わり、低露光の露光量を精密に制御することが困難である問題があった。また、特許文献２では、金属シリサイドの反射率が５０％前後と高く、その金属シリサイドのパターンと露光対象物との間で光の多重散乱を発生するため、パターンの解像度を低下させる問題もあった。

そのため、本発明は、パターンの解像度が高く、かつ、低露光の露光量を精密に制御することができる濃度分布マスクを得ることを課題とする。

本発明は、上記課題を解決するために、濃度分布マスクにおいて、微小網点図形の厚さが、透過光の位相を、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下位相シフトする厚さであり、前記微小網点図形の透過率が１％以上１０％以下であり、前記微小網点図形を透過する光量と前記微小網点図形間の微小間隙を通過する光量を同じ値にして光を相殺させた遮光領域を形成したことを特徴とする濃度分布マスクである。

また、本発明は、上記の濃度分布マスクにおいて、上記微小網点図形を酸化モリブデンシリサイド又は酸化窒化モリブデンシリサイド又は窒化モリブデンシリサイドで形成したことを特徴とする濃度分布マスクである。

本発明の濃度分布マスクは、微小網点図形を透過する光を１８０度位相シフトさせ、微小網点図形を透過する光量と前記微小網点図形間の微小間隙を通過する光量を同じ値にして光を相殺させた遮光領域を形成するため、遮光領域の形成する微小網点図形間の微小間隙の大きさを比較的大きくできるので、低露光を制御する微小網点図形の寸法が制御し易く、低露光の制御が精密に行える効果があり、パターンの解像度を高くできる効果がある。

（ａ）本発明の濃度分布マスクを示す平面図である。（ｂ）本発明の濃度分布マスクで形成される微小立体形状配列の概略的な断面図である。（ａ）本発明で形成する微小立体形状配列の等高線をあらわす平面図である。（ｂ）本発明の濃度分布マスクの微小立体形状毎の単位領域における微小網点図形の配列を示す平面図である。（ａ）本発明の濃度分布マスクの微小網点図形の平面図である。（ｂ）本発明の原理を説明する濃度分布マスクの断面図である。本発明の濃度分布マスクの微小網点図形間の微小間隙の寸法とマスクの透過率の関係のシミュレーション結果を示すグラフである。（ａ）本発明の濃度分布マスクによる露光量の光強度分布を示す平面図である。（ｂ）図５（ａ）の各直線に沿った位置の露光量の光強度分布を示すグラフである。

＜第１の実施形態＞
以下、図１から図５によって、本発明の第１の実施形態を説明する。図１（ａ）に本実施形態の濃度分布マスク１を示す。この濃度分布マスク１には、被露光基板１０に形成する微小立体形状２の５倍や４倍や１．２５倍の寸法に拡大した単位領域３に、微細な微小網点図形４（又は微小網点図形間の微小間隙５）を千鳥足状に市松模様に配置したパターンを形成し、パターン露光時に、縮小投影型露光装置（ステッパー）でそのパターンを縮小して、微小網点図形４及び微小網点図形間の微小間隙５を露光光の波長以下の寸法にして被露光基板１０の感光性レジスト材料層に投影する。あるいは、濃度分布マスク１を被露光基板１０に形成するパターンと同じ縮尺の寸法の、ただし、微小網点図形４及び微小網点図形間の微小間隙５は波長以下の微細なパターンに形成し、マスクアライナーで濃度分布マスク１のパターンを被露光基板１０に、コンタクト露光あるいはプロキシミティ露光又は投影露光で転写しても良い。

本発明の濃度分布マスク１を得るにあたり、先ず、図２（ａ）に平面図を示すように、微小立体形状２を形成する濃度分布マスク１の単位領域３毎に、単位領域３を同心の環状の等高線６により環状領域７に分割する。

（単位領域）
図２（ｂ）に、濃度分布マスク１の個々の単位領域３の平面図を示す。図２（ｂ）に示すように、点線の交点で位置を示す格子点８に、矩形の微小網点図形４を千鳥足状に配列した市松模様のパターンを濃度分布マスク１に形成する。

格子点８（グリッド）のピッチの上限は以下の様に設定する。ステッパーの被露光基板１０側の投影レンズの開口比をＮａとし、露光する光の波長をλとすると、（λ／Ｎａ）に０．２から０．５の係数Ｋ１を掛け算した値の寸法より小さいピッチのグリッドとする。図３で点線で示す平行線及び格子点８は、微小網点図形４を配置する座標を決めるために仮に設定しているもので、濃度分布マスク上には存在しないパターンである。

かかるピッチとした格子点８（座標）上に、微小網点図形４（あるいは微小網点図形間の微小間隙５）を図２（ｂ）の様に互い違いに千鳥足状に配列する。この投影レンズの開口比Ｎａは最大１．３まで可能である。例えば、被露光基板１０を露光する光の波長λが０．３６５μｍの場合、投影レンズのＮａが０．５程度でＫ１が０．２の場合、微小網点図形４が置かれる格子点８のピッチの上限は概ね０．１５μｍになる。この場合は、縮尺が５倍の濃度分布マスク１には、０．７５μｍのピッチの格子点８上に微小網点図形４を互い違いに千鳥足状に配列したパターンを形成する。この微小網点図形をステッパーで５分の１に縮小して被露光基板側１０の感光性レジスト材料層に投影する。あるいは、概ね０．１μｍのピッチの格子点８（グリッド）に微小網点図形４を千鳥足状に設置し、１：１の縮尺の濃度分布マスク１のパターンを形成した濃度分布マスク１を作製し、その濃度分布マスク１の微小網点図形をマスクアライナーで被露光基板１０の感光性レジスト材料層に投影する露光処理を行うこともできる。こうして露光された感光性レジスト材料層を現像することにより、被露光基板１０に微小立体形状２を配列したマイクロレンズアレイを作製することができる。

（濃度分布マスクの階調）
図２（ａ）の等高線６で分割した環状領域７毎に、指定された階調（グレースケール：濃度）に従って、図２（ｂ）に示すように、寸法（面積）を変えた微小網点図形４を設置する。すなわち、矩形の微小網点図形４の辺の長さを０から格子点８のピッチの２倍の大きさにまで変えることによりマスクの光の透過率を変えて階調を調整する。矩形の微小網点図形４の辺の長さがちょうどグリッドのピッチと等しい場合は、微小網点図形４と、その間の同じ大きさの正方形の開口パターンとで市松模様が形成される。矩形の微小網点図形４の辺の長さが開口パターンより大きい場合は、隣接する矩形の微小網点図形４同士が重なり合い、その間の矩形の開口パターンの寸法が小さくなる。こうして単位面積当たりに形成される光透過部の割合により濃度分布マスク１の階調を調整する。

図２（ｂ）の濃度分布マスク１のパターンは、マイクロレンズの微小立体形状２の中心に近い環状領域７ほど、個々の微小網点図形４の面積を大きくし、微小網点図形間の微小間隙５を小さくすることで濃度を濃くするように階調を分布させたパターンを形成する。そして、この微小網点図形４と微小網点図形間の微小間隙５を拡大して図３（ａ）に示す。この濃度分布マスク１により被露光基板１０のポジ型の感光性レジスト材料層を露光する。

図３（ｂ）に、濃度分布マスク１の側面図を示す。本実施形態の濃度分布マスク１は、露光光Ｌ０が照射された場合、露光光は、マスクの面積に対する開口率がＢである微小網点図形間の微小間隙５を通過して被露光基板１０の面に達する光Ｌ１と、透過率Ａの微小網点図形４を透過して被露光基板１０に達する光Ｌ２とに分かれる。濃度分布マスク１の微小網点図形４の厚さｔを約λ／（２（ｎ−１））にする。ここで、λは露光光の波長で
あり、ｎは微小網点図形４の材料の屈折率である。微小網点図形４をこの厚さにすることで、それを透過した光Ｌ２を、微小網点図形間の微小間隙５を通過した光Ｌ１に対して位相を１８０度シフトさせる。すなわち位相を反転させる位相差マスクを形成する。微小網点図形４を透過する光の位相シフト量が、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下になるように微小網点図形４の材料の組成と膜厚を調整することが望ましい。

濃度分布マスク１の遮光領域、すなわち、被露光基板１０に露光する光量を０にする濃度分布マスク１の領域では、微小網点図形４を透過する光Ｌ２の光量に、微小網点図形間の微小間隙５を通過する光Ｌ１の光量を等しくする。微小網点図形間の微小間隙５を通過する光Ｌ１の露光光Ｌ０に対する割合を微小網点図形間の微小間隙５の開口率Ｂと定義する。この開口率Ｂは、間隙での光の回折効果により、微小網点図形間の微小間隙５の面積の割合からはずれた値になる。正確な開口率Ｂはシミュレーション計算で得る必要がある。微小網点図形４を透過する光Ｌ２の露光光Ｌ０に対する割合は、Ａ＊（１−Ｂ）と考えられる。濃度分布マスク１の遮光領域では、開口率Ｂを調整することで光Ｌ１と光Ｌ２の光量を等しくする。それにより、微小網点図形間の微小間隙５を通過した光Ｌ１と微小網点図形４を透過した光Ｌ２の位相はほぼ反転した関係にあるので、光Ｌ１と光Ｌ２が互いに相殺されて被露光基板１０上にパターン露光される効果が得られる。光Ｌ１と光Ｌ２を相殺させる関係式Ｂ＝Ａ＊（１−Ｂ）の解は、開口率Ｂ＝（１−√（１−４Ａ））／２である。この式により、透過率Ａが１％、すなわちＡ＝０．０１の場合、開口率Ｂを０．０１にする、また、透過率Ａが２％の場合はＢを０．０２にすることで、被露光基板１０への総体の露光量を０にする。また、透過率Ａが１０％、すなわち、Ａ＝０．１の場合は、開口率Ｂを０．１１にすることで、光Ｌ１と光Ｌ２を相殺させて被露光基板１０への総体の露光量を０にする。

微小網点図形４の厚さのバラツキや組成のバラツキによって、透過率Ａには１０％程度のバラツキがある。そのバラツキによって、微小網点図形４を透過した光Ｌ２の１０分の１程度の光が打ち消し合わされないで残ることが考えられるため、それを露光量の１％以下に抑えるため、微小網点図形４の透過率Ａは１０％以下であることが望ましい。また、微小網点図形間の微小間隙５の寸法が開口率Ｂの平方根にほぼ比例するので、微小網点図形間の微小間隙５の形状の作成し易さから、開口率Ｂは１％以上が望ましく、それを与える微小網点図形４の透過率Ａは１％以上あることが望ましい。すなわち、微小網点図形４は、位相を反転させる厚さｔにおいて透過率Ａが１％以上１０％以下の材料で形成することが望ましい。

この条件は、以下の材料を微小網点図形４に用いることで実現できる。露光光として水銀ランプのｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）を用いる場合、酸化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯ）で、酸素（Ｏ）の原子％が４０％の成分組成の薄膜を、厚さｔ＝λ／（２（ｎ−１））の条件を満足する１４０ｎｍから２００ｎｍの厚さｔで形成して微小網点図形４を形成すれば、その微小網点図形４の透過率Ａはｉ線の波長で６％程度になり、必要な条件を満たす。また、酸化窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ）で、酸素（Ｏ）の原子％が４０％で窒素（Ｎ）の原子％が１８％の成分組成の薄膜を、厚さｔ＝λ／（２（ｎ−１））の条件を満足する１４０ｎｍの厚さｔで形成した微小網点図形４は、透過率Ａがｉ線の波長で３％程度になり、必要な条件を満たす。また、ＫｒＦエキシマレーザーの波長λ（＝２４８ｎｍ）で露光する場合に、窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＮ）を、窒素（Ｎ）が４８原子％で、Ｓｉが３４原子％でＭｏが１８原子％にした組成の薄膜をλ／（２（ｎ−１））を満たす８５．５ｎｍの厚さｔで形成した微小網点図形４は、透過率Ａが３％程度になり、必要な条件を満たす。更に、ＡｒＦエキシマレーザーの波長λ（＝１９３ｎｍ）で露光する場合に、ＭｏＳｉＯＮを、λ／（２（ｎ−１））を満たす７０ｎｍの厚さｔで形成して透過率Ａを６％にした微小網点図形４を形成することもできる。これ以外に、モリブデンシリサイド酸化炭化物（ＭｏＳｉＯＣ）やモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物（ＭｏＳｉＯＮＣ）も利用できる。それ以外のシリサイドやクロムなどの金属に窒素や酸素を適量含有させて透過率を上げて吸収係数を下げて（ただし透過率を１０％以下に調整）使用できる。シリサイドとしては、モリブデンシリサイドのほかに、タングステンシリサイド（ＷＳｉＯＮ、Ｎ又はＯで調整）、ジルコン（ＺｎＳｉＯＮ、Ｎ又はＯで調整）、酸化タンタルシリサイド（ＴａＳｉＯ）、酸化窒化タンタルシリサイド（ＴａＳｉＯＮ）、酸化チタンシリサイド（ＴｉＳｉＯ）、酸化窒化チタンシリサイド（ＴｉＳｉＯＮ）、ＣｒＳｉＯＮ、ＣｒＳｉＦなどが使用できる。また、クロムフロライド（ＣｒＦＯ、Ｏで調整）も使用できる。

（露光強度分布のシミュレーション）
以下で、図１（ａ）の濃度分布マスク１を、水銀ランプのｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）で露光して、マスクのパターンを５分の１に縮小して被露光基板１０に投影して、縦横が約１．７５μｍの正方形の領域毎に微小立体形状２を形成する場合を説明する。図１（ａ）の濃度分布マスク１は、ＭｏＳｉＯＮの約１４０ｎｍの厚さの微小網点図形４を階調の指定に応じて寸法を変えて千鳥足状に設置する。濃度分布マスク１には、微小立体形状２を形成するパターンを５倍の寸法の単位領域３毎に形成する。濃度分布マスク１を被露光基板１０に縮小投影する投影レンズのＮａは０．６３にし、コヒーレンスファクターσ（照明光学系の開口数Ｎａと投影レンズの開口数Ｎａとの比）は０．６にする。濃度分布マスクの微小網点図形４は、ＭｏＳｉＯＮを約１４０ｎｍの厚さに形成することで透過光の位相を１８０度シフトさせ、また、光の透過率Ａを４％にするように酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の成分比を調整したＭｏＳｉＯＮ薄膜を形成する。この濃度分布マスク１の格子点８が、被露光基板１０に投影されるイメージの格子点８のピッチは０．６２５μｍに設定する。

図４に、図１（ａ）の濃度分布マスク１、すなわち位相差マスクに関して、微小網点図形間の微小間隙５の縦横の寸法（被露光基板１０上のイメージの寸法に換算した値）と、被露光基板１０上に投影される光量との関係のシミュレーション結果を示す。図４には、比較のため、微小網点図形４の透過率が０であるバイナリマスクにおける微小網点図形の間の間隙の寸法と被露光基板１０に投影される光量との関係を併記した。本実施形態の位相差マスクの濃度分布マスク１の微小網点図形間の微小間隙５が、縦横０．３７５μｍ（被露光基板１０上のイメージの寸法に換算した値）に形成される場合に、微小網点図形間の微小間隙５の開口率Ｂが微小網点図形４の透過率の４％程度になり、微小網点図形間の微小間隙５を通過した光Ｌ１が微小網点図形４を透過した光Ｌ２を相殺する。このシミュレーションにより得た正確な開口率Ｂは、微小網点図形間の微小間隙５の面積の比からずれた値になった。図５（ａ）の平面図に、図１（ａ）の濃度分布マスク１のパターンが縮小投影露光された被露光基板１０上のポジ型の感光性レジスト材料層への露光の光強度分布のシミュレーション結果を示す。図５（ｂ）のグラフに、図５（ａ）の０度の直線、４５度の直線に沿った光強度分布を縦軸であらわす。図５（ｂ）に示すように、被露光基板１０のポジ型の感光性レジスト材料層で形成する微小立体形状２毎に３次元的なお椀形（凹状）の湾曲面の光強度分布で露光される。こうして露光されたポジ型の感光性レジスト材料層を現像することで被露光基板１０に凸状の微小立体形状２の配列を形成する。

図４の透過率のグラフが示すように、本実施形態の濃度分布マスク１は、被露光基板１０に投影する光量を０にする領域では、その微小網点図形間の微小間隙５を縦横０．３７５μｍ（被露光基板１０上のイメージに換算：５倍の寸法の濃度分布マスクでの微小網点図形間の微小間隙５は１．８７５μｍ）にすることで被露光基板１０に投影する光量を０にできる。このように微小網点図形間の微小間隙５を比較的大きな寸法に形成して、投影する光量を０にできるので、濃度分布マスク１における、露光量が０近くの低露光量を得る領域において、その領域の微小網点図形間の微小間隙５が容易に製造できる効果がある。これにより、濃度分布マスク１による低露光量を容易に精密に制御できる効果がある。
濃度分布マスク１で微小立体形状２を形成する際に、露光量が６０％以上の領域は、微小立体形状を形成するための感光性レジスト材料層の反応が飽和してしまうことが多いので、実際には、露光量が０から６０％程度の低露光領域が微小立体形状を形成するために有効に使われる。本実施形態の濃度分布マスク１は、この低露光領域で、露光量の制御を精密に行えるので、濃度分布マスク１全体の露光量を精密化できる効果がある。また、濃度分布マスク１において、低露光領域さえしっかり作りこめれば、露光時間を長くして露光量を倍増することで、高露光量の露光も良く制御して行うことが可能になる効果がある。

（濃度分布マスクの製造方法）
濃度分布マスク１は、微小網点図形４を酸化モリブデンシリサイド又は酸化窒化モリブデンシリサイド又は窒化モリブデンシリサイドで形成することが特に望ましい。以下では、酸化窒化モリブデンシリサイドで微小網点図形４を形成する濃度分布マスク１の製造方法を説明する。
（工程１）合成石英ガラス基板からなる透明基板上に、反応性スパッタにより、酸化窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯＮ）の薄膜を膜厚１４０ｎｍに成膜する。これは、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）との混合ガス雰囲気（Ａｒ；８４体積％、Ｎ_２Ｏ；１６体積％、圧力；１．５×１０^−３Ｔｏｒｒ）で反応性スパッタを行う。
（工程２）次に、こうして得たマスクブランクスの薄膜の上にネガ型の感光性レジスト膜を形成し、その感光性レジスト膜に、電子ビームのベクタービーム描画装置またはレーザー光線による描画装置によって図３（ａ）のように矩形の微小網点図形４を千鳥足状に描画する。次に、そのマスク用感光性レジストを現像してマスク用感光性レジストのパターンを形成する。
（工程３）透明基板上のＭｏＳｉＯＮの薄膜を、形成されたマスク用感光性レジストのパターンをエッチングマスクにして、ＣＦ_４＋Ｏ_２混合ガスのエッチングガスを用いてドライエッチングする。

本実施形態では、被露光基板１０の感光性レジスト材料層に、図１（ａ）に示す濃度分布マスク１のパターンを露光し現像する。それにより、図１（ｂ）に示すように、撮像デバイスの被露光基板１０の平坦化層１１上のカラーフィルタ層１２上に、受光素子毎の各画素毎に個々の単位レンズの微小立体形状２を形成したマイクロレンズアレイを製造する。

本実施形態で、微小網点図形４は、位相を反転させる厚さｔにおいて透過率Ａが１％以上１０％以下になるように、酸素原子や窒素原子を加えた組成のモリブデンシリサイド材料で形成するが、そのように組成を調整したモリブデンシリサイドは、光が反射しにくい効果がある。そのため、その濃度分布マスク１を被露光基板１０に縮小投影する際に光の反射によるゴーストが出にくく、被露光基板１０にパターンの解像度が高い良好な露光パターンを形成することができる効果がある。また、微小網点図形４をモリブデンシリサイドで形成した濃度分布マスク１は、従来の微小網点図形４をＣｒ膜で形成した濃度分布マスク１に比べて、微小網点図形４の薄膜が被露光基板１０の半導体基板などから剥がれにくく微小網点図形４に欠陥が発生しにくい効果がある。また、モリブデンシリサイドの薄膜をドライエッチングして微小網点図形４を形成するため、Ｃｒ膜をドライエッチングして微小網点図形４を形成するよりもドライエッチングがし易く、精密な微小網点図形４と微小網点図形間の微小間隙５を容易に精密に製造することができ、濃度分布マスク１の製造コストを低減できる効果がある。

本発明は、被露光基板１０にマイクロレンズアレイなどの微小立体形状２を形成するた
めの露光用の濃度分布マスク１に利用できる。また、濃度分布マスク１の微小網点図形をＣｒ膜の代わりにモリブデンシリサイド薄膜等で形成した濃度分布マスク１が得られるので、環境に対して有害なＣｒの使用を低減できる産業上に有用な効果がある。

１・・・濃度分布マスク
２・・・微小立体形状
３・・・単位領域
４・・・微小網点図形
５・・・微小網点図形間の微小間隙
６・・・等高線
７・・・環状領域
８・・・格子点
１０・・・被露光基板
１１・・・平坦化層
１２・・・カラーフィルタ層

Claims

濃度分布マスクにおいて、微小網点図形の厚さが、透過光の位相を、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下位相シフトする厚さであり、前記微小網点図形の透過率が１％以上１０％以下であり、前記微小網点図形を透過する光量と前記微小網点図形間の微小間隙を通過する光量を同じ値にして光を相殺させた遮光領域を形成したことを特徴とする濃度分布マスク。
請求項１記載の濃度分布マスクにおいて、前記微小網点図形を酸化モリブデンシリサイド又は酸化窒化モリブデンシリサイド又は窒化モリブデンシリサイドで形成したことを特徴とする濃度分布マスク。