JP2015103672A - インプリント用テンプレート - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、ピラー形状の転写パターンを有するインプリント用テンプレートにおいて、転写パターンが折れてしてしまうことを抑制し、被転写基板にコンタクトホールパターン等の樹脂パターンを生産性良く形成することが可能なインプリント用テンプレートを提供することを目的とする。【解決手段】 ピラー形状の転写パターンの形態を、転写パターンの上面および底面の面積と、転写パターンの高さとの関係から規定される値、または、転写パターンの上面および所定の高さ位置の断面の面積と、所定の高さ位置から上面までの高さとの関係から規定される値を、特定の範囲内に収まる形態とすることにより、上記課題を解決する。【選択図】 図１

Description

本発明は、インプリント用テンプレートに関し、特に、ピラー形状（柱状）の転写パターンを有するインプリント用テンプレートに関するものである。

半導体デバイス製造においては、従来から、フォトマスクを使って縮小（例えば１／４縮小）露光するフォトリソグラフィの技術が用いられており、近年では、より解像度を向上させる技術として、位相シフトマスクを用いたフォトリソグラフィによって、超ＬＳＩ等の微細なパターンを製造している。
しかしながら、さらなる微細化に対応するためには、露光波長の問題や製造コストの問題などから上記のフォトリソグラフィによる方式の限界が指摘されており、次世代のリソグラフィ技術として、インプリント用テンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を使うナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ：Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）が提案されている（例えば、特許文献１、２）。

ここで、従来のナノインプリントリソグラフィにおいては、例えば、低粘度のインプリント樹脂を被転写基板上に形成し、次いで、インプリント樹脂にインプリント用テンプレート（適宜、テンプレートとも呼ぶ）を接触させて、毛細管現象を利用してテンプレートの転写パターン内にインプリント樹脂を充填し、この充填したインプリント樹脂を硬化させた後にテンプレートを離型して、被転写基板上にラインアンドスペースパターン等の樹脂パターンを形成していた（例えば、特許文献３）。

一方、コンタクトホールパターン等の樹脂パターンの形成においては、被転写基板上に半硬化したインプリント樹脂を形成し、この半硬化したインプリント樹脂に、テンプレートに形成されたピラー形状の転写パターンを刺し込み、この状態でインプリント樹脂を完全に硬化させ、その後、テンプレートを離型するインプリント方法が提案されている（例えば、特許文献４）。

特表２００４−５０４７１８号公報 特開２００２−９３７４８号公報 特許第４５１４７５４号公報 特開２０１３−６９９２１号公報

しかしながら、コンタクトホールパターン等の樹脂パターンの形成においては、テンプレートが有する転写パターンはピラー形状になり、従来のラインアンドスペースパターンの転写パターンに比べて物理的強度が弱い（特に横方向からの外力に対して物理的強度が弱い）ことから、テンプレートの離型時に、このピラー形状の転写パターンが折れやすいという問題があった。

また、ピラー形状の転写パターンは、従来のラインアンドスペースパターンの転写パターンに比べて凹部の空間が大きいため、毛細管現象を利用して転写パターン内にインプリント樹脂を充填することは困難である。
それゆえ、コンタクトホールパターン等の樹脂パターンの形成においては、上記のように、半硬化したインプリント樹脂等、従来よりも粘度の高いインプリント樹脂に、ピラー形状の転写パターンを刺し込むことになるが、この刺し込みの際にも転写パターンが折れやすいという問題があった。

そして、パターン転写の工程中に転写パターンが折れてしまった場合、その後にパターン転写される被転写基板側の対応する箇所のコンタクトホールパターンが全て不良になり、生産性が低下するという問題があった。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ピラー形状の転写パターンを有するインプリント用テンプレートにおいて、転写パターンが折れてしまうことを抑制し、被転写基板にコンタクトホールパターン等の樹脂パターンを生産性良く形成することが可能なインプリント用テンプレートを提供することを目的とする。

本発明者は、種々研究した結果、ピラー形状の転写パターンの形態を、転写パターンの上面および底面の面積と、転写パターンの高さとの関係から規定される値、または、転写パターンの上面および所定の高さ位置の断面の面積と、所定の高さ位置から上面までの高さとの関係から規定される値を、特定の範囲内に収まる形態とすることにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。

すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、ピラー形状の転写パターンを有するインプリント用テンプレートであって、前記ピラー形状の転写パターンの上面の面積をＳ１、前記ピラー形状の転写パターンの底面の面積をＳ２、前記ピラー形状の転写パターンの底面から上面までの高さをＨ１、とした場合に、前記Ｓ２の平方根から前記Ｓ１の平方根を差し引いた値を前記Ｈ１で割った値が、０．０６以上０．１２以下の範囲であることを特徴とするインプリント用テンプレートである。

また、本発明の請求項２に係る発明は、ピラー形状の転写パターンを有するインプリント用テンプレートであって、前記ピラー形状の転写パターンの上面の面積をＳ１、前記ピラー形状の転写パターンの底面の面積をＳ２、前記ピラー形状の転写パターンの底面から上面までの高さをＨ１、前記ピラー形状の転写パターンの底面から上面に向かってＨ２の高さ位置の断面の面積をＳ３、とした場合に、前記Ｓ２が前記Ｓ３よりも大きな面積であって、かつ、前記Ｓ３の平方根から前記Ｓ１の平方根を差し引いた値を、前記Ｈ１から前記Ｈ２を差し引いた値で割った値が、０．０６以上０．１２以下の範囲であることを特徴とするインプリント用テンプレートである。

また、本発明の請求項３に係る発明は、前記Ｈ２が、０より大きな値であって、前記Ｈ１の０．６倍以下の大きさであることを特徴とする請求項２に記載のインプリント用テンプレートである。

また、本発明の請求項４に係る発明は、前記Ｓ２が前記Ｓ１の４倍以下の面積であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のインプリント用テンプレートである。

本発明によれば、ピラー形状の転写パターンを有するインプリント用テンプレートにおいて、転写パターンが折れてしまうことを抑制することができ、被転写基板にコンタクトホールパターン等の樹脂パターンを形成することを、生産性良く行うことができる。

本発明に係るインプリント用テンプレートの第１の実施形態の一例を示す説明図である。 本発明に係るインプリント用テンプレートの第１の実施形態における転写パターンの上面および底面の面積と、高さの関係について示す説明図である。 本発明に係るインプリント用テンプレートの第２の実施形態の一例を示す説明図である。 本発明に係るインプリント用テンプレートの第２の実施形態の転写パターンとインプリント樹脂との関係を示す説明図である。 本発明に係るインプリント用テンプレートの第２の実施形態の転写パターンの配設位置の一例を示す説明図である。 本発明に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。

以下、本発明に係るインプリント用テンプレートについて、図面を用いて詳細に説明する。

＜インプリント用テンプレート＞
（第１の実施形態）
図１は、本発明に係るインプリント用テンプレートの第１の実施形態の一例を示す説明図である。ここで、図１（ａ）は、本実施形態に係るインプリント用テンプレート１０の概略断面図であり、図１（ｂ）は、インプリント用テンプレート１０が有する転写パターン１２の概略断面図であり、図１（ｃ）は、転写パターン１２の概略斜視図である。

図１に示すように、本実施形態に係るインプリント用テンプレート１０は、基部１１の主面１１ａの上にピラー形状の転写パターン１２を有しており、転写パターン１２は、その上面１３の面積が底面１４の面積よりも小さい、円錐台状の形態を有している。

ここで、本発明において、転写パターンの底面とは、転写パターンが基部の主面と接触する面を指す。例えば、図１に示すインプリント用テンプレート１０において、転写パターン１２の底面１４は、転写パターン１２が基部１１の主面１１ａと接触する面である。
なお、通常、インプリント用テンプレートの転写パターンは、基部と同じ材料から構成されている。

ここで、インプリント用テンプレートが有するピラー形状の転写パターンが、その上面の面積が底面の面積よりも大きい形態（すなわち、図１（ｂ）、（ｃ）に示す転写パターン１２とは上下が逆となる形態）を有していると、転写パターンと基材との接触面積が小さくなって、この底面部分で折れやすくなる。

また、コンタクトホールパターンのようなホール形状のパターンをインプリント樹脂に形成する場合、上記のようにピラー形状の転写パターンが、その上面の面積が底面の面積よりも大きい形態（すなわち、図１（ｂ）、（ｃ）に示す転写パターン１２とは上下が逆となる形態）を有していると、インプリント用テンプレートを離型する際に、アンカーのように作用して、さらに折れやすくなる。

上記のアンカー作用について、より詳しく述べると、例えば、変形可能なインプリント樹脂に上記のような形態の転写パターンを刺し込むと、インプリント樹脂が変形して前記転写パターンの底面側（テンプレートの基部側）の周囲にも接触することになる。
そして、この状態でインプリント樹脂を完全に硬化させてしまうと、硬化したインプリント樹脂から構成されるホールパターンの上面側（テンプレート側）の面積は、底面側（被転写基板側）の面積よりも小さくなる。
それゆえ、テンプレートを離型する際には、上記のような形態の転写パターンがアンカーのように作用してしまい、面積の小さい底面部分に力が集中して折れやすくなる。

一方、図１（ｂ）、（ｃ）に示す転写パターン１２のように、その上面の面積が底面の面積よりも小さい形態であれば、上記のような弊害を抑制できる。

ただし、転写パターンの上面の面積と底面の面積が、あまりにかけ離れた大きさでは、半導体デバイス製造に用いるコンタクトホールパターンを形成することに適さなくなる。通常、樹脂から構成されるコンタクトホール用のパターンは、出来るだけ垂直な形態が求められるからである。

ここで、図１（ｂ）、（ｃ）に示す転写パターン１２が、図２に示すような、頂点１５と母線１６を有する直円錐から小円錐（破線で表示）を取り除いた円錐台の形態であって、その上面１３が半径ｒ１の円形であり、底面１４が半径ｒ２の円形であり、底面１４から上面１３までの高さがＨ１とした場合、半径ｒ２と母線１６で構成される鋭角θは、下記の数式（１）のように表されることになる。

そして、本発明者が種々研究した結果、上記θの値が８６°以上であって８８°以下の範囲となる形態であれば、インプリント用テンプレートの転写パターンとして、ドライエッチング技術を用いて製造可能であり、ピラー形状であっても折れにくくすることができ、かつ、半導体デバイス製造に用いるコンタクトホールパターンを形成することに適した転写パターンとすることができることが見出された。

ここで、図２に示す円錐台形状において、上面１３の面積をＳ１、底面１４の面積をＳ２とした場合、

であることから、上記の数式（１）は、

となり、πの値を３．１４とし、上記の好適な範囲のθの値を代入とすると、下記の関係が導き出される。

すなわち、本実施形態に係る転写パターン１２は、上面１３の面積をＳ１、底面１４の面積をＳ２、底面１４から上面１３までの高さをＨ１、とした場合に、前記Ｓ２の平方根から前記Ｓ１の平方根を差し引いた値を前記Ｈ１で割った値が、０．０６以上０．１２以下の範囲であることが好ましいことになる。

なお、図２においては、説明容易とするために、理想的な形態である円錐台を用いて説明したが、上記のように、転写パターンの上面および底面の面積と転写パターンの高さとの関係から規定される値が、特定の範囲内に収まる形態であれば、同様に、ピラー形状であっても折れにくくすることができ、かつ、コンタクトホールパターンを形成することに適した転写パターンとすることができる。
例えば、転写パターンの上面や底面の形態として、真円以外にも、長円状や楕円状、若しくは、矩形や矩形の四隅が丸められたような形態であっても良い。
また、図２に示す円錐台においては、母線１６は直線であるが、本発明に係る転写パターンの形態はこれに限らず、転写パターンの側面は、その断面形状が曲線で形成されるものであっても良い。

本実施形態に係る転写パターン１２の具体的な数値としては、一例として、底面１４から上面１３までの高さＨ１が１００ｎｍ程度、上面１３の面積Ｓ１が４００ｎｍ²〜９００ｎｍ²の程度を挙げることができる。

（第２の実施形態）
図３は、本発明に係るインプリント用テンプレートの第２の実施形態の一例を示す説明図である。ここで、図３（ａ）は、本実施形態に係るインプリント用テンプレート２０の概略断面図であり、図３（ｂ）は、インプリント用テンプレート２０が有する転写パターン２２の概略断面図であり、図３（ｃ）は、転写パターン２２の概略斜視図である。

図３に示すように、本実施形態に係るインプリント用テンプレート２０は、基部２１の主面２１ａの上にピラー形状の転写パターン２２を有している。
そして、転写パターン２２は、底面２４から上面２３に向かってＨ２の高さ位置の断面２５よりも上面２３側が、上記の第１の実施形態の転写パターン１２と同様な円錐台状の形態を有しており、断面２５の位置よりも底面２４側は、底面２４に向かって末広がりとなる形態を有しており、全体として漏斗状の形態（漏斗を逆さまにしたような形態）を有している。

本実施形態の転写パターン２２は漏斗状の形態を有しているため、上面２３に対する底面２４の面積を、上記の第１の実施形態の転写パターン１２の場合よりも大きくすることができる。それゆえ、より折れにくくすることができる。

ここで、上述のように、円錐台状の転写パターンにおいては、その上面の面積と底面の面積が、あまりにかけ離れた大きさでは、半導体デバイス製造に用いるコンタクトホールパターンを形成することに適さなくなる。通常、樹脂から構成されるコンタクトホール用のパターンは、出来るだけ垂直な形態が求められるからである。

そこで、本実施形態においては、転写パターン２２におけるインプリント樹脂に突き刺す部分（すなわち、断面２５の位置よりも上面２３側の部分）を、上記の第１の実施形態の転写パターン１２と同様の特定の形態とすることで、折れやすいという弊害をより抑制しつつ、半導体デバイス製造に用いるコンタクトホールパターンを形成することに適した転写パターンとする。

より詳しくは、本実施形態に係る転写パターン２２は、上面２３の面積をＳ１、底面２４の面積をＳ２、底面２４から上面２３までの高さをＨ１、底面２４から上面２３に向かってＨ２の高さ位置の断面２５の面積をＳ３、とした場合に、前記Ｓ２が前記Ｓ３よりも大きな面積であって、かつ、前記Ｓ３の平方根から前記Ｓ１の平方根を差し引いた値を、前記Ｈ１から前記Ｈ２を差し引いた値で割った値が、０．０６以上０．１２以下の範囲となる形態を有するものである。

上記の関係は、上述の第１の実施形態の数式（４）におけるＳ２およびＨ１に、それぞれ、Ｓ３および（Ｈ１−Ｈ２）を代入することで、以下の数式（５）が得られることに基づくものである。

図４は、本実施形態に係るインプリント用テンプレートの転写パターンとインプリント樹脂との関係を示す説明図である。
ここで、図４（ａ）は、インプリント用テンプレート２０を、被転写基板３１上に形成されたインプリント樹脂３２に接触させる前の状態を示し、図４（ｂ）は、インプリント樹脂３２に転写パターン２２の所定の部分を刺し込んだ状態を示し、図４（ｃ）は、インプリント用テンプレート２０を、完全に硬化させたインプリント樹脂３３から離型した状態を示している。

図４（ｂ）に示すように、コンタクトホールパターンをインプリント樹脂３２に形成する場合には、泡噛み等の問題を防止するため、転写パターン２２の所定の部分を刺し込み、インプリント用テンプレート２０の基部２１がインプリント樹脂３２に接触しないようにすることが好ましい（例えば、特許文献４）。

それゆえ、目的とするコンタクトホールパターンの深さがＤ１の場合、図３（ｂ）に示す（Ｈ１−Ｈ２）の大きさがＤ１よりも大きな値となるように、転写パターン２２を形成することで、半導体デバイス製造に用いるコンタクトホールパターンを形成することに適した転写パターンとすることができる。

ここで、Ｈ２の大きさとしては、形成しようとするコンタクトホールパターンによっても異なるが、０より大きな値であって、Ｈ１の０．６倍以下の大きさであることが好ましい。
Ｈ２がＨ１の０．６倍よりも大きい場合は、コンタクトホールパターンの形成に寄与しない部分が大きくなり過ぎて無駄であり、Ｈ２の大きさが０の場合は、上記の第１の実施形態と同じになってしまうからである。

本実施形態において、Ｈ１、Ｈ２の具体的な大きさとしては、一例として、Ｈ１が１００ｎｍ程度、Ｈ２が３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度を挙げることができる。

次に、本実施形態に係る転写パターンの底面の大きさについて説明する。
図５は、本実施形態に係るインプリント用テンプレートの転写パターンの配設位置の一例を示す説明図である。
ここで、図５（ａ）は、横一列に配置された複数の転写パターン２２が、互いに最も近接した状態の概略平面図を示し、図５（ｂ）は、縦方向に伸びる１：１のラインアンドスペースパターン４０と横一列に配置されたコンタクトホールパターン５０の関係を示す。

図５（ａ）に示すように、本実施形態において、隣接する転写パターン２２が互いに最も接近した状態とは、互いの底面２４が接する状態である。そして、転写パターン２２の底面２４が円形の場合、この状態における上面２３の中心間の距離は、底面２４の直径Ｒ２と等しくなる。

一方、図５（ｂ）に示すように、半導体デバイス製造に用いるコンタクトホールパターン等において、縦方向に伸びる１：１のラインアンドスペースパターン４０に対して横一列に配置されたコンタクトホールパターン５０の中心間の距離は、ラインパターン４１の中心線同士の距離、すなわち、ラインアンドスペースパターン４０のピッチＰ１に等しくなる。そして、コンタクトホールパターン５０の直径はラインパターン４１の幅Ｌ１と同じ大きさであることが好ましく、１：１のラインアンドスペースパターンにおいては、前記Ｌ１の大きさは、前記Ｐ１の大きさの１／２になる。

それゆえ、本実施形態においては、転写パターン２２の底面２４の面積Ｓ２が上面２３の面積Ｓ１の４倍以下の面積であることが好ましい。
図５に示すように、転写パターン２２の上面２３及び底面２４が円形である場合、上面２３の直径Ｒ１と等しい大きさの幅Ｌ１を有するラインパターン４１から構成される１：１のラインアンドスペースパターン４０に対して、ラインパターン方向とは垂直な方向に一列に配置されるコンタクトホールパターン５０を形成することができるからである。

上記について、より詳しく説明すると、１：１のラインアンドスペースパターン４０においては、

であることから、数式（６）のＬ１にＲ１を代入し、Ｐ１≧Ｒ２の制約を当てはめると、

となり、

となる。そして、転写パターン２２の上面２３及び底面２４が円形である場合、

であることから、

となり、次の数式（１１）が導き出される。

以上のように、本実施形態によれば、転写パターンが折れやすいという弊害をより抑制しつつ、半導体デバイス製造に用いるコンタクトホールパターンを形成することに適した転写パターンとすることができる。

なお、上記の説明においては、説明容易とするために、上面２３、底面２４、断面２５のいずれもが円形である転写パターン２２を用いて説明したが、転写パターンの上面および所定の高さ位置の断面の面積と、所定の高さ位置から上面までの高さとの関係から規定される値が、特定の範囲内に収まる形態であれば、同様に、折れやすいという弊害をより抑制しつつ、コンタクトホールパターンを形成することに適した転写パターンとすることができる。
例えば、転写パターンの上面、底面、所定の高さ位置の断面の形態として、真円以外にも、長円状や楕円状、若しくは、矩形や矩形の四隅が丸められたような形態であっても良い。
また、第１の実施形態と同様に、本実施形態に係る転写パターンの側面は、その断面形状が曲線で形成されるものであっても良い。

本実施形態に係る転写パターン２２の具体的な数値としては、一例として、底面２４から上面２３までの高さＨ１が１００ｎｍ程度、底面２４から断面２５までの高さＨ２が４０ｎｍ程度、上面２３の面積Ｓ１が４００ｎｍ²〜９００ｎｍ²の程度を挙げることができる。

＜インプリント用テンプレートの製造方法＞
図６は、本発明に係るインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。

本発明に係るインプリント用テンプレートを得るには、例えば、図６（ａ）に示すように、まず、基材１０１の上にハードマスク層１０２Ａ、さらにその上にレジスト層１０３Ａを形成したものを準備する。

本実施形態において、基材１０１の材料は、インプリント用テンプレートの基材として使用できる材料であれば用いることができ、例えば、シリコン（Ｓｉ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）から構成される材料を用いることができる。中でも、石英ガラスを好適に用いることができる。
石英ガラスであれば、紫外線を効率よく透過することができるため、インプリントの際に用いる樹脂に、紫外線硬化性の樹脂を用いることができるからである。また、石英ガラスはフォトマスクの基材としても実績があり、平坦性等の品質や洗浄耐性に優れたものを入手し易いからである。

また、ハードマスク層１０２Ａの材料は、基材１０１のエッチングマスクとして使用できる材料であれば用いることができ、例えば、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属を含む材料、例えば、クロムやタンタル等から構成される単一成分の金属や、その酸化物、窒化物、酸窒化物等の金属化合物を用いることができる。中でも、クロム（Ｃｒ）を含む材料を好適に用いることができる。
クロム（Ｃｒ）を含む材料は、フォトマスクのマスク材（遮光材）として実績があるため、品質の良い薄膜を均一に形成する技術も、高精度でエッチングする技術も、フォトマスク分野の技術を応用することができるからである。

また、レジスト層１０３Ａの材料は、ハードマスク層１０２Ａのエッチング加工に使用できる材料であれば用いることができ、例えば、フォトマスク製造に用いられる電子線レジストやフォトレジストを用いることができる。

次に、レジスト層１０３Ａに電子線描画等を施すことによりレジストパターン１０３Ｂを形成し（図６（ｂ））、レジストパターン１０３Ｂから露出するハードマスク層１０２Ａをエッチング加工してハードマスクパターン１０２Ｂを形成し（図６（ｃ））、その後、レジストパターン１０３Ｂを除去する（図６（ｄ））。

次に、ハードマスクパターン１０２Ｂをエッチングマスクに用いて基材１０１をエッチング加工して転写パターン１１２を形成し（図６（ｅ））、その後、ハードマスクパターン１０２Ｂを除去することにより、基部１１１と転写パターン１１２を有するインプリント用テンプレート１００を得る（図６（ｆ））。

上記の工程の中で、例えば、上記のハードマスクパターン１０２Ｂをエッチングマスクに用いて基材１０１をエッチング加工して転写パターン１１２を形成する工程（図６（ｅ））において、ドライエッチング条件を調整等することにより、上記の本発明に係る転写パターンを形成することができる。

例えば、ＣＦ₄やＣＨＦ₃等のフッ素系ガスを含むエッチングガスを用いて、異方性となる条件に調整したドライエッチングを施すことにより、本発明に係る第１の実施形態の転写パターンを形成することができる。

また、所定の深さまでを、上記の異方性となる条件に調整したドライエッチングを施し、その後、等方性となる条件に調整したドライエッチングを施すことにより、本発明に係る第２の実施形態の転写パターンを形成することができる。
また、所定の深さまでを、上記の、異方性となる条件に調整したドライエッチングを施し、その後、フッ酸を含む溶液等を用いてウェットエッチングを施すことにより、本発明に係る第２の実施形態の転写パターンを形成することもできる。

以上、本発明に係るインプリント用テンプレートについて、それぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。

１０、２０ インプリント用テンプレート
１１、２１ 基部
１１ａ、２１ａ 主面
１２、２２ 転写パターン
１３、２３ 上面
１４、２４ 底面
１５ 頂点
１６ 母線
２５ 断面
３１ 被転写基板
３２、３３ インプリント樹脂
４０ ラインアンドスペースパターン
４１ ラインパターン
５０ コンタクトホールパターン
１００ インプリント用テンプレート
１０１ 基材
１０２Ａ ハードマスク層
１０２Ｂ ハードマスクパターン
１０３Ａ レジスト層
１０３Ｂ レジストパターン
１１１ 基部
１１２ 転写パターン

Claims (4)

1. ピラー形状の転写パターンを有するインプリント用テンプレートであって、
   前記ピラー形状の転写パターンの上面の面積をＳ１、
   前記ピラー形状の転写パターンの底面の面積をＳ２、
   前記ピラー形状の転写パターンの底面から上面までの高さをＨ１、
   とした場合に、
   前記Ｓ２の平方根から前記Ｓ１の平方根を差し引いた値を前記Ｈ１で割った値が、
   ０．０６以上０．１２以下の範囲であることを特徴とするインプリント用テンプレート。
2. ピラー形状の転写パターンを有するインプリント用テンプレートであって、
   前記ピラー形状の転写パターンの上面の面積をＳ１、
   前記ピラー形状の転写パターンの底面の面積をＳ２、
   前記ピラー形状の転写パターンの底面から上面までの高さをＨ１、
   前記ピラー形状の転写パターンの底面から上面に向かってＨ２の高さ位置の断面の面積をＳ３、
   とした場合に、
   前記Ｓ２が前記Ｓ３よりも大きな面積であって、
   かつ、
   前記Ｓ３の平方根から前記Ｓ１の平方根を差し引いた値を、前記Ｈ１から前記Ｈ２を差し引いた値で割った値が、
   ０．０６以上０．１２以下の範囲であることを特徴とするインプリント用テンプレート。
3. 前記Ｈ２が、０より大きな値であって、前記Ｈ１の０．６倍以下の大きさであることを特徴とする請求項２に記載のインプリント用テンプレート。
4. 前記Ｓ２が前記Ｓ１の４倍以下の面積であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のインプリント用テンプレート。

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