JP2013179219A - パターン形成装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

パターン形成装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】製造歩留まりを向上できるパターン形成装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係るパターン形成装置は、側面を有する基材と、前記基材に設けられ凹部及び凸部の少なくともいずれかの形状を有するパターンと、を含むテンプレートを用い、前記パターンの形状を基板上の樹脂に転写するパターン形成装置である。パターン形成装置は、保持部と、ステージと、駆動部と、硬化部と、を備える。保持部は、テンプレートと接触する接触部を含み、テンプレートを保持する。ステージは、基板を載置する。駆動部は、保持部及びステージの少なくともいずれかを移動してパターンと樹脂とを接触させる。硬化部は、樹脂を硬化させる。接触部は、テンプレートに対して進退する本体部分と、本体部分に設けられた先端部分と、を含む。先端部分は、互いに離間して設けられ前記側面と接触する接触面をそれぞれ有する複数の突起部を有する。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、パターン形成装置及び半導体装置の製造方法に関する。

近年、インプリント法と呼ばれる微細なパターンの転写技術が提案されている。インプリント法では、先ず、石英などの透光性を有する基材に電子線リソグラフィ法などでパターン形成を行い、エッチングすることにより基材の表面に凹凸の形状を設けたテンプレートを作成する。次に、テンプレートをパターン形成装置の保持部に取り付ける。一方、パターン形成装置のステージ上に基板を載置する。

次に、基板上に光硬化性を有する樹脂等の被転写物を滴下し、テンプレートを被転写物に接触させる。この状態で毛細管現象によって被転写物がテンプレートの凹部内に充填するまで待ち、その後テンプレートの裏面から光を照射するなどして被転写物を硬化させる。そして、パターン形成された被転写物の残膜を除去することで基板上にテンプレートの凹凸形状が転写されたパターンを得る。

このようなインプリント法を用いてパターンを形成するパターン形成装置においては、製造歩留まりの更なる向上が望ましい。

特開2010−80918号公報

本発明の実施形態は、製造歩留まりを向上できるパターン形成装置及び半導体装置の製造方法を提供する。

実施形態に係るパターン形成装置は、側面を有する基材と、前記基材に設けられ凹部及び凸部の少なくともいずれかの形状を有するパターンと、を含むテンプレートを用い、前記パターンの形状を基板上の樹脂に転写するパターン形成装置である。
パターン形成装置は、保持部と、ステージと、駆動部と、硬化部と、を備える。
前記保持部は、前記テンプレートと接触する接触部を含み、前記テンプレートを保持する。
前記ステージは、前記基板を載置する。
前記駆動部は、前記保持部及び前記ステージの少なくともいずれかを移動して前記パターンと前記樹脂とを接触させる。
前記硬化部は、前記樹脂を硬化させる。
前記接触部は、前記テンプレートに対して進退する本体部分と、前記本体部分に設けられた先端部分と、を含む。
前記先端部分は、互いに離間して設けられ前記側面と接触する接触面をそれぞれ有する複数の突起部を有する。

第1の実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する模式図である。 保持部の構成を例示する模式的斜視図である。 (a)及び(b)は、接触部の構成を例示する模式図である。 (a)及び(b)は、接触部の他の例(その1)を示す模式図である。 (a)〜(c)は、接触部の他の例(その2)を示す模式図である。 (a)及び(b)は、第2の実施形態に係るパターン形成装置の保持部を例示する模式図である。 (a)及び(b)は、第3の実施形態に係るパターン形成装置の保持部を例示する模式図である。 (a)〜(c)は、第4の実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。 (a)〜(c)は、第4の実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。

以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する模式図である。
図2は、保持部の構成を例示する模式的斜視図である。
図3(a)及び(b)は、接触部の構成を例示する模式図である。

図1に表したように、本実施形態に係るパターン形成装置110は、凹部及び凸部の少なくともいずれかの形状を有するパターン102を含むテンプレート100を用い、パターン102の形状を基板200上の被転写物である樹脂210に転写するインプリント装置である。

パターン形成装置110で用いるテンプレート100は、側面101sを有する基材101と、基材101の主面101aに設けられたパターン102と、を含む。テンプレート100は、インプリント法でパターンを形成する際の原版である。

パターン形成装置110は、保持部10と、ステージ20と、駆動部30と、硬化部40と、を備える。パターン形成装置110は、制御部50を備えていてもよい。

保持部10は、テンプレート100と接触する接触部11を含み、テンプレート100を保持する。パターン形成装置110には、例えば複数の接触部11が設けられる。複数の接触部11は、例えばテンプレート100の周辺を囲むように配置される。複数の接触部11は、それぞれ基材101の側面101sに当接する。テンプレート100の周囲を複数の接触部11によって挟み込むようにしてテンプレート100は保持される。

また、保持部10は、テンプレート100の基材101のパターン102とは反対側を例えば吸着によって保持してもよい。

ステージ20は、基板200を決められた位置に固定する。基板200の上には被転写物である樹脂210が塗布される。パターン形成装置110には、樹脂210を塗布するノズルNを含む塗布部60が設けられていてもよい。

駆動部30は、保持部10及びステージ20の少なくともいずれかを移動して、パターン102と樹脂210とを接触させる。保持部10及びステージ20の少なくともいずれかには駆動機構(図示せず)が設けられている。駆動部30は駆動機構(図示せず)によって保持部10及びステージ20の少なくともいずれかを移動して、両者の間隔を変化させる。

硬化部40は、樹脂210を硬化させる機能を有する。樹脂210として光硬化型樹脂を用いる場合、硬化部40は樹脂210を硬化させる光を放出する光源(図示せず)を有する。光源としては、例えば高圧水銀ランプやレーザ光源が挙げられる。樹脂210として熱硬化型樹脂を用いる場合、硬化部40は樹脂210を硬化させる熱を発生する熱源(図示せず)を有する。

制御部50は、駆動部30によるパターン102と樹脂210との接触状態を制御する。例えば、テンプレート100と基板200との距離の測定装置(図示せず)によって測定し、制御部50はこの測定の結果に基づき駆動部30の駆動機構を制御してテンプレート100と基板200との間隔を調整する。

また、制御部50は、保持部10によるテンプレート100の保持力を制御する。例えば、接触部11は、基材101の側面101sと直交する方向に進退可能に設けられている。制御部50は、接触部11の位置を制御して、接触部11の側面101sへの接触や、接触部11が側面101sに当接したときの押圧力を調整する。

また、制御部50は、硬化部40による樹脂210の硬化を制御する。樹脂210として光硬化型樹脂を用いる場合、制御部50は、硬化部40の光源(図示せず)を制御して、光の照射時間を調整する。また、樹脂210として熱硬化型樹脂を用いる場合、制御部50は、硬化部40の熱源(図示せず)を制御して、樹脂210の加熱量を調整する。

制御部50は、塗布部60のノズルNの進退や、ノズルNから塗布する樹脂210の塗布量を制御してもよい。また、制御部50は、ステージ20上の載置した基板200の吸着保持等を制御してもよい。

次に、保持部の具体例について説明する。
図2に表したように、保持部10の接触部11は、例えばテンプレート100の基材101の側面101sと対向するように配置される。矩形状の基材101においては、4つの側面101sを有している。1つの側面101sには、例えば複数の接触部11が配置される。図2に表した例では、1つの側面101sに対向して4つの接触部11が設けられている。すなわち、テンプレート100は、4つの側面101sのそれぞれに対向して、4つずつ設けられた接触部11(合計16個の接触部11)によって挟み込まれるように保持される。

保持部10は、テンプレート100を保持するとともに、接触部11によって基材101の側面101sを押圧してテンプレート100の大きさを調整する。すなわち、テンプレート100の周囲に設けられた複数の接触部11から側面101sに向けて加えられる応力のバランスによってテンプレート100の歪み補正や倍率(パターンの形状を転写する際の縮小率)が調整される。

図3(a)には、1つの接触部11を拡大した模式的平面図が表され、(b)には、1つの接触部11を拡大した模式的側面図が表されている。
接触部11は、テンプレート100に対して進退する本体部分11Aと、本体部分11Aに設けられた先端部分11Bと、を有する。本体部分11Aは、例えばアクチュエータを含む。先端部分11Bは、側面101sと向かい合う面に、互いに離間して設けられた複数の接触面CSを有する。すなわち、先端部分11Bには、複数の突起部CPが設けられ、各突起部CPの先端面が接触面CSになっている。

図3(a)に表した例では、3つの突起部CPが設けられる。3つの突起部CPは、側面101sの長手方向に所定の間隔で並ぶ。

先端部分11Bの接触面CSの法線方向L1にみた外寸は、本体部分11Aの前記法線方向L1にみた外寸と等しいことが好ましい。すなわち、接触部11は、本体部分11Aから先端部分11Bにかけて同じ外寸で設けられるほうが好ましい。これにより、接触部11を側面101sに接触させた際、本体部分11Aから先端部分11Bを介して側面101sに確実に力が伝達される。

また、先端部分11Bの厚さt1は、側面101sの短手方向の長さt2と等しいことが好ましい。これにより、接触部11が側面101sの厚さ方向の全体に接触して、側面101sに確実に力が伝達される。

このような接触部11を有するパターン形成装置110では、テンプレート100を保持部10で保持する際、接触部11による側面101sとの接触面積を低減して、接触部11と側面101sとの接触による異物の脱落が軽減される。

すなわち、本実施形態では、接触部11の先端部分11Bに複数の突起部CPが設けられ、各突起部CPの接触面CSが側面101sに接触することから、接触部11の本体部分11Aがそのまま側面101sと接触する場合に比べて接触部11と側面101sとの接触面積が低減する。

ここで、接触部11と側面101sとの接触面積が広いと、接触部11と側面101sとの接触による異物の脱落の確率が高まる。テンプレート100の下方には基板200や樹脂210が配置されるため、脱落した異物は基板200や樹脂210に付着する可能性が高い。基板200や樹脂210に異物が付着したままテンプレート100によるインプリントを行うと、テンプレート100と基板200との間に異物を挟み込み、テンプレート100の破壊や欠陥、樹脂210に転写されるパターンの不良などの影響を及ぼすことがある。

本実施形態では、接触部11と側面101sとの接触面積の低減によって、接触部11と側面101sとの接触による異物の脱落の可能性が低減され、上記のような異物に起因するテンプレート100の破壊や欠陥、転写パターンの不良などの影響が抑制される。

一方、基材101の側面101sに対して接触部11の接触面積を極端に狭く(例えば、点接触)することも考えられる。しかし、点接触のように接触面積が狭すぎると、接触部11から側面101sに対して局所的に圧力が加わり、テンプレート100の欠けや破損を招く可能性が生じる。

そこで、本実施形態では、接触部11を基材101の側面101sに対して面接触させて圧力の分散化を図りつつ、本体部分11Aがそのまま側面101sと接触する場合に比べて接触面積を低減させることにより、(1)接触部11によるテンプレート100の確実な押圧、(2)接触部11と側面101sとの接触による異物の脱落の低減、の両立を図る。

上記(1)によって、テンプレート100の適正な歪み補正や倍率補正が行われ、パターン102の転写の精度が向上する。また、上記(2)によって、異物の脱落による転写パターンへの影響が抑制され、パターン形成の歩留まりが向上する。

図4(a)及び(b)は、接触部の他の例(その1)を示す模式図である。
図4(a)には、1つの接触部11を拡大した模式的平面図が表され、(b)には、1つの接触部11を拡大した模式的側面図が表されている。
図4(a)及び(b)に表した接触部11においては、先端部分11Bの複数の突起部CPの配置が、図3(a)及び(b)に表した接触部11と相違する。

すなわち、図4(a)及び(b)に表した先端部分11Bでは、複数の突起部CPが側面101sの短手方向に所定の間隔で並ぶ。図4(a)及び(b)に表した例では、2つの突起部CPが設けられる。2つの突起部CPは、側面101sの短手方向に所定の間隔で並ぶ。

図5(a)〜(c)は、接触部の他の例(その2)を示す模式図である。
図5(a)には、1つの接触部11を拡大した模式的平面図が表され、(b)には、1つの接触部11を拡大した模式的側面図が表され、(c)には、1つの接触部11を拡大した模式的斜視図が表されている。
図5(a)〜(c)に表した接触部11においては、先端部分11Bの複数の突起部CPが、側面101sの長手方向及び短手方向のそれぞれに所定の間隔で並ぶ。

図5(a)〜(c)に表した例では、6つの突起部CPが設けられる。6つの突起部CPは、側面101sの短手方向に所定の間隔で2つ、側面101sの長手方向に所定の間隔で3つ並ぶ。

図4(a)〜図5(c)に表したいずれの接触部11でも、上記(1)及び(2)の両立が達成される。上記(1)によって、テンプレート100の適正な歪み補正や倍率補正が行われ、パターン102の転写の精度が向上する。また、上記(2)によって、異物の脱落による転写パターンへの影響が抑制され、パターン形成の歩留まりが向上する。

なお、突起部CPの数や配置はこれらに限定されるものではない。
また、接触面CSの形状は、矩形のほかに多角形状、円形、楕円形、環状などであってもよい。また、複数の接触面CSの大きさが2種類以上あってもよい。

(第2の実施形態)
図6(a)及び(b)は、第2の実施形態に係るパターン形成装置の保持部を例示する模式図である。
図6(a)には、保持部10の模式的平面図が表され、(b)には、1つの接触部11を拡大した模式的平面図が表されている。
第2の実施形態に係るパターン形成装置は、保持部10の構成以外は第1の実施形態に係るパターン形成装置110(図1参照)と同様である。

図6(a)に表したように、保持部10は、テンプレート100と接触する接触部11を含む。図6(b)に表したように、接触部11は、テンプレート100に対して進退する本体部分11Aと、本体部分11Aに設けられた先端部分11Bと、を有する。先端部分11Bは、互いに離間して設けられた複数の接触面CSを有する。すなわち、先端部分11Bには、複数の突起部CPが設けられ、各突起部CPの先端面が接触面CSになっている。

図6(a)に表したように、テンプレート100の外縁には枠部103が設けられている。枠部103の外周面103sには凹部(切り欠き部)103aが設けられている。本実施形態では、枠部103の外周面103sがテンプレート100の基材101の側面101sに相当する。

保持部10には、例えば複数の接触部11が設けられる。複数の接触部11は、テンプレート100の外縁に設けられた枠部103の周辺を囲むように配置される。複数の接触部11は、それぞれ枠部103の外周面103sに当接する。本実施形態において、保持部10によってテンプレート100を保持する際には、接触部11の先端部分11Bの突起部CPが、枠部103の外周面103sに設けられた凹部103aと嵌合する。

このように、テンプレート100を保持部10によって保持する際、先端部分11Bの突起部CPが枠部103の凹部103aに嵌合するため、枠部103の外周面103sと接触部11との間のずれが抑制される。これによって、テンプレート100を保持する際に、外周面103sと接触部11との間の擦れが抑制され、上記(1)及び(2)の両立が達成される。

上記(1)によって、テンプレート100の適正な歪み補正や倍率補正が行われ、パターン102の転写の精度が向上する。また、上記(2)によって、異物の脱落による転写パターンへの影響が抑制され、パターン形成の歩留まりが向上する。

なお、図6(a)及び(b)に表した先端部分11Bの形状は、図3(a)及び(b)に表した先端部分11Bの形状を例にしたが、図4(a)〜図5(c)に表した先端部分11Bの形状を適用してもよい。この場合、枠部103の外周面103sには、適用する先端部分11Bの形状に合わせた凹部103aを設けるようにする。

また、図6(a)及び(b)に表した例では、テンプレート100の外縁に枠部103を設けて、その枠部103に凹部103aを設けているが、テンプレート100の基材101の側面101sに直接凹部103aを設けるようにしてもよい。

(第3の実施形態)
図7(a)及び(b)は、第3の実施形態に係るパターン形成装置の保持部を例示する模式図である。
図7(a)には、保持部10の模式的斜視図が表され、(b)には、1つの接触部11を拡大した模式的側面図が表されている。
第3の実施形態に係るパターン形成装置は、保持部10の構成以外は第1の実施形態に係るパターン形成装置110(図1参照)と同様である。

図7(a)に表したように、保持部10は、テンプレート100と接触する接触部11を含む。図7(b)に表したように、接触部11は、テンプレート100に対して進退する本体部分11Aと、本体部分11Aに設けられた先端部分11Cと、を有する。

先端部分11Cの接触面CSと側面101sとの接触摩擦は、本体部分11Aと側面101sとが接触した場合の接触摩擦よりも少ない。例えば、先端部分11Cにはフッ素樹脂によるコーティングが施されている。このフッ素樹脂は、接触面CSから露出している。

保持部10には、例えば複数の接触部11が設けられる。複数の接触部11は、テンプレート100の周辺を囲むように配置される。複数の接触部11は、それぞれ基材101の側面101sに当接する。本実施形態では、先端部分11Cの接触面CSが側面101sと接触する。接触面CSには例えばフッ素樹脂が露出しているため、本体部分11Aを側面101sに直接接触させる場合に比べて接触摩擦が軽減される。

本実施形態のように、テンプレート100を保持部10で保持する際に、接触部11とテンプレート100との接触摩擦が軽減されることで、テンプレート100と接触部11との間の摩擦によって発生する異物の脱落が軽減される。したがって、異物の脱落による転写パターンへの影響が抑制され、パターン形成の歩留まりが向上する。

なお、フッ素樹脂等のコーティングは、先端部分11C以外の本体部分11Aにも施されていてもよい。また、フッ素樹脂等のコーティング以外にも、先端部分11Cの材料を本体部分11Aの材料と異なる材料を用いることで先端部分11Cの前記接触摩擦を軽減するようにしてもよい。また、フッ素樹脂等のコーティングは、単層コーティングでも、多層コーティングでもよい。

(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態に係るパターン形成方法を説明する。
図8(a)〜図9(c)は、第4の実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
図8(a)〜図9(c)では、本実施形態に係るパターン形成方法によって半導体装置300を製造する例を表している。

先ず、図8(a)に表したように、テンプレート100を用意する。テンプレート100は、側面101sを有する基材101と、基材101の主面101aに設けられたパターン102と、を含む。基材101には、石英などの透光性を有する材料が用いられる。パターン102は、例えば基材101を電子線リソグラフィ法などでレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより、基材101の主面101aに凹凸の形状として形成される。

次に、図8(b)に表したように、テンプレート100をパターン形成装置110の保持部10に取り付ける。保持部10としては、先に説明したいずれかの例を適用する。テンプレート100を保持するには、保持部10の接触部11をテンプレート100の基材101の側面101sに当接させる。先に説明した保持部10を適用することで、接触部11と側面101sとの接触の際、この接触による異物の脱落が抑制される。

一方、パターン形成装置110のステージ20上に基板200を載置する。基板200には、例えば半導体基板(シリコンウェーハ等)が用いられる。基板200は、絶縁基板の上に半導体層が設けられたものであってもよい。基板200にはトランジスタ等の素子が形成されていてもよい。

次に、被転写物である樹脂210を基板200の上に滴下する。樹脂210には、光硬化型樹脂や熱硬化型樹脂が用いられる。樹脂210は、例えばノズルN(図1参照)から基板200に向けて吐出される。

次に、図8(c)に表したように、テンプレート100を樹脂210に接触させる。この状態で毛細管現象によって樹脂210がテンプレート100のパターン102の凹部内に充填するまで待つ。

次に、図9(a)に表したように、テンプレート100を樹脂210に接触させた状態で、樹脂210を硬化する。樹脂210が光硬化型樹脂の場合、樹脂210に光を照射して樹脂210を硬化させる。例えば、紫外線照射硬化型樹脂では、光として紫外線光を照射する。樹脂210が熱硬化形樹脂の場合には、加熱によって樹脂210を硬化させる。

次に、図9(b)に表したように、樹脂210が硬化した後にテンプレート100を樹脂210から離型する。これにより、樹脂210にテンプレート100のパターン102の凹凸の形状が転写された転写パターン211が形成される。

次に、図9(c)に表したように、転写パターン211の凹部211aに残っていた樹脂210の膜を除去する。この転写パターン211の形成を製造工程の一部として、半導体装置300が製造される。転写パターン211は、例えば半導体装置300の一部として用いられる。また、転写パターン211は、マスクとして下地材(基板200等)をエッチングする際に用いられ、その後に除去されるものであってもよい。

このような製造方法では、テンプレート100を保持部10で保持する際、接触部11とテンプレート100との接触による異物の脱落が抑制される。したがって、テンプレート100の下方に配置される基板200や樹脂210への異物の付着が軽減される。これにより、異物の影響を受けずに精度の高い転写パターン211が歩留まりよく形成される。

以上説明したように、実施形態に係るパターン形成装置及び半導体装置の製造方法によれば、パターン及び半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。

なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

10…保持部、11…接触部、11A…本体部分、11B…先端部分、11C…先端部分、20…ステージ、30…駆動部、40…硬化部、50…制御部、60…塗布部、100…テンプレート、101…基材、101a…主面、101s…側面、102…パターン、103…枠部、103a…凹部、103s…外周面、110…パターン形成装置、200…基板、210…樹脂、211…転写パターン、211a…凹部、300…半導体装置、CP…突起部、CS…接触面、L1…法線方向

Claims (10)

  1. 側面を有する基材と、前記基材に設けられ凹部及び凸部の少なくともいずれかの形状を有するパターンと、を含むテンプレートを用い、前記パターンの形状を基板上の樹脂に転写するパターン形成装置であって、
    前記テンプレートと接触する接触部を含み、前記テンプレートを保持する保持部と、
    前記基板を載置するステージと、
    前記保持部及び前記ステージの少なくともいずれかを移動して前記パターンと前記樹脂とを接触させる駆動部と、
    前記樹脂を硬化させる硬化部と、
    を備え、
    前記接触部は、前記テンプレートに対して進退する本体部分と、前記本体部分の外寸と等しい外寸を有する先端部分と、前記テンプレートの外縁に設けられ複数の切り欠き部を有する枠部と、を有し、
    前記先端部分は、互いに離間して設けられ前記側面と接触する接触面をそれぞれ有する複数の突起部を有し、
    前記先端部分の前記接触面の法線方向にみた外寸は、前記本体部分の前記法線方向にみた外寸と等しく、
    前記先端部分の厚さは、前記側面の短手方向の長さと等しく、
    前記複数の突起部は、前記側面の長手方向及び短手方向にそれぞれ並ぶように設けられ、
    前記複数の突起部は、前記複数の切り欠き部とそれぞれ嵌合するパターン形成装置。
  2. 側面を有する基材と、前記基材に設けられ凹部及び凸部の少なくともいずれかの形状を有するパターンと、を含むテンプレートを用い、前記パターンの形状を基板上の樹脂に転写するパターン形成装置であって、
    前記テンプレートと接触する接触部を含み、前記テンプレートを保持する保持部と、
    前記基板を載置するステージと、
    前記保持部及び前記ステージの少なくともいずれかを移動して前記パターンと前記樹脂とを接触させる駆動部と、
    前記樹脂を硬化させる硬化部と、
    を備え、
    前記接触部は、前記テンプレートに対して進退する本体部分と、前記本体部分に設けられた先端部分と、を有し、
    前記先端部分は、互いに離間して設けられ前記側面と接触する接触面をそれぞれ有する複数の突起部を有するパターン形成装置。
  3. 前記先端部分の前記接触面の法線方向にみた外寸は、前記本体部分の前記法線方向にみた外寸と等しい請求項2記載のパターン形成装置。
  4. 前記先端部分の厚さは、前記側面の短手方向の長さと等しい請求項2または3に記載のパターン形成装置。
  5. 前記複数の突起部は、前記側面の長手方向に並ぶ請求項2〜4のいずれか1つに記載のパターン形成装置。
  6. 前記複数の突起部は、前記側面の短手方向に並ぶ請求項2〜5のいずれか1つに記載のパターン形成装置。
  7. 前記複数の突起部は、前記テンプレートの外縁に設けれた複数の切り欠き部と嵌合する請求項2〜6のいずれか1つに記載のパターン形成装置。
  8. 側面を有する基材と、前記基材に設けられ凹部及び凸部の少なくともいずれかの形状を有するパターンと、を含むテンプレートを用い、前記パターンの形状を基板上の樹脂に転写するパターン形成装置であって、
    前記テンプレートを保持する保持部と、
    前記基板を載置するステージと、
    前記保持部及び前記ステージの少なくともいずれかを移動して前記パターンと前記樹脂とを接触させる駆動部と、
    前記樹脂を硬化させる硬化部と、
    を備え、
    前記保持部は、前記テンプレートに対して進退する本体部分と、前記本体部分に設けられ前記本体部分よりも前記側面との接触摩擦の少ない接触面を有する先端部分と、を含むパターン形成装置。
  9. 前記先端部分は、前記接触面に露出するフッ素樹脂を含む請求項8記載のパターン形成装置。
  10. 請求項2〜9のいずれか1つに記載のパターン形成装置によってパターンを形成する半導体装置の製造方法であって、
    半導体層を含む前記基板を前記ステージに載置する工程と、
    前記半導体層の上に前記樹脂を塗布する工程と、
    前記先端部分の前記接触面を前記側面に接触させて前記テンプレートを前記保持部で保持する工程と、
    前記保持部及び前記ステージの少なくともいずれかを移動して前記パターンの前記樹脂への押圧を行う工程と、
    前記樹脂を硬化させる工程と、
    前記テンプレートを前記樹脂から離型する工程と、
    を備えた半導体装置の製造方法。
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