JP2000250196A - ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスクInfo
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】多層膜ハーフトーンブランクスの各層のエッチ
ングレートを制御することで、ドライエッチング加工後
のマスクパターンのテーパー形状の改善や位相差精度の
向上を図ることを目的とする。 【解決手段】合成石英ガラスからなる透明基板１１上に
ＺｒＳｉの化合物ターゲットを用いてスＡｒ及びＯ2ガ
スを使用した反応性スパッタリング成膜を行い、ＺｒＳ
ｉの化合物薄膜からなる第１層膜１２及び第２層膜１３
を有する２層膜のハーフトーン型位相シフトマスク用ブ
ランクス１０を作製し、感光層形成、電子線描画、現像
等の一連のパターニングプロセスを経てレジストパター
ン１４を形成し、レジストパターン１４をマスクにして
エッチングガスＳｉＣｌ4を用いたドライエッチング加
工して、マスクパターン１２ａ及び１３ａを有するハー
フトーン型位相シフトマスク２０を得る。
ングレートを制御することで、ドライエッチング加工後
のマスクパターンのテーパー形状の改善や位相差精度の
向上を図ることを目的とする。 【解決手段】合成石英ガラスからなる透明基板１１上に
ＺｒＳｉの化合物ターゲットを用いてスＡｒ及びＯ2ガ
スを使用した反応性スパッタリング成膜を行い、ＺｒＳ
ｉの化合物薄膜からなる第１層膜１２及び第２層膜１３
を有する２層膜のハーフトーン型位相シフトマスク用ブ
ランクス１０を作製し、感光層形成、電子線描画、現像
等の一連のパターニングプロセスを経てレジストパター
ン１４を形成し、レジストパターン１４をマスクにして
エッチングガスＳｉＣｌ4を用いたドライエッチング加
工して、マスクパターン１２ａ及び１３ａを有するハー
フトーン型位相シフトマスク２０を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造プロセス
中のフォトリソグラフィ工程で使用される露光転写用の
フォトマスク及びこれを製造するためのフォトマスクブ
ランクスに係るものであり、特にハーフトーン型位相シ
フトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスク用ブラ
ンクスに関するものである。
中のフォトリソグラフィ工程で使用される露光転写用の
フォトマスク及びこれを製造するためのフォトマスクブ
ランクスに係るものであり、特にハーフトーン型位相シ
フトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスク用ブラ
ンクスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体の微細化に伴い、Ｓｉ（シ
リコン）ウエハ上にパターンを転写する際に解像度を向
上させる技術を施したフォトマスクの利用は盛んになり
つつある。位相シフト法はこの解像度向上技術の１つで
あり、隣接する開口部の片側に位相シフト部を設け隣接
するパターンを透過する投影光の位相差を互いに１８０
度とすることにより、透過光が回折し干渉し合う際に境
界部の光強度を弱め、その結果として転写パターンの解
像度を向上させるものである。
リコン）ウエハ上にパターンを転写する際に解像度を向
上させる技術を施したフォトマスクの利用は盛んになり
つつある。位相シフト法はこの解像度向上技術の１つで
あり、隣接する開口部の片側に位相シフト部を設け隣接
するパターンを透過する投影光の位相差を互いに１８０
度とすることにより、透過光が回折し干渉し合う際に境
界部の光強度を弱め、その結果として転写パターンの解
像度を向上させるものである。
【０００３】上記のような位相シフト法はＩＢＭのLeve
nsonらによって提唱され、特開昭５８−１７３７４４号
公報や、原理では特公昭６２−５０８１１号公報に記載
されており、レベンソン型やハーフトーン型などが公知
となっている。特にハーフトーン型位相シフトマスク
は、遮光層に完全な遮光性を持たせず、この半透明遮光
層によって露光光をレジスト感度以下で透過させるとと
もに位相を反転させるものをハーフトーン型と呼び、解
像度向上に有効である。この中で特願平９−１６９１４
３号公報や特願平９−２７４４２９号公報ではハーフト
ーン型位相シフトマスク用ブランクス（以下、ハーフト
ーンブランクスと称す）の膜材料として、分光特性など
優れた点を有することからＺｒ（ジルコニウム）やＺｒ
Ｓｉ（ジルコニウムシリサイド）化合物薄膜を使用した
ものを提案している。
nsonらによって提唱され、特開昭５８−１７３７４４号
公報や、原理では特公昭６２−５０８１１号公報に記載
されており、レベンソン型やハーフトーン型などが公知
となっている。特にハーフトーン型位相シフトマスク
は、遮光層に完全な遮光性を持たせず、この半透明遮光
層によって露光光をレジスト感度以下で透過させるとと
もに位相を反転させるものをハーフトーン型と呼び、解
像度向上に有効である。この中で特願平９−１６９１４
３号公報や特願平９−２７４４２９号公報ではハーフト
ーン型位相シフトマスク用ブランクス（以下、ハーフト
ーンブランクスと称す）の膜材料として、分光特性など
優れた点を有することからＺｒ（ジルコニウム）やＺｒ
Ｓｉ（ジルコニウムシリサイド）化合物薄膜を使用した
ものを提案している。
【０００４】ＺｒやＺｒＳｉまたはＳｉの化合物を主要
材料とするハーフトーンブランクスをドライエッチング
でパターン加工する際エッチングガスとしてＳｉＣｌ4
などのハロゲンガスを使用することが多い。しかし、ハ
ーフトーンブランクスの膜が２層以上の多層膜で構成さ
れている場合には膜中に含まれる含有元素比が各膜層毎
に異なるため、エッチングレートにはかなりの差が生じ
る。特に酸化膜の場合は同条件下でエッチングした場合
エッチングレートは酸素の含有量等によって異なり、そ
の差は１０倍程度にもなる。
材料とするハーフトーンブランクスをドライエッチング
でパターン加工する際エッチングガスとしてＳｉＣｌ4
などのハロゲンガスを使用することが多い。しかし、ハ
ーフトーンブランクスの膜が２層以上の多層膜で構成さ
れている場合には膜中に含まれる含有元素比が各膜層毎
に異なるため、エッチングレートにはかなりの差が生じ
る。特に酸化膜の場合は同条件下でエッチングした場合
エッチングレートは酸素の含有量等によって異なり、そ
の差は１０倍程度にもなる。
【０００５】この結果、ガラス基板上の第１層の化合物
薄膜のエッチングレートがその上に形成されている第２
層の化合物薄膜のエッチングレートより遅くなることに
よる様々な問題が生じる。
薄膜のエッチングレートがその上に形成されている第２
層の化合物薄膜のエッチングレートより遅くなることに
よる様々な問題が生じる。
【０００６】上記エッチング過程で、第２層の化合物薄
膜のエッチングが進み、第１層の化合物薄膜に到達する
とその段階で急にエッチングレートが下がり第１層の化
合物薄膜がエッチングされ難くなる為、エッチング後の
パターン断面形状は垂直とはならず、テーパー形状とな
ってしまう。その結果としてこのマスクを用いてＳｉウ
エハへ露光・転写した場合悪影響を及ぼす。また、ガラ
ス基板上の第１層の化合物薄膜のエッチングレートが小
さいことによってガラスとの選択比も悪くなる。これは
結果的にパターン形成後における位相差精度の確保に支
障をきたすこととなり、これらのことがマスクを加工す
る上で問題であった。
膜のエッチングが進み、第１層の化合物薄膜に到達する
とその段階で急にエッチングレートが下がり第１層の化
合物薄膜がエッチングされ難くなる為、エッチング後の
パターン断面形状は垂直とはならず、テーパー形状とな
ってしまう。その結果としてこのマスクを用いてＳｉウ
エハへ露光・転写した場合悪影響を及ぼす。また、ガラ
ス基板上の第１層の化合物薄膜のエッチングレートが小
さいことによってガラスとの選択比も悪くなる。これは
結果的にパターン形成後における位相差精度の確保に支
障をきたすこととなり、これらのことがマスクを加工す
る上で問題であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑み考案されたもので、ハーフトーンブランクスの多
層膜の各層のエッチングレートを制御することで、ドラ
イエッチング加工後のマスクパターンのテーパー形状の
改善や位相差精度の向上を図ることを目的とする。
に鑑み考案されたもので、ハーフトーンブランクスの多
層膜の各層のエッチングレートを制御することで、ドラ
イエッチング加工後のマスクパターンのテーパー形状の
改善や位相差精度の向上を図ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記問題
を解決するために、まず請求項１においては、透明基板
上にジルコニウムまたはシリコンを構成元素とする化合
物薄膜の多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランクスにおいて、前記多層膜は前記透明基板上
に最初に設けられた１層目の前記化合物薄膜の酸素含有
量がそれ以降に設けられる２層目以降の前記化合物薄膜
の酸素含有量よりも低い値になるように形成されている
ことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブ
ランクスとしたものである。
を解決するために、まず請求項１においては、透明基板
上にジルコニウムまたはシリコンを構成元素とする化合
物薄膜の多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランクスにおいて、前記多層膜は前記透明基板上
に最初に設けられた１層目の前記化合物薄膜の酸素含有
量がそれ以降に設けられる２層目以降の前記化合物薄膜
の酸素含有量よりも低い値になるように形成されている
ことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブ
ランクスとしたものである。
【０００９】また、請求項２においては、透明基板上に
ジルコニウムまたはジルコニウムを構成元素とする化合
物薄膜の多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランクスにおいて、前記多層膜は前記透明基板上
に最初に設けられた１層目の前記化合物薄膜の消衰係数
がそれ以降に設けられる２層目以降の前記化合物薄膜の
消衰係数よりも高い値になるように形成されていること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブラン
クスとしたものである。
ジルコニウムまたはジルコニウムを構成元素とする化合
物薄膜の多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランクスにおいて、前記多層膜は前記透明基板上
に最初に設けられた１層目の前記化合物薄膜の消衰係数
がそれ以降に設けられる２層目以降の前記化合物薄膜の
消衰係数よりも高い値になるように形成されていること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブラン
クスとしたものである。
【００１０】らにまた、請求項３においては、請求項１
又は２記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブラン
クスを用いて、位相シフトマスクを形成したことを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクとしたものであ
る。
又は２記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブラン
クスを用いて、位相シフトマスクを形成したことを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクとしたものであ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明では、フォトマスク、特に
ハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、ガラス基板
上に形成されたジルコニウムまたはジルコニウムを構成
元素とする化合物薄膜の多層膜からなるハーフトーンブ
ランクスの多層膜の各層のエッチングレートを制御する
ことで、エッチング後のテーパー形状の改善や位相差精
度の向上を図るようにしたものである。
ハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、ガラス基板
上に形成されたジルコニウムまたはジルコニウムを構成
元素とする化合物薄膜の多層膜からなるハーフトーンブ
ランクスの多層膜の各層のエッチングレートを制御する
ことで、エッチング後のテーパー形状の改善や位相差精
度の向上を図るようにしたものである。
【００１２】具体的には、ＺｒＳｉ化合物薄膜のエッチ
ングレートは膜中に含まれる酸素等の含有比率によって
左右され、酸素の含有比率が低い程エッチングレートは
低くなることが確認されている。すなわち、ガラス基板
上に多層膜を形成する場合第１層の化合物薄膜の酸素含
有量をＯ1、第２層の化合物薄膜の酸素含有量をＯ2、以
下同様に第ｎ層の化合物薄膜の酸素含有量をＯnとした
場合、以下の式１の関係を満たす膜構成とする。 Ｏ1＜Ｏ2＜………＜Ｏn‐‐‐‐‐‐‐（式１）
ングレートは膜中に含まれる酸素等の含有比率によって
左右され、酸素の含有比率が低い程エッチングレートは
低くなることが確認されている。すなわち、ガラス基板
上に多層膜を形成する場合第１層の化合物薄膜の酸素含
有量をＯ1、第２層の化合物薄膜の酸素含有量をＯ2、以
下同様に第ｎ層の化合物薄膜の酸素含有量をＯnとした
場合、以下の式１の関係を満たす膜構成とする。 Ｏ1＜Ｏ2＜………＜Ｏn‐‐‐‐‐‐‐（式１）
【００１３】また、化合物薄膜の消衰係数についてみる
と消衰係数の値が大きい程エッチングレートは低くな
る。そこで上記同様にガラス基板上の第１層の化合物薄
膜の消衰係数をｋ1、第２層の化合物薄膜の消衰係数を
ｋ2、以下同様に第ｎ層の化合物薄膜の消衰係数をｋnと
した場合、以下の式２の関係を満たす膜構成とする。 ｋ1＜ｋ2＜………＜ｋn‐‐‐‐‐‐‐（式２）
と消衰係数の値が大きい程エッチングレートは低くな
る。そこで上記同様にガラス基板上の第１層の化合物薄
膜の消衰係数をｋ1、第２層の化合物薄膜の消衰係数を
ｋ2、以下同様に第ｎ層の化合物薄膜の消衰係数をｋnと
した場合、以下の式２の関係を満たす膜構成とする。 ｋ1＜ｋ2＜………＜ｋn‐‐‐‐‐‐‐（式２）
【００１４】上記のような膜構成のハーフトーンブラン
クスにすることにより、ドライエッチングによるパター
ニング処理においてパターン形状の優れた高精度のハー
フトーン型位相シフトマスクが得られる。
クスにすることにより、ドライエッチングによるパター
ニング処理においてパターン形状の優れた高精度のハー
フトーン型位相シフトマスクが得られる。
【００１５】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例を示すハーフ
トーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造工程を工程順に示す模式断
面図である。
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例を示すハーフ
トーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造工程を工程順に示す模式断
面図である。
【００１６】まず、合成石英ガラスからなる透明基板１
１上にＺｒＳｉの化合物ターゲットを用いてスＡｒ及び
Ｏ2ガスを使用した反応性スパッタリング成膜を行い、
ＺｒＳｉの化合物薄膜からなる第１層膜１２及び第２層
膜１３を有する２層膜のハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランクス１０を作製した。
１上にＺｒＳｉの化合物ターゲットを用いてスＡｒ及び
Ｏ2ガスを使用した反応性スパッタリング成膜を行い、
ＺｒＳｉの化合物薄膜からなる第１層膜１２及び第２層
膜１３を有する２層膜のハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランクス１０を作製した。
【００１７】ここで、ハーフトーン型位相シフトマスク
用ブランクス１０の第１層膜１２及び第２層膜１３の各
層の物性を測定するため、別途合成石英ガラス基板上に
ＺｒＳｉの化合物薄膜からなる単層膜を作製し、測定評
価を行った。以下に第１層膜１２及び第２層膜１３の各
層の成膜条件及び光学定数を示す。
用ブランクス１０の第１層膜１２及び第２層膜１３の各
層の物性を測定するため、別途合成石英ガラス基板上に
ＺｒＳｉの化合物薄膜からなる単層膜を作製し、測定評
価を行った。以下に第１層膜１２及び第２層膜１３の各
層の成膜条件及び光学定数を示す。
【００１８】 第１層膜 成膜条件 導入ガス：Ａｒ／Ｏ2＝２７／３ＳＣＣＭ 供給電力：ＤＣ４００Ｗ 膜厚：４８８Å 膜物性 屈折率ｎ：１.９ 消衰係数ｋ：１.０６
【００１９】 第２層膜 成膜条件 導入ガス：Ａｒ／Ｏ2＝２４／６ＳＣＣＭ 供給電力：ＲＦ４００Ｗ 膜厚：８３９Å 膜物性 屈折率ｎ：２.１ 消衰係数ｋ：０.０９
【００２０】膜中酸素含有率＝第１層膜＜第２層膜
（ＥＳＣＡ分析）
（ＥＳＣＡ分析）
【００２１】ここで、上記別途合成石英ガラス基板上に
単層で成膜した化合物薄膜をＲＩＥドライエッチング装
置を用いて、エッチングガスとしてＳｉＣｌ4を使用
し、ＲＦ電力：１５０Ｗ、ガス流量：５０ＳＣＣＭ、圧
力：３０〜１５０ｍＴｏｒｒの条件でエッチング加工を
行い、各層のエッチングレートを求めた。第１層膜及び
第２層膜のエッチングレートの測定結果を表１に示す。
単層で成膜した化合物薄膜をＲＩＥドライエッチング装
置を用いて、エッチングガスとしてＳｉＣｌ4を使用
し、ＲＦ電力：１５０Ｗ、ガス流量：５０ＳＣＣＭ、圧
力：３０〜１５０ｍＴｏｒｒの条件でエッチング加工を
行い、各層のエッチングレートを求めた。第１層膜及び
第２層膜のエッチングレートの測定結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１の結果からも分かるように、第１層膜
１２のエッチングレートは第２層膜１３のそれよりも数
倍早いことが確認された。ガス圧力によって若干異なる
が１５０ｍＴｏｒｒの場合その差は６.６倍にもなっ
た。
１２のエッチングレートは第２層膜１３のそれよりも数
倍早いことが確認された。ガス圧力によって若干異なる
が１５０ｍＴｏｒｒの場合その差は６.６倍にもなっ
た。
【００２４】次に、ハーフトーン型位相シフトマスク用
ブランクス１０に電子線レジストを塗布・乾燥して感光
層を形成し、電子線描画、現像等の一連のパターニング
プロセスを経てレジストパターン１４を形成した。
ブランクス１０に電子線レジストを塗布・乾燥して感光
層を形成し、電子線描画、現像等の一連のパターニング
プロセスを経てレジストパターン１４を形成した。
【００２５】さらに、レジストパターン１４をマスクに
してＲＩＥドライエッチング装置を用いて、エッチング
ガスとしてＳｉＣｌ4を使用し、ＲＦ電力：１５０Ｗ、
ガス流量：５０ＳＣＣＭ、圧力：１５０ｍＴｏｒｒの条
件でエッチング加工を行い、ＡｒＦエキシマレーザー
（λ＝１９３ｎｍ）対応のハーフトーン型位相シフトマ
スク２０を得た。
してＲＩＥドライエッチング装置を用いて、エッチング
ガスとしてＳｉＣｌ4を使用し、ＲＦ電力：１５０Ｗ、
ガス流量：５０ＳＣＣＭ、圧力：１５０ｍＴｏｒｒの条
件でエッチング加工を行い、ＡｒＦエキシマレーザー
（λ＝１９３ｎｍ）対応のハーフトーン型位相シフトマ
スク２０を得た。
【００２６】ここで、上記のハーフトーン型位相シフト
マスク２０について、マスクパターンの断面形状をＳＥ
Ｍ観察した結果従来のエッチングレートを制御しないで
作製した多層膜のハーフトーン型位相シフトマスクに比
べてパターン断面形状の垂直性は改善され、特にガラス
基板付近の膜のテーパー形状に効果が認められた。ま
た、終点制御性（＝位相差精度）についても向上してい
ることが確認された。
マスク２０について、マスクパターンの断面形状をＳＥ
Ｍ観察した結果従来のエッチングレートを制御しないで
作製した多層膜のハーフトーン型位相シフトマスクに比
べてパターン断面形状の垂直性は改善され、特にガラス
基板付近の膜のテーパー形状に効果が認められた。ま
た、終点制御性（＝位相差精度）についても向上してい
ることが確認された。
【００２７】上記実施例ではＺｒＳｉの化合物薄膜を用
いた多層膜のハーフトーンブランクスについて記述した
が、この他にもＺｒの化合物薄膜やＳｉ（シリサイド）
化合物薄膜なども適用できる。さらに、エッチングガス
としてＣｌ2やＳｉＣｌ4など塩素化合物を用いる場合に
於いて有効である。
いた多層膜のハーフトーンブランクスについて記述した
が、この他にもＺｒの化合物薄膜やＳｉ（シリサイド）
化合物薄膜なども適用できる。さらに、エッチングガス
としてＣｌ2やＳｉＣｌ4など塩素化合物を用いる場合に
於いて有効である。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、透明基板上にジルコニウムま
たはシリコンを構成元素とする化合物薄膜の多層膜から
なるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスを形
成し、多層膜の各層の酸素含有率及び消衰係数を制御す
ることにより、ドライエッチング加工時のパターン形状
（特にテーパー形状）が改善され、パターン形状の優れ
た高精度のハーフトーン型位相シフトマスクが得られ
る。さらに、今後微細化パターンが要求されるハーフト
ーン型位相シフトマスクの膜設計・加工に於いては有効
な手段となる。また、ガラス基板と化合物薄膜のエッチ
ングレートの差を大きくすることが出来る為、エッチン
グ終了後の位相差の制御性をについても向上を図ること
ができる。
たはシリコンを構成元素とする化合物薄膜の多層膜から
なるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスを形
成し、多層膜の各層の酸素含有率及び消衰係数を制御す
ることにより、ドライエッチング加工時のパターン形状
（特にテーパー形状）が改善され、パターン形状の優れ
た高精度のハーフトーン型位相シフトマスクが得られ
る。さらに、今後微細化パターンが要求されるハーフト
ーン型位相シフトマスクの膜設計・加工に於いては有効
な手段となる。また、ガラス基板と化合物薄膜のエッチ
ングレートの差を大きくすることが出来る為、エッチン
グ終了後の位相差の制御性をについても向上を図ること
ができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例を示すハ
ーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造工程を工程順に示す模
式断面図である。
ーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造工程を工程順に示す模
式断面図である。
１０……ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス １１……透明基板 １２……第１層膜 １２ａ……第１層膜のマスクパターン １３……第２層膜 １３ａ……第２層膜のマスクパターン １４……レジストパターン ２０……ハーフトーン型位相シフトマスク
Claims (3)
- 【請求項１】透明基板上にジルコニウムまたはシリコン
を構成元素とする化合物薄膜の多層膜からなるハーフト
ーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、前記多
層膜は前記透明基板上に最初に設けられた１層目の前記
化合物薄膜の酸素含有量がそれ以降に設けられる２層目
以降の前記化合物薄膜の酸素含有量よりも低い値になる
ように形成されていることを特徴とするハーフトーン型
位相シフトマスク用ブランクス。 - 【請求項２】透明基板上にジルコニウムまたはジルコニ
ウムを構成元素とする化合物薄膜の多層膜からなるハー
フトーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、前
記多層膜は前記透明基板上に最初に設けられた１層目の
前記化合物薄膜の消衰係数がそれ以降に設けられる２層
目以降の前記化合物薄膜の消衰係数よりも高い値になる
ように形成されていることを特徴とするハーフトーン型
位相シフトマスク用ブランクス。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のハーフトーン型位相
シフトマスク用ブランクスを用いて、位相シフトマスク
を形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフト
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5464799A JP4300622B2 (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5464799A JP4300622B2 (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000250196A true JP2000250196A (ja) | 2000-09-14 |
| JP4300622B2 JP4300622B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=12976585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5464799A Expired - Fee Related JP4300622B2 (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4300622B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004157358A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法。 |
| US7556892B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-07-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern transfer method |
| JP2012181549A (ja) * | 2012-05-24 | 2012-09-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半透明積層膜の設計方法、フォトマスクブランク、フォトマスク、およびフォトマスクブランクの製造方法 |
Citations (11)
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