JP6875987B2 - マイクロストラクチャ向上型吸収感光装置 - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims description 503
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 title description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 186
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 139
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 128
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 110
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 92
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 72
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 43
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 39
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 30
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 29
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 27
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 12
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 10
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 729
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 79
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 76
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 34
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 25
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 24
- 230000004044 response Effects 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 22
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 20
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000003491 array Methods 0.000 description 17
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 17
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 13
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 229910003811 SiGeC Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 5
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- -1 dielectric Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 2
- 125000002133 (4-hydroxy-3-iodo-5-nitrophenyl)acetyl group Chemical group OC1=C(C=C(C=C1I)CC(=O)*)[N+](=O)[O-] 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 244000089486 Phragmites australis subsp australis Species 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N [[(2r,3s,4r,5r)-5-(6-aminopurin-9-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methoxy-hydroxyphosphoryl] [(2r,3s,4r,5r)-5-(4-carbamoyl-1,3-thiazol-2-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methyl hydrogen phosphate Chemical compound NC(=O)C1=CSC([C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](COP(O)(=O)OP(O)(=O)OC[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@@H](O3)N3C4=NC=NC(N)=C4N=C3)O)O2)O)=N1 INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
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- H—ELECTRICITY
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- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
米国仮出願番号62/090,879号;2014年12月11日出願
米国仮出願番号62/100,025号;2015年1月5日出願
米国仮出願番号62/111,582号;2015年2月3日出願
米国仮出願番号62/139,511号;2015年3月27日出願
米国仮出願番号62/153,443号;2015年4月27日出願
米国仮出願番号62/154,675号;2015年4月29日出願
米国仮出願番号62/157,876号;2015年5月6日出願
米国仮出願番号62/171,915号;2015年6月5日出願
米国仮出願番号62/174,498号;2015年6月11日出願
米国仮出願番号62/175,855号;2015年6月15日出願
米国仮出願番号62/182,602号;2015年6月21日出願
米国仮出願番号62/188,876号;2015年7月6日出願
米国仮出願番号62/197,120号;2015年7月27日出願
米国仮出願番号62/199,607号;2015年7月31日出願
米国仮出願番号62/205,717号;2015年8月15日出願
米国仮出願番号62/209,311号;2015年8月24日出願
米国仮出願番号62/213,556号;2015年9月2日出願
米国仮出願番号62/232,716号;2015年9月25日出願
本特許出願は以下の仮及び非仮出願に関連しており、その各々を引用により本書に取り込むこととする。
米国仮出願番号61/826,446号;2013年5月22日出願
米国仮出願番号61/834,873号;2013年6月13日出願
米国仮出願番号61/843,021号;2013年7月4日出願
米国仮出願番号61/905,109号;2013年11月15日出願
米国仮出願番号62/017,915号;2014年6月27日出願
上に引用した仮及び非仮特許出願の全ては、本書において、「共通に譲渡され組み込まれている出願」として集約的に引用される。
er.com/downloads/FNSR/0x0x382377/0b3893ea-fb06-417d-ac71-84f2f9084b0d/Finisar Investor Presentation.pdf参照)が10頁において示していることは、光学的通信装置用の現在の市場は70億米国ドルを越えており複合年成長率は12%であることです。850nm波長用に使用されているフォトダイオード(PD)はGaAs物質を使用しており、且つ1550nm波長用には、フォトダイオードはInP物質をベースとしており、それは高価であると共にSiをベースとしたエレクトロニクスと集積化させることは困難である。従って、そこには大きな市場があり且つより良い装置の開発が満たされていない長きに亘る必要性が存在している。今日までのところ、850nm用のSi物質をベースとしたフォトダイオードもアバランシェフォトダイオード(APD)も存在しておらず、且つ上部又は底部照射型でデータレートが5Gb/s以上であり、本発明者等の知るところによれば市販されている1550nm用のGe・オン・Si(Ge on Si)物質をベースとしたフォトダイオードもアバランシェフォトダイオードも存在しない。しかしながら、この様な大きな市場に対してより良い装置を開発しようとする努力が欠如していたわけでもない。例えば、Si物質内に製造される共振フォトダイオードに対する提案がなされている(エピタキシャル横過剰成長によって成長された共振キャビティ向上型高速Siフォトダイオード(Resonant Cavity Enhanced High-Speed Si Photodiodes Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth)、Schaub et al.、IEEEフォトニクステクノロジーレターズ、11巻、No.12、1999年12月)が、それは該市場で認知されるようになったものではない。導波路形態におけるその他の形式の高速フォトダイオードが提案されており、例えば、基準40GHzSi/Ge単一走行キャリア導波路フォトダイオード(Ref. 40 GHz Si/Ge uni-travelling carrier waveguide photodiode)、Piels et al.、DOI 10.1109/JLT.2014.2310780、ジャーナル・オブ・ライトウエーブ・テクノロジー;モノリシックGe/Siアバランシェフォトダイオード(Monolithic Ge/Si Avalanche Photodiodes)、Kang et al.、978−1−4244−4403−8/09/$25.00 著作権2009IEEE;大断面シリコン・オン・インシュレータ導波路とモノリシックに集積化された高速Ge光検知器(High-speed Ge photodetector monolithically integrated with large cross-section silicon-on-insulator waveguide)、Feng et al.、アプライドフィジックスレターズ95、261105(2009);doi:10.1063/1.3279129;におけるものがあり、その場合に、光は端部から光学的導波路内に結合され且つ吸収長は1550nmにおけるGeの弱い吸収係数を補償するために100μm以上とさせることが可能である。これらの以前に提案されている導波路フォトダイオード構造においては、光は導波路の長さに沿って伝播し且つ光の伝播方向と電界の方向とが支配的に垂直であるようにPIN導波路を横断して電界が印加される。Si内において光は電子/正孔の飽和速度よりも約1000倍一層速く進行するので、導波路PDは、例えば、200ミクロンの長さとし且つPINにおける「I」は、例えば、2ミクロンとすることが可能であり、且つ10Gb/sを越える帯域幅を達成することが可能である。この様な光の端部結合は、この特許明細書に記載されるような表面照射と比較してパッケージングにおいてコスト高であり、その場合に、導波路断面の寸法は典型的に数ミクロンであるのと対比して既知の表面照射型フォトダイオード又はアバランシェフォトダイオードの場合には数十ミクロンである。既知の導波路PD/APDは、しばしば、単一モード光学系であるに過ぎず、一方、本特許明細書に記載される表面照射型PD/APDは単一及びマルチモードの両方の光学系で使用することが可能である。更に、既知の導波路フォトダイオードはウエハレベルにおいてテストすることが困難であるが、一方、本特許明細書に記載される表面照射型フォトダイオードはウエハレベルにおいて容易にテストすることが可能である。既知の導波路フォトダイオード/アバランシェフォトダイオードは、殆どが、特別のフォトニック回路において使用されるものであって広く市場で入手可能なものではない。Siと集積化させることが可能な上部又は底部照射型のSi及びGe・オン・SiのPD/APDは、850nm及び1550nmの波長において5Gb/s又はそれ以上のデータレートのものが市販されていることは不知である。対照的に、この特許明細書に記載されている如くSiをベースとした物質上のフォトダイオードは、単一Siチップ上の集積化電子回路とモノリシックに集積化させることが可能であり、その際にパッケージングのコストを著しく減少させる。更に、本特許明細書に記載される850nmの公称波長におけるマイクロストラクチャ型PD/APDは支配的に短距離用のものとすることが可能であり、例えば、1メートル未満、及び或る場合には10メートル未満、及び或る場合には100メートル未満、及び或る場合には1000メートル未満の光学的データ伝送の距離とすることが可能である。入射光学ビームのマイクロストラクチャ型PD/APD方向及びPIN又はNIP構造の「I」領域における電界は支配的に共線状であるか及び/又は略共線状である。この特許明細書はこの様な装置を可能なものとさせ且つ現在のデータセンターをブレード間において及び/又は1個のブレード内において殆ど全てを光学的データ伝送へ変換させるものと予測され、そのことはデータ伝送帯域幅能力を著しく増加させると共に電力消費を著しく減少させるものである。
それ自身、波長選択性及び吸収長向上の両方とすることが可能であるように高コントラストグレーチング等の反射器を形成することが可能である。特に、該フォトダイオード/アバランシェフォトダイオードのフォトン吸収領域を向上させることが可能である。幾つかの実施例によれば、波長選択性のために共振光学空胴を形成するために、マイクロストラクチャ型フォトダイオード/アバランシェフォトダイオードの上に付加的な高コントラストグレーチングを製造することが可能である。該高コントラストグレーチングの内の一つが該2つの波長選択要素の間で電圧を発生させるように電気的にバイアスさせることが可能である場合には、同調可能なオプチカルファイバーの如く選択された波長を同調させることが可能である。
フォトン矢印で示したように角度をもって来る場合がある。マイクロストラクチャ822は穴、柱体、又はこれらの組合せとすることが可能である。図8(B)に示したものは上部照射型APD860であるが、幾つかの実施例によれば、BOX/SOIを使用して、基板のバルクを除去することが可能であり、且つ該APDは800−1100nmの波長範囲で底部から照射させることが可能である。P層810を介してのPオーミック及びボンド金属828とN基板806を介してのNオーミック及びボンド金属830との間に逆バイアスを印加させる。その逆バイアスは水素化キャリアーを一掃すると共に電子的利得を与える。PD用の典型的なバイアス電圧は1乃至10ボルトの逆バイアスであり、且つAPDの場合には、その範囲はほぼ5乃至50ボルトの逆バイアスである。ここに記載する全てのPIN、PIPIN装置における如く、PとNとは交換可能であり、例えば、フォトダイオード及びアバランシェフォトダイオードに対して、PINはNIPとすることが可能であり且つPIPINはNINIPとすることが可能である。アノード即ちP層はカソードN層に関して負にバイアスされる。
Claims (79)
- 単一半導体チップ内に形成されているマイクロストラクチャ向上型光吸収を具備する光検知器と電子的プロセッサとの両方を有しているデータ通信用の集積化検知器/プロセッサ回路において、
半導体基板上に形成されており且つデータ通信用に変調された光学ソース信号からのフォトンを吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされているフォトン吸収領域を有している光検知器が設けられており、
前記フォトン吸収領域はその中に複数個の穴を有しており、該穴は前記基板へ向けて延在しており且つ複数の該穴において同一のソース信号を同時的に受け取る形態とされており、
前記フォトン吸収領域と前記複数個の穴の両方の上にオーミックコンタクト層が設けられており、
電子的プロセッサも前記半導体基板上に形成されており且つ前記フォトン吸収領域と動作上関連されていて前記出力電気信号をそれから受け取り且つ処理済出力へ処理し、それにより該光学ソース信号を受け取り且つ該処理済出力を出力する単一の半導体チップを形成しており、
前記フォトン吸収領域及び前記電子的プロセッサは同じ程度の厚さである夫々の厚さを有しており、及び
カソード領域とアノード領域とが前記フォトン吸収領域と逆バイアス回路とに動作上関連されていて、前記逆バイアス回路は前記カソード領域が前記アノード領域よりも一層正の電圧へ駆動されるように前記カソード領域と前記アノード領域との間に電圧を印加する形態とされている、
集積化検知器/プロセッサ回路。 - 該フォトン吸収領域の厚さが0.5乃至5マイクロメートルの範囲内である請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該電子的プロセッサが相補的金属酸化物半導体(CMOS)装置、バイポーラ(Bi)装置、及びBiCMOS装置の内の少なくとも一つを有している応用特定集積回路(ASIC)を有している請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域は、800nm乃至900nmの波長において入射ソース信号を40%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域は、800nm乃至900nmの波長において入射ソース信号を50%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域は、800nm乃至900nmの波長において入射ソース信号を60%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域は、1400nm乃至1700nmの波長において入射ソース信号を40%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域は、1400nm乃至1700nmの波長において入射ソース信号を50%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域は、1400nm乃至1700nmの波長において入射ソース信号を60%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域は、800nm乃至900nmのソース信号波長の少なくとも20nmの選択した波長スパンに亘って20%未満だけ変化する吸収百分率において該入射ソース信号を吸収する形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域は、1400nm乃至1700nmのソース信号波長の少なくとも20nmの波長スパンに亘って20%未満だけ変化する吸収百分率において該入射ソース信号を吸収する形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 各穴は該基板の表面に平行な断面を有しており且つ該断面の最大寸法は400nmと2500nmとの間であり、及び各穴は該複数個の穴の最も近い隣接する穴の中心から3500nm未満だけ離隔されている中心を有している請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 前記光検知器は、更に、1019/cm3又はそれを越えて高度にドープされており且つ前記フォトン吸収領域の側面に位置しているP層とN層とを有しており、及び該フォトン吸収領域は軽度にドープされているか又は意図的にはドープされておらず高々1016/cm3である請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 前記光検知器がアバランシェ光検知器を有している請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域がSiを有している請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該フォトン吸収領域がGeを有している請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該光検知器が、前記ソース信号を担持するオプチカルファイバーを受け付け且つ該ファイバーの一端部を前記フォトン吸収領域から選択した距離に維持する形態とされているテーパー付き又は段差付きの穴を有している請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 更に、該ファイバーの前記端部と該フォトン吸収領域との間にレンズを包含している請求項17記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該光検知器が、該ソース信号の複数回の反射を発生させて前記ソース信号が該フォトン吸収領域を複数回横断する形態とされている反射構造を有している請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該光検知器が、該フォトン吸収領域の2つの対向する側部から該ソース信号を受け取る形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 前記穴が、該穴の複数のグループにおいて光信号から電気信号への変換において結合共振を発生させてソース信号の吸収を向上させる形態とされている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 更に、一つ又はそれ以上の付加的な光検知器が前記半導体基板上に形成されており且つ夫々の付加的なソース信号を受け取り且つそれらに対応する夫々の出力電気信号を供給する夫々のフォトン吸収領域を有しており、及び一つ又はそれ以上の付加的な電子的プロセッサも前記半導体基板上に形成されており且つ前記付加的な光検知器の該夫々のフォトン吸収領域と動作上関連されていてそれから前記夫々の出力電気信号を受け取り且つ処理する請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該複数個の穴は、前記ソース信号の波長を含む波長範囲において、穴は無いがその他は同じ光検知器と比較してフォトンの吸収を向上させる請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該電子的プロセッサは、相互インピーダンス増幅器、信号処理エレクトロニクス、及びルーチングエレクトロニクスからなるグループから選択される一つ又はそれ以上のタイプを包含している請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該光検知器と関連している容量が、そのアノード領域とカソード領域とを従来のボンドパッドへ動作接続させているその他は同じ光検知器と比較して減少されている請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 該光検知器は、更に、増倍領域を有しており且つ2より大きな利得を有しており800乃至900nmのソース信号波長において10Gb/sより大きなデータ帯域幅において該ソース信号を検知する形態とされているアバランシェフォトダイオードである請求項1記載の集積化検知器/プロセッサ回路。
- 光学/電子システムにおいて、
光検知器とアクティブ電子回路とが、同一の半導体基板上に構築されており且つ互いに動作上関連されていて単一の集積回路チップを形成しており、
前記光検知器は、フォトン吸収領域と、前記フォトン吸収領域において前記半導体基板へ向かって延在する複数個の穴と、前記フォトン吸収領域及び前記複数個の穴の上に延在しているオーミックコンタクト層とを包含しており、前記複数個の穴が同一のソース信号を同時的に受け取る形態とされており、
レーザーが、Gb/sのデータレートで変調されてGb/sレートで情報を担持する光学ソース信号を発生し、
オプチカルファイバーが、該レーザーと関連していてその入力端において該光学ソース信号を受け取り且つそれをその出力端へ運び、
該光検知器が、該オプチカルファイバーの該出力端と関連していてそれから該光学ソース信号を受け取り且つそれを電気出力信号へ変換させる形態とされており、及び
該アクティブ電子回路が該光検知器と関連していてそれから該出力電気信号を受け取り且つ該電気出力信号を処理して前記処理済電気信号を出力する形態とされている、
システム。 - 該ソース信号及び該電気出力信号の各々が、少なくとも5Gb/sのレートで変調されている請求項27記載のシステム。
- 該光検知器及び該アクティブ電子回路が、同じ程度の大きさである厚さを有している請求項27記載のシステム。
- 高度にドープされたP層及びN層が該フォトン吸収領域の側面に位置しており、及び該フォトン吸収領域は0.1−5.0マイクロメートルの範囲内の厚さを有しており且つ意図的にはドープされていないか又は該P及びN領域と比較して軽度にドープされている請求項27記載のシステム。
- 該光検知器がバイアスされて電子又は正孔の内の少なくとも一方を該ソース信号が該光検知によって受け取られる方向に沿う方向に掃引させる請求項27記載のシステム。
- 該光検知器及び該アクティブ電子回路の各々がシリコンをベースとしている請求項27記載のシステム。
- 該光検知器がアバランシェ光検知器である請求項27記載のシステム。
- マイクロストラクチャ向上型光吸収を有する光検知器において、
0.5及び5マイクロメートルの間の厚さを持っており且つデータ通信用に変調されたソース信号からフォトンを吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされているフォトン吸収領域が設けられており、
前記フォトン吸収領域は複数個の穴を有しており、該複数個の穴は該フォトン吸収領域の該厚さの少なくとも一部を介して延在しており且つ複数の該穴において同じソース信号を同時的に受け取る形態とされており、
前記フォトン吸収領域と前記複数個の穴の両方の上にオーミックコンタクト層が設けられており、及び
前記フォトン吸収領域は、800nm乃至900nm及び1400nm乃至1700nmの範囲の内の少なくとも一つにおける波長において該入射ソース信号を40%を越えて受け取り且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている、
光検知器。 - 該フォトン吸収領域は、800nm乃至900nmの波長において該入射ソース信号を40%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域は、800nm乃至900nmの波長において該入射ソース信号を50%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域は、800nm乃至900nmの波長において該入射ソース信号を60%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域は、1400nm乃至1700nmの波長において該入射ソース信号を40%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域は、1400nm乃至1700nmの波長において該入射ソース信号を50%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域は、1400nm乃至1700nmの波長において該入射ソース信号を60%を超えて吸収し且つそれに対応する出力電気信号を供給する形態とされている請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域は、800nm乃至900nmのソース信号波長の少なくとも20nmの波長スパンにわたって20%未満だけ変化する吸収百分率において該入射ソース信号を吸収する形態とされている請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域は、1400nm乃至1700nmのソース信号波長の少なくとも20nmの波長スパンにわたって20%未満だけ変化する吸収百分率において該入射ソース信号を吸収する形態とされている請求項34記載の光検知器。
- 各穴が該基板の上部表面に平行な断面を有しており且つ400nmと2500nmとの間の最大寸法を有しており、及び各穴は該複数個の穴の内の最も近くに隣接する穴の中心から3500nm未満だけ離隔されている中心を有している請求項34記載の光検知器。
- 前記光検知器は、更に、1019/cm3において又はそれを越えて高度にドープされており且つ前記フォトン吸収領域の側面に位置しているP層とN層とを有しており、及び該フォトン吸収領域は軽度にドープされているか又は意図的にはドープされておらず高々1016/cm3である請求項34記載の光検知器。
- 前記光検知器がアバランシェ光検知器を有している請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域がSiを有している請求項34記載の光検知器。
- 該フォトン吸収領域がGeを有している請求項34記載の光検知器。
- 該光検知器が、前記ソース信号を担持するオプチカルファイバーを受け付け且つ該ファイバーの一端部を前記フォトン吸収領域から選択した距離に維持する形態とされているテーパー付き又は段差付きの穴を有している請求項34記載の光検知器。
- 更に、該ファイバーの前記端部と該フォトン吸収領域との間にレンズを包含している請求項48記載の光検知器。
- 該光検知器が、該ソース信号の複数の反射を発生させて前記ソース信号が該フォトン吸収領域を複数回横断する形態とされている反射構造を有している請求項34記載の光検知器。
- 該光検知器が、該フォトン吸収領域の2つの対応する側部から該ソース信号を受け取る形態とされている請求項34記載の光検知器。
- マイクロストラクチャ向上型光吸収を具備する光検知器において、
カソード領域、
アノード領域、
前記カソード領域が前記アノード領域よりも一層正の電圧へ駆動されるように前記カソード領域と前記アノード領域との間に電圧を印加させる形態とされている逆バイアス回路、
上部表面を持っている基板物質、及び
該カソード領域及び該アノード領域と動作上関連しており且つソース信号からのフォトンを吸収する形態とされておりシリコンから構成されているフォトン吸収領域であって、各々が該上部基板表面と平行であり400nmと2500nmとの間の最大寸法を持っている複数個の穴であって各穴が該複数個の穴の最も近い隣接した穴の中心から3500nm未満だけ離隔されている中心を持っている該複数個の穴を有している該フォトン吸収領域、
前記フォトン吸収領域と前記複数個の穴の両方の上に設けられているオーミックコンタクト層、
を有している光検知器。 - 該ソース信号が800nmより大きく且つ1000nmより小さい波長を持っている請求項52記載の光検知器。
- 該複数個の穴が周期的に離隔されているアレイに配置されている請求項52記載の光検知器。
- 該周期的に離隔されているアレイが六角形又は正方形の格子パターンを有している請求項54記載の光検知器。
- 該複数個の穴が、前記ソース信号の波長を含む波長範囲において、穴は無いがその他は同一である光検知器と比較してフォトンの吸収を向上させる請求項52記載の光検知器。
- 該穴の各々が該上部基板表面と平行である支配的に円形状の断面を持っている請求項52記載の光検知器。
- 該カソード領域及び該アノード領域が集積回路エレクトロニクスへ動作接続されており、且つ該光検知器及び該集積回路エレクトロニクスが単一のシリコンチップに集積化されている請求項52記載の光検知器。
- 該集積回路エレクトロニクスが、相互インピーダンス増幅器、信号処理エレクトロニクス、及びルーチングエレクトロニクスからなるグループから選択される一つ又はそれ以上のタイプを包含している請求項58記載の光検知器。
- 該光検知器と関連している容量が、そのアノード領域とカソード領域とを従来のボンドパッドへ動作接続させているその他は同一の光検知器と比較して、減少されている請求項58記載の光検知器。
- 更に、シリコンから形成されている増倍領域を有しており、及び
該光検知器が、850nmのソース信号波長において5Gb/sよりも大きなデータ帯域幅で該ソース信号を検知する形態とされており、且つ2より大きな利得を有しているアバランシェフォトダイオードである、請求項52記載の光検知器。 - 前記光検知器が、少なくとも30%の量子効率で、850nmのソース信号波長において2.5Gb/sよりも大きなデータ帯域幅で前記ソース信号を検知する形態とされている請求項52記載の光検知器。
- 前記光検知器が、少なくとも50%の量子効率で、850nmのソース信号波長において2.5Gb/sよりも大きなデータ帯域幅で前記ソース信号を検知する形態とされている請求項52記載の光検知器。
- 前記光検知器が、少なくとも30%の量子効率で、850nmのソース信号波長において5Gb/s以上のデータ帯域幅で前記ソース信号を検知する形態とされている請求項52記載の光検知器。
- 前記光検知器が、少なくとも50%の量子効率で、850nmのソース信号波長において5Gb/s以上のデータ帯域幅で前記ソース信号を検知する形態とされている請求項52記載の光検知器。
- 該複数個の穴がシリコンの一部をエッチング除去することによって形成されている請求項52記載の光検知器。
- 該光検知器は、該ソース信号の一部が該フォトン吸収領域を1回目に通過し、或る表面で反射し、且つ、その後に、該光吸収領域を2回目に通過する形態とされている請求項52記載の光検知器。
- 更に、基板を包含しており、及び
該カソード領域、該吸収領域、及び該アノード領域が該基板の上方に形成されており且つ該光検知器が該基板と反対の該光検知器の側部に面する方向から該ソース信号を受け取る形態とされている、請求項52記載の光検知器。 - マイクロストラクチャ向上型光吸収を具備している光検知器において、
カソード領域、
アノード領域、
前記カソード領域が前記アノード領域よりも一層正の電圧へ駆動されるように前記カソード領域と前記アノード領域との間に電圧を印加する形態とされている逆バイアス回路、
上部表面を持っている基板物質、及び
前記カソード領域及び前記アノード領域と動作上関連しており且つソース信号からのフォトンを吸収する形態とされているゲルマニウムを基礎とする物質から構成されているフォトン吸収領域であって、前記ゲルマニウムを基礎とする吸収領域は各々が該上部基板表面と平行で750nmと3000nmとの間の最大寸法を持っている断面を有している複数個の穴を包含しており、且つ各穴は該複数個の穴の内の最も近くに隣接する穴の中心から5000nm未満だけ離隔している中心を有している該フォトン吸収領域、
前記フォトン吸収領域と前記複数個の穴の両方の上に設けられているオーミックコンタクト層、
を有している光検知器。 - 該ゲルマニウムを基礎とするフォトン吸収層が、シリコンからなる物質の一つ又はそれ以上の層の上方に、エピタキシャル成長及びエピタキシャル横過剰成長プロセスの内の少なくとも一つによって形成されている請求項69記載の光検知器。
- 更に、最上シリコン層の上にGeの結晶成長を開始させる形態とされているGeバッファ層を有している請求項70記載の光検知器。
- 該アノード領域が、エピタキシャル成長及びエピタキシャル横過剰成長プロセスの内の少なくとも一つによって形成されているPドープゲルマニウム層を有している請求項69記載の光検知器。
- 前記光検知器がアバランシェフォトダイオードであり、且つ、更に、シリコンから形成されている増倍領域を有している請求項69記載の光検知器。
- 該ソース信号が1200nmよりも大きく且つ1900nmより小さな波長を有している請求項69記載の光検知器。
- 該ソース信号が1400nmより大きな波長を有している請求項74記載の光検知器。
- 前記光検知器が、少なくとも30%の量子効率で、1550nmのソース信号波長において、2Gb/sよりも大きなデータ帯域幅において、前記ソース信号を検知する形態とされている請求項69記載の光検知器。
- 前記光検知器が、少なくとも50%の量子効率で、1550nmのソース信号波長において、2Gb/sよりも大きなデータ帯域幅において、前記ソース信号を検知する形態とされている請求項69記載の光検知器。
- 前記光検知器が、少なくとも30%の量子効率で、1550nmのソース信号波長において、5Gb/sよりも大きなデータ帯域幅において、前記ソース信号を検知する形態とされている請求項69記載の光検知器。
- 前記光検知器が、少なくとも50%の量子効率で、1550nmのソース信号波長において、5Gb/sよりも大きなデータ帯域幅において、前記ソース信号を検知する形態とされている請求項69記載の光検知器。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462081538P | 2014-11-18 | 2014-11-18 | |
US62/081,538 | 2014-11-18 | ||
US201462090879P | 2014-12-11 | 2014-12-11 | |
US62/090,879 | 2014-12-11 | ||
US201562100025P | 2015-01-05 | 2015-01-05 | |
US62/100,025 | 2015-01-05 | ||
US201562111582P | 2015-02-03 | 2015-02-03 | |
US62/111,582 | 2015-02-03 | ||
US201562139511P | 2015-03-27 | 2015-03-27 | |
US62/139,511 | 2015-03-27 | ||
US201562153443P | 2015-04-27 | 2015-04-27 | |
US62/153,443 | 2015-04-27 | ||
US201562154675P | 2015-04-29 | 2015-04-29 | |
US62/154,675 | 2015-04-29 | ||
US201562157876P | 2015-05-06 | 2015-05-06 | |
US62/157,876 | 2015-05-06 | ||
US201562171915P | 2015-06-05 | 2015-06-05 | |
US62/171,915 | 2015-06-05 | ||
US201562174498P | 2015-06-11 | 2015-06-11 | |
US62/174,498 | 2015-06-11 | ||
US201562175855P | 2015-06-15 | 2015-06-15 | |
US62/175,855 | 2015-06-15 | ||
US201562182602P | 2015-06-21 | 2015-06-21 | |
US62/182,602 | 2015-06-21 | ||
US201562188876P | 2015-07-06 | 2015-07-06 | |
US62/188,876 | 2015-07-06 | ||
US201562197120P | 2015-07-27 | 2015-07-27 | |
US62/197,120 | 2015-07-27 | ||
US201562199607P | 2015-07-31 | 2015-07-31 | |
US62/199,607 | 2015-07-31 | ||
US201562205717P | 2015-08-15 | 2015-08-15 | |
US62/205,717 | 2015-08-15 | ||
US201562209311P | 2015-08-24 | 2015-08-24 | |
US62/209,311 | 2015-08-24 | ||
US201562213556P | 2015-09-02 | 2015-09-02 | |
US62/213,556 | 2015-09-02 | ||
US201562232716P | 2015-09-25 | 2015-09-25 | |
US62/232,716 | 2015-09-25 | ||
PCT/US2015/061120 WO2016081476A1 (en) | 2014-11-18 | 2015-11-17 | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018508970A JP2018508970A (ja) | 2018-03-29 |
JP6875987B2 true JP6875987B2 (ja) | 2021-05-26 |
Family
ID=56014461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017526132A Active JP6875987B2 (ja) | 2014-11-18 | 2015-11-17 | マイクロストラクチャ向上型吸収感光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9530905B2 (ja) |
EP (1) | EP3221895A4 (ja) |
JP (1) | JP6875987B2 (ja) |
CN (1) | CN107078145B (ja) |
WO (1) | WO2016081476A1 (ja) |
Families Citing this family (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9973283B2 (en) * | 2013-04-11 | 2018-05-15 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Mode conversion for optical isolation |
WO2019089437A1 (en) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | W&wsens Devices Inc. | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
EP2999980B1 (en) | 2013-05-22 | 2021-09-29 | Hewlett Packard Enterprise Development LP | Optical devices including a high contrast grating lens |
KR102472078B1 (ko) | 2013-05-22 | 2022-11-29 | 시-위안 왕 | 마이크로구조-증강 흡수 감광성 디바이스 |
US10700225B2 (en) | 2013-05-22 | 2020-06-30 | W&Wsens Devices, Inc. | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
US10446700B2 (en) | 2013-05-22 | 2019-10-15 | W&Wsens Devices, Inc. | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
US11121271B2 (en) | 2013-05-22 | 2021-09-14 | W&WSens, Devices, Inc. | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
US10468543B2 (en) | 2013-05-22 | 2019-11-05 | W&Wsens Devices, Inc. | Microstructure enhanced absorption photosensitive devices |
EP3063845A4 (en) | 2013-10-29 | 2017-06-14 | Hewlett-Packard Enterprise Development LP | High contrast grating optoelectronics |
US10082684B2 (en) | 2014-01-24 | 2018-09-25 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Optical modulation employing high contrast grating lens |
JP6875987B2 (ja) | 2014-11-18 | 2021-05-26 | ダブリュアンドダブリュセンス デバイシーズ, インコーポレイテッドW&Wsens Devices, Inc. | マイクロストラクチャ向上型吸収感光装置 |
US10261273B2 (en) * | 2015-02-26 | 2019-04-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Bi-directional optical module communicating with single optical fiber and optical transceiver implementing the same |
CH711000A1 (de) * | 2015-04-28 | 2016-10-31 | Iart Lab Gmbh | Leuchteneinrichtung und Verfahren zur Steuerung einer Leuchteneinrichtung. |
JP2017022175A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10114238B2 (en) * | 2015-07-21 | 2018-10-30 | The Regents Of The University Of California | Actively controllable color using high contrast metastructures |
WO2017019013A1 (en) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Doped absorption devices |
US11268854B2 (en) | 2015-07-29 | 2022-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Spectrometer including metasurface |
US11867556B2 (en) | 2015-07-29 | 2024-01-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Spectrometer including metasurface |
US10514296B2 (en) * | 2015-07-29 | 2019-12-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Spectrometer including metasurface |
JP2017076651A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 富士通株式会社 | 半導体受光装置 |
US10097281B1 (en) | 2015-11-18 | 2018-10-09 | Hypres, Inc. | System and method for cryogenic optoelectronic data link |
JP2017098305A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | 光検出器 |
JP6730820B2 (ja) * | 2016-03-10 | 2020-07-29 | 株式会社東芝 | 光検出器およびこれを用いたライダー装置 |
DE102016219200A1 (de) * | 2016-10-04 | 2018-04-05 | Tridonic Gmbh & Co Kg | Integrierte Anordnung modulierbarer Lichtpunkte für Kommunikation mittels sichtbarem Licht |
DE102016225344A1 (de) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | System zur Analyse von elektromagnetischer Strahlung und Bauelement zur Herstellung desselben |
US9977248B1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-05-22 | PhantaField, Inc. | Augmented reality display system |
KR102587958B1 (ko) * | 2017-02-03 | 2023-10-11 | 삼성전자주식회사 | 메타 광학 소자 및 그 제조 방법 |
KR102319348B1 (ko) * | 2017-03-23 | 2021-10-29 | 삼성전자주식회사 | 메타 구조 리플렉터를 구비하는 수직 공진형 표면 발광 레이저 및 이를 포함하는 광학 장치 |
WO2019002252A1 (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | Sony Depthsensing Solutions Sa/Nv | MONOPHOTONIC AVALANCED DIODE AND METHOD FOR OPERATING A MONOPHOTONIC AVALANCED DIODE |
EP3656000A4 (en) * | 2017-07-21 | 2021-08-04 | W&WSENS Devices, Inc. | PHOTOSENSITIVE ABSORPTION DEVICES ENHANCED BY MICROSTRUCTURES |
CN107403848B (zh) * | 2017-09-08 | 2023-06-20 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种背照式级联倍增雪崩光电二极管 |
JP6990550B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2022-01-12 | 富士通株式会社 | 赤外線検出器、撮像素子、及び撮像システム |
US10418402B2 (en) * | 2017-11-30 | 2019-09-17 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Near ultraviolet photocell |
EP3506002B1 (en) * | 2017-12-29 | 2022-06-08 | IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik | Electrooptical device |
US10797193B2 (en) * | 2018-01-23 | 2020-10-06 | Lumentum Operations Llc | Bias control structure for avalanche photodiodes |
CN108507678A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-09-07 | 东南大学 | 一种等离激元多谐振机制增强的可调超光谱探测芯片 |
WO2019218002A1 (en) * | 2018-05-14 | 2019-11-21 | The University Of Melbourne | A photodetector |
KR102558858B1 (ko) * | 2018-05-28 | 2023-07-21 | 코닝 인코포레이티드 | 유기발광장치의 광추출기판 및 그 제조방법 |
KR102592696B1 (ko) * | 2018-06-05 | 2023-10-24 | 삼성전자주식회사 | 다파장 광원 장치, 이를 포함하는 다기능 프로젝터 및 다기능 프로젝터를 포함하는 전자 장치 |
CN108712622A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-10-26 | 江苏集萃智能传感技术研究所有限公司 | 一种增强型窄带滤波器及其制造方法 |
US10964835B2 (en) * | 2018-08-29 | 2021-03-30 | The Boeing Company | Universal broadband photodetector design and fabrication process |
US10712500B2 (en) * | 2018-10-17 | 2020-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US10666353B1 (en) | 2018-11-20 | 2020-05-26 | Juniper Networks, Inc. | Normal incidence photodetector with self-test functionality |
CN110880539B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-09-24 | 希烽光电科技(南京)有限公司 | 波导集成雪崩光电二极管 |
TR201819952A2 (tr) * | 2018-12-20 | 2020-07-21 | Hacettepe Ueniversitesi | Geni̇ş bant araliğinda çalişan bi̇r yarii̇letken fotodi̇yot ve elde etme yöntemi̇ |
WO2020134537A1 (zh) | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 | 光电芯片、制备方法和安装方法 |
CN116682874A (zh) * | 2019-01-06 | 2023-09-01 | 光程研创股份有限公司 | 用于检测不同波长的光检测装置 |
JP7008653B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2022-01-25 | 株式会社東芝 | 分子検出装置 |
RU2732694C1 (ru) * | 2019-03-12 | 2020-09-21 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Детектор Фотонный Аналоговый" (Ооо "Дефан") | Лавинный фотодетектор (варианты) и способ его изготовления (варианты) |
US10930747B2 (en) * | 2019-06-04 | 2021-02-23 | Nxp B.V. | Semiconductor device with an encircled electrode |
CN110324545B (zh) * | 2019-06-11 | 2022-01-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种像素结构、图像传感器及终端 |
JP2021027358A (ja) | 2019-08-01 | 2021-02-22 | ダブリュアンドダブリュセンス デバイシーズ, インコーポレイテッドW&Wsens Devices, Inc. | マイクロストラクチャ向上型吸収感光装置 |
US11605752B2 (en) * | 2019-09-25 | 2023-03-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Resonance enhanced surface illuminated sub-bandgap infrared photodetectors |
US11448891B2 (en) * | 2019-10-17 | 2022-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multifunctional collimator for contact image sensors |
CN110854141A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种单片集成型平衡光电探测器芯片及制作方法 |
US20220390656A1 (en) * | 2019-11-22 | 2022-12-08 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | High-quality-factor metasurface for phase contrast imaging and spatial frequency filtering |
FR3109943B1 (fr) | 2020-05-11 | 2023-11-03 | Magguilli Stephane | Revêtement antisalissures, biocide, antiseptique, écologique non solvanté, métalloplastique à structure lamellaires |
JP6829923B1 (ja) * | 2020-08-03 | 2021-02-17 | 株式会社京都セミコンダクター | 受光素子ユニット |
CN112018140A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-12-01 | 清华大学 | 基于随机形状单元的微型光谱芯片 |
CN112531073B (zh) * | 2020-09-27 | 2022-09-20 | 北京工业大学 | 一种具有光子晶体结构的侧面入射型SOI基Si/SiGe HPT的制备方法 |
CN112420857A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-02-26 | 北京工业大学 | 光子晶体SiGe/Si光敏晶体管探测器 |
CN112382858B (zh) * | 2020-10-23 | 2022-03-15 | 西安理工大学 | 一种基于全介质材料的光可调四频带太赫兹超材料吸收器 |
US11536914B2 (en) | 2020-11-17 | 2022-12-27 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photodetector array with diffraction gratings having different pitches |
KR102514796B1 (ko) * | 2020-12-11 | 2023-03-29 | 한국과학기술원 | 모놀리식 집적에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
US11482562B2 (en) | 2020-12-30 | 2022-10-25 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming image sensors |
CN113035979B (zh) * | 2021-03-09 | 2022-08-19 | 南京大学 | 用于太阳能热光伏电池的吸收-辐射器结构的制备方法 |
CN113284973B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-07-05 | 长春理工大学 | 一种高响应度的雪崩光电二极管结构 |
CN115700928A (zh) * | 2021-07-15 | 2023-02-07 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 光电探测器及其制造方法 |
CN113990983B (zh) * | 2021-10-25 | 2023-07-04 | 西安微电子技术研究所 | 一种光吸收能力强的光敏二极管及制备方法 |
US11721780B2 (en) * | 2021-11-17 | 2023-08-08 | Globalfoundries U.S. Inc. | Avalanche photodetectors with a multiple-thickness charge sheet |
KR20230089157A (ko) * | 2021-12-13 | 2023-06-20 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
US11949036B2 (en) | 2022-04-11 | 2024-04-02 | Ciena Corporation | Suppression of phototransistor gain in an optical modulator |
WO2023211361A1 (en) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Compoundtek Pte. Ltd. | Optical bench apparatus and fabrication method therefor for heterogeneous laser integration |
CN114823941B (zh) * | 2022-04-29 | 2024-04-02 | 聊城大学 | 一种谐振增强型光电探测器及制作方法 |
CN115224138B (zh) * | 2022-06-17 | 2023-12-08 | 浙江大学 | 一种水平拉通型锗硅雪崩光电探测器 |
Family Cites Families (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4292512A (en) | 1978-06-19 | 1981-09-29 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical monitoring photodiode system |
FR2553583B1 (fr) | 1983-10-14 | 1986-03-21 | Thomson Csf | Limiteur de puissance elevee a diodes pin pour ondes millimetriques et procede de realisation des diodes |
US4716449A (en) | 1984-03-14 | 1987-12-29 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
US4637129A (en) | 1984-07-30 | 1987-01-20 | At&T Bell Laboratories | Selective area III-V growth and lift-off using tungsten patterning |
US4814847A (en) * | 1986-11-21 | 1989-03-21 | Bell Communications Research, Inc. | Ingaas semiconductor structures |
EP0443332B1 (en) | 1990-01-23 | 1995-08-23 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Optical gate array |
US5625636A (en) | 1991-10-11 | 1997-04-29 | Bryan; Robert P. | Integration of photoactive and electroactive components with vertical cavity surface emitting lasers |
JP2699807B2 (ja) | 1993-06-08 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 組成変調アバランシ・フォトダイオード |
JP4077063B2 (ja) * | 1997-05-27 | 2008-04-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | BiCMOS内蔵受光半導体装置 |
US5757057A (en) | 1997-06-25 | 1998-05-26 | Advanced Photonix, Inc. | Large area avalanche photodiode array |
US5886374A (en) | 1998-01-05 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Optically sensitive device and method |
US6027956A (en) | 1998-02-05 | 2000-02-22 | Integration Associates, Inc. | Process for producing planar dielectrically isolated high speed pin photodiode |
US6177289B1 (en) | 1998-12-04 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Lateral trench optical detectors |
US6667528B2 (en) | 2002-01-03 | 2003-12-23 | International Business Machines Corporation | Semiconductor-on-insulator lateral p-i-n photodetector with a reflecting mirror and backside contact and method for forming the same |
US7022544B2 (en) | 2002-12-18 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | High speed photodiode with a barrier layer for blocking or eliminating slow photonic carriers and method for forming same |
CN100349299C (zh) * | 2003-01-16 | 2007-11-14 | 中国科学院半导体研究所 | 大规模光电集成rce探测器面阵器件 |
US7503706B2 (en) * | 2003-09-05 | 2009-03-17 | Sae Magnetics (Hong Kong) Limited | MSM photodetector assembly |
US7151006B2 (en) | 2003-11-04 | 2006-12-19 | Varian Medical Systems Technologies, Inc. | Process to reduce the dark current in semiconducting films |
US7138697B2 (en) | 2004-02-24 | 2006-11-21 | International Business Machines Corporation | Structure for and method of fabricating a high-speed CMOS-compatible Ge-on-insulator photodetector |
US7115971B2 (en) | 2004-03-23 | 2006-10-03 | Nanosys, Inc. | Nanowire varactor diode and methods of making same |
MXPA06011774A (es) | 2004-04-15 | 2007-01-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Sustrato maestro optico con capa enmascarante y metodo para fabricar estructura en relieve de alta densidad. |
DE102004031606B4 (de) | 2004-06-30 | 2009-03-12 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltungsanordnung mit pin-Diode und Herstellungsverfahren |
US7397101B1 (en) | 2004-07-08 | 2008-07-08 | Luxtera, Inc. | Germanium silicon heterostructure photodetectors |
US7340709B1 (en) * | 2004-07-08 | 2008-03-04 | Luxtera, Inc. | Method of generating a geometrical rule for germanium integration within CMOS |
DE102004060365B4 (de) | 2004-12-15 | 2009-03-19 | Austriamicrosystems Ag | Bauelement mit Halbleiterübergang und Verfahren zur Herstellung |
JP2006237186A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子およびその製造方法 |
US20100193768A1 (en) | 2005-06-20 | 2010-08-05 | Illuminex Corporation | Semiconducting nanowire arrays for photovoltaic applications |
US8461648B2 (en) | 2005-07-27 | 2013-06-11 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor component with a drift region and a drift control region |
FR2889636B1 (fr) | 2005-08-05 | 2009-09-25 | Alcatel Sa | Dispositif optoelectronique integre comportant un amplificateur optique a semiconducteur et une photodiode |
US7768085B2 (en) | 2005-10-11 | 2010-08-03 | Icemos Technology Ltd. | Photodetector array using isolation diffusions as crosstalk inhibitors between adjacent photodiodes |
JP4823711B2 (ja) | 2006-02-16 | 2011-11-24 | Hoya株式会社 | パターン形成方法及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2009528704A (ja) | 2006-03-02 | 2009-08-06 | アイスモス テクノロジー コーポレイション | 光検出器アレイ用フロントサイド電気コンタクトとその製造方法 |
US7924413B2 (en) | 2006-04-28 | 2011-04-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanowire-based photonic devices |
US7893348B2 (en) | 2006-08-25 | 2011-02-22 | General Electric Company | Nanowires in thin-film silicon solar cells |
JP5135759B2 (ja) | 2006-10-19 | 2013-02-06 | 富士電機株式会社 | 超接合半導体装置の製造方法 |
JP2008311562A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Panasonic Corp | 受光素子 |
US7772615B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-08-10 | Connector Optics | Anti stark electrooptic medium and electrooptically modulated optoelectronic device based thereupon |
US8257997B2 (en) * | 2007-10-17 | 2012-09-04 | Sifotonics Technologies (Usa) Inc. | Semiconductor photodetectors |
US7795064B2 (en) | 2007-11-14 | 2010-09-14 | Jds Uniphase Corporation | Front-illuminated avalanche photodiode |
JP5170110B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2013-03-27 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子及び光通信デバイス |
US20090188557A1 (en) | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Shih-Yuan Wang | Photonic Device And Method Of Making Same Using Nanowire Bramble Layer |
US8129710B2 (en) | 2008-04-24 | 2012-03-06 | Hans Cho | Plasmon enhanced nanowire light emitting diode |
CN102113092A (zh) | 2008-08-04 | 2011-06-29 | 美国迅力光能公司 | 具有实时在线iv测量的卷对卷连续式薄膜pv制造工艺及设备 |
US8877616B2 (en) * | 2008-09-08 | 2014-11-04 | Luxtera, Inc. | Method and system for monolithic integration of photonics and electronics in CMOS processes |
US8357960B1 (en) | 2008-09-18 | 2013-01-22 | Banpil Photonics, Inc. | Multispectral imaging device and manufacturing thereof |
US7956388B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-06-07 | Unisantis Electronics (Japan) Ltd. | Solid-state image pickup element and solid-state image pickup device |
WO2010062708A2 (en) | 2008-10-30 | 2010-06-03 | Hak Fei Poon | Hybrid transparent conductive electrodes |
KR101249292B1 (ko) | 2008-11-26 | 2013-04-01 | 한국전자통신연구원 | 열전소자, 열전소자 모듈, 및 그 열전 소자의 형성 방법 |
KR101520029B1 (ko) | 2008-12-31 | 2015-05-15 | 삼성전자주식회사 | 고정세화 패턴을 갖는 광 변조기 |
US8211735B2 (en) | 2009-06-08 | 2012-07-03 | International Business Machines Corporation | Nano/microwire solar cell fabricated by nano/microsphere lithography |
US8461451B2 (en) | 2009-06-11 | 2013-06-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertical junction tandem/multi-junction PV device |
WO2011001842A1 (en) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
CN101958362A (zh) * | 2009-07-17 | 2011-01-26 | 北京邮电大学 | 纳米波导结构半导体光探测器制备方法 |
US7977637B1 (en) | 2009-08-20 | 2011-07-12 | Hrl Laboratories, Llc | Honeycomb infrared detector |
US9559231B2 (en) | 2009-08-24 | 2017-01-31 | Shih-Ping Bob Wang | Photovoltaic nanowire structures and related fabrication methods |
US9349970B2 (en) | 2009-09-29 | 2016-05-24 | Research Triangle Institute | Quantum dot-fullerene junction based photodetectors |
US8787776B2 (en) * | 2010-06-04 | 2014-07-22 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Optical receiver with monolithically integrated photodetector |
US8933506B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-01-13 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Diode structures with controlled injection efficiency for fast switching |
WO2012149441A2 (en) | 2011-04-29 | 2012-11-01 | The Regents Of The University Of California | High efficiency vertical optical coupler using sub-wavelength high contrast grating |
US20120292676A1 (en) | 2011-05-21 | 2012-11-22 | James Pan | Novel Very Fast Optic Nonvolatile Memory with Alternative Carrier Lifetimes and Bandgap Energies, Optic Random Access, and Mirrored "Fly-back" Configurations |
US8368159B2 (en) * | 2011-07-08 | 2013-02-05 | Excelitas Canada, Inc. | Photon counting UV-APD |
JP5832852B2 (ja) | 2011-10-21 | 2015-12-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP5854383B2 (ja) * | 2012-01-31 | 2016-02-09 | 国立大学法人京都大学 | 2次元フォトニック結晶 |
DE102012201911B4 (de) | 2012-02-09 | 2022-09-22 | Robert Bosch Gmbh | Super-Junction-Schottky-Oxid-PiN-Diode mit dünnen p-Schichten unter dem Schottky-Kontakt |
US9490385B2 (en) * | 2012-05-29 | 2016-11-08 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Devices including independently controllable absorption region and multiplication region electric fields |
JP6105258B2 (ja) | 2012-11-05 | 2017-03-29 | 住友電気工業株式会社 | 半導体受光素子、光受光装置 |
KR102472078B1 (ko) | 2013-05-22 | 2022-11-29 | 시-위안 왕 | 마이크로구조-증강 흡수 감광성 디바이스 |
US9431490B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-08-30 | Infineon Technologies Austria Ag | Power semiconductor device and method |
KR101695708B1 (ko) | 2014-01-09 | 2017-01-13 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP6875987B2 (ja) | 2014-11-18 | 2021-05-26 | ダブリュアンドダブリュセンス デバイシーズ, インコーポレイテッドW&Wsens Devices, Inc. | マイクロストラクチャ向上型吸収感光装置 |
-
2015
- 2015-11-17 JP JP2017526132A patent/JP6875987B2/ja active Active
- 2015-11-17 WO PCT/US2015/061120 patent/WO2016081476A1/en active Application Filing
- 2015-11-17 US US14/943,898 patent/US9530905B2/en active Active
- 2015-11-17 CN CN201580056778.7A patent/CN107078145B/zh active Active
- 2015-11-17 EP EP15861593.0A patent/EP3221895A4/en active Pending
- 2015-11-17 US US15/309,922 patent/US9818893B2/en active Active
- 2015-11-18 US US14/945,003 patent/US9525084B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160308075A1 (en) | 2016-10-20 |
US9818893B2 (en) | 2017-11-14 |
US9530905B2 (en) | 2016-12-27 |
US20160307939A1 (en) | 2016-10-20 |
WO2016081476A1 (en) | 2016-05-26 |
EP3221895A4 (en) | 2018-08-15 |
US20170194522A1 (en) | 2017-07-06 |
CN107078145B (zh) | 2019-05-07 |
US9525084B2 (en) | 2016-12-20 |
CN107078145A (zh) | 2017-08-18 |
EP3221895A1 (en) | 2017-09-27 |
JP2018508970A (ja) | 2018-03-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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