JP2001093815A - パターンデータ検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】少ない工程数で簡便にパターンデータを検査す
る。 【解決手段】所望のパターンを有するマスクを用いてウ
ェハ１上に塗布されたポジレジスト２に対して光露光を
行い、ポジレジスト２にパターン転写し、この光露光に
おける光遮光領域に電子線３の照射領域が一致するパタ
ーンデータに基づいて、ポジレジスト２に対して電子線
露光を行いポジレジスト２にパターン転写し、光露光及
び電子線露光を経たポジレジスト２を現像し、ウェハ１
上に残存するポジレジスト２を検査することによりパタ
ーンデータを検査する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子露光にお
いて露光すべきパターンが規定されたパターンデータを
検査するパターンデータ検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程における光リソグラフィ
は、そのプロセス簡易性、低コスト等の利点により、広
くデバイス生産に用いられてきた。この光リソグラフィ
の分野では常に技術革新が続けられており、近年では露
光波長の短波長化（ＫｒＦエキシマレーザ光源）により
０．２５μｍ以下の素子の微細化が達成されつつある。
さらに微細化を進めようと、より短波長のＡｒＦエキシ
マレーザ光源やレベンソン型の位相シフトマスクの開発
が進められており０．１５μｍルール対応の量産リソグ
ラフィツールとして期待されている。しかし、この微細
化を実現するための課題も多く、その開発に係わる時間
が長期化しており、デバイスの微細化のスピードに追い
つかなくなることが懸念されつつある。

【０００３】これに対して、ポスト光リソグラフィの第
１候補である電子線リソグラフィは、細く絞ったビーム
を用いて０．０１μｍまでの加工ができることは実証済
みである。しかしながら、電子線リソグラフィで形成さ
れたパターンは検査装置の限界解像度以下であるため
に、パターンの検査方法が確立されておらず、デバイス
を試作しないとパターンの良否が判断できないのが現状
である。また、電子線リソグラフィはパターンを幾つか
の領域に分割して一つ一つの描画によりパターンが形成
される。この描画の際に電気ノイズや磁場変動等により
パターンがずれるパターンずれや、全然異なった位置に
描画されるパターン抜けといったパターンエラーに関し
ては検査できず、低歩留まりの原因となっていた。

【０００４】一方、光露光でのデバイス製作により動作
が確認されているデバイスを電子線リソグラフィを適用
して製作する場合にはパターン検査を行う方法が提案さ
れているが、種々の問題点がある。このパターン検査の
問題点を図７を用いて説明する。

【０００５】図７は、パターン検査の際のウェハ上の露
光領域を示す図である。図７に示すように、ウェハ７１
の斜線で示した領域に、まず光露光により光露光パター
ン７２を形成する。この光露光パターン７２は、それぞ
れ１チップに当たる幅だけ間隔をおいて形成される。そ
して、この光露光により形成されたレジストパターンを
マスクとして下地膜をエッチングしてパターンを形成す
る。その後、光パターン７２が形成されなかった１チッ
プに当たる幅を有する領域に、電子線リソグラフィを用
いて電子線露光パターン７３を光露光部分と同様の方法
で形成する。このように形成された隣り合うパターン７
２及び７３を比較することにより検査が可能となる。

【０００６】しかしながら、このようなパターン検査方
法では、光露光後と電子線露光後にそれぞれエッチング
工程やレジスト剥離工程が必要となり、工程数が増加し
たり、それら工程を経ることでダストが増加し、リソグ
ラフィ工程のみについてのエラーが判定されることが難
しい等の問題が生じる。

【０００７】また、下地パターンに対して光露光と電子
線露光を別々に行うため、お互い異なる合わせずれを示
す。このような場合、パターンデータが正常であっても
お互いのパターンの絶対座標値が異なるため、パターン
データが異常であると判定されてしまう。

【０００８】また光露光で製作されているデバイスにお
いて、例えばゲート領域の一部を電子線リソグラフィで
形成する、本発明者らが提案した同層ミックス＆マッチ
（特願平９−４６６８３号公報）を用いたパターン形成
（同じレジストに対して光露光と電子線露光を用いる手
法）や、ゲート領域すべてを電子線リソグラフィを用い
てパターンを形成する場合には、検査装置の限界解像度
となるため、検査することができないという問題があっ
た。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
電子線露光に係わるパターンデータの検査方法では、光
露光後と電子線露光後にそれぞれエッチング工程やレジ
スト剥離工程が必要となり、工程数が増加したり、それ
ら工程を経ることでダストが増加し、リソグラフィ工程
のみについてのエラーが判定されることが難しい等の問
題が生じる。

【００１０】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、その目的とするところは、少ない工程数で簡
便にパターンデータを検査できるパターンデータ検査方
法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係るパターンデ
ータ検査方法は、所望のパターンを有するマスクを用い
て被処理基板上に塗布された感光剤に対して光露光を行
い該感光剤にパターン転写する工程と、前記光露光にお
ける光遮光領域に荷電粒子の照射領域が一致するパター
ンデータに基づいて、前記感光剤に対して荷電粒子露光
を行い該感光剤にパターン転写する工程と、前記光露光
及び前記荷電粒子露光を経た前記感光剤を現像する工程
と、前記被処理基板上に残存する前記感光剤を検査する
ことにより前記パターンデータを検査することを特徴と
する。

【００１２】また、別の本発明に係るパターンデータ検
査方法は、所望のパターンを有するマスクを用いて被処
理基板上に塗布された感光剤に対して光露光を行い該感
光剤に転写する工程と、前記光露光における光照射領域
に荷電粒子の照射領域が対応し、かつ前記マスクのパタ
ーンを規定する寸法とは異なる寸法パラメータを有する
パターンデータに基づいて前記感光剤に対して荷電粒子
露光を行い該感光剤に転写する工程と、前記光露光及び
前記荷電粒子露光を経た前記感光剤を現像する工程と、
前記被処理基板上に残存する前記感光剤を検査すること
により前記パターンデータを検査することを特徴とす
る。

【００１３】なお、以上に示した本発明に係るパターン
データ検査方法において、光露光と荷電粒子露光はいず
れを先に行ってもよい。

【００１４】（作用）本発明では、荷電粒子露光におけ
る形成パターンを規定するパターンデータを検査するに
際して、光露光と荷電粒子露光を用いてパターンを形成
する。このパターンの形成の際、光露光における光遮光
領域に荷電粒子の照射領域が一致するパターンデータに
基づいて感光剤に対して荷電粒子露光を行う。これによ
り、光露光あるいは荷電粒子露光のうち、先に行った露
光の後にエッチング工程を設ける必要が無く、少ない工
程数で簡便にパターンデータを検査できる。

【００１５】また、別の本発明によれば、荷電粒子露光
における形成パターンを規定するパターンデータを検査
するに際して、光露光と荷電粒子露光を用いてパターン
を形成する。このパターンの形成の際、光露光における
光遮光領域に荷電粒子の照射領域を規定する寸法が異な
るパターンデータに基づいて荷電粒子露光を行う。これ
により、欠陥検査装置の限界解像度以下のパターンであ
っても検査が可能となる。

【００１６】また、光露光によるパターン転写の後に、
このパターン転写により形成されたレジストパターンに
合わせて重ね合わせ描画を行うことにより、下地パター
ンがない場合であってもパターンデータの検査が可能と
なる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。

【００１８】（第１実施形態）図１は本発明の第１実施
形態に係るパターン検査方法のフローチャートを示す図
である。本実施形態ではポジレジストにより電子線露光
及び光露光を用いてパターンを形成する場合を用いて説
明する。図２は、このパターン検査における工程を示す
斜視図である。

【００１９】図１に示すように、大別して本検査方法は
光露光ステップ（Ｓ１）、電子線露光ステップ（Ｓ２）
及び欠陥検査ステップ（Ｓ３）の３ステップからなる。

【００２０】最初の光露光ステップ（Ｓ１）では、ま
ず、光露光用の重ね合わせをするためのマークと電子線
露光用の重ね合わせをするためのマークが形成されてい
る半導体基板（ウェハ１）上にポジレジスト２を塗布す
る（Ｓ１１、図２（ａ））。ポジレジスト２が塗布され
たウェハ１はステッパに搬送され、ポジレジスト２上の
全面にレチクルのパターンが縮小されて順次露光される
（Ｓ１２）。

【００２１】本実施形態で用いられる光露光用レチクル
の平面図を図３（ａ）に示す。本実施形態ではゲートパ
ターンを転写するためのレチクルが用いられる。図３
（ａ）に示すようにレチクル３０は、鍵型の遮光部３１
と透光部３２から構成される。

【００２２】露光が終了するとウェハ１はレジスト塗布
・現像装置に搬送される。レジスト塗布・現像装置にお
いて、ウェハ１は一定時間加熱処理（ＰＥＢ：Post Exp
osure Bake）が施され（Ｓ１３）、さらに現像されて
（Ｓ１４）上記図３（ａ）に示す遮光部３１のみレジス
ト２が残存した集積回路パターン（ゲートパターン）が
形成される（図２（ｂ））。

【００２３】次の電子線露光ステップ（Ｓ２）では、ま
ず光露光及び現像された集積回路パターンに対して電子
線露光すべきパターンの位置合わせが完了した後、電子
線によりポジレジスト２の全面の各チップに対してパタ
ーンが描画される（Ｓ２１、図２（ｃ））。

【００２４】この電子線露光に用いられるパターンデー
タにおいて電子線が照射される領域を図３（ａ）のレチ
クルに対応して示したのが図３（ｂ）である。図３
（ｂ）に示すように、パターンデータに基づく電子線照
射領域３３は、鍵型のゲートパターン形成領域と同じ領
域であり、図３（ａ）に示した遮光部３１に一致する。
従って、実際にポジレジスト２上に照射される電子線
は、光露光において光が照射されなかったすべての領域
に照射される。

【００２５】パターン描画されたウェハ１は塗布・現像
装置に戻され、再び加熱処理（ＰＥＢ）が施される（Ｓ
２２）。その後、同じ塗布・現像装置内においてウェハ
１は現像され（Ｓ２３）、検査すべきパターンの形成が
完了する。破線で示したのは、現像により電子線照射さ
れたレジストパターンが除去された部分である。

【００２６】そして、欠陥検査装置にて欠陥が検査され
る（Ｓ３）。具体的にはまず、欠陥検査装置を用いてレ
ジスト２表面を観察し、レジストパターンに残りがある
か否かを判断する（Ｓ３１）。パターン残りが無いと判
断した場合には電子線露光用パターンデータは正常であ
ると判断する（Ｓ３２）。これは、上述したように、光
が照射される領域と電子線が照射される領域はポジレジ
スト２上に置いて反転した関係にあるため、パターンデ
ータが正常であればポジレジスト２は光照射或いは電子
線照射のいずれかによりパターンが残らなくなるからで
ある。

【００２７】パターン残りがあると判断した場合には、
残りがあると判断した箇所を一つ一つレビュする（Ｓ３
３）。そして、パターン残りがあると判断した箇所を詳
細に観察する。このレビュにより、パターン残りは欠陥
であるか否かを判断し（Ｓ３４）、欠陥でない場合、す
なわち下地膜のごみやきず等である場合には電子線露光
用パターンデータの異常ではないから、パターンデータ
は正しいと判断する（Ｓ３５）。欠陥であると判断した
場合にはパターンデータは異常であると判断する（Ｓ３
６）。なお、パターン残りが欠陥であるか否かは、例え
ば電子線のショットの大きさにより判断可能である。こ
の場合、パターン残りが電子線のショットよりも小さい
場合にはごみやきずであると判断し、ショットよりも大
きい場合にはパターン残りであると判断する。但し、判
断手法はこれには限定されず、他の要素も考慮して判断
可能である。

【００２８】以上に示されたプロセスを用いて実際に欠
陥検査を行った例を以下説明する。

【００２９】ポジレジスト２として化学増幅型ポジレジ
ストＵＶ６（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）を用い、その膜厚を
０．５μｍとした。ステッパとしてはＤｅｅｐ−ＵＶス
テッパを用いて、レチクルとしては集積回路用マスクを
用いた。このマスクを用いて最小パターン寸法０．２０
μｍまでの集積回路パターンを形成した後、（Ｓ１３）
に示したＰＥＢを１３０℃、９０秒で行い、さらに現像
を行ってパターンを形成した。その後、電子線露光装置
に搬送し、同じ集積回路パターンを形成した後、（Ｓ２
２）に示したＰＥＢを１３０℃、９０秒で行い現像し
た。現像液はＴＭＡＨ水溶液、現像条件は０．２７規定
で６０秒であった。

【００３０】このようにして形成された欠陥検査パター
ンを欠陥検査装置ＫＬＡ２１３５（ケイ・エル・エイ・
テンコール社製）で検査を行った。実際にレジストパタ
ーンを観察した顕微鏡写真を図４に示す。図４において
黒点で示されるのがレジストパターンの残りである。こ
のように観察されたレジストパターンの黒点に対してそ
れぞれレビュし、欠陥か否かを判断したところ、パター
ンの欠陥ではなく下地膜のごみやきず等であり、データ
の異常ではないから、パターンデータは正常であること
が実証された。

【００３１】このように本実施形態によれば、反転した
関係にあるパターンを光露光と電子線露光とでレジスト
に形成し、このレジストを検査することにより、単に反
転した関係にあるパターンを光露光と電子線露光とで形
成するのみでよく、エッチング工程は光露光と電子線露
光との後にそれぞれ行う必要が無く、工程数が少なくて
済む。

【００３２】また、光露光により形成されたレジストパ
ターンに対して位置合わせをして電子線により重ね合わ
せ露光を行うため、下地マークが形成されて無くてもパ
ターンデータの検査が可能となる。もちろん、光露光及
び電子線露光ともに下地マークに位置合わせをして検査
してもよい。

【００３３】さらに、本実施形態では示していないが、
レジストの残りが欠陥である場合に、その残りがショッ
トのずれによるのか、パターン抜けによるのか等も判断
し、さらに欠陥として検出されたパターンを寸法測定装
置で測定することによりショットずれの大きさまでも測
定する機能を持たせることも可能である。

【００３４】（第２実施形態）図５は本発明の第２実施
形態に係るパターン検査方法を説明するための図であ
る。本実施形態では、電子線露光を光露光の限界解像度
以下で用いる場合や、ゲート層等を同層ミックス＆マッ
チで電子線露光を用いて形成する場合の実施形態に関す
る。なお、第１実施形態と共通する部分には同一の符号
を付し、その詳細な説明は省略する。

【００３５】まず、光露光用の重ね合わせをするための
マークと電子線露光用の重ね合わせをするためのマーク
が形成されている半導体基板（ウェハ１）上にポジレジ
スト２を塗布する（Ｓ１１、図２（ａ））。ポジレジス
ト２が塗布されたウェハ１はステッパに搬送され、ポジ
レジスト２上の全面にレチクルのパターンが縮小されて
順次露光される（Ｓ１２）。

【００３６】本実施形態で用いられる光露光用レチクル
の平面図を図６（ａ）に示す。本実施形態ではゲートパ
ターンを転写するために用いられるレチクルで、図６
（ａ）に示すようにレチクル６０は、鍵型の遮光部６１
と透光部６２から構成される。なお、このレチクル６０
のパターンは、第１実施形態に示したレチクル３０のパ
ターンと同じ形状であるが、透光部６２のラインパター
ンは、本実施形態で形成すべきゲートのラインパターン
よりも太くなっている。

【００３７】露光が終了するとウェハ１はレジスト塗布
・現像装置に搬送される。レジスト塗布・現像装置にお
いて、ウェハ１は一定時間加熱処理（ＰＥＢ：Post Exp
osure Bake）が施され（Ｓ１３）、さらに現像されて
（Ｓ１４）上記図３（ａ）に示す遮光部３１のみレジス
ト２が残存した集積回路パターン（ゲートパターン）が
形成される（図２（ｂ））。

【００３８】次の電子線露光ステップ（Ｓ２）では、ま
ず光露光された集積回路パターンに対して電子線露光す
べきパターンの位置合わせが完了した後、電子線により
ポジレジスト２の全面の各チップに対してパターンが描
画される（Ｓ２１、図２（ｃ））。

【００３９】本実施形態で電子線が照射される領域を図
６（ａ）のレチクルに対応して示したのが図６（ｂ）で
ある。図６（ｂ）に示すように、電子線照射領域６３は
鍵型のゲートパターン形成領域と同じ領域である。この
領域は、レチクル６０の遮光部６１とほぼ対応した形状
となっているが、そのラインパターン部のみが異なる。
すなわち、遮光部６１のラインパターン部の太さより
も、電子線照射領域６３のライン状の部分の太さの方が
細くなっている。その太さの差が図６（ｂ）の破線部分
で示されている。

【００４０】このように、実際にポジレジスト２上に照
射される電子線は、光露光において光が照射されなかっ
た領域に照射される点は同じであるが、破線で示された
部分では、その部分に含まれる電子線照射領域６３を除
いて光も電子線も照射されない領域となる。

【００４１】パターン描画されたウェハ１は塗布・現像
装置に戻され、再び加熱処理（ＰＥＢ）が施される（Ｓ
２２）。その後、同じ塗布・現像装置内においてウェハ
１は現像され（Ｓ２３）、検査すべきパターンの形成が
完了する。図５はレジストパターンの形成されたウェハ
１の斜視図である。図６（ｂ）に示したように、電子線
照射領域と光照射領域は互いに反転する関係にあるが、
両者のライン状の部分の照射領域の幅の違いにより、細
い電子線照射領域を挟んでライン状の部分に電子線も光
も照射されない領域が２本生じる。この電子線も光も照
射されない領域がポジレジスト２が残存する領域とな
る。ポジレジスト１の残存したラインパターン部におい
て、例えば光露光により残存させるポジレジスト２のラ
イン幅を０．２５μｍ、電子線露光により除去されるラ
イン幅を０．１μｍとすると、結果として残存する２本
のラインパターン幅はそれぞれ０．７５μｍとなる。な
お、図５において破線で示された部分は、光露光の際に
は残存していたが電子線照射により除去されたレジスト
パターンを示す。

【００４２】次に、欠陥検査装置を用いて欠陥を検査す
る。具体的にはまず、欠陥検査装置を用いて残存したポ
ジレジスト２の２本のラインパターンを観察する。そし
て、このパターン残りが忠実に形成されているか否かを
判断する。すなわち、パターン残りを観察し、パターン
残りに欠陥があるか否かを判断し、欠陥がある場合には
パターンデータは異常であると判断し、欠陥がない場合
にはパターンデータは正常であると判断する。

【００４３】ここで、上記例のごとく光露光により形成
されるラインパターン部のライン幅が０．２５μｍ、電
子線露光により形成されるラインパターン部のライン幅
が０．１０μｍである場合、残存するレジストパターン
の幅は０．７５μｍとなる。パターン幅０．７５μｍ
は、通常の欠陥検査装置の観察不可能なパターン幅とい
えるが、このようなラインパターンが２本近接して配置
されているため、実質的な分解能が０．２５μｍある検
査装置であれば観察可能となる。

【００４４】なお、欠陥があると判断した場合には、さ
らに測長ＳＥＭ等によりウェハ１を観察することによ
り、欠陥を詳細に特定できる。なお、ごみやきず等と欠
陥とを区別する手法は第１実施形態と同様である。

【００４５】このように、本実施形態によれば、第１実
施形態と同様の効果を奏するとともに、反転した関係に
あるパターンであって、デザインは同一であるが寸法の
異なるパターンを光露光と電子線露光で用いてレジスト
を形成し、このレジストを検査することにより、欠陥検
査装置の限界解像度以下のパターンであっても検査が可
能となる。なお、寸法の異なるパターンを形成する場合
には、寸法の太い光露光パターンを挟んで電子線を照射
すれば検査装置の実質的な分解能を満たすため、観察可
能である。

【００４６】なお、上記実施形態では光露光用の重ね合
わせマークと電子線露光用の重ね合わせマークの双方が
形成されたウェハを用いる場合を示したが、電子線露光
用のマークは形成されてないウェハを用い、光露光時に
電子線露光用マークを形成してもよい。また、上記光露
光と電子線露光の順序は逆であってもよい。電子線露光
を先に行う場合にあっては、光露光用の重ね合わせマー
クは形成されていないウェハを用いてもよく、この場合
は電子線露光時に光露光用マークを形成すればよい。ま
た、本実施形態ではレジストとしてポジ型のものを用い
たが、ネガ型のものを用いてももちろんよい。ネガレジ
ストを用いる場合には、光露光と電子線露光との間で現
像を行わない。また、この場合、光露光の後に電子線に
より重ね合わせ描画を行う場合には、光露光により形成
されたレジストの潜像を検出することにより重ね合わせ
を行う。

【００４７】また、欠陥検査においては、形成されたレ
ジストパターンは電子線露光用パターンデータに異常が
ない場合には、全面で残存することとなる。従って、ウ
ェハ上に形成されたレジストが除去された部分があるか
否かによりパターンデータに異常があるか否かが判断さ
れる。さらに、パターンデータを検査する対象は電子線
露光に限らず、イオンビーム露光等、荷電粒子露光であ
れば何でもよい。

【００４８】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、光
露光あるいは荷電粒子露光のうち、先に行った露光の後
にエッチング工程を設ける必要が無く、少ない工程数で
簡便にパターンデータを検査できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係るパターン検査方法
のフローチャートを示す図。

【図２】同実施形態に係るパターン検査における工程を
示す斜視図。

【図３】同実施形態における光露光及び電子線照射にお
けるエネルギー線照射領域を示す図。

【図４】同実施形態における欠陥検査を行ったウェハの
顕微鏡写真を示す図。

【図５】本発明の第２実施形態に係るパターン検査方法
を説明するための図。

【図６】同実施形態に係る光露光及び電子線照射におけ
るエネルギー線照射領域を示す図。

【図７】従来の欠陥検査方法を説明するための図。

【符号の説明】

１…ウェハ ２…ポジレジスト ３…電子線 ３０，６０…レチクル ３１，６１…遮光部 ３２，６２…透光部 ３３，６３…電子線照射領域

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所望のパターンを有するマスクを用いて
   被処理基板上に塗布された感光剤に対して光露光を行い
   該感光剤にパターン転写する工程と、 前記光露光における光遮光領域に荷電粒子の照射領域が
   一致するパターンデータに基づいて、前記感光剤に対し
   て荷電粒子露光を行い該感光剤にパターン転写する工程
   と、 前記光露光及び前記荷電粒子露光を経た前記感光剤を現
   像する工程と、 前記被処理基板上に残存する前記感光剤を検査すること
   により前記パターンデータを検査することを特徴とする
   パターンデータ検査方法。
2. 【請求項２】 前記感光剤はポジレジストであり、該感
   光剤が前記被処理基板上に残存している場合には前記パ
   ターンデータに欠陥があると判定し、該感光剤が前記被
   処理基板上に残存していない場合には前記パターンデー
   タに欠陥が無いと判定することを特徴とする請求項１に
   記載のパターンデータ検査方法。
3. 【請求項３】 前記感光剤はネガレジストであり、該感
   光剤が前記被処理基板上に除去された部分を有する場合
   には前記パターンデータに欠陥があると判定し、該感光
   剤が除去された部分を有しない場合には前記パターンデ
   ータに欠陥が無いと判定することを特徴とする請求項１
   に記載のパターンデータ検査方法。
4. 【請求項４】 前記マスクの光透過領域は、前記パター
   ンデータに基づく荷電粒子照射領域と反転した関係にあ
   ることを特徴とする請求項１に記載のパターンデータ検
   査方法。
5. 【請求項５】 所望のパターンを有するマスクを用いて
   被処理基板上に塗布された感光剤に対して光露光を行い
   該感光剤に転写する工程と、 前記光露光における光照射領域に荷電粒子の照射領域が
   対応し、かつ前記マスクのパターンを規定する寸法とは
   異なる寸法パラメータを有するパターンデータに基づい
   て前記感光剤に対して荷電粒子露光を行い該感光剤に転
   写する工程と、 前記光露光及び前記荷電粒子露光を経た前記感光剤を現
   像する工程と、 前記被処理基板上に残存する前記感光剤を検査すること
   により前記パターンデータを検査することを特徴とする
   パターンデータ検査方法。
6. 【請求項６】 前記感光剤はポジレジストであり、前記
   光露光によるパターン転写の後に前記感光剤を現像し、
   該現像されたレジストパターンに合わせて前記荷電粒子
   を用いて重ね合わせ描画を行うことを特徴とする請求項
   １又は５に記載のパターンデータ検査方法。
7. 【請求項７】 前記感光剤はネガレジストであり、前記
   光露光により形成されたレジストパターンに合わせて前
   記荷電粒子を用いて重ね合わせ描画を行うことを特徴と
   する請求項１又は５に記載のパターンデータ検査方法。
8. 【請求項８】 前記感光剤の検査により検出されたパタ
   ーンの欠陥を寸法測定装置で測定することを特徴とする
   請求項１又は５に記載のパターンデータ検査方法。