JPS5814137A - 縮小投影露光方法 - Google Patents
縮小投影露光方法Info
- Publication number
- JPS5814137A JPS5814137A JP56111767A JP11176781A JPS5814137A JP S5814137 A JPS5814137 A JP S5814137A JP 56111767 A JP56111767 A JP 56111767A JP 11176781 A JP11176781 A JP 11176781A JP S5814137 A JPS5814137 A JP S5814137A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- reticle
- monitor
- substrate
- patterns
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は縮小投影露光方式の改善に関する。
半導体装置の高密度化と共に、微細加工の基幹となるリ
ソグラフィ技術はめざましく進歩してきた。フォトマス
クパターンを基板上に転写する露光方法も、従来の密着
露光方式からｌＯ：１又は採られるように々つてきた。
ソグラフィ技術はめざましく進歩してきた。フォトマス
クパターンを基板上に転写する露光方法も、従来の密着
露光方式からｌＯ：１又は採られるように々つてきた。
これは密着１Ｍ光方式に比べて、解像力にすぐれ、高精
度にアワイメントができる利点があるためである。この
ような縮小投影露光装置において、パターン原版は拡大
されたマスク（通常、１０倍が多い）であるから、レチ
クルと呼んでいるが、レチクルにも複数の同一パターン
が形成されており、とれは大型化した基板上への露光処
理効率を向上するためである。
度にアワイメントができる利点があるためである。この
ような縮小投影露光装置において、パターン原版は拡大
されたマスク（通常、１０倍が多い）であるから、レチ
クルと呼んでいるが、レチクルにも複数の同一パターン
が形成されており、とれは大型化した基板上への露光処
理効率を向上するためである。
しかし、半導体基板上にパターンを焼き付けるフォトプ
ロセスは数回ないしは十数回にも及び、又熱処理・エツ
チング処理も同様に多く、これらウェハー処理工程途中
で、間違いなく所要特性の素子が形成されつ！あるかど
うかの検出を行う必要がある。そのため、電気的特性を
検査するモニタパターンが基板上の任意位置に数個形成
されて、そのモニタパターンによりトランジスタ特性、
絶縁耐圧、接触抵抗、その他の配線層抵抗も検査されて
いる。又、ウェハー処理工程後、所要特性の半導体素子
が得られなかったとき、特性解析が行−による検出が不
可能で、その場合にもモニタパターンが利用される。し
たがって、是非基板上に数個のモニタパターンを形成す
ることが必要であシ、従来の密着露光方式はフォトマス
クにはそのま＼基板と同数のパターンが形成されている
から、これら多数の正規パターン内に数個のモニタパタ
ーンを形成せしめておくことは容易であった。ところが
、縮小投影露光方式では複数の正規パターンをレチクル
に形成せしめても、その１つの正規パターンをモニタパ
ターンとすることは、多数のモニタパターンが形成され
ることになり、例えばレチクル上に４個の正規パターン
が形成されており、被露光基板上には２００個の集積回
路パターンが形成されるとすると、５０回のステップア
ンドレヒートが繰り返えされ、合計で５０個のモニタパ
ターンが形成されることになり、そのように基板の使用
効率の悪いパターンニングをすることはできない。モニ
タパターンは精々数個あればよいから、縮小投影露光方
式では、現在、モニタパターンのみ形成したレチクμを
別に用意しておき、換して、基板上の所要位置にモニタ
パターンを形成せしめている。
ロセスは数回ないしは十数回にも及び、又熱処理・エツ
チング処理も同様に多く、これらウェハー処理工程途中
で、間違いなく所要特性の素子が形成されつ！あるかど
うかの検出を行う必要がある。そのため、電気的特性を
検査するモニタパターンが基板上の任意位置に数個形成
されて、そのモニタパターンによりトランジスタ特性、
絶縁耐圧、接触抵抗、その他の配線層抵抗も検査されて
いる。又、ウェハー処理工程後、所要特性の半導体素子
が得られなかったとき、特性解析が行−による検出が不
可能で、その場合にもモニタパターンが利用される。し
たがって、是非基板上に数個のモニタパターンを形成す
ることが必要であシ、従来の密着露光方式はフォトマス
クにはそのま＼基板と同数のパターンが形成されている
から、これら多数の正規パターン内に数個のモニタパタ
ーンを形成せしめておくことは容易であった。ところが
、縮小投影露光方式では複数の正規パターンをレチクル
に形成せしめても、その１つの正規パターンをモニタパ
ターンとすることは、多数のモニタパターンが形成され
ることになり、例えばレチクル上に４個の正規パターン
が形成されており、被露光基板上には２００個の集積回
路パターンが形成されるとすると、５０回のステップア
ンドレヒートが繰り返えされ、合計で５０個のモニタパ
ターンが形成されることになり、そのように基板の使用
効率の悪いパターンニングをすることはできない。モニ
タパターンは精々数個あればよいから、縮小投影露光方
式では、現在、モニタパターンのみ形成したレチクμを
別に用意しておき、換して、基板上の所要位置にモニタ
パターンを形成せしめている。
しかしながら、レチクルの交換は予想以上に低スループ
ットとなり、露光処理効率が倣減することとなる。即ち
、レチクルは交換毎に洗浄し、露光装置に装着すると位
置を調整し、更には装着後検査基板に焼き付けを行って
異物付着の検査がなされ、その処理工数は著しく増大す
る。又、交換回数が増えれば、レチクルパターンを損傷
する危険もそれだけ大きい。
ットとなり、露光処理効率が倣減することとなる。即ち
、レチクルは交換毎に洗浄し、露光装置に装着すると位
置を調整し、更には装着後検査基板に焼き付けを行って
異物付着の検査がなされ、その処理工数は著しく増大す
る。又、交換回数が増えれば、レチクルパターンを損傷
する危険もそれだけ大きい。
本発明はかような問題点を解消させる縮小投影露光方式
を提案するもので、その特徴はレチクμに複数の正規パ
ターンと１つのモニタパターンを形成し、縮小投影露光
装置にはパターンシャッタを設けて、１つの正規パター
ンと１つのモニタパターンを交互に且つ適宜に遮蔽又は
露出せしめて、被露光基板上に随時モニタパターンを形
成する手段を設けた露光方式であシ、以下実施例により
詳細に説明する。
を提案するもので、その特徴はレチクμに複数の正規パ
ターンと１つのモニタパターンを形成し、縮小投影露光
装置にはパターンシャッタを設けて、１つの正規パター
ンと１つのモニタパターンを交互に且つ適宜に遮蔽又は
露出せしめて、被露光基板上に随時モニタパターンを形
成する手段を設けた露光方式であシ、以下実施例により
詳細に説明する。
第１図は従来のレチクル１の平面図を示し、中央に９個
の正規パターンＰＩ〜Ｐ９が形成され、レチクμの有効
面積は１００ 角程度で、周囲部分は蒸着クロムで遮
光されている。このようなレチクルは前記したように露
光装置に装着されると、先づ検査用基板に焼き付けして
、ゴミ付着、損傷などの異常有無を検査した後、被露光
基板上に焼き付け（転写）される。第２図は被露光用半
導体基板２の平面図で、Ｍはモニタパターンを示し、密
着露光法で８個のモニタパターンを基板上に形成せしめ
た例を示している。半導体基板２を直径４インチ（１０
０”）の大きさとすれば、第１図に示すレチクルを縮小
率１／１ｏで転写する場合、１００回近くのステップア
ンドレピート露光が行われるが、その間に第２図のよう
に８個のモニタパターンを焼きイ田 付けることは不可能になる。ｌショツ）９２？のモニタ
パターンを焼き付ける事は出来るが、それではＶチクル
交換の手間もかかシ、又チップがむだになる。
の正規パターンＰＩ〜Ｐ９が形成され、レチクμの有効
面積は１００ 角程度で、周囲部分は蒸着クロムで遮
光されている。このようなレチクルは前記したように露
光装置に装着されると、先づ検査用基板に焼き付けして
、ゴミ付着、損傷などの異常有無を検査した後、被露光
基板上に焼き付け（転写）される。第２図は被露光用半
導体基板２の平面図で、Ｍはモニタパターンを示し、密
着露光法で８個のモニタパターンを基板上に形成せしめ
た例を示している。半導体基板２を直径４インチ（１０
０”）の大きさとすれば、第１図に示すレチクルを縮小
率１／１ｏで転写する場合、１００回近くのステップア
ンドレピート露光が行われるが、その間に第２図のよう
に８個のモニタパターンを焼きイ田 付けることは不可能になる。ｌショツ）９２？のモニタ
パターンを焼き付ける事は出来るが、それではＶチクル
交換の手間もかかシ、又チップがむだになる。
の正規パターンＰ１−ＰＯの周囲部分に１個のモニタパ
ターンＭを作成したレチク／Ｌ／ｌｌである。そして、
第４図に示すモデル図のように、レチクル１１の両側に
パターンシャッタ１２．１８を設けて、とれを左右にス
ライドさせ、正規パターンＰｌとモニタパターンＭとを
交互に遮蔽又は露出させて、適宜にモニタパターンを被
露光基板２上に転写する。第５図（ａ）、 （ｂ）、
（Ｑ）はこれらのパターンとシャッタとの関係を示して
おり、第５図（ａ）は正規パターンのみ焼き付ける関係
位置で、パターンシャッタ１８がモニタパターンＭを遮
蔽している。第５図（至）はモニタパターンＭを焼き付
ける関係位置で、パターンシャッタ１２が正規パターン
Ｐｆ遮蔽Ｌ、パターンシャッタ１８は開いてモニタパタ
ーンＭを露出させている。そうすれば、モニタパターン
Ｍを焼き付けた位置の正規パターンＰ１を、次のステッ
プでは遮蔽する必要があシ、第５図（（３）がその関係
位置で、パターンシャッタ１２が正規パターンＰｆ遮蔽
し、且つパターンシャッタ１８もモニプで、第５図（ａ
）の関係位置に戻る。
ターンＭを作成したレチク／Ｌ／ｌｌである。そして、
第４図に示すモデル図のように、レチクル１１の両側に
パターンシャッタ１２．１８を設けて、とれを左右にス
ライドさせ、正規パターンＰｌとモニタパターンＭとを
交互に遮蔽又は露出させて、適宜にモニタパターンを被
露光基板２上に転写する。第５図（ａ）、 （ｂ）、
（Ｑ）はこれらのパターンとシャッタとの関係を示して
おり、第５図（ａ）は正規パターンのみ焼き付ける関係
位置で、パターンシャッタ１８がモニタパターンＭを遮
蔽している。第５図（至）はモニタパターンＭを焼き付
ける関係位置で、パターンシャッタ１２が正規パターン
Ｐｆ遮蔽Ｌ、パターンシャッタ１８は開いてモニタパタ
ーンＭを露出させている。そうすれば、モニタパターン
Ｍを焼き付けた位置の正規パターンＰ１を、次のステッ
プでは遮蔽する必要があシ、第５図（（３）がその関係
位置で、パターンシャッタ１２が正規パターンＰｆ遮蔽
し、且つパターンシャッタ１８もモニプで、第５図（ａ
）の関係位置に戻る。
このようなパターンシャッタ１２．１！３は縮小投影露
光装置の本体に付設せしめて、モニタパターンを焼き伺
けたいときは、手動操作に切り換えて転写するが、勿論
自動的にシャッタを動作させて、電子計算機操作により
制御プログラムに組み入れることも可能である。尚、第
４図において、■４は縮小レンズ系を示している。
光装置の本体に付設せしめて、モニタパターンを焼き伺
けたいときは、手動操作に切り換えて転写するが、勿論
自動的にシャッタを動作させて、電子計算機操作により
制御プログラムに組み入れることも可能である。尚、第
４図において、■４は縮小レンズ系を示している。
以上は一実施例であるが、これから明らかなように、本
発明はモニタパターンを転写するだめのレチクル交換を
なくする方式で、たとえモニタパターンを手動操作して
も、レチクルの再三再四にわたる装着、検査がなくなる
から、その露光処理効率は大巾に向上し、露光装置の高
スル−プット化に極めて役立つもので、その効果は顕著
である。
発明はモニタパターンを転写するだめのレチクル交換を
なくする方式で、たとえモニタパターンを手動操作して
も、レチクルの再三再四にわたる装着、検査がなくなる
から、その露光処理効率は大巾に向上し、露光装置の高
スル−プット化に極めて役立つもので、その効果は顕著
である。
第１図は従来方式のレチクル平面図、第２図はモニタパ
ターンを形成した基板の平面図、第８図は本発明にか−
るレチクル平面図、第４図は同じぐ本発明にか＼る方式
のモデル図、第５図はパターンシャッタとパターンとの
関係位置を示す図である。 図中、１．１１はレチク／し、２は基板、１２゜１３は
パターンシャッタ、１４１は縮小レンズ系、Ｐは正規パ
ターン、Ｍはモニタパターンを示シテいる。 第１図 。 第２図 第４図 第５図
ターンを形成した基板の平面図、第８図は本発明にか−
るレチクル平面図、第４図は同じぐ本発明にか＼る方式
のモデル図、第５図はパターンシャッタとパターンとの
関係位置を示す図である。 図中、１．１１はレチク／し、２は基板、１２゜１３は
パターンシャッタ、１４１は縮小レンズ系、Ｐは正規パ
ターン、Ｍはモニタパターンを示シテいる。 第１図 。 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- レチクルパターンをステップアンドレピートして被露光
基板上に転写する縮小投影露光装置において、レチクル
に複数の正規パターンと１つのモニタパターンを形成し
、前記露光装置にはパターンシャッタを設けて、１つの
正規パターンと１つのモニタパターンを交互に且つ適宜
に遮蔽又は露出せしめて、被露光基板上に随時、モニタ
パターンを形成する手段を設けたことを特徴とする縮小
投影露光方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111767A JPS5814137A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 縮小投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111767A JPS5814137A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 縮小投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814137A true JPS5814137A (ja) | 1983-01-26 |
| JPH036649B2 JPH036649B2 (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=14569657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111767A Granted JPS5814137A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 縮小投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814137A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4866004A (en) * | 1985-10-05 | 1989-09-12 | Fujitsu Limited | Method of forming groove isolation filled with dielectric for semiconductor device |
| EP1189111A1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-03-20 | Kem-Tec Japan Co., Ltd | Production device for printed board, production method for printed board and printed board |
| WO2002069389A3 (en) * | 2001-02-27 | 2003-06-05 | Koninkl Philips Electronics Nv | Semiconductor wafer with process control modules |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5226902A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-28 | Hitachi Ltd | Method of making photomask pattern |
| JPS55129333A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Hitachi Ltd | Scale-down projection aligner and mask used for this |
| JPS5679431A (en) * | 1979-12-03 | 1981-06-30 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor integrated circuit device |
| JPS5748233A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-19 | Toshiba Corp | Exposure system for semiconductor substance |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP56111767A patent/JPS5814137A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5226902A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-28 | Hitachi Ltd | Method of making photomask pattern |
| JPS55129333A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Hitachi Ltd | Scale-down projection aligner and mask used for this |
| JPS5679431A (en) * | 1979-12-03 | 1981-06-30 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor integrated circuit device |
| JPS5748233A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-19 | Toshiba Corp | Exposure system for semiconductor substance |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4866004A (en) * | 1985-10-05 | 1989-09-12 | Fujitsu Limited | Method of forming groove isolation filled with dielectric for semiconductor device |
| EP1189111A1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-03-20 | Kem-Tec Japan Co., Ltd | Production device for printed board, production method for printed board and printed board |
| EP1189111A4 (en) * | 1999-05-27 | 2002-11-06 | Kem Tec Japan Co Ltd | DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PRINTED CIRCUITS, PRINTED CIRCUIT HIMSELF |
| WO2002069389A3 (en) * | 2001-02-27 | 2003-06-05 | Koninkl Philips Electronics Nv | Semiconductor wafer with process control modules |
| CN100347841C (zh) * | 2001-02-27 | 2007-11-07 | Nxp股份有限公司 | 具有过程控制组件的半导体晶片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH036649B2 (ja) | 1991-01-30 |
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