JPH02116849A - パターン修正方法 - Google Patents
パターン修正方法Info
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- JPH02116849A JPH02116849A JP63270277A JP27027788A JPH02116849A JP H02116849 A JPH02116849 A JP H02116849A JP 63270277 A JP63270277 A JP 63270277A JP 27027788 A JP27027788 A JP 27027788A JP H02116849 A JPH02116849 A JP H02116849A
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- film
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
パターン修正方法に係り、特に白欠陥のある金属パター
ンの修正方法に関し。
ンの修正方法に関し。
修正の信頼性を高め修正歩留りを上げることを目的とし
。
。
基板上に形成された白欠陥のある金属パターンの修正に
おいて、全面にレジスト膜を被着し、つづいて該レジス
ト膜の該白欠陥を覆う領域に露光し現像して該露光部分
の該レジスト膜を除去する工程と、全面に金属膜を被着
し該白欠陥を修正膜で覆う工程と、ベーキングにより該
レジスト膜を流動させて該修正膜を覆う工程と、第１の
エツチングにより該金属膜を除去し、つづいて第２のエ
ツチングにより該レジスト膜を除去する工程とを含むパ
ターン修正方法により構成する。
おいて、全面にレジスト膜を被着し、つづいて該レジス
ト膜の該白欠陥を覆う領域に露光し現像して該露光部分
の該レジスト膜を除去する工程と、全面に金属膜を被着
し該白欠陥を修正膜で覆う工程と、ベーキングにより該
レジスト膜を流動させて該修正膜を覆う工程と、第１の
エツチングにより該金属膜を除去し、つづいて第２のエ
ツチングにより該レジスト膜を除去する工程とを含むパ
ターン修正方法により構成する。
本発明はパターン修正方法に係り、特に白欠陥のある金
属パターンの修正方法に関する。
属パターンの修正方法に関する。
超ＬＳＩの製造に使用されるレチクルやマスクのパター
ンには欠陥があってはならないが、微小な欠陥がある場
合、その欠陥を修正することが行われている。その時、
修正の信頬性を高め修正歩留りを上げることが要求され
る。
ンには欠陥があってはならないが、微小な欠陥がある場
合、その欠陥を修正することが行われている。その時、
修正の信頬性を高め修正歩留りを上げることが要求され
る。
このため、かかる要求を満たすパターン修正方法を開発
する必要がある。
する必要がある。
超ＬＳＩの製造にはガラス基板に形成されたレチクルや
マスクのクロムパターンが広く用いられている。このク
ロムパターンにピンホールや欠けなどの微小な白欠陥が
ある場合その欠陥を修正することが行われている。
マスクのクロムパターンが広く用いられている。このク
ロムパターンにピンホールや欠けなどの微小な白欠陥が
ある場合その欠陥を修正することが行われている。
第２図（ａ）乃至（ｄ）はパターン修正方法の従来例を
示し修正の工程を断面図で表すものであるが、以下これ
らの図を参照しながら従来例について説明する。
示し修正の工程を断面図で表すものであるが、以下これ
らの図を参照しながら従来例について説明する。
第２図（ａ）参照
ガラス基板１上に形成されたクロムパターン２が、実パ
ターンガラス部分２２の他に白欠陥としてピンホール２
１を持つ状態を出発点とする。ピンホール２１は修正を
要する欠陥である。
ターンガラス部分２２の他に白欠陥としてピンホール２
１を持つ状態を出発点とする。ピンホール２１は修正を
要する欠陥である。
第２図（ｂ）参照
全面にフォトレジスト膜３を被着し、ピンホール２１を
覆う領域にスポット露光を行う。
覆う領域にスポット露光を行う。
第２図（Ｃ）参照
現像してスポット露光部分のフォトレジスト膜３を除去
し、全面にクロム膜４を被着する。ピンホール２１部分
およびその周囲のクロムパターン２は修正膜４１で覆わ
れ、フォトレジスト１ｌＷａ上にはクロム膜４が形成さ
れる。
し、全面にクロム膜４を被着する。ピンホール２１部分
およびその周囲のクロムパターン２は修正膜４１で覆わ
れ、フォトレジスト１ｌＷａ上にはクロム膜４が形成さ
れる。
第２図（ｄ）参照
リフトオフ技術によりフォトレジスト膜３及びその上の
クロム膜４を除去する。
クロム膜４を除去する。
かくして、ピンホール２１部分を修正したクロムパター
ン２を得る。
ン２を得る。
ところが、従来の方法ではリフトオフ工程において剥離
したフォトレジスト膜３上のクロム膜４が実パターンガ
ラス部分２２に入り込んで付着し。
したフォトレジスト膜３上のクロム膜４が実パターンガ
ラス部分２２に入り込んで付着し。
修正不良を引き起こすという問題があった。
従って、従来の方法ではピンホール等の欠陥は修正でき
ても新たにクロム膜の付着による不良が生じてパターン
修正の歩留りを下げていた。
ても新たにクロム膜の付着による不良が生じてパターン
修正の歩留りを下げていた。
本発明は、パターン欠陥を確実に修正し、しかもパター
ン修正の歩留りを上げるパターン修正方法を提供するこ
とを目的とする。
ン修正の歩留りを上げるパターン修正方法を提供するこ
とを目的とする。
第１図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の実施例であるが、そ
れらの図を参照しながら上記課題を解決するための手段
について説明する。
れらの図を参照しながら上記課題を解決するための手段
について説明する。
上記課題は、基板１上に形成された白欠陥２１のある金
属パターン２の修正において、全面にレジスト膜３を被
着し、つづいて該レジスト膜３の該白欠陥２１を覆う領
域に露光し現像して該露光部分の該レジスト膜３を除去
する工程と、全面に金属膜４を被着し該白欠陥２１を修
正膜４１で覆う工程と、ベーキングにより該レジスト膜
３を流動させて該修正膜４１を覆う工程と、第１のエツ
チングにより該金属膜４を除去し、つづいて第２のエツ
チングにより該レジスト膜３を除去する工程とを含むパ
ターン修正方法により解決される。
属パターン２の修正において、全面にレジスト膜３を被
着し、つづいて該レジスト膜３の該白欠陥２１を覆う領
域に露光し現像して該露光部分の該レジスト膜３を除去
する工程と、全面に金属膜４を被着し該白欠陥２１を修
正膜４１で覆う工程と、ベーキングにより該レジスト膜
３を流動させて該修正膜４１を覆う工程と、第１のエツ
チングにより該金属膜４を除去し、つづいて第２のエツ
チングにより該レジスト膜３を除去する工程とを含むパ
ターン修正方法により解決される。
本発明では、金属パターン２の白欠陥を覆う修正膜４１
を形成した後、ベーキングによりレジスト膜３を流動さ
せて修正膜４１を覆う。このベーキングはレジスト膜３
のレジストのガラス転移温度より高い温度で行うことに
より、レジスト膜３を流動状態にする。
を形成した後、ベーキングによりレジスト膜３を流動さ
せて修正膜４１を覆う。このベーキングはレジスト膜３
のレジストのガラス転移温度より高い温度で行うことに
より、レジスト膜３を流動状態にする。
このようにすれば、第１のエツチングにより修正膜４１
を残したままレジスト膜３上の金属膜４のみを完全に除
去することができる。しかる後筒２のエツチングにより
レジスト膜３を除去して実パターンガラス部分２２を露
出すれば、金属膜４は既に第１のエツチングにより除去
されて残っていないから実パターンガラス部分２２に付
着するといったトラブルは生じない。
を残したままレジスト膜３上の金属膜４のみを完全に除
去することができる。しかる後筒２のエツチングにより
レジスト膜３を除去して実パターンガラス部分２２を露
出すれば、金属膜４は既に第１のエツチングにより除去
されて残っていないから実パターンガラス部分２２に付
着するといったトラブルは生じない。
その結果、パターン欠陥を確実に修正し、しかもパター
ン修正の歩留りを上げることができる。
ン修正の歩留りを上げることができる。
第１図は本発明の実施例を示し、第１図（ａ）乃至（ｆ
）は工程を説明する断面図である。
）は工程を説明する断面図である。
以下、第１図＜ａ＞乃至（ｆ）を参照しながら本発明の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第１図（ａ）参照
石英ガラスの基板１上に金属パターンとして膜ｇｏ、ｉ
μｍのクロムパターン２が形成され、そのクロムパタ
ーン２に実パターンガラス部分２２の他に白欠陥として
ピンホール２１がある状態を出発点とする。ピンホール
２１は修正を必要とする欠陥である。
μｍのクロムパターン２が形成され、そのクロムパタ
ーン２に実パターンガラス部分２２の他に白欠陥として
ピンホール２１がある状態を出発点とする。ピンホール
２１は修正を必要とする欠陥である。
第１図（ｂ）参照
全面にフォトレジスト叶ＰＲ−８００を膜厚１μｍでス
ピン塗布し、つづいて９５℃で５分間プリベーキングを
行いフォトレジスト膜３を形成した後。
ピン塗布し、つづいて９５℃で５分間プリベーキングを
行いフォトレジスト膜３を形成した後。
ピンホール２１を覆う領域にＵＶ光のスポット露光を行
う。
う。
第１図（ｃ）参照
ＮＭＤ−３現像液で現像してスポット露光部分のフォト
レジスト膜３を除去し、つづいて全面にクロムをスパッ
タリングして膜厚０．８μｍのクロム膜を形成する。ピ
ンホール２１部分およびその周囲のクロムパターン２は
修正膜４１で覆われ。
レジスト膜３を除去し、つづいて全面にクロムをスパッ
タリングして膜厚０．８μｍのクロム膜を形成する。ピ
ンホール２１部分およびその周囲のクロムパターン２は
修正膜４１で覆われ。
フォトレジスト膜３上にはクロム膜４が形成される。
ここまでの工程は従来例と同様である。
第１図（ｄ）参照
次に、オーブンベーク炉にて３００℃、１０分間のベー
キングを行い、フォトレジスト膜３を流動させて修正膜
４１の全面を覆うようにする。
キングを行い、フォトレジスト膜３を流動させて修正膜
４１の全面を覆うようにする。
第１図（ｅ）参照
ＬＥＣ−Ｂ （硝酸第２セリウムアンモニウム系水溶液
）で第１のエツチングを行い、クロム膜４を除去する。
）で第１のエツチングを行い、クロム膜４を除去する。
第１図Ｃｆ）参照
苛性ソーダ水溶液で第２のエツチングを行い。
フォトレジスト膜３を除去して実パターンガラス部分２
２と修正膜４１を露出する。
２と修正膜４１を露出する。
かくして、ピンホール２１を完全に修正し、しかも実パ
ターンガラス部分２２にクロム膜が付着しない修正が可
能となった。
ターンガラス部分２２にクロム膜が付着しない修正が可
能となった。
なお２本発明のパターン修正方法は特に微小な欠陥９例
えば、サイズ２μｍ以下の微小欠陥を修正する場合、効
果が大きい。
えば、サイズ２μｍ以下の微小欠陥を修正する場合、効
果が大きい。
以上説明した様に２本発明によれば、第２のエツチング
によりフォトレジスト膜３を除去して実パターンガラス
部分２２を露出した時、実パターンガラス部分２２にク
ロム膜４が入り込んで付着するといったトラブルはな（
、それに基づく修正不良がなくなり１歩留り高い修正が
可能となる。
によりフォトレジスト膜３を除去して実パターンガラス
部分２２を露出した時、実パターンガラス部分２２にク
ロム膜４が入り込んで付着するといったトラブルはな（
、それに基づく修正不良がなくなり１歩留り高い修正が
可能となる。
本発明は、特に微小な欠陥を修正する場合に効果を発揮
する。
する。
第１図は実施例。
第２図は従来例
である。図において。
１は基板であってガラス基板。
２は金属パターンであってクロムパターン。
２１は白欠陥であってピンホール。
２２は実パターンガラス部分
３はレジスト膜であってフォトレジスト膜。
４は金属膜であってクロム膜。
４１は修正膜
（ｂン
（Ｇ）
実
１色
イ列
第
図（ぞ０１）
（ｅ）
寅 オ己
使］
男
図
（で
の
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１）上に形成された白欠陥（２１）のある金属パ
ターン（２）の修正において、 全面にレジスト膜（３）を被着し、つづいて該レジスト
膜（３）の該白欠陥（２１）を覆う領域に露光し現像し
て該露光部分の該レジスト膜（３）を除去する工程と、 全面に金属膜（４）を被着し該白欠陥（２１）を修正膜
（４１）で覆う工程と、 ベーキングにより該レジスト膜（３）を流動させて該修
正膜（４１）を覆う工程と、 第１のエッチングにより該金属膜（４）を除去し、つづ
いて第２のエッチングにより該レジスト膜（３）を除去
する工程と を含むことを特徴とするパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270277A JPH02116849A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | パターン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63270277A JPH02116849A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | パターン修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116849A true JPH02116849A (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=17484013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270277A Pending JPH02116849A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | パターン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116849A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780720A1 (en) * | 1995-12-22 | 1997-06-25 | General Electric Company | Method for repairing low noise metal lines in thin film imagers |
| EP0780719A3 (en) * | 1995-12-18 | 1997-07-02 | General Electric Company | Method for repairing a low noise address line for thin film imager devices |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63270277A patent/JPH02116849A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780719A3 (en) * | 1995-12-18 | 1997-07-02 | General Electric Company | Method for repairing a low noise address line for thin film imager devices |
| US5834321A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | General Electric Company | Low noise address line repair method for thin film imager devices |
| EP0780720A1 (en) * | 1995-12-22 | 1997-06-25 | General Electric Company | Method for repairing low noise metal lines in thin film imagers |
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