JP5283440B2 - 多階調フォトマスク及びその修正方法 - Google Patents
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Description
前記第2の領域は、ソース及びドレインを有する薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極形成領域その他透光部上に孤立した修正半透光膜のパターンのエッジ部であることを特徴とする。
図1(a)〜(b)及び図2(c)〜(d)は、本発明の実施形態に係る多階調フォトマスクの修正工程を説明する概略図である。図1(a)は、本発明の実施形態に係る多階調フォトマスク10のパターンの一部を示している。この図に示すように、多階調フォトマスク10は、透光部1と遮光膜のパターン2aと初期半透光膜のパターン3aとで構成される。ここで、多階調フォトマスク10の初期半透光膜のパターン3a内に欠陥Dが存在している。
2a、102a 遮光膜のパターン
3a、103a 初期半透光膜のパターン
4、104 修正半透光膜
4a、104a 修正半透光膜のパターン
5、105 レーザーザッピング痕
11a、111a レジストパターン
14b 階段状乃至テーパー状のレジストパターンエッジ部(修正パターン)
114b レジストパターンエッジ部(異常パターン)
R1、R2 修正領域
Claims (3)
- 透明基板上に透光部と遮光部と半透光部とが設けられ、前記半透光部は半透光膜のパターンにより形成され、前記半透光膜は、相対的にエネルギー密度の異なる少なくとも2以上の条件でレーザーザッピングが行われており、低エネルギー照射部を有する多階調フォトマスクであって、
前記低エネルギー照射部は、前記透光部上に孤立した修正半透光膜パターンのエッジ部である多階調フォトマスク。 - 前記半透光膜は、気相成長法により形成された膜である請求項1に記載の多階調フォトマスク。
- 透明基板上に透光部と遮光部と半透光部とが設けられた多階調フォトマスクの修正方法であって、前記半透光部のうち欠陥を含む領域を除去することにより透明基板の一部の領域を露出させる工程と、前記露出した一部の領域に修正用の半透光膜を形成し、さらに、不要な修正半透光膜を除去するために、第1の領域に対して相対的にエネルギー密度の高い第1の条件でレーザーザッピングする工程と、第2の領域に対して相対的にエネルギー密度の低い第2の条件でレーザーザッピングする工程とを含む多階調フォトマスクの修正方法であって、
前記第2の領域は、ソース及びドレインを有する薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極形成領域その他透光部上に孤立した修正半透光膜のパターンのエッジ部である多階調フォトマスクの修正方法。
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