JPH07325387A

JPH07325387A - ホトマスク及びその形成方法

Info

Publication number: JPH07325387A
Application number: JP11772294A
Authority: JP
Inventors: Hideyuki Jinbo; 秀之神保; Katsuhiro Takushima; 克宏宅島; Taro Saito; 太郎齋藤
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1994-05-31
Filing date: 1994-05-31
Publication date: 1995-12-12

Abstract

(57)【要約】【目的】ホトマスクの白欠陥部を短時間に修正するで
きるホトマスク及びその形成方法を提供する。【構成】白欠陥部に、修正用マスク１４とこれに隣接
する欠陥露出部１６とで形成された複数の修正用パタン
１７設けてある。そして、修正用マスク部と欠陥露出部
とは、露光光を修正用マスク部に入射させたとき、この
修正用マスク部の透過光は欠陥露出部の透過光に対して
１８０°の位相差となるように形成してある。また、修
正用パタンは、修正用マスク部の振幅透過率とこのマス
ク部の占有面積を乗じた値が、欠陥露出部の振幅透過率
とこの露出部の占有面積を乗じた値とほば等しくなるよ
うに形成してある。更に、隣り合う２つの修正用マスク
部間の間隔又は隣り合う欠陥露出部の間の間隔は光学レ
ンズの解像度よりも小さくしてある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ホトマスク及びホト
マスクの形成方法、特に、ＬＳＩなどに用いられるホト
リソグラフィ用ホトマスク及びその形成方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、デバイスパタンの微細化が進むに
つれ、ホトマスクに対する品質の要求が益々高くなって
いる。特に、レクチル段階においてホトマスクの遮光膜
に欠陥が全くないことが要求され、この段階でのホトマ
スクのマスク修正技術が重要になる。一般に、ホトマス
クの欠陥には、遮光膜があるべきところに遮光膜のない
白欠陥と、透過領域部分に余分な遮光膜が残存してしま
う黒欠陥とがある。その中で、白欠陥の修正方法として
は、従来、文献Ｉに開示されている方法がある。

【０００３】白欠陥の修正を行うときの装置として、一
般にＦＩＢ（ＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎＢｅａｍ：収束
イオンビーム）装置が使用されている（文献Ｉ：「レク
チル修正の現状と今後の課題」、木下博、９３−ＳＴ
ＥＰ−０２ＳＥＭＩ技術研修セミナー資料、Ｐ．Ｐ．
１１９〜１２４）。

【０００４】次に、この文献Ｉに開示されているＦＩＢ
装置を用いたホトマスクの修正原理を簡単に説明する。

【０００５】例えばピレン（Ｃ₁₆Ｈ₁₀）、スチレン（Ｃ
₈ Ｈ₈ ）などの炭化水素系ガスをレクチル内の欠陥部上
で放出した状態にしておき、修正したい形状にＧａイオ
ンビームを走査させることによって白欠陥部に遮光膜
（ここではカーボン膜）を形成して、遮光効果を持たせ
るものである。このとき、一般には、カーボン膜の膜厚
として、３００ｎｍ程度、また光学濃度（Ｏ．Ｄ．）と
して、約３．０当たりの値が用いられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＦＩＢ
装置を用いたカーボン膜による修正方法は、白欠陥部が
微細な形状のときは修正に時間がさほどかからないが、
白欠陥部の面積が大きくなるにつれて、面積に比例して
修正に要する時間が長くなる。例えば白欠陥部の面積が
１０μｍ角以上になると、この大きさの白欠陥部を修正
しようとする場合、成膜時間が例えば７分以上となり、
スループットが低下するという問題があった。ここでス
ループットとは、一枚当たりのホトマスクを修正するの
に要する時間をいう。

【０００７】このため、ＦＩＢ装置を用いて成膜時間が
短縮できるホトマスク及びホトマスクの修正方法が望ま
れていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明のホトマスクに
よれば、ホトマスク基板上の白欠陥部に、修正用マスク
部とこれに隣接する欠陥露出部とで構成した修正用パタ
ンを多数設けてある。そして、修正用マスク部と欠陥露
出部は、露出光を修正用パタンに入射させたとき、修正
用マスク部の透過光が欠陥露出部の透過光に対して１８
０°の位相差となるように形成してある。なお、修正用
マスク部と欠陥露出部との透過光に１８０°の位相差を
持たせるには修正用マスクの膜厚を調整すれば良い。

【０００９】更に、修正用パタンは、修正用マスク部の
振幅透過率とこの修正用マスク部の占有面積を乗じた値
が、欠陥露出部の振幅透過率とこの欠陥露出部の占有面
積を乗じた値にほぼ等しくなるように形成してある。ま
た、隣り合う２つの修正用マスク部間の間隔又は隣り合
う欠陥露出部間の間隔は、光学レンズの解像度Ｒ（解像
度Ｒは、Ｒ＝λ／（（１＋σ）×ＮＡ）とする。但し、
λは使用波長（μｍ）、σはコヒーレンシ、ＮＡは開口
数とする。）よりも小さく形成してある。なお、解像度
Ｒ（Ｒ＝λ／（（１＋σ）×ＮＡ）は、使用する水銀ラ
ンプのｉ線の波長或いは使用する露光装置のレンズなど
によって自動的に決まる値である。

【００１０】また、この発明のホトマスクの形成方法に
よれば、白欠陥部が非矩形状となっている場合には、白
欠陥部を、一旦矩形状白欠陥部（これを矩形パタンと称
する。）に変形し、その後、矩形の修正用パタンを形成
する。

【００１１】

【作用】上述したこの発明のホトマスクによれば、ホト
マスク基板上の白欠陥部に、修正用マスク部とこれに隣
接して設けた欠陥露出部とで形成された複数の修正用パ
タンを設けてある。このとき、修正用マスク部と欠陥露
出部は、露光光を修正用パタンに入射させたとき、修正
用マスクの透過光が欠陥露光部を透過する透過光に対し
て１８０°の位相差となるように形成してあるので、修
正用マスク部の透過光の波長と欠陥露出部の透過光の波
長とを反転させることができる（詳細は後述する。）。
このとき、修正用マスク部の膜厚が決まるため、修正用
マスク部を透過したときの振幅透過率を計算あるいは測
定により求めることができる。ただし、欠陥露出部の振
幅透過率は空気であるから１（１００％）となる。

【００１２】また、修正用パタンは、修正用マスク部の
振幅透過率とこの修正用マスク部の占有面積を乗じた値
が、欠陥露出部の振幅透過率とこの欠陥露出部の占有面
積を乗じた値にほぼ等しくなるように形成してある。こ
のように、ホトマスクのそれぞれの修正用パタンを透過
する透過光はほぼ等しくなるように修正用パタンを形成
してあるので、修正用マスク部と欠陥露出部の透過光の
光強度は互いに打ち消し合って光量が弱められる。ま
た、隣り合う２つの修正用パタン間の間隔及び隣り合う
欠陥露出部間の間隔は、解像度Ｒ（Ｒ＝λ／（１＋σ）
×ＮＡ）よりも小さくして形成してある。従って、ホト
マスクの白欠陥の修正部分がウエハ上に転写されること
はなくなる。このような、修正用パタンを、白欠陥部に
設けることにより、欠陥露出部が形成された分、マスク
修正に要する成膜時間が短縮できる。

【００１３】また、この発明のホトマスクの形成方法に
よれば、白欠陥部が非矩形状になっている場合には、白
欠陥部を、一旦矩形状に整形して矩形状白欠陥部（これ
を矩形パタンと称す。）に変形し、その後、矩形の修正
用パタンを形成する。このように、一度白欠陥部を矩形
パタンに整形することにより、どんな複雑な白欠陥部の
形状であっても白欠陥部の修正が可能になる。また、矩
形パタンを設けても矩形パタンの形成にはＦＩＢ装置を
用いて短時間に整形できるので、ホトマスクの修正に要
する成膜時間は従来に比べ短縮できる。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の白欠陥部
を修正したホトマスク及びその形成方法について説明す
る。なお、図１の（Ａ）及び（Ｂ）〜図６の（Ａ）及び
（Ｂ）は、この発明が理解できる程度に、各構成成分の
形状、大きさ及び配置を概略的に示してあるにすぎな
い。

【００１５】まず、図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、この発
明の第一実施例のホトマスクについて説明するための平
面図及び平面図の白欠陥部をＸ軸方向に沿って切断した
ときの切り口断面部を示す。なお、図１の（Ａ）で修正
用マスク部の一部を斜線で表してあるが、この斜線は断
面をあらわすのではなく図面を明確にするために記した
ものである。

【００１６】［第一実施例］この第一実施例は、ホトマ
スク基板上に遮光膜１２が形成されている原ホトマスク
が予め用意されている。原ホトマスクのホトマスク基板
１０として、ガラス基板（以下、基板と称する。）を用
いる。このとき、遮光膜１２の材料を例えばクロム（Ｃ
ｒ）とする。この原ホトマスクの遮光膜１２に白欠陥部
１３が発生した場合を想定する。このときの欠陥部の大
きさは、例えば直径が約２０μｍであったと仮定する。

【００１７】第一実施例では、この白欠陥部１３に格子
状の修正用マスク部（カーボン膜ともいう。）とこれに
隣接して設けた欠陥露出部１６とで形成された複数の修
正用パタン１７が設けてある。ここでは、白欠陥部１３
に修正用マスク部１４と欠陥露出部１６が形成されたも
のをホトマスクと称する。また、修正用マスク部１４と
欠陥露出部１６とで形成された１つのブロックを修正用
パタン１７と称する。

【００１８】第一実施例では、修正用パタン１７が白欠
陥部１３のＹ軸方向に沿って等間隔に形成されている。
このとき、２つの修正用マスク部間の間隔Ｌ₁ を、例え
ば２．０μｍとし、修正用マスクの幅Ｌ₂ を例えば１．
７５μｍとする。

【００１９】次に、ＦＩＢ装置（例えばセイコー電子社
製、ＳＩＲ−１０００）を用いて白欠陥部１３に修正用
マスク部１４と欠陥露出部１６からなる修正用パタン１
７を形成する方法について説明する。

【００２０】ＦＩＢ装置中に白欠陥部を有する原ホトマ
スクを設置しておき、ピレンまたはスチレンなどの炭化
水素系ガスをホトマスクの白欠陥部１３に放出した状態
にした後、Ｇａイオンビームで修正用マスク部１４を格
子状（またはストライプ状）に形成する。このとき、形
成された修正用マスク部１４をカーボン膜ともいう。こ
のときカーボン膜１４の膜厚を０．１８μｍとする。こ
こで、膜厚さを０．１８μｍに決めた理由について以下
に説明する。

【００２１】露光光を修正用パタン１７に入射させたと
き、カーボン膜１４の透過光が欠陥露出部１６の透過光
に対して１８０°位相差を持たせるためには、次式によ
りカーボン膜１４の膜厚を計算すれば良い。

【００２２】ｄ＝１／２×λ／（ｎ−１）（１）ただし、ｄはカーボン膜の膜厚、λはｉ線の波長、ｎは
カーボン膜の屈折率とする。このとき、カーボン膜の屈
折率はｎ＝２であるから（１）式はｄ＝１／２×λとな
り、波長λの値によって膜厚さが決まる。例えば、波長
λを０．３６μｍとすればカーボン膜１４の膜厚は０．
１８μｍとなる。従って、カーボン膜１４の屈折率がｎ
＝２、膜厚が０．１８μｍのとき、ｉ線の位相は反転す
る。

【００２３】次に、このカーボン膜１４の振幅透過率ｔ
_p と欠陥露出部の振幅透過率ｔ_r を測定して求めること
ができる。カーボン膜１４の振幅透過率ｔ_p を例えば
０．１２（１２％）とし、欠陥露出部１６の振幅透過率
ｔ_r を１（１００％）とする。このとき、欠陥露出部１
６は空気中の振幅透過率になるのでｔ_R は１となる。

【００２４】次に、カーボン膜１４の振幅透過率ｔ_p と
カーボン膜１４の占有面積を乗じた値が、欠陥露出部１
６の振幅透過率ｔ_r と欠陥露出部１６の占有面積を乗じ
た値とほぼ等しくなるようにする。この関係を式で表す
と次式のようになる。

【００２５】ｔ_p ×Ａ₁ ≒ｔ_r ×Ａ₂ （２）ただし、Ａ₁ はカーボン膜の占有面積、Ａ₂ は欠陥露出
部の占有面積とする。（２）式を占有面積の比で表すと
（３）式になる。

【００２６】Ａ₁ ／Ａ₂ ≒ｔ_r ／ｔ_p （３）ここで、ｔ_p とｔ_r とは既知の値であるから（３）式か
ら面積の比（Ａ₁ ／Ａ₂ ）が決まる。

【００２７】また、カーボン膜１４間の間隔Ｌ₁ は、使
用するＦＩＢ装置により、光学レンズの解像度Ｒ（解像
度Ｒ＝λ／（（１＋σ）×ＮＡ））により決まる値であ
る。このときのカーボン膜１４間の間隔Ｌ₁ を例えば
２．０μｍとする。このＬ₁ 値を（３）式に代入してカ
ーボン膜１４の幅Ｌ₂ を算出した結果、カーボン膜の幅
は約１．７５μｍとなる。なお、ここではカーボン膜１
４の長さと欠陥露出部１６の長さは同一であるとして計
算した。

【００２８】このカーボン膜１４間の間隔Ｌ₁ は、５対
１のステッパを用いた場合、ウエハ上に転写される修正
用パタンの間隔は１／５×２．０＝０．４μｍになるの
で、現状のＦＩＢ装置のｉ線ステッパの解像度限界値以
下となる。このため、ウエハ（図示せず）上にはホトマ
スクの白欠陥部１３が転写されない。周知のごとくＦＩ
Ｂ装置を用いたときのウエハ上に転写される光学レンズ
の解像度Ｒは次式で与えられることがわかっている。

【００２９】Ｒ＝λ／（（１＋σ）×ＮＡ）（４）ただし、λは使用波長（ｎｍ）、σはコヒーレンシ係
数、ＮＡは開口数（使用するレンズによってきまる定数
である。）。したがって、解像度Ｒは長さのディメンシ
ョンであらわされる。したがって、カーボン膜１４間の
間隔は、解像度Ｒ（Ｒ＝λ／（（１＋σ）×ＮＡ））よ
りも小さくしてあれば良い。

【００３０】この発明では、従来のように白欠陥部１３
を全領域に渡ってカーボン膜を埋め込んだ場合に比べ、
２／３以下のカーボン膜１４の膜厚で光学濃度（Ｏ．
Ｄ．）は３．０以上の値が得られることがわかった。

【００３１】また、格子状のカーボン膜１４で白欠陥部
１３に修正用パタン１７を形成する場合、カーボン膜１
４と欠陥露出部１６を透過した光強度は均一になり、ま
た、カーボン膜１４及び欠陥露出部１６の透過光はそれ
ぞれ１８０°の位相差をもって反転している。しかも修
正した白欠陥部１３のカーボン膜１４間の間隔Ｌ₁ はウ
エハ上に転写される解像度（λ／（（１＋σ）×ＮＡ）
よりも小さくなるので、ウエハ上には白欠陥部が転写さ
れない。

【００３２】また、第一実施例では、ＦＩＢ装置による
カーボン膜１４に要する成膜時間が、従来のものに比べ
た場合、約５３％となる。従って、成膜時間は４９％短
縮される。この理由について以下に述べる。

【００３３】カーボン膜１４の成膜時間は、周知のごと
くカーボン膜１４の体積に比例することが知られている
ので、膜厚と占有面積を乗じて体積を求め、従来との体
積との比で表すと以下のようになる。

【００３４】体積比＝この発明の体積／従来の体積＝この発明のカーボン膜の膜厚×カーボン膜の幅／従来
のカーボン膜の膜厚さ×カーボン膜の幅＝０．１８×１．７５／０．３×２．０＝０．５２５（５２．５％）従って、体積比が減少した分、成膜時間も短縮される。

【００３５】また、ＫｒＦのエキシマレーザステッパを
用いた場合、位相を１８０度ずらすのにカーボン膜の膜
厚は０．１２μｍとなるので、ｉ線に比べ更に成膜時間
が短縮できる。

【００３６】図２は、第二実施例のホトマスクを説明す
るための平面図である。なお、カーボン膜２２の部分を
斜線で示してあるがこの斜線部分は断面を表すものでは
なく、図面を明確にするために記したものである。

【００３７】［第二実施例］第二実施例では、Ｙ軸方向
だけのカーボン膜の繰り返しでなく、二次元的（Ｘ軸と
Ｙ軸）方向へのＧａイオンビームの走査を繰り返して修
正用マスク部２２と欠陥露出部２４を形成する。ここで
形成された修正用マスク部（以下、カーボン膜という）
２２と欠陥露出部２４（以下、穴という）を総称して修
正用パタン２５と称する。また、修正用パタン２５及び
修正用パタンに形成された欠陥露出部の形状は、矩形状
とする。このときのカーボン膜の膜厚を０．１８μｍと
したとき、カーボン膜２２と穴２４のそれぞれの透過光
は１８０°の位相差をもつように形成してある。そし
て、この修正用パタン２５は、白欠陥部１３のＸ軸及び
Ｙ軸方向に等間隔に多数配設されている。

【００３８】この第二実施例においても修正用パタン２
５は、カーボン膜２２の振幅透過率とこのカーボン膜２
２の占有面積を乗じた値が穴２４の振幅透過率とこの穴
の占有面積とを乗じた値にほぼ等しく形成してある。ま
た、穴２４間の間隔Ｌ₃ 及びＬ₄ は、第一実施例のとき
と同様にウエハに転写される光学レンズの解像度Ｒより
も小さくして形成してある。第二実施例の構成において
も多数の穴２４が形成されている分、カーボン膜２４の
成膜時間は短縮できる。

【００３９】また、第二実施例では、カーボン膜２２が
白欠陥部１３のＸ軸及びＹ軸方向に埋め込まれた構造に
なっているため、機械的な耐剥離性が向上するという利
点もある。

【００４０】次に、第三実施例から第五実施例は、図１
の格子状のカーボン膜を用いる場合を例に取り説明する
が、勿論、図２の第二実施例の場合にも適用できる。

【００４１】［第三実施例］図３は、この発明の第三実
施例のホトマスクについて説明するための断面切り口を
示す。

【００４２】第三実施例では、白欠陥部１３（図１の
（Ａ）参照）の全面にわたってホトマスク基板上に修正
用半透明膜１８を設ける。また、修正用半透明膜１８上
にこの修正用半透明膜１８より膜厚の修正用マスク部
（カーボン膜）１４と欠陥露出部１５を設けてある。こ
のとき、修正用半透明膜１８の材料をカーボンとし、膜
厚を例えば０．０５μｍとする。欠陥露出部１５の幅Ｍ
が広くなっても、カーボン膜１４を透過する光強度は十
分に小さくなる。したがって、カーボン膜１４を形成す
る際の寸法マージンを大きくできる。このとき、第三実
施例のカーボン膜１４の膜厚を０．１８μｍとする。

【００４３】図４は、第四実施例のホトマスクを説明す
るたのめの断面切り口を示す図である。

【００４４】［第四実施例］第四実施例は、白欠陥部１
３に、カーボン膜１４と欠陥露出部１６とで形成された
修正用パタン（図１の（Ａ）参照）を設けた後、欠陥露
出部１６の底面に露出しているホトマスク基板に溝２０
を設けてある。この溝２０を形成する方法としては、例
えばＦＩＢ装置を用いてエッチングする。このとき、例
えばｉ線を用いてカーボン膜１４の膜厚を０．１２μｍ
とし、ガラス基板１０の深さを０．１２μｍだけエッチ
ングする。このようにしてカーボン膜１４の透過光の波
長と欠陥露出部の透過光の波長の位相差を、１８０度ず
らすことができる。この第四実施例は、第一実施例に比
べてカーボン膜１４の膜厚が薄くできる分、カーボン膜
１４の透過率は高くなる。したがって、欠陥露出部１６
の幅Ｎを広くできる。なお、好ましくは、カーボン膜の
幅Ｍは１．６μｍとし、欠陥露出部の幅Ｎを０．４μｍ
とするのが良い。

【００４５】第四実施例では、欠陥露出部１６のホトマ
スク基板に溝２０を形成することにより、欠陥露出部１
６の幅を広げることができるので、成膜時間が短縮でき
る。

【００４６】図５の（Ａ）及び（Ｂ）と図６の（Ａ）及
び（Ｂ）は、第五実施例のホトマスクを形成するための
形成方法を説明するための平面図及び断面図である。

【００４７】［第五実施例］白欠陥部１３が複雑な形状
をしている場合、第一実施例のときのように修正用パタ
ンを形成してもカーボン膜２８と欠陥露出部３０との透
過光の光強度を０にできない場合がある。このような場
合、一旦ＦＩＢ装置を用いて欠陥部１３を矩形パタン２
６に整形し（図６の（Ａ））、その後、矩形パタンにカ
ーボン膜２８と欠陥露出部３０を形成する（図６の
（Ｂ））。なお、矩形パタン２６を形成するときは、Ｆ
ＩＢ装置を用いてクロム（Ｃｒ）エッチングにより白欠
陥部１３を整形するので、整形に要する加工時間は短時
間ですむ。したがって、従来の白欠陥部１３にカーボン
膜を全面にわたって埋め込む場合より、成膜時間は短縮
できる。

【００４８】この第五実施例では、どんな複雑な形状を
有する白欠陥部であっても、一旦欠陥部を矩形パタン２
６に整形するので、カーボン膜と欠陥露出部の透過光あ
わせが容易になる。

【００４９】表１は、第１実施例〜第５実施例の白欠陥
部の修正に要した成膜時間と従来の成膜時間を比較した
計算結果を表す。

【００５０】

【表１】

【００５１】なお、表１は、従来のカーボン膜の膜厚を
０．３μｍとし、カーボン膜の幅を２．０μｍと仮定し
た場合とこの発明の実施例でカーボン膜を形成してとき
の成膜時間を計算した結果である。

【００５２】第一実施例では、上述したように、従来に
比べ約５３％となり、マスク修正に要する成膜時間は約
４７％短縮される。第二実施例では、従来に比べ約５３
％となり、マスク修正に要する成膜時間は４７％短縮さ
れる。

【００５３】第三実施例では、従来に比べ７１％とな
り、マスク修正に要する成膜時間は２９％短縮される。
また、第四実施例では、従来に比べ４０％となり、マス
ク修正に要する成膜時間は６０％短縮される。また、第
五実施例では、従来に比べ６３％となり、マスク修正に
要する成膜時間は３７％短縮される。

【００５４】表１から理解できるように、第一〜第五実
施例のいずれの場合においても従来の成膜時間に比べて
成膜時間を短縮することができる。

【００５５】また、この発明では、ＦＩＢ装置に露光光
学系のパラメータを入力することにより、自動的に修正
用遮光パタンの膜厚、パタン間の間隔寸法を算出し、こ
の算出したパラメータに合わせて白欠陥部を修正するこ
とも可能であるため、作業者の熟練度を意識することな
くホトマスクの修正が自動的に精度良く形成できる。

【００５６】上述したように、いずれの実施例において
も成膜時間が短縮できるので、著しいスループットの向
上が期待できる。

【００５７】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のホトマスクは、白欠陥部に、修正用マスク部と
これに隣接して設けた欠陥露出部とで形成をされた複数
の修正用パタンを設けてある。そして、修正用マスク部
と欠陥露出部は、露光光を修正用パタンに入射させたと
き、修正用マスク部の透過光が欠陥露出部の透過光に対
して１８０°の位相差となるように形成してある。ま
た、修正用マスク部の振幅透過率とこのマスク部の占有
面積とを乗じた値が、欠陥露出部の振幅透過率とこの露
出部の占有面積を乗じた値にほぼ等しくなるようにして
ある。同時に、隣り合う２つの修正用マスク部間の間隔
又は隣り合う欠陥露出部間の間隔は、光学レンズの解像
度Ｒより小さくしてある。したがって、白欠陥部に形成
された修正用パタンがウエハ上に転写されることがなく
なる。このため、修正用パタン中の修正用マスク部は、
従来のように白欠陥部の全面にわたって形成する必要が
なくなるため、修正用パタン中に欠陥露出部を設けた
分、白欠陥部の修正に要する成膜時間が短縮できる。

【００５８】また、この発明のホトマスクでは、修正用
マスク部の形状を格子状としてある。また、修正用パタ
ン部及び欠陥露出部の形状を矩形状としてある。このた
め、いずれの場合も従来に比べて欠陥露出部を成膜する
必要がなくなる分、成膜時間は短縮される。

【００５９】また、白欠陥部の全領域わたってホトマス
ク基板上に修正用透光膜を設けてある。そして、この修
正用透光膜上には、修正用透光膜より膜厚の修正用マス
ク部と欠陥露出部が形成されている。このようにして形
成されたホトマスクは修正用パタンに要求される寸法精
度が緩和される。したがって、高価なＦＩＢ装置を必要
としない。

【００６０】また、欠陥露出部のホトマスク基板をエッ
チングして溝を形成してある。このため、修正用マスク
部の寸法精度は緩和されないが、欠陥露出部を広くでき
る分、修正用マスク部を形成するときの成膜時間が短縮
される。

【００６１】また、この発明のホトマスクの形成方法
は、白欠陥部を一旦矩形パタンに整形した後、矩形パタ
ンに修正用マスク部及び欠陥露出部を形成する。このた
め、複雑な欠陥部の形状にも十分対応できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第一実施例の
ホトマスクを説明するために供する平面図及び断面図で
ある。

【図２】この発明の第二実施例のホトマスクを説明する
ために供する平面図である。

【図３】この発明の第三実施例のホトマスクを説明する
ために供する断面の切り口を示す図である。

【図４】この発明の第四実施例のホトマスクを説明する
ために供する断面の切り口を示す図である。

【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の第五実施例の
ホトマスクの形成方法を説明するために供する平面図及
び断面図である。

【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は、図５に続く、ホトマスク
の形成方法を説明するために供する平面図でる。

【符号の説明】

１０：ガラス基板１２：遮光膜１３：白欠陥部１４、２２、２８：カーボン膜１６、３０：欠陥露出部１８：修正用半透明膜２０：溝２４：穴２６：矩形パタン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウエハに光学レンズを用いてマスクパタ
ンを転写するためのホトマスクにおいて、ホトマスク基板上の白欠陥部に、修正用マスク部とこれ
に隣接して設けた欠陥露出部とで形成された複数の修正
用パタンを設け、前記修正用マスク部と前記欠陥露出部は、露光光を前記
修正用パタンに入射させたとき、前記修正用マスク部の
透過光が前記欠陥露出部の透過光に対して１８０°の位
相差となるように形成してあり、更に、前記修正用パタンは、前記修正用マスク部の振幅
透過率と該修正用マスク部の占有面積を乗じた値が、前
記欠陥露出部の振幅透過率と該欠陥露出部の占有面積を
乗じた値とほぼ等しくなるように形成してあり、かつ隣
り合う２つの前記修正用マスク部間の間隔又は隣り合う
前記欠陥露出部間の間隔は、前記光学レンズの解像度Ｒ
（Ｒ＝λ／（１＋σ）×ＮＡ）：但し、λは使用波長、
σはコヒーレンシー、ＮＡは開口数とする。）よりも小
さくして形成してなることを特徴とするホトマスク。
【請求項２】請求項１に記載のホトマスクにおいて、前記修正用マスク部の形状を、格子状とすることを特徴
とするホトマスク。
【請求項３】請求項１に記載のホトマスクにおいて、前記修正用パタンの形状及び前記欠陥露出部の形状を、
矩形状とすることを特徴とするホトマスク。
【請求項４】請求項１に記載のホトマスクにおいて更
に、前記白欠陥部の全領域にわたって前記ホトマスク基
板上に設けた修正用半透明膜を具え、前記修正用マスク部は前記修正用半透明膜よりも厚膜に
形成してあることを特徴とするホトマスク。
【請求項５】請求項１に記載のホトマスクにおいて、前記欠陥露出部に露出している前記ホトマスク基板の領
域の少なくとも一部分に溝を設けてなることを特徴とす
るホトマスク。
【請求項６】請求項１に記載のホトマスクを形成する
に当たり、前記白欠陥部が非矩形状になっているときには、該白欠
陥部を、一旦矩形状に整形して矩形状白欠陥部（これを
矩形パタンと称する。）に変形し、その後、該矩形の前記修正用パタンを形成することを特
徴とするホトマスクの形成方法。