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Description
本発明は、主にフラットパネルディスプレイ装置の製造に用られる位相シフトマスクに生じた欠陥を修正する方法、欠陥の修正がなされたフォトマスクに関する。
位相シフトマスク(PSM)は、位相シフト効果により解像度を向上させたフォトマスクである。位相シフトマスクに用いられる位相シフト膜は、通常、透過率が1〜10[%]程度でかつ位相を反転(ないしシフト)させる効果を持つ半透過膜である。
一般に、透明なガラス基板上に遮光膜のパターンのみが形成されたいわゆるバイナリマスクの場合、レーザーザッピングにより欠陥を含む領域を局所的に整形除去(トリミング)したり、光CVD法などにより遮光膜が整形除去された箇所やパターンの欠損部(以下、パターンの欠損部を白欠陥と呼ぶ場合がある)に局所的に遮光膜を堆積したりする技術が確立されており、比較的高い位置精度で欠陥の大きさや種類に応じた修正が可能であった。
特許文献1には、遮光パターン、位相シフターパターンを有する位相シフトフォトマスクの欠陥修正法において、遮光層及び位相シフト層を所定の位置にパターニング形成した後、位相シフターパターンの欠落部分にレーザー光を用いた光CVD法によって選択的にSiO2 膜を堆積させることを特徴とする位相シフトフォトマスクの欠陥修正法が開示されている。特許文献2には、グレートーンマスクの欠陥修正方法が開示されている。
しかし、フラットパネルディスプレイ装置に適用される位相シフトマスクは、透過率と位相シフト量という2つのパラメーターを膜厚で制御するという点において特殊な膜であり、本来的に代替の利かない膜である。本願発明者らの実験では、図10(A)のフォトマスクの光学反射像に示すような2.0μm幅のラインパターンの断線欠陥(2.0μm×4.0μm)を修正するために、光CVD法により同一サイズの遮光膜を堆積させたところ、図10(B)に示すような露光後のSEM像に示すように、修正した部分での線幅が局所的に細くなり、正常な修正ができなかった。遮光膜を位相シフト膜に代えた別の実験では、さらに線幅が細くなった。これは位相シフト膜の修正が極めて困難であることを示している。
すなわち、レーザーザッピングにより正確に欠陥箇所を整形除去できたとしても、その場所に、位相差と透過率が周囲の膜と全く同一の光学特性を持つ位相シフト膜を、正確な位置精度で堆積することは極めて困難であった。
この理由は、主に位相シフト膜と欠陥修正膜の堆積方法の違いに起因するものである。すなわち、位相差は膜厚で制御されるものであるが、位相シフト膜と欠陥修正膜とでは堆積方法が異なり、厳密には組成も異なるため膜厚を同一にしても位相差は必ずしも同一にならないからである。
そして、光学特性の異なる膜をパターンの欠損部に堆積させた場合、周囲の位相シフト膜と欠陥部分に形成した堆積膜との間で光の干渉効果の違いが生じ、転写露光で形成されたパターンにパターン形成不良が生じやすかった。
上記課題を鑑み、本発明は、欠陥の大きさと種別に応じて最適な欠陥修正方法を提供することを主たる目的とする。
本発明にかかる第1の位相シフトマスクの欠陥修正方法は、透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップS1と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが1.0μm×1.0μm以上であるか否かを判定するステップS2と、前記判定結果がNOである場合、前記欠損部の上に前記欠損部を埋める遮光膜を堆積させるステップP1とを含むことを特徴とする。
本発明にかかる第2の位相シフトマスクの欠陥修正方法は、透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップS1と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが1.0μm×1.0μm以上であるか否かを判定するステップS2と、前記ステップS2の判定結果がYESである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップS3と、前記ステップS3の判定結果がNO(すなわち非断線)である場合、
前記欠損部に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら矩形状に遮光膜を堆積させるステップP2−1と、
前記欠損部における非断線側のパターンエッジ部を残置させつつ他方の欠損部のみを含むように、前記欠損部の周囲の遮光膜を矩形状に整形除去するステップP2−2と、を含み、
前記オーバーラップ幅O(O1、O2)の大きさを1.0μm以下とすることを特徴とする。
前記欠損部に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら矩形状に遮光膜を堆積させるステップP2−1と、
前記欠損部における非断線側のパターンエッジ部を残置させつつ他方の欠損部のみを含むように、前記欠損部の周囲の遮光膜を矩形状に整形除去するステップP2−2と、を含み、
前記オーバーラップ幅O(O1、O2)の大きさを1.0μm以下とすることを特徴とする。
本発明に係る第3の位相シフトマスクの欠陥修正方法は、透明基板上に位相シフト膜で形成された白欠陥を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、白欠陥の位置及びサイズを測定するステップS1と、前記位相シフト膜上の欠陥サイズが1.0μm×1.0μm以上であるか否かを判定するステップS2と、前記ステップS2の判定結果がYESである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップS3と、前記ステップS3の判定結果がYES(すなわち断線)である場合、
前記欠損部を含み、前記欠損部に隣接する単層位相シフト膜のエッジ部とオーバーラップさせながら前記欠損部を全て覆う領域Tに遮光膜を堆積させるステップP3−1と、
前記パターン幅が修正前のパターン幅よりも0.1μm±0.1μmの誤差Δtで前記遮光膜を整形除去するステップP3−2と、
を含み、
前記オーバーラップ幅O(O3、O4)の大きさを1.0μm以下とすることを特徴とする。
前記欠損部を含み、前記欠損部に隣接する単層位相シフト膜のエッジ部とオーバーラップさせながら前記欠損部を全て覆う領域Tに遮光膜を堆積させるステップP3−1と、
前記パターン幅が修正前のパターン幅よりも0.1μm±0.1μmの誤差Δtで前記遮光膜を整形除去するステップP3−2と、
を含み、
前記オーバーラップ幅O(O3、O4)の大きさを1.0μm以下とすることを特徴とする。
上述の第1〜第3の位相シフトマスクは、主に透明基板上に直接位相シフト膜のパターンが形成されているフォトマスクを前提としたが、透明基板上に遮光膜のパターンが形成され、その遮光膜のパターン上の、特にパターンエッジ部などに位相シフト膜が堆積されている「エッジ強調型位相シフトマスク」(特許文献3)に対しても本発明の欠陥修正方法は適用可能である。
本発明によれば、欠陥修正が本来的に困難とされる位相シフトマスクに対しても欠陥修正が可能となる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は、いずれも本発明の要旨の認定において限定的な解釈を与えるものではない。また、同一又は同種の部材については同じ参照符号を付して、説明を省略することがある。
(第1の実施形態)−本発明の基本的な考え方(単層PSMの修正)−
図1は、本発明の第1の実施形態の位相シフトマスクの欠陥修正の手順を示すフロー図である。本発明における欠陥修正は、特に明示しない場合は、白欠陥の修正を指す。ただし、説明を簡単にするため、位相シフトマスクは、透明基板上に単層の位相シフト膜のパターンが形成されたものを想定して説明し、多層構造の複雑な位相シフト膜については第2の実施形態で説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態の位相シフトマスクの欠陥修正の手順を示すフロー図である。本発明における欠陥修正は、特に明示しない場合は、白欠陥の修正を指す。ただし、説明を簡単にするため、位相シフトマスクは、透明基板上に単層の位相シフト膜のパターンが形成されたものを想定して説明し、多層構造の複雑な位相シフト膜については第2の実施形態で説明する。
1.ピンホール欠陥の修正について(第1の修正方法)
ピンホール欠陥を修正する場合、先ず、対象とするフォトマスク基板を検査機にかけ、欠損部の位置及びサイズを測定する(ステップS1)。次に、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが1.0μm×1.0μm以上であるか否かを判定する(ステップS2)。その判定結果がNO(すなわち欠損部のサイズが所定値以下である場合、処理1(P1)として、欠損部の上に、光CVD法などの、位置を特定して成膜可能な手段により、前記欠損部を埋めるようにほぼ同サイズの遮光膜を堆積させる。
ピンホール欠陥を修正する場合、先ず、対象とするフォトマスク基板を検査機にかけ、欠損部の位置及びサイズを測定する(ステップS1)。次に、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが1.0μm×1.0μm以上であるか否かを判定する(ステップS2)。その判定結果がNO(すなわち欠損部のサイズが所定値以下である場合、処理1(P1)として、欠損部の上に、光CVD法などの、位置を特定して成膜可能な手段により、前記欠損部を埋めるようにほぼ同サイズの遮光膜を堆積させる。
ここでステップS2の判定結果がNOとなるのは、位相シフト膜で形成されたパターン上に形成された欠損部が、いわゆるピンホール欠陥と呼ばれる微小な白欠陥である場合であることを意味する。この場合、本来的に露光への影響は軽微であるため、欠陥を含む周囲をレーザーザッピング処理により整形除去(トリミング)すると却って光学特性に悪影響がでることになる。それゆえ、トリミングは行わず、そのまま欠損部に遮光膜を堆積するステップP1を実行し、その後、必要に応じて成膜残渣の除去のみを行う。その結果、位相シフト膜で形成されたパターン上に形成された微小な白欠陥が膜厚の大きい遮光膜で覆われることになるが、このサイズであれば干渉効果による影響が殆どなく、位相シフト膜の欠損部を遮光膜で代替して埋め込んでも露光への影響は殆ど生じない。
成膜残渣の除去はピンホール欠陥の修正においては不要である。しかし、後述するように、「エッジにかかる欠陥」においては、周囲のエッジに合わせたトリミングの工程が必要となる。
ここで使用する遮光膜としては、光学濃度3.0以上であればよく、一例として、クロム膜が好適であるがこれに限定されるものではなく、光学濃度の条件を満たすものであれば他の材料でもよい。また、欠損部を含む領域に局所的に成膜する遮光膜を選定する場合、その後のレーザーザッピング処理で蒸散される際、残渣が残りにくい材料を適宜選択することが好ましい。
なお、「露光への影響は殆ど生じない」とは、露光光の波長やターゲットとする線幅の前提の上で議論されるべきものであるが、本発明では、基本的には、g線、h線、i線(波長365[nm]〜436[nm]の紫外光)の混合光或いは単色光からなる露光光を前提として、2μm〜3μm程度の最小線幅のパターンを形成することを前提としている。この前提において、サイズが1.0μm×1.0μm以下のピンホール欠陥は解像限界を超えるため、「露光への影響は殆ど生じない」といえる。このことは、後述する第2及び第3の位相シフトマスクの欠陥修正方法を含めて本願発明に共通する前提事項である。
なお、欠損部に成膜残渣(位相シフト膜の膜のこり)が独立した点状の欠陥として確認された場合には、成膜残渣をレーザーザッピング処理などの既知の方法で整形除去することが好ましい。
図2(A)は、合成石英ガラス等の透明基板11上に位相シフト膜12のパターンが形成された様子を示す拡大平面図である。位相シフト膜は、透過率が典型的な値としては1〜10[%]程度でかつ位相を反転ないしシフトさせる効果を持つ半透過膜であり、パターンは典型的なライン・アンド・スペースのパターンを示している。ただし、実際のパターンは、必ずしもこのようなパターンとはならず、また、ライン・アンド・スペースのパターンに限られるものでもない。そして、位相シフト膜12のパターン上に、1.0μm×1.0μm以下のピンホール欠陥d1が存在する。
図2(B)は、図2(A)をX−Xで切断した断面図である。位相シフト膜12上に形成された直径L1のピンホール欠陥d1は、透明基板11に達していることが分かる。フォトマスクの検査機は光学的な手法により、欠陥の位置及びサイズを測定する。通常、単層の半透過膜を検査する場合は透過照明の結果を優先して判断する。反射照明で欠陥が確認されても透過照明で透過していなければ修正は不要である。そして、透過照明によってサイズが1.0μm×1.0μm以下のピンホール欠陥であると判断されると光CVD法により遮光膜をこの部分にのみ局所的に堆積することで図3(A)及び図3(B)に示すような状態となり、欠陥修正は終了する。
位相シフト膜が形成されるべき箇所の一部に遮光膜が形成されたとしても、その大きさが露光機の解像限界以下の大きさであるから、露光後の影響は殆どなく、むしろ、そのままピンホール欠陥を放置した場合よりも欠陥がより修正される。
図8(A)は、サイズが1.0μm×1.0μmの白欠陥(ピンホール欠陥)を含む単層の位相シフトマスクの光学反射像を示し、図8(B)は、このマスクに上記の修正方法を適用した後の露光後のパターンを観察したSEM像を示している。トリミングを行わず、欠陥サイズと同等サイズの修正を遮光膜で行うことで、露光後のパターンはほぼ正常に修正できた。
2.非断線欠陥の修正について(第2の修正方法)
非断線欠陥を修正する場合、上記ステップS2の判定結果がYES(サイズが1.0μm×1.0μm以上)である場合であって、さらに、断線しているか否かを判定するステップS3が必要となる。ここで、「断線」である「非断線」であるかの区別については、以下のような判定基準を設けることが現実的である。
非断線欠陥を修正する場合、上記ステップS2の判定結果がYES(サイズが1.0μm×1.0μm以上)である場合であって、さらに、断線しているか否かを判定するステップS3が必要となる。ここで、「断線」である「非断線」であるかの区別については、以下のような判定基準を設けることが現実的である。
図4(A)は、ラインパターン上に位相シフト膜の欠損部d2を有するパターンを示している。また、図4(B)は図4(A)における一点鎖線で囲まれた欠損部d2周辺の拡大図である。この欠損部d2のサイズは1.0μm×1.0μmを超えるが、パターン幅Loに対して欠損部近傍の最もパターンが細くなる部位におけるパターン幅Lrが1μm以上残っているので、断線はしていないと判断する。
ステップS3の判定結果がNO(すなわち非断線)である場合、欠損部d2に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら遮光膜を領域Tの範囲に堆積させる(ステップP2−1)。このとき、オーバーラップ幅O(O1,O2)の大きさを1.0μm以下とする。
次に、図5に示すように、欠損部における非断線側のパターンエッジ部を残置させつつ他方の欠損部のみを含むように、前記欠損部の周囲の遮光膜を矩形状に整形除去する(ステップP2−2)。このステップはトリミングと呼ばれ、図4(B)では、トリミングを行うべき領域Zを破線で図示している。図5(B)に示すように、残存部Rとして残しつつ、白欠陥の欠損部を含むように遮光膜を矩形状に整形除去することで欠陥修正は終了する。なお、当然ながら、トリミングの際に隣接するパターンを除去してしまわないようにすることが必要である。
このように、対象となるパターンが非断線欠陥を含むパターンである場合には、予め、「非断線」と「断線」とを区別するための基準を設けておく。上述の例では、欠損部以外のパターン幅Lr(パターンの端部から欠損部の端部までの距離)の大きさが1μm以下である場合には、たとえ非断線の部分が残っていても「断線」と判断して後述の「断線欠陥の修正」(第3の修正方法)を適用する。ここでのポイントは、パターン上に欠陥サイズが1.0μm×1.0μmを超える欠損部があっても、パターンが少なくとも1μm以上のパターン幅は確保しているので、位相シフト膜のパターンの欠損部分を修復するために、透過率0の遮光膜が埋め込まれるという点にある。
ただし、電極パターンなど、厳密にはラインパターンとは言えないため、「断線」か「非断線」かという区別が必ずしも適切でない場合もありうるが、欠損部と残存部の大きさから本修正方法が適用可能である。すなわち、欠陥サイズが1.0μm×1.0μmを超える欠損部があって、パターンが1μm以上残置していれば本修正方法が適用できる。
図8(C)は、サイズが2.0μm×2.0μmの白欠陥(非断線欠陥)を含む単層の位相シフトマスクの光学反射像を示し、図8(B)は、このマスクに上記の修正方法を適用した後の露光後のパターンを観察したSEM像を示している。欠損部を覆うように成膜し、欠損部の左側エッジだけをトリミングすることで、線幅は正常部と同等に修正できる。このように、位相シフト膜の非断線の欠陥については欠損部を遮光膜で代替しつつパターン幅が確保されている片側だけをトリミングすることで欠陥の修正が可能となる。修正したフォトマスクで露光したところ、厳密には20nm程度の細りが確認されたが影響は軽微で実用上問題とならないレベルであった。
3.断線欠陥の修正について(第3の修正方法)
断線欠陥を修正する場合、上記ステップS2の判定結果がYES(サイズが1.0μm×1.0μm以上)である場合であって、さらに、断線しているか否かを判定するステップS3が必要となる。ここで、「断線」である「非断線」であるか判定基準は上述のとおりである。
断線欠陥を修正する場合、上記ステップS2の判定結果がYES(サイズが1.0μm×1.0μm以上)である場合であって、さらに、断線しているか否かを判定するステップS3が必要となる。ここで、「断線」である「非断線」であるか判定基準は上述のとおりである。
すなわち、物理的に断線している場合はもちろん、完全には断線していない場合でもパターン幅Loに対して欠損部以外のパターン幅Lrが所定の基準値(例えば、1μm)よりも小さい場合には、「断線」と判断する。
図6(A)は、ラインパターン上に位相シフト膜の欠損部d3を有するパターンを示している。また、図6(B)は図6(A)における一点鎖線で囲まれた欠損部d3周辺の拡大図である。この欠損部d3は1.0μm×1.0μmを超えると共に断線している。すなわち、ステップS3の判定結果がYES(すなわち断線)である。
このとき、図7(A)に示すように、欠損部d3を含み、欠損部に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら前記欠損部を全て覆う領域Tに遮光膜を堆積させる(ステップP3−1)。遮光膜を堆積させる前にトリミングを行ってもよい。この時、同図に示すように、領域Tと欠損部の端部Eのオーバーラップの幅O(O3、O4)の大きさが、1.0μm以下であるように調整する。
次に、図7(B)に示すように、残存部Rとして残しつつ、遮光膜の両サイドのエッジ部を矩形状に整形除去することで欠陥修正は終了する。この時、パターン幅よりも幅Δtだけ幅広に残すように除去する。断線欠陥のような広い面積の位相シフト膜の欠損部を遮光膜で置換しているため、このパターン幅の設計値との差Δtの大きさは露光後の線幅に大きく影響する。
実験から求められた露光後のパターンの細り或いは太りが緩和されるために必要なこのパターン幅の設計値との差Δtに許容される誤差は、0.1±0.1μm、すなわち、本来のパターンサイズとの差が0.0μm〜+0.2μmが最適であった。
図9(A)は、サイズが2.0μm×4.0μmの白欠陥(断線欠陥)を含む単層の位相シフトマスクの光学反射像を示している。この例では、オーバーラップが不十分であったため、隙間から漏れ光が発生し、パターン細りが発生してしまった。図9(B)は、サイズが2.0μm×4.0μmの白欠陥(断線欠陥)を含む単層の位相シフトマスクにおいて、オーバーラップ幅O(O3、O4)の大きさを+0.4μmとした場合の光学反射像を示している。この場合、局所的な線幅の太りが発生してしまった。
従って、遮光膜成膜時に確実にオーバーラップさせること、遮光膜形成後に確実に線幅を所定の範囲に修正することが重要である。
4.欠陥修正の限界について
位相シフトマスクの欠陥を遮光膜で修正可能な欠陥は、大きさ又は欠陥の部位によって、限界がある。現行のレーザーザッピングの精度は0.1μm程度であり、線幅は2〜3μm程度を前提としているため、10μm×10μm以上の欠損部がある場合はNGと判断し、位相シフトマスクを再度作製する。
位相シフトマスクの欠陥を遮光膜で修正可能な欠陥は、大きさ又は欠陥の部位によって、限界がある。現行のレーザーザッピングの精度は0.1μm程度であり、線幅は2〜3μm程度を前提としているため、10μm×10μm以上の欠損部がある場合はNGと判断し、位相シフトマスクを再度作製する。
(第2の実施形態)−エッジ強調型位相シフトマスクへの応用−
透明基板上に遮光膜のパターンが設けられ、パターンエッジ部など線幅が細りやすい部位に位相シフト膜が堆積された2層構造の位相シフトマスク(本明細書では「エッジ強調型位相シフトマスク」という。)にも、本発明の修正方法は適用可能である。
透明基板上に遮光膜のパターンが設けられ、パターンエッジ部など線幅が細りやすい部位に位相シフト膜が堆積された2層構造の位相シフトマスク(本明細書では「エッジ強調型位相シフトマスク」という。)にも、本発明の修正方法は適用可能である。
1層目の遮光膜については、1層目の遮光膜のパターン形成が完了した時点では、通常のバイナリマスクと変わらないため、従来技術を適用して修正が可能である。
2層目の位相シフト膜形成時に生じた白欠陥については、第1の実施形態で説明した欠陥修正方法を適用することができる。
2層目の位相シフト膜形成時に生じた白欠陥については、第1の実施形態で説明した欠陥修正方法を適用することができる。
(その他の実施形態)
白欠陥の修正については第1及び第2の実施形態で説明してきたとおりであるが、異物や位相シフト膜の膜厚異常などが原因となって生じる「黒欠陥」の修正については、既知の除去方法、例えば、レーザーザッピングにより該当部位を除去することにより、人為的に「白欠陥」を形成した上で、その白欠陥の大きさや部位に応じて本願発明による白欠陥の修正方法を適用すればよい。白欠陥の大きさや部位の判断基準は本願発明で説明したものがそのまま妥当する。
白欠陥の修正については第1及び第2の実施形態で説明してきたとおりであるが、異物や位相シフト膜の膜厚異常などが原因となって生じる「黒欠陥」の修正については、既知の除去方法、例えば、レーザーザッピングにより該当部位を除去することにより、人為的に「白欠陥」を形成した上で、その白欠陥の大きさや部位に応じて本願発明による白欠陥の修正方法を適用すればよい。白欠陥の大きさや部位の判断基準は本願発明で説明したものがそのまま妥当する。
本発明によれば、従来修正が困難であった位相シフトマスクの欠陥を修正することができるため、産業上の利用可能性は極めて大きい。
11 透明基板
12 位相シフト膜
d1 ピンホール欠陥(1.0μm×1.0μm以下の白欠陥)
d2 非断線欠陥
d3 断線欠陥
O(O1〜O4) オーバーラップの幅
Δt パターン幅の設計値との差
12 位相シフト膜
d1 ピンホール欠陥(1.0μm×1.0μm以下の白欠陥)
d2 非断線欠陥
d3 断線欠陥
O(O1〜O4) オーバーラップの幅
Δt パターン幅の設計値との差
Claims (8)
- 透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップS1と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが1.0μm×1.0μm以上であるか否かを判定するステップS2と、前記判定結果がNOである場合、前記欠損部の上に前記欠損部を埋める遮光膜を堆積させるステップP1とを含むことを特徴とする欠陥修正方法。
- 透明基板上に位相シフト膜で形成された欠損部を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、欠損部の位置及びサイズを測定するステップS1と、前記位相シフト膜上の前記欠損部のサイズが1.0μm×1.0μm以上であるか否かを判定するステップS2と、前記ステップS2の判定結果がYESである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップS3と、前記ステップS3の判定結果がNO(すなわち非断線)である場合、
前記欠損部に隣接する位相シフト膜のパターンエッジ部とオーバーラップさせながら矩形状に遮光膜を堆積させるステップP2−1と、
前記欠損部における非断線側のパターンエッジ部を残置させつつ他方の欠損部のみを含むように、前記欠損部の周囲の遮光膜を矩形状に整形除去するステップP2−2と、を含み、
前記オーバーラップ幅O(O1、O2)の大きさを1.0μm以下とすることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。 - 透明基板上に位相シフト膜で形成された白欠陥を含むパターンを具備するフォトマスク基板に対して、白欠陥の位置及びサイズを測定するステップS1と、前記位相シフト膜上の欠陥サイズが1.0μm×1.0μm以上であるか否かを判定するステップS2と、前記ステップS2の判定結果がYESである場合、更に、断線しているか否かを判定するステップS3と、前記ステップS3の判定結果がYES(すなわち断線)である場合、
前記欠損部を含み、前記欠損部に隣接する単層位相シフト膜のエッジ部とオーバーラップさせながら前記欠損部を全て覆う領域Tに遮光膜を堆積させるステップP3−1と、
前記パターン幅が修正前のパターン幅よりも0.1μm±0.1μmの誤差Δtで前記遮光膜を整形除去するステップP3−2と、
を含み、
前記オーバーラップ幅O(O3、O4)の大きさを1.0μm以下とすることを特徴とする位相シフトマスクの欠陥修正方法。 - 透明基板上に位相シフト膜のパターンが形成されたフォトマスク用の位相シフトマスクであって、
前記パターン上に遮光膜で構成される欠陥修正膜を含む位相シフトマスク。 - 透明基板上に、遮光膜のパターンと位相シフト膜のパターンとがこの順に形成されたフォトマスク用の位相シフトマスクであって、
前記パターン上に遮光膜で構成される欠陥修正膜を含む位相シフトマスク。 - 前記遮光膜は、位相シフト膜のパターンの欠損部を覆うように埋め込まれていることを特徴とする請求項4又は請求項5記載の位相シフトマスク。
- 前記パターンの欠損部のサイズが1.0μm×1.0μmより大きく、かつ、前記パターンの欠損部が非断線と判断される場合において、下層の位相シフト膜と上層の遮光膜とのオーバーラップ幅O(O1、O2)が1.0μm以下に制御されていることを特徴とする請求項6記載の位相シフトマスク。
- 前記パターンの欠損部が断線と判断される場合において、前記欠損部における下層の位相シフト膜と上層の遮光膜とのオーバーラップ幅O(O3、O4)が1.0μm以下に制御されていると共に、前記欠損部に堆積された遮光膜の幅と欠損部におけるパターン幅の設計値との差Δtが0.1μm±0.1μmに制御されていることを特徴とする請求項6記載の位相シフトマスク。
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