JP2009116268A - フォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】高さの異なる複数種の凸状パターンを同一の材料を使用して同時に形成し、その形成工程を短縮する。
【解決手段】基板上に塗布された感光性樹脂を露光して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成するためのフォトマスク1であって、透明なガラス基板2の一面を覆って形成された不透明膜3に多数形成され、複数種の凸状パターンに対応した開口を有して紫外光を透過させる第1及び第2のマスクパターン4,5と、上記複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための第1のマスクパターン4に対応してガラス基板2に形成された集光レンズ4と、を備えたものである。
【選択図】図2

Description

本発明は、高さの異なる複数種の凸状パターンを形成するためのフォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法に関し、詳しくは、上記高さの異なる複数種の凸状パターンを同一の材料を使用して同時に形成し、その形成工程を短縮しようとするフォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法に係るものである。
従来、この種の凸状パターン形成方法は、カラーフィルタ基板の各ピクセル内に赤、青、緑の各着色層を形成する際、ブラックマトリクス上に被着された各着色層をそのまま残して積層し、その後、各ピクセル内に液晶分子の配向制御用パターン(突起)を形成するとき、同時に上記ブラックマトリクス上に積層された着色層上に突起を形成し、この積層された着色層とその上の突起とでセルギャップを制御するスペーサを形成するものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−248921号公報
しかし、このような従来の凸状パターン形成方法においては、スペーサは、複数の層から形成されているため各層間で剥離し易く壊れ易かった。したがって、カラーフィルタ基板と半導体基板との接合時の加圧力によりスペーサが崩れ、セルギャップを正確に制御することができないという問題が発生することがあった。
一方、カラーフィルタ基板の開口率を上げるために、スペーサ及び配向制御用パターンを可視光に対して透過率の高い同一の透明材料で形成しようとする傾向が増してきている。しかし、この場合、高さの異なるスペーサと配向制御用パターンとは、通常、それぞれ別のフォトマスクを使用して別工程で形成しなければならず、工数が増えてカラーフィルタ基板の製造コストが高くなるという問題がある。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高さの異なる複数種の凸状パターンを同一の材料を使用して同時に形成し、その形成工程を短縮しようとするフォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、第1の発明によるフォトマスクは、基板上に塗布された感光性樹脂を露光して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成するためのフォトマスクであって、透明なガラス基板の一面を覆って形成された不透明膜に多数形成され、前記複数種の凸状パターンに対応した開口を有して紫外光を透過させる複数種のマスクパターンと、前記複数種のマスクパターンのうち前記複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための一のマスクパターンに対応して前記ガラス基板に形成された集光レンズと、を備えたものである。
このような構成により、透明なガラス基板の一面を覆って形成された不透明膜に多数形成され、複数種の凸状パターンに対応した開口を有する複数種のマスクパターンで紫外光を透過させ、複数種のマスクパターンのうち高さの異なる複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための一のマスクパターンに対応してガラス基板に形成された集光レンズで紫外光を集光して基板上に塗布された感光性樹脂を露光する。
また、前記複数種のマスクパターンは、同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成されたものである。これにより、同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成された複数種のマスクパターンで紫外光を透過して基板上に塗布された感光性樹脂を露光する。
さらに、前記複数種のマスクパターンは、同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成されたものである。これにより、同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成された複数種のマスクパターンで紫外光を透過し、基板上に塗布された感光性樹脂を露光する。
また、第2の発明による凸状パターン形成方法は、基板上に塗布された感光性樹脂を露光して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成する方法であって、透明なガラス基板の一面を覆って形成された不透明膜に多数形成され、前記複数種の凸状パターンに対応した開口を有して紫外光を透過させる複数種のマスクパターンと、前記複数種のマスクパターンのうち前記複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための一のマスクパターンに対応して前記ガラス基板に形成された集光レンズと、を備えたフォトマスクを前記基板に対向して配置し、前記フォトマスクの上方から所定の光量で所定時間だけ紫外光を照射し、前記複数種のマスクパターンを透過したそれぞれ異なる照射エネルギーの露光光により前記感光性樹脂を露光する段階と、前記露光された感光性樹脂を所定時間だけ現像して前記高さの異なる複数種の凸状パターンを形成する段階と、を行なうものである。
このような構成により、透明なガラス基板の一面を覆って形成された不透明膜に多数形成され、高さの異なる複数種の凸状パターンに対応した開口を有して紫外光を透過させる複数種のマスクパターンと、複数種のマスクパターンのうち上記複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための一のマスクパターンに対応してガラス基板に形成された集光レンズと、を備えたフォトマスクを基板に対向して配置し、フォトマスクの上方から所定の光量で所定時間だけ紫外光を照射し、複数種のマスクパターンを透過したそれぞれ異なる照射エネルギーの露光光により基板上に塗布された感光性樹脂を露光し、この露光された感光性樹脂を所定時間だけ現像して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成する。
さらに、前記感光性樹脂を露光する段階には、前記複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成された前記フォトマスクを配置し、前記基板を前記単位マスクパターン列と交差する方向に一定速度で移動させ、前記基板面にその移動方向に予め分割設定された複数の露光領域が前記フォトマスクの下側を順次通過するのに同期して前記露光光を照射するものである。これにより、複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成されたフォトマスクを配置し、基板を上記単位マスクパターン列と交差する方向に一定速度で移動させ、基板面にその移動方向に予め分割設定された複数の露光領域が上記フォトマスクの下側を順次通過するのに同期して露光光を照射して感光性樹脂を露光する。
また、前記感光性樹脂を露光する段階には、前記複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成された前記フォトマスクを配置し、前記基板を前記フォトマスクに対して相対的に前記フォトマスクの面に平行な面内を所定距離だけステップ移動させ、そのステップ移動に同期して前記露光光を照射して前記基板面に予め分割設定された複数の露光領域を順次露光するものである。これにより、複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成されたフォトマスクを配置し、基板を上記フォトマスクに対して相対的にフォトマスクの面に平行な面内を所定距離だけステップ移動させ、そのステップ移動に同期して露光光を照射して基板面に予め分割設定された複数の露光領域の感光性樹脂を順次露光する。
さらに、前記感光性樹脂を露光する段階には、前記複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成された前記フォトマスクを配置し、前記基板を前記単位マスクパターン列と交差する方向に一定速度で移動させ、前記基板が前記一のマスクパターンの単位マスクパターン列の列間隔と等しい距離だけ移動する毎に前記露光光を照射するものである。これにより、複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成されたフォトマスクを配置し、基板を上記単位マスクパターン列と交差する方向に一定速度で移動させ、基板が一のマスクパターンの単位マスクパターン列の列間隔と等しい距離だけ移動する毎に露光光を照射して感光性樹脂を露光する。
そして、前記感光性樹脂を露光する段階には、前記複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成された前記フォトマスクを配置し、前記基板を前記フォトマスクに対して相対的に前記フォトマスクの面に平行な面内にて前記単位マスクパターン列と交差する方向に前記一のマスクパターンの単位マスクパターン列の列間隔と等しい距離だけ順次ステップ移動し、その都度前記露光光を照射するものである。これにより、複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成されたフォトマスクを配置し、基板をフォトマスクに対して相対的にフォトマスクの面に平行な面内にて上記単位マスクパターン列と交差する方向に一のマスクパターンの単位マスクパターン列の列間隔と等しい距離だけ順次ステップ移動し、その都度露光光を照射して感光性樹脂を露光する。
また、前記露光の光量及び照射時間は、前記感光性樹脂の前記一のマスクパターンに対応する部分の硬化反応が十分に進行し、且つ他のマスクパターンに対応する部分の硬化反応の進行が不十分となるように設定されたものである。これにより、感光性樹脂の一のマスクパターンに対応する部分の硬化反応が十分に進行し、且つ他のマスクパターンに対応する部分の硬化反応の進行が不十分となるように露光の光量及び照射時間を設定して感光性樹脂を露光し、高さの異なる複数の凸状パターンを同一の工程で形成する。
そして、前記基板は、カラーフィルタ基板であり、前記複数種の凸状パターンのうち前記高さの最も高い凸状パターンはセルギャップを制御するスペーサで、他の凸状パターンは液晶分子の配向を制御する配向制御用リブである。これにより、フォトマスクの一のマスクパターンでカラーフィルタ基板のセルギャップを制御する高さの高いスペーサを形成し、他のマスクパターンで液晶分子の配向を制御する高さの低い配向制御用リブを形成する。
請求項1及び4に係る発明によれば、複数種のマスクパターンを透過した露光光の照射エネルギーを異ならせることができる。したがって、感光性樹脂の複数種のマスクパターンに対応した各部分の硬化反応を異ならせることができる。これにより、高さの異なる複数種の凸状パターンを同一の材料を使用して同時に形成することができ、その形成工程を短縮することができる。
また、請求項2に係る発明によれば、複数種のマスクパターンを一回露光するだけで高さの異なる複数種の凸状パターンを同時に一括形成することができる。したがって、高さの異なる複数種の凸状パターンの形成工程をより短縮することができる。
さらに、請求項3に係る発明によれば、基板を一のマスクパターンの単位マスクパターン列の列間隔と等しい距離だけ順次移動し、その都度露光光を照射することにより、複数種の露光パターンをそれぞれ異なる回数で多重露光することができ、感光性樹脂の複数種のマスクパターンに対応した各部分の硬化反応をより大きく異ならせることができる。したがって、複数種の凸状パターンの高低差をより大きくすることができる。また、一のマスクパターンの単位マスクパターン列と他のマスクパターンの単位マスクパターン列数とを適宜設定することにより、複数種の凸状パターンの高低差を略任意に設定することができる。
さらにまた、請求項5に係る発明によれば、基板を連続して供給しながら露光を実行することができ、高さの異なる複数種の凸状パターンの形成工程をより一層短縮することができる。
そして、請求項6に係る発明によれば、大面積の基板に対しても複数種のマスクパターンを容易に露光することができ、高さの異なる複数種の凸状パターンを容易に形成することができる。
また、請求項7に係る発明によれば、基板を連続して供給しながら露光を実行することができ、高さの異なる複数種の凸状パターンの形成工程をより一層短縮することができる。この場合、複数種の露光パターンをそれぞれ異なる回数で多重露光して、感光性樹脂の複数種のマスクパターンに対応した各部分の硬化反応をより大きく異ならせることができる。したがって、複数種の凸状パターンの高低差をより大きくすることができる。また、一のマスクパターンの単位マスクパターン列と他のマスクパターンの単位マスクパターン列数とを適宜設定することにより、複数種の凸状パターンの高さの差を略任意に設定することができる。
さらに、請求項8に係る発明によれば、複数種の露光パターンをそれぞれ異なる回数で多重露光して、感光性樹脂の複数種のマスクパターンに対応した各部分の硬化反応をより大きく異ならせることができる。したがって、複数種の凸状パターンの高低差をより大きくすることができる。また、一のマスクパターンの単位マスクパターン列と他のマスクパターンの単位マスクパターン列数とを適宜設定することにより、複数種の凸状パターンの高低差を略任意に設定することができる。
さらにまた、請求項9に係る発明によれば、高さの異なる複数種の凸状パターンを確実に形成することができる。
そして、請求項10に係る発明によれば、カラーフィルタ基板のセルギャップを制御するスペーサと、液晶分子の配向を制御する配向制御用リブとを同一の材料を使用して同時に形成することができ、その形成工程を短縮することができる。したがって、カラーフィルタ基板の製造コストを低減することができる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるフォトマスクの第1の実施形態を示す平面図であり、(a)は全体を示し、(b)は一部を拡大して示している。また、図2は図1(b)のX−X線断面図である。このフォトマスク1は、基板上に塗布された感光性樹脂を露光して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成するためのもので、ガラス基板2と、不透明膜3と、第1のマスクパターン4と、第2のマスクパターン5と、集光レンズ6とからなる。以下、上記基板がカラーフィルタ基板の場合について説明する。
上記ガラス基板2は、紫外線を透過し易い、例えば透明な石英ガラスから成る。
上記ガラス基板2の一面には、不透明膜3が形成されている。この不透明膜3は、紫外線の透過を遮断するものであり、例えばクロム(Cr)の薄膜である。
上記不透明膜3には、第1のマスクパターン4が形成されている。この第1のマスクパターン4は、上記カラーフィルタ基板の高さの異なる複数種の凸状パターンのうち、高さが最も高くてセルギャップを制御するスペーサを形成するためのものであり、複数のマスクパターンのうち一のマスクパターンと成るもので、図1(a)に示すように、ドット状のパターン(開口)を所定間隔で約一直線状に並べた第1の単位マスクパターン列7を間隔Lで複数列並べて構成したものである。
上記不透明膜3には、第2のマスクパターン5が形成されている。この第2のマスクパターン5は、上記カラーフィルタ基板の高さの異なる複数種の凸状パターンのうち、スペーサよりも高さが低く液晶分子の配向を制御する配向制御用リブを形成するためのものであり、複数のマスクパターンのうち他のマスクパターンと成るもので、図1(a)に示すように、中央部で折曲したパターン(開口)をその折曲方向に所定間隔で略一直線状に並べた第2の単位マスクパターン列8を第1の単位マスクパターン列7と交互に間隔Lで複数列並べて構成したものである。
上記第2の単位マスクパターン列8の具体的形状は、図1(b)に一部拡大して示しているように、中央部で折曲した第1のパターン9aと、中央部で折曲すると共に該折曲部から折曲方向と反対方向に突出した片部を有する第2のパターン9bと、該第2のパターン9bと略相似形の第3のパターン9cとを一組として複数組を列状に並べたものである。
上記ガラス基板2の一面にて上記第1のマスクパターン4が形成された面2aには、図2に示すように、第1のマスクパターン4のドット状のパターン(開口)に対応して集光レンズ6が設けられている。この集光レンズ6は、紫外光を集光して、第2のマスクパターン5を透過した露光光よりも照射エネルギーの高い露光光を生成するためのものであり、公知の技術を適用して形成することができる。
図3は上記集光レンズ6の他の形成例を示す図1(b)のX−X線断面図である。このフォトマスク1は、ガラス基板2の一面にて第1のマスクパターン4が形成された面2aの反対面2bに第1のマスクパターン4のドット状パターン(開口)に対応して集光レンズ6を形成したものである。
次に、本発明のフォトマスク1を使用する露光装置について図4を参照して説明する。
図4に示すように、上記露光装置は、搬送手段10と、マスクステージ11と、光源12と、コンデンサーレンズ13と、撮像手段14と、照明手段15とを備えている。
上記搬送手段10は、ネガ型の感光性樹脂を塗布したカラーフィルタ基板16をステージ17上面に載置して図4に矢印Aで示す方向に一定速度で搬送するものであり、ステージ17の位置を検出する位置センサーとステージ17の移動速度を検出する速度センサーとを備えている。また、上記ステージ17は、その中央部にカラーフィルタ基板16の露光領域に対応した大きさの開口部を設け、後述の照明手段15によりカラーフィルタ基板16を裏面から照明できるようになっている。
上記搬送手段10の上方には、搬送されるカラーフィルタ基板16の上面に近接対向してマスクステージ11が配設されている。このマスクステージ11は、本発明のフォトマスク1を保持するものであり、中央部にてフォトマスク1のマスクパターン形成領域18(図5参照)に対応して開口部を形成して第1及び第2のマスクパターン4,5を透過した露光光がその下を通過するカラーフィルタ基板16面に到達できるようにしている。そして、図示省略の制御手段によって制御されて、矢印Aで示す搬送方向と略直交する方向に変位可能となっている。なお、本発明のフォトマスク1は、図1に示すように、第1及び第2の単位マスクパターン列7,8をカラーフィルタ基板16の搬送方向(矢印A方向)と略直交させてマスクステージ11に保持される。
上記マスクステージ11のフォトマスク1に紫外光P1を照射可能に光源12が設けられている。この光源12は、図示省略の制御手段によって制御されて紫外光P1を間欠放射するものであり、フラッシュランプやレーザ光源等である。
上記マスクステージ11と光源12との間には、コンデンサーレンズ13が設けられている。このコンデンサーレンズ13は、光源12から放射された紫外光P1を平行光にしてフォトマスク1に照射するものである。
そして、上記光源12、コンデンサーレンズ13及びマスクステージ11を含んで露光光学系19が構成されている。
上記搬送手段10の上方には、撮像手段14が設けられている。この撮像手段14は、露光光学系19の露光位置に対して、即ち図5に示すフォトマスク1の矢印Aと直交方向の中心線に対してカラーフィルタ基板16の搬送方向(矢印A方向)手前側へ距離D1だけ離れた位置を撮像するものであり、搬送手段10のステージ17の上面に平行な面内にて矢印A方向と略直交方向に多数の受光素子20を一直線状に並べたラインCCDカメラである。そして、カラーフィルタ基板16に設けられた例えば矢印A方向に平行な細線状のアライメントマーク22(図6参照)、矢印A方向と直交する細線状の露光開始基準マーク23(図6参照)及びピクセル等を撮像してその画像情報を図示省略の制御手段に送り、該制御手段によるフォトマスク1とカラーフィルタ基板16との位置合わせ及び光源12による紫外光P1の放射タイミングの制御を可能とさせている。また、撮像手段14は、同図に示すように、その中心位置がマスクステージ11に保持されたフォトマスク1の矢印A方向に平行な中心線に合致するように予め位置決め設定されており、図示省略の制御手段によって制御されてマスクステージ11と一体的に矢印Aと略直交方向に変位可能となっている。
上記搬送手段10のステージ17下側には、図4に示すように、撮像手段14に対向して照明手段15が設けられている。この照明手段15は、撮像手段14の撮像位置に可視光を照射するものであり、例えばハロゲンランプ等である。この場合、照明手段15の光照射方向前方に紫外線カットフィルタを設けて紫外線を遮断し、カラーフィルタ基板16の感光性樹脂が照明手段15の照明光により露光されるのを防止するとよい。
なお、露光装置は、撮像手段14と照明手段15とを上下反対に配置してもよい。また、露光装置は、上述したものに限られず、カラーフィルタ基板を一方向に一定速度で搬送しながら露光を行なうことを可能にしたものであれば如何なる露光装置であってもよい。
次に、このように構成された本発明のフォトマスク1を使用して行なう凸状パターンの形成方法について説明する。なお、ここでは、上記凸状パターンの露光を上記露光装置を使用して行なう場合について説明する。
先ず、露光装置のマスクステージ11上にフォトマスク1が集光レンズ6を形成した面を上にして第1及び第2の単位マスクパターン列7,8がカラーフィルタ基板16の搬送方向(矢印A方向)と略直交するように配置され固定される。
次に、感光性樹脂のフォトマスク1の第1のマスクパターン4に対応する部分の硬化反応が十分に進行し、且つ第2のマスクパターン5に対応する部分の硬化反応の進行が不十分となるように予め実験して確認された光源12の光量(パワー)及び照射時間並びにカラーフィルタ基板16の移動速度が図示省略の入力手段により設定される。
さらに、公知の手段により表面にネガ型の感光性樹脂を塗布したカラーフィルタ基板16が準備される。このカラーフィルタ基板16は、図6に示すように、全露光領域が第1露光領域21a、第2露光領域21b及び第3露光領域21cに予め分割設定されたものである。この場合、第1〜第3露光領域21a〜21cは、フォトマスク1のマスクパターン形成領域18の矢印A方向の幅D3(図5参照)に対応させて、幅がD3とされ、該幅方向に間隔D3で設定されている。また、カラーフィルタ基板16の中心線上にて上記第1〜第3露光領域21a〜21cの並び方向の一方端側には、同方向に略平行な細長状のアライメントマーク22と同方向に略直交する細長状の露光開始基準マーク23が形成されている。
このように形成されたカラーフィルタ基板16は、アライメントマーク22及び露光開始基準マーク23が形成された側の端部16aを搬送方向先頭側にして搬送手段10のステージ17上に載置される。そして、図4に示す矢印A方向に一定の速度で搬送される。同時に照明手段15が点灯され、撮像手段14による撮像が開始する。
カラーフィルタ基板16が撮像手段14の下側に達すると、撮像手段14はカラーフィルタ基板16のアライメントマーク22、露光開始基準マーク23及びピクセル等の各パターンを撮像する。この場合、先ずアライメントマーク22が撮像され、この撮像画像の輝度変化に基づいてアライメントマーク22の矢印Aに略直交する方向の位置が検出される。そして、撮像手段14に予め設定された基準位置、例えば中心位置と上記アライメントマーク22の検出位置との距離が演算され、該距離が所定値となるように撮像手段14とマスクステージ11とが一体的に矢印Aで示す搬送方向と略直交方向に変位される。これにより、カラーフィルタ基板16とフォトマスク1とが位置合わせされる。
さらにカラーフィルタ基板16が移動して露光開始基準マーク23が撮像手段14によって撮像されると、この撮像画像の輝度変化から上記露光開始基準マーク23の例えば搬送方向先頭側の縁部が検出される。同時に搬送手段10に備えた位置センサーの出力に基づいて、ステージ17の位置が検出され、該位置を基準にしたステージ17の移動距離の計測が開始される。
撮像手段14により上記露光開始基準マーク23の搬送方向先頭側の縁部が検出されてから、カラーフィルタ基板16が距離(D1+D2)だけ移動すると、カラーフィルタ基板16の第1露光領域21aがフォトマスク1の下側にてマスクパターン形成領域18に合致することになる。このとき、図示省略の制御手段によって制御されて光源12が所定時間だけ点灯され、光源12から紫外光P1が放射される。
上記紫外光P1は、図7に示すように、フォトマスク1の上面に照射する。このとき、同図(a)に示すように、第1のマスクパターン4に照射した紫外光P1は、集光レンズ6によって例えばカラーフィルタ基板16のブラックマトリクス24上の所定位置に集められ、露光光P2として該位置の感光性樹脂25を露光する。
一方、図7(b)に示すように、第2のマスクパターン5に照射した紫外光P1は、該第2のマスクパターン5をそのまま透過し、露光光P2として第2のマスクパターン5に対応するピクセル26上の感光性樹脂25を露光する。
この場合、第1のマスクパターン4を透過した露光光P2は、集光レンズ6によって集光されたものであるため、第2のマスクパターン5をそのまま透過した露光光P2に比べて照射エネルギーが高い。逆に言えば、第2のマスクパターン5を透過した露光光P2は、第1のマスクパターン4を透過した露光光P2よりも照射エネルギーが低い。したがって、感光性樹脂25の第1のマスクパターン4に対応する部分の硬化反応が十分に進行した状態であっても、第2のマスクパターン5に対応する部分の硬化反応は不十分なものとなる。
引き続いて、カラーフィルタ基板16が距離D3だけ矢印A方向に移動すると、第2露光領域21bがフォトマスク1の下側にてマスクパターン形成領域18に合致することになる。このとき、図示省略の制御手段によって制御されて光源12が所定時間だけ点灯され、光源12から紫外光P1が放射される。そして、上述と同様に、感光性樹脂25の第1のマスクパターン4に対応した部分及び第2のマスクパターン5に対応した部分が露光される。
さらに、カラーフィルタ基板16が距離D3だけ矢印A方向に移動すると、第3露光領域21cがフォトマスク1の下側にてマスクパターン形成領域18に合致し、該第3露光領域21cの第1のマスクパターン4に対応した部分及び第2のマスクパターン5に対応した部分の感光性樹脂25が露光される。
このようにして、カラーフィルタ基板16の全露光領域に対する露光が終了すると、カラーフィルタ基板16の感光性樹脂25は、所定の現像液により所定時間だけ現像される。このとき、第1のマスクパターン4の照射エネルギーに対する第2のマスクパターン5の照射エネルギーを1/m(mは1以上の正の数)とすると、第1のマスクパターン4の露光量に対する第2のマスクパターン5の露光量は1/mとなる。したがって、感光性樹脂25の特質により、図8に示すように、感光性樹脂25の硬化反応が十分に進行した第1のマスクパターン4に対応した部分は、現像液に殆ど溶解せず塗布膜厚に略等しい高さのスペーサ27が形成される。また、感光性樹脂25の硬化反応の進行が不十分な第2のマスクパターン5に対応した部分は、硬化反応の進行状態に応じて一部が現像液に溶解し、上記スペーサ27よりも高さの低い配向制御用リブ28が形成される。
図9は本発明のフォトマスク1の第2の実施形態を示す平面図である。
このフォトマスク1は、間隔Lで並んだ複数の第1の単位マスクパターン列7の列間に間隔3Lで第2の単位マスクパターン列8が形成されたものである。
このように構成された第2の実施形態のフォトマスク1を使用した露光は、カラーフィルタ基板16をフォトマスク1に対向して配置し、第1の単位マスクパターン列7と交差する方向に一定速度で移動させ、カラーフィルタ基板16が第1の単位マスクパターン列7の列間隔Lと等しい距離だけ移動する毎に光源12から紫外光P1を放射し、カラーフィルタ基板16に露光光P2を照射して行なう。
これにより、例えば図9に示すフォトマスク1においては、第1の単位マスクパターン列7は14回の多重露光が実行され、第2の単位マスクパターン列8は5回の多重露光が実行されることになる。この場合、第1の単位マスクパターン列7の照射エネルギーに対する第2の単位マスクパターン列8の照射エネルギーを1/m(mは1以上の正の数)とすると、第1の単位マスクパターン列7の露光量に対する第2の単位マスクパターン列8の露光量は5/(14m)となり、両者の露光量の差を第1の実施形態よりも大きくすることができる。したがって、より高さの低い配向制御用リブ28を形成することができる。
なお、第1の単位マスクパターン列7及び第2の単位マスクパターン列8の列数をそれぞれ適宜に設定することにより、配向制御用リブ28の高さを略任意に設定することができる。この場合、スペーサ27の高さは、感光性樹脂25の塗布膜厚によって決まる。
上記第2の実施形態においては、間隔Lで並んだ第1の単位マスクパターン列7の列間に間隔3Lで第2の単位マスクパターン列8を形成した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、第2の単位マスクパターン列8は間隔nL(nは2以上の整数)で形成されていればよい。又は、第2の単位マスクパターン列8は、一定間隔で形成される必要はなく、第1の単位マスクパターン列7の列間の少なくとも一つに形成されていればよい。
以上の説明においては、カラーフィルタ基板16を矢印A方向に一定速度で搬送する場合について述べたが、本発明はこれに限られず、第1の実施形態のフォトマスク1を使用した露光においては、カラーフィルタ基板16と上記フォトマスク1とを相対的にカラーフィルタ基板16面に平行な面内を所定距離だけステップ移動させ、カラーフィルタ基板16面に予め分割設定された複数の露光領域を順次露光するようにしてもよい。また、第2の実施形態のフォトマスク1を使用した露光においては、カラーフィルタ基板16を上記フォトマスク1に対して相対的にフォトマスク1の面に平行な面内にて第1の単位マスクパターン列7と交差する方向に該第1の単位マスクパターン列7の列間隔Lと等しい距離だけ順次ステップ移動し、その都度露光光を照射するようにしてもよい。
また、以上の説明においては、基板がカラーフィルタ基板16である場合について述べたが、本発明はこれに限られず、高さの異なる複数種の凸状パターンを形成しようとする基板であれば如何なるものであってもよい。
本発明によるフォトマスクの第1の実施形態を示す平面図であり、(a)は全体を示し、(b)は一部を拡大して示している。 図1(b)のX−X線断面図である。 上記フォトマスクに備える集光レンズの他の形成例を示す図1(b)のX−X線断面図である。 本発明のフォトマスクを使用する露光装置の概略構成を示す正面図である。 上記露光装置において、フォトマスクと撮像手段との関係を示す説明図である。 上記露光装置において使用するカラーフィルタ基板の概要図である。 本発明のフォトマスクを使用した露光を示す説明図であり、(a)は第1のマスクパターンの露光を示し、(b)は第2のマスクパターンの露光を示している。 本発明のフォトマスクを使用した露光の結果形成される凸状パターンについて示す説明図である。 本発明のフォトマスクの第2の実施形態を示す平面図である。
符号の説明
1…フォトマスク
2…ガラス基板
3…不透明膜
4…第1のマスクパターン(一のマスクパターン)
5…第2のマスクパターン(他のマスクパターン)
6…集光レンズ
7…第1の単位マスクパターン列
8…第2の単位マスクパターン列
16…カラーフィルタ基板
25…感光性樹脂
27…スペーサ(凸状パターン)
28…配向制御用リブ(凸状パターン)

Claims (10)

  1. 基板上に塗布された感光性樹脂を露光して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成するためのフォトマスクであって、
    透明なガラス基板の一面を覆って形成された不透明膜に多数形成され、前記複数種の凸状パターンに対応した開口を有して紫外光を透過させる複数種のマスクパターンと、
    前記複数種のマスクパターンのうち前記複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための一のマスクパターンに対応して前記ガラス基板に形成された集光レンズと、
    を備えたことを特徴とするフォトマスク。
  2. 前記複数種のマスクパターンは、同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成されたことを特徴とする請求項1記載のフォトマスク。
  3. 前記複数種のマスクパターンは、同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成されたことを特徴とする請求項1記載のフォトマスク。
  4. 基板上に塗布された感光性樹脂を露光して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成する方法であって、
    透明なガラス基板の一面を覆って形成された不透明膜に多数形成され、前記複数種の凸状パターンに対応した開口を有して紫外光を透過させる複数種のマスクパターンと、前記複数種のマスクパターンのうち前記複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための一のマスクパターンに対応して前記ガラス基板に形成された集光レンズと、を備えたフォトマスクを前記基板に対向して配置し、前記フォトマスクの上方から所定の光量で所定時間だけ紫外光を照射し、前記複数種のマスクパターンを透過したそれぞれ異なる照射エネルギーの露光光により前記感光性樹脂を露光する段階と、
    前記露光された感光性樹脂を所定時間だけ現像して前記高さの異なる複数種の凸状パターンを形成する段階と、
    を行なうことを特徴とする凸状パターン形成方法。
  5. 前記感光性樹脂を露光する段階には、前記複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成された前記フォトマスクを配置し、前記基板を前記単位マスクパターン列と交差する方向に一定速度で移動させ、前記基板面にその移動方向に予め分割設定された複数の露光領域が前記フォトマスクの下側を順次通過するのに同期して前記露光光を照射することを特徴とする請求項4記載の凸状パターン形成方法。
  6. 前記感光性樹脂を露光する段階には、前記複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列と他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列とを所定間隔で交互に複数列並べて構成された前記フォトマスクを配置し、前記基板を前記フォトマスクに対して相対的に前記フォトマスクの面に平行な面内を所定距離だけステップ移動させ、そのステップ移動に同期して前記露光光を照射して前記基板面に予め分割設定された複数の露光領域を順次露光することを特徴とする請求項4記載の凸状パターン形成方法。
  7. 前記感光性樹脂を露光する段階には、前記複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成された前記フォトマスクを配置し、前記基板を前記単位マスクパターン列と交差する方向に一定速度で移動させ、前記基板が前記一のマスクパターンの単位マスクパターン列の列間隔と等しい距離だけ移動する毎に前記露光光を照射することを特徴とする請求項4記載の凸状パターン形成方法。
  8. 前記感光性樹脂を露光する段階には、前記複数種のマスクパターンが同種のパターンを略一直線状に並べて単位マスクパターン列とし、前記一のマスクパターンを構成する複数の単位マスクパターン列を所定間隔で複数列並べて形成し、該複数の単位マスクパターン列の列間の少なくとも一つに他のマスクパターンを構成する単位マスクパターン列を形成して構成された前記フォトマスクを配置し、前記基板を前記フォトマスクに対して相対的に前記フォトマスクの面に平行な面内にて前記単位マスクパターン列と交差する方向に前記一のマスクパターンの単位マスクパターン列の列間隔と等しい距離だけ順次ステップ移動し、その都度前記露光光を照射することを特徴とする請求項4記載の凸状パターン形成方法。
  9. 前記露光の光量及び照射時間は、前記感光性樹脂の前記一のマスクパターンに対応する部分の硬化反応が十分に進行し、且つ他のマスクパターンに対応する部分の硬化反応の進行が不十分となるように設定されたことを特徴とする請求項4〜8のいずれか1項に記載の凸状パターン形成方法。
  10. 前記基板は、カラーフィルタ基板であり、前記複数種の凸状パターンのうち前記高さの最も高い凸状パターンはセルギャップを制御するスペーサで、他の凸状パターンは液晶分子の配向を制御する配向制御用リブであることを特徴とする請求項4〜9のいずれか1項に記載の凸状パターン形成方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277900A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 V Technology Co Ltd 露光装置及びフォトマスク
CN102650820A (zh) * 2011-10-31 2012-08-29 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜架及光固化方法
CN101968606B (zh) * 2009-07-27 2013-01-23 北京京东方光电科技有限公司 掩膜基板和边框胶固化系统
CN103885296A (zh) * 2014-02-21 2014-06-25 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种掩模板、曝光方法和曝光设备
TWI447515B (zh) * 2007-10-11 2014-08-01 Omnivision Tech Inc 微機電微快門陣列、成像模組及用於形成影像之方法
JP2014174257A (ja) * 2013-03-07 2014-09-22 Hoya Corp マイクロレンズを備えるフォトマスク
TWI477893B (zh) * 2011-07-06 2015-03-21 Univ Nat Cheng Kung 光罩之製造方法
CN113534600A (zh) * 2021-06-28 2021-10-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 暗场图形的辅助图形及其设计方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02211451A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Toshiba Corp 露光マスク,露光マスクの製造方法及びこれを用いた露光方法
JPH0320733A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp ホトマスク
JPH06148861A (ja) * 1992-11-13 1994-05-27 Sharp Corp フォトマスク及びその製造方法
JPH06250378A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Nikon Corp 露光方法及び該露光方法で使用されるフォトマスク
JPH0815848A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Nec Kyushu Ltd フォトレチクル
JPH09304917A (ja) * 1996-05-14 1997-11-28 Nikon Corp 露光方法
JPH11248921A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Toray Ind Inc カラーフィルター及びこれを用いた液晶表示装置
JP2000258916A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Sakae Tanaka 大型基板用露光装置
JP2007178649A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスク
JP2007183591A (ja) * 2005-12-05 2007-07-19 Dainippon Printing Co Ltd マスクブランクおよび階調マスク

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02211451A (ja) * 1989-02-13 1990-08-22 Toshiba Corp 露光マスク,露光マスクの製造方法及びこれを用いた露光方法
JPH0320733A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp ホトマスク
JPH06148861A (ja) * 1992-11-13 1994-05-27 Sharp Corp フォトマスク及びその製造方法
JPH06250378A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Nikon Corp 露光方法及び該露光方法で使用されるフォトマスク
JPH0815848A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Nec Kyushu Ltd フォトレチクル
JPH09304917A (ja) * 1996-05-14 1997-11-28 Nikon Corp 露光方法
JPH11248921A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Toray Ind Inc カラーフィルター及びこれを用いた液晶表示装置
JP2000258916A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Sakae Tanaka 大型基板用露光装置
JP2007183591A (ja) * 2005-12-05 2007-07-19 Dainippon Printing Co Ltd マスクブランクおよび階調マスク
JP2007178649A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスク

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI447515B (zh) * 2007-10-11 2014-08-01 Omnivision Tech Inc 微機電微快門陣列、成像模組及用於形成影像之方法
JP2009277900A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 V Technology Co Ltd 露光装置及びフォトマスク
CN101968606B (zh) * 2009-07-27 2013-01-23 北京京东方光电科技有限公司 掩膜基板和边框胶固化系统
TWI477893B (zh) * 2011-07-06 2015-03-21 Univ Nat Cheng Kung 光罩之製造方法
CN102650820A (zh) * 2011-10-31 2012-08-29 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜架及光固化方法
CN102650820B (zh) * 2011-10-31 2014-02-26 北京京东方光电科技有限公司 一种掩膜架及光固化方法
JP2014174257A (ja) * 2013-03-07 2014-09-22 Hoya Corp マイクロレンズを備えるフォトマスク
CN103885296A (zh) * 2014-02-21 2014-06-25 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种掩模板、曝光方法和曝光设备
CN113534600A (zh) * 2021-06-28 2021-10-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 暗场图形的辅助图形及其设计方法

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