JP2000258916A - 大型基板用露光装置 - Google Patents

大型基板用露光装置

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JP2000258916A
JP2000258916A JP11115306A JP11530699A JP2000258916A JP 2000258916 A JP2000258916 A JP 2000258916A JP 11115306 A JP11115306 A JP 11115306A JP 11530699 A JP11530699 A JP 11530699A JP 2000258916 A JP2000258916 A JP 2000258916A
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photomask
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light beam
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Sakae Tanaka
栄 田中
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 アクティブマトリックス型液晶表示装置を構
成するカラーフィルター基板や薄膜トランジスタ基板を
製造する時に用いる露光装置で、装置コストが安く、メ
ンテナンスがしやすい簡単な光学系でつなぎめのない大
画面露光を実現する。 【構成】たがいに向きあうように1対のプリズムを配置
した光学系を複数組組み合わせた光学系において、ホト
マスクに垂直に光が入射するようにし、ホトマスクにマ
イクロレンズ機能を持たせたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は大画面アクティブマトリ
ックス型液晶表示素子を製造する露光装置に関するもの
であり、PDPや、プリント基板の製造にも利用でき
る。
【0002】
【従来の技術】従来のアクティブマトリックス型液晶表
示素子の露光には、ステッパーが用いられており大画面
の表示素子を製造する場合図1にあるように多数の露光
レンズをならべそれぞれの露光レンズには、それぞれの
光源を必要としていた。露光する場合には、光源とレン
ズは固定しておきホトマスクとガラス基板の両方を同時
に同一スピードで移動させていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図1,図2にあるよう
に、従来のステッパー方式の露光装置では、露光レンズ
の本数が多くなり装置価格が高くなり投資効率の点で問
題となっていた。複数本の露光レンズの性能(倍率、
歪)をあわせこむことは非常に大変であり、複数の光源
の光量を常に等しくあわせこみ、長時間維持することは
さらにむずかしいことである。光量やレンズ性能に差が
ある場合、スキャン方向に平行に露光ムラが発生し、表
示ムラの原因となっていた。
【0004】 従来の露光装置は調整パラメーターが多
く、メンテナンスがむずかしく安定動作時間が短かく稼
働率が低くかった。さらにホトマスク基板とガラス基板
を吸着した重量のおもいステージを同時に両方とも同期
させて移動露光させなければならないために、装置が動
作する時に大きな振動が発生しやすく、高速スキャンす
ることができなかった。
【0005】 ホトマスク基板が大型になるとホトマス
クの自重によるたわみが発生するので大地に対して水平
にホトマスク基板を配置することができなくなります。
この対策として大地に対してホトマスク基板とガラス基
板を吸着したステージを垂直にたてた構造を採用してい
るが、従来の露光装置では、光源を複数個垂直につみあ
げなければならず、装置内部の気流のコントロールを十
分におこなわないと、上部の光源の方に熱が集中し、温
度差が大きくなってしまい熱膨張の差による歪が発生
し、アライメントやフォーカスがずれるトラブルが多発
しやすかった。
【0006】 カラーフィルター用としては、大型のプ
ロキシミティーモードの露光装置が実用化されているが
解像度は最高でも10μmが限界であり、この時のプロ
キシミティーギャップ(ホトマスクとガラス基板のすき
まの距離)は、最高でも50μmまでであった。プロキ
シミティーギャップが小さいと、ホトレジストの異物が
ホトマスクに付着し、マスクパターンの欠陥の原因とな
る歩溜りをいちじるしく低下させていた。
【0007】 本発明は、これらの課題を解決する手段
を提供するもので、その目的とするところは、大型液晶
表示装置の製造工場の投資効率を高め大型液晶表示装置
を安価に、歩溜りよく、製造できる方法を提供すること
にある。
【0008】
【課題を解決するための手段】 前記課題を解決し、上
記目的を達成するために本発明では、以下の手段を用い
る。
【0009】 ガラス基板を吸着するステージと前記ス
テージに水平に対向しているホトマスクから構成される
露光装置において 〔手段1〕露光・光線が帯状の平行光線からなり、ホト
マスクに平行に入射した後、45度反射ミラー光学系に
より、帯状平行光線の進行方向が90度曲がりホトマス
クに垂直に入射するようにする。
【0010】〔手段2〕手段1に記載した露光装置にお
いて、45度反射ミラーをホトマスクに対して平行に移
動させることによりホトマスクのパターンをガラス基板
全面に露光する。
【0011】〔手段3〕手段1に記載した露光装置にお
いて、対向プリズム型光学系を用い帯状平行光線をつく
った後に45度反射ミラー光学系で帯状平行光線の進行
方向を90度曲げ、ホトマスクに垂直に入射させる。
【0012】〔手段4〕手段1に記載した露光装置にお
いて、コリメーターレンズ光学系のシリンドリカルレン
ズの円柱軸方向と紫外線レーザー発振器のレーザービー
ムの長軸方向とが同じ方向になるように配置する。
【0013】〔手段5〕手段1に記載した露光装置にお
いて、1台の紫外線レーザー発振器から発生したレーザ
ー光をハーフミラーを用いて2本以上の帯状平行光線に
分離し、45度反射ミラーを用いて、それぞれの帯状平
行光線をホトマスクに対して垂直に入射させる。
【0014】〔手段6〕手段1に記載した露光装置にお
いて、ホトマスク基板とガラス基板を吸着したステージ
を水平面に対して垂直に配置し、45度反射ミラーをホ
トマスクに対して平行に移動させることにより、ホトマ
スクのパターンをガラス基板全面に露光する。
【0015】〔手段7〕手段6に記載した露光装置にお
いて、垂直に立てた2組のホトマスク基板とガラス基板
を吸着したステージを、たがいに平行に対向するように
配置し、その中央部を2つの45度反射ミラーが、ホト
マスク基板に平行に移動できるようにして、同時に2枚
のガラス基板を露光する。
【0016】〔手段8〕手段7に記載した露光装置にお
いて、垂直に立てられた互いに対向する2組のホトマス
クの中央部に2つの45度反射ミラーを配置する。そし
て1台の紫外線レーザー発振器から発生したレーザー光
をハーフミラーを用いて2本の帯状平行光線に分離し、
これらの帯状平行光線を2つの45度反射ミラーにあて
て2つの対向するホトマスクに2つの帯状平行光線が垂
直に入射するようにする。
【0017】〔手段9〕手段1に記載した露光装置にお
いて、ホトマスク基板をチェンバーの窓わくに設置し、
密閉空間を作り内部の圧力を大気圧よりも低圧に設定
し、大気圧の変化に対応してチェンバー内部の圧力を変
化できるようにする。
【0018】〔手段10〕手段9に記載した露光装置に
おいて、前記チェンバー内部に、45度反射ミラー光学
系を設置し、ホトマスク基板に対して平行に移動できる
ようにする。
【0019】〔手段11〕手段1,2に記載の露光装置
において、ホトマスク基板のマスクパターンの画素ピッ
チに対して、45度反射ミラーの移動ピッチを1/n倍
(nは1以上の整数)とした。
【0020】〔手段12〕手段1,2に記載の露光装置
において、紫外線パルスレーザー発振を、45度反射ミ
ラーの走査に同期させ、45度反射ミラーの1ステップ
に対してm個(mは1以上の整数)のパルスレーザー光
を発振させる。
【0021】〔手段13〕手段1,2に記載の露光装置
において、アクティブマトリックス素子の走査信号配線
を露光する場合、走査信号配線の1本、または、複数本
を同時に露光できるように走査信号配線と帯状の平行露
光光線の長軸方向とが平行になるようにホトマスク基板
と45度反射ミラーを配置する。
【0022】〔手段14〕手段1,2に記載の露光装置
において、アクティブマトリックス素子の映像信号配線
を露光する場合、映像信号配線の1本、または、複数本
を同時に露光できるように、映像信号配線と帯状の平行
露光光線の長軸方向とが平行になるようにホトマスク基
板と45度反射ミラーを配置する。
【0023】〔手段15〕手段1,2に記載の露光装置
において、薄膜トランジスタ素子の部分は、帯状平行光
線の境界領域で露光されないように、帯状ステップ露光
領域を、ホトマスクの画素ピッチの整数倍の幅の帯とし
た。
【0024】〔手段16〕手段1,2に記載の露光装置
において、ポリゴン回転ミラー光学系を用いてスポット
平行光線をホトマスクに垂直に入射させ、回転ミラー走
査方向の周期にあわせて、紫外線パルスレーザーの発振
パワーを変調同期させた。
【0025】〔手段17〕手段1に記載の露光装置にお
いて、光がホトマスクを透過する領域のホトマスク基板
の屈折率を大きくすることで、マイクロレンズを形成
し、ホトマスクに垂直に入射した露光光線がホトマスク
のマイクロレンズにより収束され、ステージに吸着され
たガラス基板上で焦点を結ぶようにする.
【0026】〔手段18〕手段17に記載のホトマスク
において、光をしゃ断するマスク材質として、Cr\T
i,Cr\Ta,Cr\Zr,Cr\Nb,Cr\Si
Nxの2層膜を使う。
【0027】〔手段19〕手段1,2に記載の露光装置
において、45度反射ミラー光学系の1ステップ移動距
離よりも、帯状平行光線の短軸幅の方を2倍以上大きく
した。
【0028】〔手段20〕手段1,2に記載の露光装置
において、帯状平行光線の短軸側の光量減衰幅が、45
度反射ミラー光学系の1ステップの移動距離よりも、大
きくなるようにした。
【0029】
【作用】図1,図2にあるように従来のステッパー方式
の露光装置では、露光レンズの本数が多くなり装置価格
が高くなり投資効率の点で問題となっていたが手段1か
ら10までと、手段16を用いることで紫外線レーザー
と簡単な光学系で大画面露光装置が実現でき装置価格を
安くすることができ投資効率を改善できる。
【0030】 さらに図1のような従来型の露光装置で
は複数本の光源の光量を常に等しくあわせこみ長時間維
持することは非常にむずかしいことであったが、手段1
から10までと、手段16を用いる場合光源は1個で十
分であるためこのような問題は発生しない。ハーフミラ
ーで露光領域を複数か所にふやした場合でももとの光源
は1個であるため光源の光量が減少してきても1つの光
源の調整だけですむ。調整が簡単で短時間でおわるため
装置の稼働率が大幅に向上する。
【0031】 従来のような複数本のレンズステッパー
方式では、それぞれの複数個の光源の光量やレンズの性
能に差が生じた場合、スキャン領域ごとに露光ムラが発
生し、表示ムラの原因となっていた。手段11から15
と手段19,手段20を用いることで紫外線パルスレー
ザーのパルス光量ムラによる露光ムラを防止することが
でき表示ムラの発生をおさえることができる。
【0032】 従来の露光装置では、光源と露光レンズ
を固定し、ホトマスク基板と、ガラス基板を吸着した重
量のおもいステージを同時に同じ方向に移動させる方式
を採用していたため、装置の動作中に振動が発生した
り、装置のフレームがゆがんだりする問題が発生した
し、高速スキャンをすることができないため露光時間が
長くかかる欠点があった。手段1から10を用いること
で、重量の軽い45度反射ミラーだけを平行移動するだ
けになり高速スキャンが可能となった。そして高速スキ
ャンをしても装置の振動や、ゆがみも発生しにくくなっ
た。
【0033】 図1にあるような従来の露光装置では、
ホトマスクを水平に配置した場合、ホトマスクの自重の
ためにたわみが発生しフォーカスを全面であわせること
ができなくなるのでホトマスクを水平面に対して垂直に
配置する構造を採用してきた。この場合光源が複数個垂
直につみあがることになり装置内部の温度コントロール
が、非常にむずかしくなり、熱膨張の差によるアライメ
ントズレやフォーカスのズレが発生しやすかった。手段
1から10までと、手段16を用いることでこのような
問題は発生しなくなる。特に手段9と10を用いること
でホトマスクを水平に配置してもホトマスクの自重によ
るたわみを防止できるので露光装置の設計の自由度が大
幅に向上した。そのためアライメント精度を向上するた
めの機構設計がやりやすくなった。ガラス基板の搬送系
の機構も非常に簡単になり装置トラブルの発生も激減で
きた。
【0034】 カラーフィルター用やプリント回路基板
用の露光装置には、プロキシミティーモードの方式が用
いられているが解像度を10μm程度まであげる場合、
プロキシミティーギャップを50μm以下に設定しなけ
ればならずホトマスクにホトレジストの異物が付着する
問題が多発していた。手段1から10までと、手段16
と手段17,手段18を用いることで、プロキシミティ
ーギャップを100μm以上大きくしても解像度を10
μm程度あげることが可能となり、ホトマスクにホトレ
ジストの異物が付着しなくなるので製造歩留りが大幅に
向上する。ホトマスクの寿命も長くなるしホトマスクの
交換回数も減少するので装置の稼働率が向上する。
【0035】
【実施例】〔実施例1〕図3,図6は、本発明の第1の
実施例の平面図と断面図である。紫外線レーザーは、
パルス発振タイプのものでもエキシマレーザーでもよい
し、第2高調波を使用した連続発振タイプのものでもど
ちらでも良い。アッテネーターにより光量を調整して
から収束用シリンドリカルレンズを用いてビーム幅を
拡張して目的の幅までひろげる。この途中にビーム形状
を整形するためのトリミング装置▲10▼を設置する。
コリメーター用シリンドリカルレンズ▲11▼を用いて
帯状の平行光線を作る。図3の▲A▼の部分の光量分布
は図4のようであるが、対向ダブルプリズム▲12▼に
より光量は平均化され図5のような分布となる。帯状平
行光線の長軸方向は図5のように均一光量分布となった
後ホトマスクに平行に進行する。ホトマスクに平行
に配置された45度反射ミラーによって帯状平行光線は
進行方向を90度曲げられホトマスクとガラス基板
に対して垂直に入射することになる。45度反射ミラー
は、すこし紫外線を透過するようにしておき、このわず
かに透過した光を光量センサー▲56▼で計測して平行
光線光量の安定度をリアルタイムで補正できるようにし
てある。光量センサー▲56▼は、1個でも良いが複数
個設置して帯状平行光線の長軸方向の光量変化も計測で
きるようにすることも可能である。本発明では45度反
射ミラー▲14▼をホトマスクに平行に移動させる機構
を採用しているが、45度反射ミラー▲14▼を固定し
ておきホトマスクとガラス基板とステージ▲15▼
を移動させて全面露光する方式も実用化可能である。図
23は、45度反射ミラー▲14▼をホトマスクに平行
に移動しながら露光する本発明の露光平面図である。
【0036】〔実施例2〕図7,図8,図9は、第2の
実施例の断面図である。紫外線レーザービームの本数を
多数本化し露光時間の短縮化をはかった光学系の断面図
である。2台の紫外線レーザービームを同じ方向から入
射させたのが図7で、反対方向から入射させたのが図8
である。図9は、1台のレーザービームをハーフミラー
を用いて2本に分離したものである。図10のような反
射ミラーを用いて複数本のビームを作り出すことも可能
である。
【0037】〔実施例3〕図12,図13,図14,図
20は第3の実施例の平面図と断面図である。レーザー
ビームの光量を正確に2等分したものが図12と図13
であり、図14,図20は、2台のレーザービームを用
いたもので2台のレーザービーム光量を等しくしたもの
である。1枚のガラス基板に偶数個の表示パネルを形成
する場合に使用する装置である。図12と図14は2つ
の45度反射ミラーを使用しているが図20は1つの4
5度反射ミラーを使用している。45度反射ミラーに光
量センサーを複数個つけることで2台のレーザービーム
光量の変化をリアルタイムで計測し発振パワーを常にコ
ントロールすることで常に等しい光量で露光することが
可能である。
【0038】〔実施例4〕図16は、第4の実施例の平
面図である。ポリゴンミラー▲36▼によって走査され
たスポットレーザービームはコリメーターレンズ▲11
▼によって平行光線となり45度反射ミラー▲14▼に
入射しホトマスクに垂直に入射する。この方式の場合
露光時間が長くなる欠点があるがレーザーの発振周波
数があがればポリゴンミラーの走査速度をあげることが
できる。2個のレーザー光線をハーフミラーで合成して
発振のタイミングをずらすことで2倍の発振周波数を疑
似的に作り出すことも可能である。連続発振モードのレ
ーザー光を使用した第2高調波連続発振レーザー光なら
ばこのような問題は生じない。図16の、この光学系に
おけるビームスポット径の変化による単位面積あたりの
光量変化を補正するために図17にあるようにポリゴン
ミラー▲36▼の走査周期に同期させたレーザー発振の
パワー変調は必要となる。さらに正密度を上げるには4
5度反射ミラーの移動位置における単位面積あたりの光
量変化も補正する必要が出てくる。
【0039】〔実施例5〕図21は第5の実施例の平面
図である。図21は1台のレーザーから出た光をハーフ
ミラーで均等に分離した後45度反射ミラーを用いて互
いに向かいあったホトマスクに垂直にレーザー光を入射
させる露光装置の平面図である。ホトマスクとガラス基
板とステージ、45度反射ミラーのすべてが垂直に立て
られており装置の設置面積が少なくてすみ、同時に2枚
のガラス基板を露光できるので生産効率のすぐれた装置
となっている。1台のレーザーではなく、2台のレーザ
ーを用いることも可能である。
【0040】〔実施例6〕図18,図19は第6の実施
例の平面図である。図18は反射ミラータイプのコリメ
ーターレンズ▲38▼を用いたものであり、図19は、
反射ミラーを用いた対向プリズム系と同じ作用をもつ光
学系である。図19は、向きあった2組の反射ミラーを
用いているが、最初に反射ミラーを用いて次はプリズム
を用いる混合光学系でも同じ効果が得られる。帯状平行
光線の長軸方向の長さがmサイズに近い場合反射光学系
を用いた方が、安価でしかも軽量化がはかれる。
【0041】〔実施例7〕図22は第7の実施例の断面
図である。減圧チェンバー▲41▼内に45度反射ミラ
ーをホトマスクに対して平行に移動できるように配置し
てある。減圧チェンバーの底面部にホトマスクをはりつ
け減圧チェンバーの壁の一部として利用する。減圧チェ
ンバー▲41▼内部の圧力を調整することでホトマスク
が自重で下にたれさがったり水平になったり、上にそ
りあがったりします。露光装置で使用する場合、は、水
平になった状態か、ほんのすこし上にそりあがった状態
をチェンバー内の圧力を調整することで作りあげます。
レーザー計測機を用いることでホトマスクの状態をリ
アルタイムで測定可能です。クリーンルーム内の気圧も
常に一定ではないので圧力調整装置▲42▼で常にホト
マスクの状態を目的の状態となるようにたもつ必要が
あります。
【0042】〔実施例8〕図15は第8の実施例の断面
図である。マイクロレンズ効果を持ったホトマスクの断
面図です。ホトマスク用ガラス基板に屈折率の大きくな
る不純物を熱拡散法で拡散させることでマイクロレンズ
を形成したものです。不純物イオンの拡散防止層として
TiやTaやプラズマCVDで形成したシリコン窒化膜
(SiNx)が用いられます。これらの拡散防止膜は光
が透過しやすいために光をしゃ断するための膜としてC
r膜を拡散防止層とホトマスク基板用ガラスのあいだに
形成します。Cr単層膜、Ta単層膜だけでも作成可能
です。円柱レンズや円形レンズなどが作れます。マイク
ロレンズの光の透過する大きさに応じてレンズを形成す
る時の拡散時間を調整します。マイクロレンズを形成す
ると基板がすこし変形しますが実施例7の減圧チェンバ
ーを用いることでホトマスク基板の変形を補正すること
が可能です。
【0043】〔実施例9〕図11,図23,図24,図
25は、第9の実施例の平面図と、光量分布図である。
図3の光学系により作られた帯状平行光線は、図6,図
22にあるように45度反射ミラー▲14▼により直角
に曲げられ、ホトマスクに垂直に入射する。45度反
射ミラー▲14▼の移動ピッチは、図11にあるように
走査信号線を露光する場合ホトマスクの走査信号線のピ
ッチにあわせて移動させる。図11では45度反射ミラ
ー▲14▼の移動ピッチとホトマスクの走査信号線のピ
ッチを同じにしてあるが、45度反射ミラー▲14▼の
移動ピッチをホトマスクの走査信号線のピッチの1/n
に減少させても良い。(nは1以上の自然数)同様に映
像信号配線を露光する場合には、帯状平行光線の長軸と
映像信号配線が平行になるように配置し45度反射ミラ
ーをホトマスクの映像信号配線のピッチにあわせて移動
させる。45度反射ミラーの移動ピッチをホトマスクの
映像信号配線のピッチの1/nに減少させても良い。
(nは1以上の自然数)
【0044】 図25は、帯状平行光線の短軸方向の光
量分布図である。45度反射ミラー光学系の1ステップ
移動距離よりも帯状平行光線の短軸幅の方が2倍以上大
きくなっている。そして図24にあるように帯状平行光
線の短軸方向の光量減衰幅が45度反射ミラー光学系の
1ステップ移動距離よりも大きくなっている。減衰曲線
の形状にはできるだけなめらかな形状がのぞましい。4
5度反射ミラーの走査に同期させて紫外線パルスレーザ
ー発振のタイミングをあわせ、45度反射ミラーの1ス
テップに対してm個(mは1以上の自然数)のパルスレ
ーザー光を照射させるようにすることで、パルスレーザ
ー光の光量のバラツキを補正することができる。
【0045】
【発明の効果】本発明によれば簡単な光学系により安価
な大画面露光装置を作ることができる。装置の調整パラ
メーターも少なくメンテナンスも簡単になり稼働率が向
上する。ホトマスクの自重によるたわみを完全に防止で
きるのでホトマスクやステージを水平配置できる。アラ
イメント精度をあげるための機構設計の自由度が大幅に
ふえることにより装置の信頼性再現性を大幅に向上でき
る。帯状平行光線系を用いることで走査露光部の機構を
小型軽量化でき、露光時の振動、装置の歪を大幅に減少
できる.ホトマスクにマイクロレンズ加工をほどこすこ
とでプロキシミティーギャップを大きくすることがで
き、レジスト異物のホトマスクへの付着を大幅に減少で
きるので歩留を大幅に向上できる。さらに本発明の露光
装置を用いることでつなぎめの見えない大画面液晶パネ
ルを歩留りよく作れる。液晶表示パネルだけでなく、P
DPや、プリント基板の生産プロセスにも適用可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のマルチ・ステッパーレンズアレイ露光
装置の基本構成図
【図2】 従来のマルチ・ステッパーレンズアレイ露光
装置の露光図
【図3】 本発明の光量均一化平行光線光学系
【図4】 図3の▲A▼の部分での平行光線の光量分布
【図5】 図3の▲B▼の部分での平行光線の光量分布
【図6】 本発明の平行光線露光装置の横断面図
【図7】 本発明のマルチ平行光線露光装置の横断面図
【図8】 本発明の対向マルチ平行光線露光装置の横断
面図
【図9】 本発明のハーフミラーを用いたマルチ平行光
線光学系
【図10】 本発明のマルチ平行光線露光装置で用いら
れるハーフミラーの断面図。
【図11】 本発明の平行光線露光装置の露光図
【図12】 本発明の平行光線露光装置の分割同時露光
光学系の平面図
【図13】 本発明の平行光線露光装置の分割同時露光
光学系の横断面図
【図14】 本発明の平行光線露光装置の分割同時露光
光学系の平面図
【図15】 本発明のマイクロレンズ機能をもたせたホ
トマスクの断面図
【図16】 本発明のポリゴンミラーを用いた平行光線
露光装置の平面図
【図17】 本発明のポリゴンミラーを用いた露光装置
のレーザー変調発振パワー波形
【図18】 本発明の反射ミラーレンズを用いた平行光
線光学系
【図19】 本発明の反射プリズム光学系を用いた光量
均一化光学系の平面図
【図20】 本発明の2台の平行光線光学系を組み合せ
た露光装置の平面図
【図21】 本発明の縦型2枚同時露光装置の平面図
【図22】 本発明のホトマスク基板の彎曲防止機能付
平行光線露光装置の断面図
【図23】 本発明の帯状平行光線露光装置の露光図
【図24】 本発明の帯状平行光線の短軸側の光量減衰
曲線図
【図25】 本発明の帯状平行光線の短軸方向の光量分
布図
【符号の説明】
1……大型ホトマスク基板 2……ホトレジストがコートしてあるアクティブマトリ
ックス素子基板 3……等倍率正立実像投影レンズ 4……ホトマスク基板とアクティブマトリックス素子基
板の走査方向 5……1本の等倍率正立実像投影レンズが露光する領域 6……露光された領域 7……紫外線レーザー発振器 8……紫外線光量調整光学系 9……収束レンズ 10……紫外線ビーム形状調整光学系 11……平行化レンズ 12……対向ダブルプリズム 13……平行紫外線レーザー光 14……45度反射ミラー光学系 15……基板吸着ステージ 16……45度反射光学系水平移動機構部 17……追加された平行紫外線レーザー光 18……反対方向から入射してくる平行紫外線レーザー
光 19……45度反射ミラー光学系 20……ハーフミラー光学系 21……45度反射ミラー光学系 22……透過平行紫外線レーザー光 23……45°反射平行紫外線レーザー光 24……n番目露光領域 25……(n+1)番目露光領域 26……(n+2)番目露光領域 27……(n+3)番目露光領域 28……走査信号配線 29……映像信号配線 30……ホトマスク用ガラス基板 31……電解質拡散防止層 32……紫外光透過防止層 33……マイクロレンズ形成領域 34……ホトマスクとレジストがコートされた基板との
距離(ギャップ) 35……ネガレジスト 36……ポリゴン回転ミラー 37……紫外線レーザー光線を走査する周期に同期した
変調発振パワー波形 38……紫外線レーザー光平行化反射レンズ 39……対向反射プリズム 40……対向反射プリズム 41……減圧チェンバー 42……圧力調整機 43……減圧ポンプ 44……平行紫外光入射窓ガラス 45……減圧窒素ガス空間 46……垂直に配置された45°反射光学系 47……垂直に配置されたホトマスク基板 48……垂直に配置されたアクティブマトリックス素子
基板 49……垂直に配置されたステージ 50……帯状平行光線で露光された領域 51……45度反射ミラー光学系の走査方向 52……帯状平行光線の短軸幅 53……45度反射ミラー光学系の1ステップの移動距
離 54……帯状平行光線の短軸側の光量減衰幅 55……帯状平行光線の短軸幅 56……紫外線レーザー光強度モニター用センサー

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガラス基板を吸着するステージと前記ステ
    ージに平行に対向しているホトマスクから構成される露
    光装置において、露光光線が帯状の平行光線からなり、
    ホトマスクに平行に入射した後、45度反射ミラー光学
    系により、帯状平行光線の進行方向が90度曲がり、ホ
    トマスクに垂直に入射することを特徴とする露光装置
  2. 【請求項2】請求項1に記載の露光装置において、45
    度反射ミラーをホトマスクに対して平行に移動させるこ
    とによりホトマスクのパターンをガラス基板全面に露光
    することを特徴とする露光装置
  3. 【請求項3】請求項1に記載の露光装置において、対向
    ダブルプリズム型光学系を用いた帯状平行光線を特徴と
    する露光装置
  4. 【請求項4】請求項1に記載の露光装置において、コリ
    メーターレンズ光学系のシリンドリカルレンズの円柱軸
    方向と紫外線レーザー発振器のレーザービームの長軸方
    向とが同じ方向になるように配置したことを特徴とする
    露光装置
  5. 【請求項5】請求項1に記載の露光装置において、1台
    の紫外線レーザー発振器から発生したレーザー光をハー
    フミラーを用いて2本以上の帯状平行光線に分離し、4
    5度反射ミラーを用いてそれぞれの帯状平行光線をホト
    マスクに対して垂直に入射させることを特徴とする露光
    装置
  6. 【請求項6】請求項1に記載の露光装置において、ホト
    マスク基板とガラス基板を吸着したステージを水平面に
    対して垂直に配置し、45度反射ミラーをホトマスクに
    対して平行に移動させることにより、ホトマスクのパタ
    ーンをガラス基板全面に露光することを特徴とする露光
    装置
  7. 【請求項7】請求項6に記載の露光装置において、垂直
    に立てた2組のホトマスク基板とガラス基板を吸着した
    ステージをたがいに平行に対向するように配置し、その
    中央部を、2つの45度反射ミラーがホトマスク基板に
    平行に移動できるようにして、同時に2枚のガラス基板
    を露光することを特徴とする露光装置
  8. 【請求項8】請求項7に記載の露光装置において、垂直
    に立てられた互いに対向する2組のホトマスクの中央部
    に2つの45度反射ミラーを配置する。そして1台の紫
    外線レーザー発振器から発生したレーザー光を、ハーフ
    ミラーを用いて2本の帯状平行光線に分離し、これらの
    帯状平行光線を2つの45度反射ミラーにあてて2つの
    対向するホトマスクに2つの帯状平行光線が垂直に入射
    することを特徴とする露光装置
  9. 【請求項9】請求項1に記載の露光装置において、ホト
    マスク基板をチェンバーの窓わくに取りつけて密閉空間
    を作り、内部の圧力を大気圧よりも低圧に設定し大気圧
    の変化に対応してチェンバ内部の圧力も変化させ、常に
    ホトマスク基板が、ガラス基板を吸着したステージに対
    して平行になるようにしたことを特徴とする露光装置
  10. 【請求項10】請求項9に記載の露光装置において、4
    5度反射ミラー光学系が前記チェンバー内部に設置さ
    れ、ホトマスク基板に対して平行に移動できることを特
    徴とする露光装置
  11. 【請求項11】請求項1,2に記載の露光装置におい
    て、ホトマスク基板のマスクパターンの画素ピッチに対
    して、45度反射ミラーの移動ピッチを1/n倍(nは
    1以上の整数)としたことを特徴とす露光装置
  12. 【請求項12】請求項1,2に記載の露光装置におい
    て、紫外線パルスレーザー発振を、45度反射ミラーの
    走査に同期させ、45度反射ミラーの1ステップに対し
    てm個(mは1以上の整数)のパルスレーザー光を発振
    させた、ことを特徴とする露光装置
  13. 【請求項13】請求項1,2に記載の露光装置におい
    て、アクティブマトリックス素子の走査信号配線を露光
    する場合、走査信号配線の1本または複数本を同時に露
    光できるように走査信号配線と帯状の平行露光・光線の
    長軸方向とが平行になるようにホトマスク基板と45度
    反射ミラーを配置したことを特徴とする露光装置
  14. 【請求項14】請求項1,2に記載の露光装置におい
    て、アクティブマトリックス素子の信号配線を露光する
    場合、映像信号配線の1本または複数本を同時に露光で
    きるように映像信号配線と帯状の平行露光・光線の長軸
    方向とが平行になるように、ホトマスク基板と45度反
    射ミラーを配置したことを特徴とする露光装置.
  15. 【請求項15】請求項1,2に記載の露光装置におい
    て、薄膜トランジスタ素子の部分は、帯状平行光線の境
    界領域で露光されないように帯状ステップ露光領域をホ
    トマスクの画素ピッチの整数倍の幅の帯としたことを特
    徴とする露光装置.
  16. 【請求項16】請求項1,2に記載の露光装置におい
    て、ポリゴン回転ミラー光学系を用いたスポット平行光
    線をホトマスクに垂直に入射させ、回転ミラー走査方向
    の周期にあわせて、紫外線パルスレーザーの発振パワー
    を変調同期させたことを特徴とする露光装置
  17. 【請求項17】請求項1に記載の露光装置において、光
    がホトマスクを透過する領域のホトマスク基板の屈折率
    を大きくすることでマイクロレンズを形成し、ホトマス
    クに垂直に入射した露光光線がホトマスクのマイクロレ
    ンズにより収束されステージに吸着されたガラス基板上
    で焦点を結ぶことを特徴とする露光装置
  18. 【請求項18】請求項17に記載のホトマスクにおい
    て、ホトマスク材質としてCr\Ti,Cr\Ta,C
    r\SiNxの2層膜を使用したことを特徴とするホト
    マスク
  19. 【請求項19】請求項1,2に記載の露光装置におい
    て、45度反射ミラー光学系の1ステップ移動距離より
    も、帯状平行光線の短軸幅の方が2倍以上大きいことを
    特徴とする露光装置
  20. 【請求項20】請求項1,2に記載の露光装置におい
    て、帯状平行光線の短軸側の光量減衰幅が、45度反射
    ミラー光学系の1ステップの移動距離よりも大きいこと
    を特徴とする露光装置
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