KR100494442B1 - 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의제조방법 - Google Patents

하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의제조방법 Download PDF

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof

Abstract

본 발명은 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의 제조방법에 관한 것으로서, 이를 위하여 본 발명은 규화몰리브덴 타겟을 사용하여 마그네트론 반응성 스퍼터링 방법으로 불활성 가스인 아르곤 가스와 반응성 가스인 질소가스 및 메탄가스를 첨가하여 탄화질화규화몰리브덴(MoSiCN) 박막인 위상 시프트막을 형성하고, 이 위상 시프트막을 이용해 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토마스크를 제조하는 방법을 포함한다.
따라서, 본 발명은 미량의 메탄가스를 첨가하여 180도 위상 시프트에 필요한 박막 두께에서 투과율 조절이 용이해지고, 세정약품 및 레이저 광원에 장시간 노출할 때 신뢰성이 우수하므로 반도체 집적 회로의 미세화 및 고집적화에 적합한 위상 시프트막을 제작할 수 있는 효과를 제공하여 준다.

Description

하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의 제조방법{method for manufacturing of phase shift blank mask and photo-mask}
본 발명은 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 위상에 필요한 시프트 물질의 굴절률과 투과율 조절이 용이 하면서 신뢰성이 우수한 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 집적회로, TFT-LCD용 미세 패턴 형성에는 필수적으로 포토마스크(Photo-Mask)를 사용하는 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 종래의 바이너리(binary) 포토마스크는 세정한 투명기판에 차광막 및 반사방지막을 증착한 후, 전자빔 레지스터 또는 포토레지스트를 도포하여 일정한 패턴을 형성한 것이다.
블랭크 마스크는 위에서 상술한 포토마스크의 패턴을 형성하기 전의 상태를 가리킨다. 이러한 블랭크 마스크에는 정교한 디바이스의 패턴을 형성하기 위해서 노광장치의 광원으로부터 광선이 포토마스크를 통과하여 디바이스를 노광하고, 노광 후 반사되는 광선이 다시 포토마스크로 입사되는 것을 방지하기 위해 차광막 위에 반사방지막이 필요하다.
최근, 반도체 집적회로의 고집적화에 따른 설계 룰이 미세화 됨에 따라 미세패턴 형성에 사용되는 포토마스크의 패턴도 고정도의 미세화가 요구되고 있는 실정이다.
반도체 집적회로에서 보다 미세한 패턴을 형성하기 위해서는 높은 패턴의 해상도가 필요하다. 해상도를 높이기 위한 방법은 패턴 형성에 사용되는 광원의 파장을 짧게 하고 렌즈의 구경을 크게 하는 것이다.
그로 인해, 패턴의 해상도를 높이기 위해 광원의 파장이 g-line(436㎚), i-line(365㎚), KrF(248㎚), ArF(193㎚), F2(157㎚) 등으로 점점 더 짧게 되고, 렌즈 구경이 0.4, 0.5, 0.6, 0.7 등으로 점점 크게 되고 있다.
그런데, 광원의 파장을 짧게 하고 렌즈의 구경을 크게 하면 패턴의 해상도는 높일 수 있지만, 렌즈의 초점심도가 낮아 실용적인 패턴의 해상도를 얻는데 한계가 발생한다.
하프톤 위상 시프트 포토마스크는 기존의 바이너리(binary) 포토마스크 보다 패턴의 해상도를 높일 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 하프톤 위상 시프트 포토마스크의 광학적 특성이 도시된 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 하프톤 위상 시프트 포토마스크는 투명기판(1) 위에 투과율이 3~30%인 위상 시프트막(2)을 형성한다.
위상 시프트막(2)의 광학적 특성은 광원의 파장 길이에 따라 굴절률, 투과율 등이 달라진다. 따라서, 180도 위상 시프트 박막의 두께(d)는 아래 수학식 1에 의하여 결정된다.
여기서, d는 180도 위상차가 나타나는 위상 시프트 박막의 두께, λ는 사용하는 투과광의 파장길이, n은 위상 시프트막(2)의 굴절률이다.
이때, 사용하는 광원에서 굴절률(n)이 클수록 180도 위상 시프트에 필요한 박막 두께(d)가 적어 미세하고 균일한 패턴을 형성하는데 있어 유리하다. 또한, 위상 시프트막은 180도 위상이 시프트에 필요한 박막 두께(d)에서 3~30%의 투과율이 필요한데, 이 투과율은 아래 수학식 2에 의하여 결정된다.
여기서, T는 위상 시프트막(2)의 투과율, d는 180도 위상차가 나타나는 위상 시프트 박막의 두께, λ는 사용하는 투과광의 파장 길이, k는 위상 시프트막(2)의 흡수계수이다.
위의 수학식 1 및 수학식 2에서 알 수 있듯이, 위상 시프트막은 사용하는 광원의 파장 길이에 따라 투과율과 굴절률이 동시에 변화됨으로써 180도 위상차가 나타나는 위상 시프트막 두께에서 필요한 투과율을 정확하게 갖는 위상 시프트막을 형성하기가 어렵다.
도 2는 하프톤 위상 시프트 포토마스크와 바이너리 포토마스크의 해상도 차이를 비교한 도면이다.
도 2에 나타나 있듯이, 하프톤 위상 시프트 포토마스크는 위상 시프트막(2)을 투과한 광과 투과하지 않은 광의 위상차를 180도 반전함으로써 웨이퍼 위에 바이너리 포토마스크 보다 패턴의 해상도를 증가시켜 미세패턴을 형성할 수 있다.
위상 시프트막(2)의 재료는 주로 규화몰리브덴(MoSi)을 사용하고, 위상 시프트 박막은 규화몰리브덴 타겟을 사용하여 반응성 스퍼터링 방법으로 형성한다.
이러한 위상 시프트 박막은 아르곤(Ar) 가스와 질소 가스를 혼합하여 형성한 질화규화몰리브덴(MoSiN) 박막, 아르곤 가스와 일산화질소(NO) 또는 이산화질소(N2O)를 혼합하여 형성한 질화산화규화몰리브덴(MoSiON) 박막, 아르곤 가스와 이산화탄소(CO2)와 질소 가스를 혼합하여 형성한 탄화질화산화규화몰리브덴(MoSiCON) 박막을 사용한다.
위상 시프트 박막은 도 1에서 언급한 광원의 파장 길이에 따라 광학적 특성이 달라질 뿐만 아니라 규화몰리브덴(MoSi) 타겟의 혼합 조건과 스퍼터링 가스의 종류에 따라 박막의 광학적 특성이 결정된다.
위상 시프트 박막 중에서 질화규화몰리브덴(MoSiN) 박막은 질화산화규화몰리브덴(MoSiON) 박막 및 탄화질화산화규화몰리브덴(MoSiCON) 박막 보다 굴절률이 커서 180도 위상 시프트에 필요한 박막 두께(d)가 얇아져 미세패턴을 형성하는 것이 용이해진다.
또한, 질화규화몰리브덴(MoSiN) 박막은 황산과 같은 세정 약품으로 세정시 위상 시프트막의 투과율 및 위상 변화가 산화물이 포함된 질화산화규화몰리브덴(MoSiON) 박막이나 탄화질화산화규화몰리브덴(MoSiCON) 박막에 비해 적어 신뢰성이 높다는 장점이 있다.
그러나, 질화규화몰리브덴(MoSiN) 박막은 사용하는 광원에서 180도 위상 시프트 되는 박막 두께와 필요한 투과율을 동시에 조절하기 위해서는 제한된 범위에서 사용해야한다.
아르곤 가스와 일산화질소, 이산화질소, 이산화탄소 등의 산소가 포함되어 있는 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링 방법으로 위상 시프트막을 형성할 경우에, 위상 시프트막은 산화물의 첨가로 투과율은 증가하지만, 반대로 굴절률이 감소한다.
따라서, 산화물이 포함되어 있는 위상 시프트막은 산화물이 포함되지 않은 위상 시프트막에 비해 상대적으로 180도 위상 시프트 박막의 두께(d)가 두꺼워져서 미세패턴 형성에 있어 불리하며, 황산과 같은 세정약품으로 처리할 때 투과율 및 위상 변화가 크고, 레이저로 장시간 노광할 때도 투과율 및 위상 변화가 크므로 신뢰성이 떨어진다는 문제점이 있다. 또한, 산화물 첨가량에 따라 박막의 투과율과 굴절율의 변화가 심하여 질화규화몰리브덴(MoSiN) 박막과 같이 180도 위상 시프트 되는 박막 두께에서 필요한 투과율을 얻는데 있어서 어려운 단점이 있다.
본 발명은 위의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 산화물을 포함하지 않으면서도 미세패턴 형성에 필요한 투과율을 유지하며 굴절률이 큰 위상 시프트막을 사용함으로써 180도 위상 시프트막에 필요한 박막 두께를 줄이고, 위상 시프트막을 형성할 때 미량의 메탄가스의 양을 조절하며, 그로 인해 넓은 범위에서의 투과율과 굴절률에 대한 미세한 조절이 용이하며, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크의 제조방법의 특징은, a) 투명기판 위에 규화몰리브덴(MoSi) 타겟을 사용하여 아르곤 가스와 질소 가스, 메탄가스를 일정 비율로 혼합 사용함으로써 일정한 투과율과 위상변이를 갖는 위상 시프트막을 형성하는 단계; b) 상기 a) 단계에서 형성된 위상 시프트막 위에 크롬 타겟을 사용하고 아르곤 가스와 질소 가스, 메탄 가스를 일정 비율로 혼합 사용하여 차광막을 형성하는 단계; c) 상기 b) 단계에서 형성된 차광막 위에 아르곤 가스와 질소 가스, 이산화탄소 가스를 혼합한 가스나 아르곤 가스와 이산화질소, 일산화질소를 혼합한 가스 중에 하나를 선택 사용하여 반사방지막을 형성하는 단계; 및 d) 상기 c) 단계에서 형성된 반사방지막 위에 레지스터를 도포하여 블랭크 마스크를 제조하는 단계를 포함한다.
상기 a) 단계에서 위상 시프트막 형성시 사용되는 가스의 혼합비는 아르곤 가스 : 질소 가스 : 메탄 가스가 5~80sccm:95~20sccm:0.1~10sccm의 비율을 갖는다. 상기 a) 단계에서 위상 시프트막은 투과율이 3~30%, 위상 변이가 180도이다.
상기 b) 단계에서 차광막 형성시 사용되는 가스의 혼합비는 아르곤 가스 : 질소 가스 : 메탄 가스가 50~80sccm:0~20sccm:0~10sccm의 비율을 갖는다. 상기 b) 단계에서 차광막 형성시 사용되는 크롬 타겟의 재질은 크롬(Cr), 크롬질화(CrN), 크롬탄화질화(CrCN) 중에서 어느 하나를 사용한다.
상기 c) 단계에서 반사방지막 형성시 아르곤 가스와 질소 가스, 이산화탄소 가스를 혼합한 가스를 50~80sccm:0~20sccm:0.1~10sccm의 비율로 사용하면 탄화산화크롬막(CrCO) 또는 탄화산화질화크롬막(CrCON)이 형성된다.
한편, 본 발명에 따른 하프톤 위상 시프트 포토 마스크의 제조방법의 특징은, a) 투명 기판 위에 아르곤 가스와 질소 가스, 메탄 가스를 혼합한 가스를 이용하여 형성된 위상 시프트막이 형성되고, 상기 위상 시프트막 위에 차광막, 반사방지막, 레지스터가 차례로 형성되어 있는 블랭크 마스크를 전자빔이나 광으로 노광 및 현상하여 패턴을 형성하는 단계; b) 상기 a) 단계에서 형성된 패턴을 이용하여 상기 차광막과 반사방지막, 위상 시프트막을 식각한 후, 패턴 형성에 사용된 레지스터를 제거하는 단계; c) 상기 b) 단계에서 레지스터가 제거된 블랭크마스크 위에 포토 레지스터를 도포한 후 노광하고, 정렬에 필요한 차광막 및 반사방지막만을 남기고 나머지 부분을 모두 식각하는 단계; 및 d) 상기 c) 단계에서 식각이 완료되면 포토마스크를 제거하고 세정하여 하프톤 위상 시프트 포토마스크를 제조하는 단계를 포함한다.
상기 b) 단계에서는 상기 a) 단계에서 식각된 블랭크마스크를 묽은 HF 또는 BHF 용액에 담가 투명기판의 표면을 부드럽게 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
어느 한 실시예에서 언급한 내용 중 다른 실시예에도 적용할 수 있는 내용은 다른 실시예에서 특별히 언급하지 않아도 이를 적용할 수 있는 것은 당업자에게 자명하다.
도 3a~도3e는 본 발명에 따른 실시예의 하프톤 위상 시프트 마스크와 그 제조공정을 도시한 것이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 블랭크 마스크는 투명기판(10)을 세정한 후 규화몰리브덴(MoSi) 타겟을 사용하여 챔버 진공도가 1~5mTorr, 인가전력이 1㎾~2㎾ 조건에서 마그네트론 반응성 스퍼터링 방법으로 투과율이 3~30%이고, 위상 변이가 180도인 위상 시프트막(20)을 형성한다.
위에서, 투명기판(10)은 6×6×0.25인치의 석영유리 기판이다.
위상 시프트막 형성시 사용하는 가스는 불활성 가스인 아르곤(Ar) 가스와 반응성 가스인 질소(N2) 가스, 메탄(CH4) 가스이다. 그리고, 각 가스의 혼합비는 아르곤 가스 : 질소 가스 : 메탄 가스 = 5~80sccm : 95~20sccm : 0.1~10sccm 비율을 갖는다.
위상 시프트막(20)은 사용하는 가스의 혼합비에 따라 광학적 특성이 달라진다. 즉, 혼합된 가스 중에서 질소량에 따라 위상 시프트막(20)은 투과율과 신뢰성을 증가 또는 감소시킬 수 있으며, 위상 시프트막(20)을 식각할 때 식각 시간이 빨라질 수 있다.
혼합되는 가스 중에서 탄소량에 따라 위상 시프트막(20)의 투과율 및 굴절률을 약간 증가 또는 감소시킬 수 있으며, 식각 시간은 길어질 수 있다.
이렇게 형성된 위상 시프트막(20) 위에 크롬(Cr) 막 또는 크롬질화(CrN) 막, 크롬탄화질화(CrCN) 막의 크롬 타겟을 사용하여 챔버 진공도가 1~5mTorr, 인가전력이 0.5㎾~2㎾ 조건에서 마그네트론 반응성 스퍼터링 방법으로 차광막(30)을 형성한다.
차광막(30) 형성시 사용하는 가스는 아르곤 가스와 질소 가스, 메탄 가스이며 각 가스의 혼합비는 아르곤 가스 : 질소 가스 :메탄 가스 = 50~80sccm : 0~20sccm : 0~10sccm 이다.
이렇게 형성된 차광막(30) 위에 크롬 타겟을 사용하여 챔버 진공도가 1~5mTorr, 인가전력 0.5㎾~2㎾ 조건에서 마그네트론 반응성 스퍼터링 방법으로 탄화산화질화크롬(CrCON) 막인 반사방지막(40)을 형성한다.
반사방지막(40) 형성시 사용하는 가스는 아르곤 가스, 질소가스, 이산화탄소(CO2) 가스이며, 각 가스의 혼합비는 아르곤 가스 : 질소 가스 : 이산화탄소 가스=50~80sccm:1~20sccm:0.1~10sccm이다. 질소 가스를 혼합하지 않을 경우 탄화산화크롬(CrCO) 막인 반사방지막(40)을 형성한다.
한편, 반사방지막(40)은 아르곤 가스와 이산화질소(N2O) 또는 일산화질소(NO)를 50~80sccm:5~20sccm의 비율로 혼합하여 산화질화크롬(CrON) 막으로 형성되기도 한다.
위의 반사방지막(40) 위에 전자빔 레지스터나 포토레지스터(50)를 도포하여 도 3a에 도시된 바와 같이 블랭크 마스크를 제작한다.
블랭크 마스크에서 차광막(30)의 투과율은 크롬막 두께와 크롬막에 포함되어 있는 질소, 탄소 등의 함유량에 따라 결정된다. 그리고, 반사방지막(40)의 반사율도 크롬막에 포함되어 있는 산소, 질소, 탄소 등의 함유량과 박막 두께에 의하여 결정된다.
도 3a에서 제작된 블랭크 마스크를 사용하여 하프톤 위상 시프트 포토마스크의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 블랭크 마스크는 전자빔이나 광으로 노광 및 현상됨으로써 미세패턴이 형성된다.
이렇게 형성된 패턴을 이용하여 반사방지막(40)과 차광막(30)을 습식 식각이나 Cl2 + O2 가스를 이용하여 플라즈마 건식 식각 방법으로 식각하고, 그 후 위상 시프트막(20)은 CF4 + O2 가스나 SF6 + O2 가스를 이용하여 플라즈마 건식 식각 방법으로 식각한다.
위에서 플라즈마에 의해 식각된 석영 유리 기판인 투명 기판(10)의 표면을 부드럽게 하기 위해 묽은 HF(불산)나 BHF 용액에 담근 후 그 다음, 패턴 형성에 사용된 레지스터(50)를 제거하고 세정한 후 도 3c에 도시된 바와 같이 다시 포토 레지스터(60)를 도포하고 노광한다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 포토마스크 정렬에 필요한 차광막(30) 및 반사방지막(40)만을 남기고 나머지 부분을 모두 식각한 다음에 도 3e에 도시된 바와 같이 포토레지스트(60)를 제거하고 세정하여 하프톤 위상 시프트 포토 마스크를 제조한다.
상기 도면과 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의한 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의 제조방법은 규화몰리브덴 타겟을 사용하여 마그네트론 반응성 스퍼터링 방법으로 아르곤 가스와 질소가스, 메탄가스를 첨가하여 위상 시프트막을 형성함으로써 180도 위상변화에 필요한 박막두께를 넓은 범위에서 투과율 조절이 용이하며 또한 굴절율이 큰 박막을 형성할 수 있어 180도 위상변화에 필요한 박막두께를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
게다가, 본 발명에 의한 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크 및 포토 마스크의 제조방법은 세정약품 및 레이저 광원에 장시간 노출시 신뢰성이 우수하므로 반도체 집적 회로의 미세화 및 고집적화에 적합한 위상 시프트막을 제작할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 하프톤 위상 시프트 포토마스크의 광학적 특성이 도시된 도면이다.
도 2는 하프톤 위상 시프트 포토마스크와 바이너리 포토마스크의 해상도 차이를 비교한 도면이다.
도 3a~도3e는 본 발명에 따른 실시예의 하프톤 위상 시프트 마스크와 그 제조공정을 도시한 것이다.

Claims (8)

  1. a) 투명기판 위에 규화몰리브덴(MoSi) 타겟을 사용하여 아르곤 가스와 질소 가스, 메탄가스를 아르곤 가스:질소 가스:메탄 가스가 5~80sccm:95~20sccm:0.1~10sccm의 비율로 혼합 사용함으로써 일정한 투과율과 위상변이를 갖는 위상 시프트막을 형성하는 단계;
    b) 상기 a) 단계에서 형성된 위상 시프트막 위에 크롬 타겟을 사용하고 아르곤 가스와 질소 가스, 메탄 가스를 일정 비율로 혼합 사용하여 차광막을 형성하는 단계;
    c) 상기 b) 단계에서 형성된 차광막 위에 아르곤 가스와 질소 가스, 이산화탄소 가스를 혼합한 가스나 아르곤 가스와 이산화질소, 일산화질소를 혼합한 가스 중에 하나를 선택 사용하여 반사방지막을 형성하는 단계; 및
    d) 상기 c) 단계에서 형성된 반사방지막 위에 레지스터를 도포하여 블랭크 마스크를 제조하는 단계
    을 포함하는 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 a) 단계에서 위상 시프트막은 투과율이 3~30%, 위상 변이가 180도인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 b) 단계에서 차광막 형성시 사용되는 가스의 혼합비는 아르곤 가스 : 질소 가스 : 메탄 가스가 50~80sccm:0~20sccm:0~10sccm의 비율을 갖는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 b) 단계에서 차광막 형성시 사용되는 크롬 타겟의 재질은 크롬(Cr), 크롬질화(CrN), 크롬탄화질화(CrCN) 중에서 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 c) 단계에서 반사방지막 형성시 아르곤 가스와 질소 가스, 이산화탄소 가스를 혼합한 가스를 50~80sccm:0~20sccm:0.1~10sccm의 비율로 사용하면 탄화산화크롬막(CrCO) 또는 탄화산화질화크롬막(CrCON)이 형성되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 시프트 블랭크 마스크의 제조방법.
  7. a) 투명 기판 위에 아르곤 가스:질소 가스:메탄 가스를 5~80sccm:95~20sccm:0.1~10sccm의 비율로 혼합한 가스를 이용하여 형성된 위상 시프트막이 형성되고, 상기 위상 시프트막 위에 차광막, 반사방지막, 레지스터가 차례로 형성되는 청구항 1 또는 청구항 3∼청구항 6 중 어느 하나의 제조방법으로 제조한 블랭크 마스크를 전자빔이나 광으로 노광 및 현상하여 패턴을 형성하는 단계;
    b) 상기 a) 단계에서 형성된 패턴을 이용하여 상기 차광막과 반사방지막, 위상 시프트막을 식각한 후, 패턴 형성에 사용된 레지스터를 제거하는 단계;
    c) 상기 b) 단계에서 레지스터가 제거된 블랭크마스크 위에 포토 레지스터를 도포한 후 노광하고, 정렬에 필요한 차광막 및 반사방지막만을 남기고 나머지 부분을 모두 식각하는 단계; 및
    d) 상기 c) 단계에서 식각이 완료되면 포토마스크를 제거하고 세정하여 하프톤 위상 시프트 포토마스크를 제조하는 단계
    를 포함하는 하프톤 위상 시프트 포토 마스크의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 b) 단계에서는 상기 a) 단계에서 식각된 블랭크마스크를 묽은 HF 또는 BHF 용액에 담가 투명기판의 표면을 부드럽게 하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 시프트 포토 마스크의 제조방법.
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