TW201831987A - 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法 - Google Patents

反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201831987A
TW201831987A TW107101645A TW107101645A TW201831987A TW 201831987 A TW201831987 A TW 201831987A TW 107101645 A TW107101645 A TW 107101645A TW 107101645 A TW107101645 A TW 107101645A TW 201831987 A TW201831987 A TW 201831987A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
phase shift
reflective
substrate
mask
Prior art date
Application number
TW107101645A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI781133B (zh
Inventor
池邊洋平
笑喜勉
Original Assignee
日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 filed Critical 日商Ｈｏｙａ股份有限公司
Publication of TW201831987A publication Critical patent/TW201831987A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI781133B publication Critical patent/TWI781133B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明提供一種可減小EUV微影法之陰影效應並且形成微細圖案之反射型光罩基底及反射型光罩。藉此穩定地以較高之轉印精度製造半導體裝置。 本發明係一種反射型光罩基底，其係於基板上依序具有多層反射膜及使EUV光之相位偏移之相移膜者，且上述相移膜包含單層膜或2層以上之多層膜，且包含含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料。

Description

反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種作為用以製造半導體裝置之製造等所使用之曝光用光罩之原版的反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法。
製造半導體裝置時之曝光裝置之光源之種類係以波長436 nm之g線、波長365 nm之i線、波長248 nm之KrF雷射、波長193 nm之ArF雷射而使波長逐漸變短並且進化，為了實現更微細之圖案轉印，正開發使用波長為13.5 nm附近之極紫外線(EUV：Extreme Ultra Violet)之EUV微影法。EUV微影法中，由於對於EUV光透明之材料較少，故而使用反射型之光罩。該反射型光罩係以如下光罩結構作為基本結構：於低熱膨脹基板上形成有反射曝光用光之多層反射膜，於用以保護該多層反射膜之保護膜上形成有所需之轉印用圖案。又，根據轉印用圖案之構成，作為代表性者，有充分吸收EUV光之包含相對較厚之吸收體圖案的二元型反射光罩、及藉由光吸收使EUV光消光且產生相對於來自多層反射膜之反射光而相位大致反轉(約180°之相位反轉)之反射光的包含相對較薄之吸收體圖案的相移型反射光罩(半色調式相移型反射光罩)。該相移型反射光罩(半色調式相移型反射光罩)與穿透式光相移光罩同樣地，藉由相移效果可獲得較高之轉印光學像對比度，因而具有解像度提昇效果。又，由於相移型反射光罩之吸收體圖案(相移圖案)之膜厚較薄，故而可形成精度良好且微細之相移圖案。 EUV微影法中，根據透光率之關係而使用包含多數個反射鏡之投影光學系統。而且，使EUV光相對於反射型光罩傾斜入射，使該等複數個反射鏡不遮擋投影光(曝光用光)。關於入射角度，目前主流為相對於反射光罩基板垂直面而設為6°。正以改善投影光學系統之數值孔徑(NA)並且設為8°左右之更斜入射之角度的趨勢推進研究。 EUV微影法中，由於曝光用光傾斜入射，故而存在被稱為陰影效應之固有問題。所謂陰影效應，係指因曝光用光向具有立體結構之吸收體圖案傾斜入射而產生投影，轉印形成之圖案之尺寸或位置改變的現象。吸收體圖案之立體結構成為障壁於背陰側產生投影，轉印形成之圖案之尺寸或位置改變。例如，於所配置之吸收體圖案之朝向與斜入射光之方向成為平行之情形及成為垂直之情形時，兩者之轉印圖案之尺寸及位置產生差異，而使轉印精度降低。 與此種EUV微影法用之反射型光罩及用以製作該光罩之光罩基底相關之技術係揭示於專利文獻1至專利文獻3。又，於專利文獻1中，關於陰影效應亦有揭示。先前，藉由使用相移型反射光罩作為EUV微影法用之反射型光罩，而相移圖案之膜厚與二元型反射光罩之情形相比相對較薄，謀求抑制由陰影效應引起之轉印精度之降低。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-080659號公報 [專利文獻2]日本專利特開2004-207593號公報 [專利文獻3]日本專利特開2004-39884號公報
[發明所欲解決之問題] 越使圖案微細及越提高圖案尺寸或圖案位置之精度，半導體裝置之電氣特性性能越為提昇，又，可提高積體度或減小晶片尺寸。因此，對EUV微影法要求較先前高一級之高精度微細尺寸圖案轉印性能。目前，要求與hp16 nm(half pitch 16 nm)代對應之超微細高精度圖案形成。針對此種要求，為了減小陰影效應，要求進一步之薄膜化。尤其於EUV曝光之情形時，要求將吸收體膜(相移膜)之膜厚設為未達60 nm，較佳為50 nm以下。 如專利文獻1至3所揭示般，先前以來一直使用Ta作為形成反射型光罩基底之吸收體膜(相移膜)之材料。然而，Ta於EUV光(例如波長13.5 nm)下之折射率n為約0.943，即便利用其相移效果，僅以Ta形成之吸收體膜(相移膜)之薄膜化之極限亦為60 nm。為了進一步進行薄膜化，例如可使用折射率n較小(相移效果較大)之金屬材料。作為於波長13.5 nm下之折射率n較小之金屬材料，如專利文獻1之例如圖5中亦記載般，有Mo(n＝0.921)及Ru(n＝0.888)。然而，Mo係非常容易被氧化而洗淨耐性令人擔憂，Ru係蝕刻速率較低，難以加工或修正。 鑒於上述方面，本發明之目的在於提供一種可進一步減小反射型光罩之陰影效應並且形成微細且高精度之相移圖案的反射型光罩基底及藉此所製作之反射型光罩，以及提供一種半導體裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述問題，本發明具有以下構成。 (構成1) 一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係於基板上依序具有多層反射膜及使EUV光之相位偏移之相移膜者，且 上述相移膜包含單層膜或2層以上之多層膜，且包含含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料。 (構成2) 如構成1記載之反射型光罩基底，其特徵在於：上述相移膜具有自基板側起依序積層有下層膜及上層膜之結構，且 上述下層膜包含含有鉭(Ta)、鈦(Ti)及氮(N)之材料， 上述上層膜包含含有鉭(Ta)、鈦(Ti)及氧(O)之材料。 (構成3) 如構成1記載之反射型光罩基底，其特徵在於：上述相移膜具有自基板側起依序積層有下層膜及上層膜之結構，且 上述下層膜包含含有鉭(Ta)、鈦(Ti)及氮(N)之材料， 上述上層膜於EUV光下之折射率大於上述下層膜於EUV光下之折射率，且小於1。 (構成4) 如構成3記載之反射型光罩基底，其特徵在於：上述上層膜包含含有矽化合物之材料。 (構成5) 如構成1至4中任一項記載之反射型光罩基底，其特徵在於：於上述多層反射膜與相移膜之間進而具有保護膜，且 上述保護膜包含含有釕(Ru)之材料。 (構成6) 如構成1至5中任一項記載之反射型光罩基底，其特徵在於：於上述基板之相對於設有多層反射膜之面為相反側的面上進而具有導電膜，且 上述導電膜包含至少於波長532 nm之光下之透過率為20%以上之材料。 (構成7) 一種反射型光罩，其特徵在於：其具有對如構成1至6中任一項記載之反射型光罩基底中之上述相移膜進行圖案化而成之相移圖案。 (構成8) 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：於如構成1至6中任一項記載之反射型光罩基底之上述相移膜上形成抗蝕劑圖案， 將上述抗蝕劑圖案作為遮罩，藉由含有實質上不含氧氣之氯系氣體之乾式蝕刻氣體利用乾式蝕刻對上述相移膜進行圖案化而形成相移圖案。 (構成9) 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於具有發出EUV光之曝光用光源之曝光裝置中設置如構成7記載之反射型光罩，將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕劑膜。 [發明之效果] 根據本發明之反射型光罩基底(藉此而製作之反射型光罩)，可使相移膜之膜厚變薄，從而可減小陰影效應，且能以側壁粗糙較少之穩定之剖面形狀而形成微細且高精度之相移圖案。因此，使用該結構之反射型光罩基底所製造之反射型光罩可微細且高精度地形成形成於光罩上之相移圖案本身，並且可防止由陰影所引起之轉印時之精度降低。又，藉由使用該反射型光罩進行EUV微影法，可提供一種微細且高精度之半導體裝置之製造方法。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態具體地進行說明。再者，以下實施形態係將本發明具體化時之一形態，並非將本發明限定於該範圍內。再者，圖中存在對相同或相應部分標註相同符號並將其說明簡化或省略之情況。 ＜反射型光罩基底之構成及其製造方法＞ 圖1係用以說明本發明之反射型光罩基底之構成的要部剖面模式圖。如圖1所示，反射型光罩基底100具有：光罩基底用基板1(亦簡稱為「基板1」)；及多層反射膜2，其形成於第1主面(表面)側，且將作為曝光用光之EUV光反射；保護膜3，其係為了保護該多層反射膜2而設置，且由對下述相移膜4進行圖案化時所使用之蝕刻劑或洗淨液具有耐性的材料所形成；及相移膜4，其吸收EUV光；且將該等依序積層。又，於基板1之第2主面(背面)側，形成有靜電吸附(electrostatic chuck)用之背面導電膜5。 於本說明書中，所謂「於光罩基底用基板1之主表面上具有多層反射膜2」，除了意指多層反射膜2與光罩基底用基板1之表面接觸而配置之情形以外，亦包含意指於光罩基底用基板1與多層反射膜2之間具有其他膜之情形。對於其他膜而言亦相同。例如所謂「於膜A上具有膜B」，除了意指將膜A與膜B以直接接觸之方式配置之情況以外，亦包含於膜A與膜B之間具有其他膜之情形。又，於本說明書中，例如所謂「膜A與膜B之表面接觸而配置」，意指於膜A與膜B之間不經由其他膜而將膜A與膜B以直接接觸之方式配置。 於本說明書中，所謂相移膜「包含含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料」，意指相移膜至少包含實質上含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料。又，所謂相移膜「包含含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料」，存在意指相移膜僅包含含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料之情況。又，任何情形均包含如下情況：相移膜中含有不可避免地混入之雜質。 以下，對各層分別進行說明。 ＜＜基板＞＞ 為了防止由EUV光之曝光時之熱所引起的相移圖案之變形，基板1可較佳地使用具有0±5 ppb/℃之範圍內之低熱膨脹係數者。作為具有該範圍之低熱膨脹係數之素材，例如可使用SiO2 -TiO2 系玻璃、多成分系玻璃陶瓷等。 關於基板1之供形成轉印圖案(後述之相移膜構成該轉印圖案)之側之第1主面，至少就獲得圖案轉印精度、位置精度之觀點而言，以成為高平坦度之方式進行表面加工。於EUV曝光之情形時，較佳為於基板1之供形成轉印圖案之側之主表面的132 mm×132 mm之區域中，平坦度為0.1 μm以下，進而較佳為0.05 μm以下，尤佳為0.03 μm以下。又，與供形成吸收體膜之側為相反側的第2主面係於設置於曝光裝置時供靜電吸附之面，且較佳為於132 mm×132 mm之區域中平坦度為0.1 μm以下，進而較佳為0.05 μm以下，尤佳為0.03 μm以下。再者，關於反射型光罩基底100之第2主面側之平坦度，較佳為於142 mm×142 mm之區域中平坦度為1 μm以下，進而較佳為0.5 μm以下，尤佳為0.3 μm以下。 又，基板1之表面平滑度高亦為極其重要之項目。供形成轉印用相移圖案之基板1之第1主面之表面粗糙度較佳為以均方根粗糙度(RMS)計為0.1 nm以下。再者，表面平滑度可利用原子力顯微鏡進行測定。 進而，關於基板1，為了防止由形成於其上之膜(多層反射膜2等)之膜應力所引起的變形，較佳為具有較高之剛性。尤佳為具有65 GPa以上之較高之楊氏模數。 ＜＜多層反射膜＞＞ 多層反射膜2係於反射型光罩中賦予將EUV光反射之功能者，成為將以折射率不同之元素為主成分之各層週期性地積層而成的多層膜之構成。 一般而言，將作為高折射率材料之輕元素或其化合物之薄膜(高折射率層)、與作為低折射率材料之重元素或其化合物之薄膜(低折射率層)交替地積層40至60週期左右而成之多層膜可用作多層反射膜2。多層膜可自基板1側起將依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層結構作為1週期而積層複數個週期，亦可自基板1側起將依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層結構作為1週期而積層複數個週期。再者，多層反射膜2之最表面之層、即多層反射膜2之與基板1為相反側之表面層較佳為設為高折射率層。於上述多層膜中，於自基板1起將依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層結構作為1週期而積層複數個週期之情形時，最上層成為低折射率層。於該情形時，若低折射率層構成多層反射膜2之最表面則容易被氧化，反射型光罩之反射率減少。因此，較佳為於最上層之低折射率層上進而形成高折射率層而製成多層反射膜2。另一方面，於上述多層膜中，於自基板1側起將依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層結構作為1週期而積層複數個週期之情形時，由於最上層成為高折射率層，故而保持原樣即可。 於本實施形態中，作為高折射率層，採用含有矽(Si)之層。作為含有Si之材料，除了Si單體以外，亦可為於Si中含有硼(B)、碳(C)、氮(N)、及氧(O)之Si化合物。藉由使用含有Si之層作為高折射率層，可獲得EUV光之反射率優異之EUV微影法用反射型光罩。又，於本實施形態中，可較佳地使用玻璃基板作為基板1。Si與玻璃基板之密接性亦優異。又，作為低折射率層，可使用選自鉬(Mo)、釕(Ru)、銠(Rh)、及鉑(Pt)中之金屬單體或該等之合金。例如作為針對波長13 nm至14 nm之EUV光的多層反射膜2，較佳為使用將Mo膜與Si膜交替地積層40至60週期左右而成之Mo/Si週期積層膜。再者，亦可利用矽(Si)形成作為多層反射膜2之最上層之高折射率層，並於該最上層(Si)與Ru系保護膜3之間形成含有矽及氧之矽氧化物層。藉此，可提昇光罩洗淨耐性。 此種多層反射膜2之單獨計之反射率通常為65%以上，上限通常為73%。再者，多層反射膜2之各構成層之厚度、週期只要根據曝光波長適當選擇即可，以滿足布勒格反射之定律之方式選擇。於多層反射膜2中分別存在複數個高折射率層及低折射率層，但高折射率層彼此、以及低折射率層彼此之厚度亦可不同。又，多層反射膜2之最表面之Si層之膜厚可於不降低反射率之範圍內進行調整。最表面之Si(高折射率層)之膜厚可設為3 nm至10 nm。 多層反射膜2之形成方法於該技術領域中廣為人知。例如可藉由利用離子束濺鍍法將多層反射膜2之各層成膜而形成。於上述Mo/Si週期多層膜之情形時，例如藉由離子束濺鍍法，首先使用Si靶於基板1上成膜厚度4 nm左右之Si膜，其後使用Mo靶成膜厚度3 nm左右之Mo膜，將其作為1週期而積層40至60週期，形成多層反射膜2(最表面之層設為Si層)。又，於多層反射膜2之成膜時，較佳為藉由自離子源供給氪(Kr)離子粒子並進行離子束濺鍍而形成多層反射膜2。 ＜＜保護膜＞＞ 保護膜3係為了保護多層反射膜2不受下述反射型光罩之製造步驟中的乾式蝕刻及洗淨之影響，而形成於多層反射膜2上。又，亦兼具如下作用：於使用電子束(EB)進行相移圖案之黑點缺陷修正時，保護多層反射膜2。此處，圖1中示出保護膜3為1層之情形，但亦可設為3層以上之積層結構。例如，亦可設為如下保護膜3：將最下層及最上層設為包含上述含有Ru之物質之層，且使Ru以外之金屬、或合金介於最下層與最上層之間之。例如，保護膜3可藉由含有釕作為主成分之材料而構成。即，保護膜3之材料可為Ru金屬單體，亦可為於Ru中含有選自鈦(Ti)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、釔(Y)、硼(B)、鑭(La)、鈷(Co)、及錸(Re)等中之至少一種金屬之Ru合金，亦可含有氮。此種保護膜3尤其於如下情形時有效：將相移膜4設為TaTi合金系材料，並利用Cl系氣體之乾式蝕刻對該相移膜4進行圖案化。 該Ru合金之含Ru比率為50原子%以上且未達100原子%，較佳為80原子%以上且未達100原子%，進而較佳為95原子%以上且未達100原子%。尤其於Ru合金之含Ru比率為95原子%以上且未達100原子%之情形時，可抑制多層反射膜構成元素(矽)向保護膜3中之擴散，並且充分確保EUV光之反射率，且能夠兼具光罩洗淨耐性、對相移膜進行蝕刻加工時之蝕刻終止層功能、及防止多層反射膜經時變化之保護膜功能。 EUV微影法中，對於曝光用光透明之物質較少，故而防止異物附著於光罩圖案面之EUV光罩護膜於技術上並不簡單。由此，不使用光罩護膜之無光罩護膜操作成為主流。又，EUV微影法中，EUV曝光會引起於光罩上沈積碳膜、或成長氧化膜等曝光污染。因此，於將EUV反射型光罩用於製造半導體裝置之階段中，需要屢次進行洗淨而將光罩上之異物或污染去除。因此，對於EUV反射型光罩，要求與光微影法用之穿透式光罩不同精確度之光罩洗淨耐性。若使用含有Ti之Ru系保護膜，則對硫酸、硫酸過氧化氫混合物(SPM)、氨、氨水過氧化氫混合物(APM)、OH自由基洗淨水或濃度為10 ppm以下之臭氧水等洗淨液之洗淨耐性尤其高，能夠滿足光罩洗淨耐性之要求。 此種藉由Ru或其合金等所構成之保護膜3之厚度只要可發揮作為該保護膜之功能，則並無特別限制。就EUV光之反射率之觀點而言，保護膜3之厚度較佳為1.0 nm至8.0 nm，更佳為1.5 nm至6.0 nm。 作為保護膜3之形成方法，可無特別限制地採用與公知之膜形成方法相同者。作為具體例，可列舉濺鍍法及離子束濺鍍法。 ＜＜相移膜＞＞ 於保護膜3上形成有使EUV光之相位偏移之相移膜4。於形成有相移膜4之部分，吸收EUV光而消光並且以對圖案轉印無不良影響之水準使一部分光反射，與經由保護膜3自多層反射膜2反射而來之來自畦部之反射光形成所需之相位差。相移膜4係以來自相移膜4之反射光、與來自多層反射膜2之反射光之相位差成為160°至200°之方式而形成。經反轉180°左右之相位差之光彼此於圖案邊緣部相互干涉，藉此投影光學像之像對比度提昇。伴隨該像對比度之提昇，解像度提高，曝光量裕度、焦點裕度等與曝光相關之各種裕度擴大。雖亦取決於圖案或曝光條件，但一般而言，用以獲得該相移效果之相移膜4之反射率之標準以絕對反射率計為1%以上，以相對於多層反射膜(附保護膜)之反射比(相對反射率)計為2%以上。為了獲得充分之相移效果，相移膜4之反射率較佳為以絕對反射率計為2.5%以上。 作為相移膜4之材料，較佳為含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之TaTi系材料。TaTi系材料可列舉：TaTi合金，以及於該TaTi合金中含有氧、氮、碳及硼中之至少一者之TaTi化合物。作為TaTi化合物，例如可應用TaTiN、TaTiO、TaTiON、TaTiCON、TaTiB、TaTiBN、TaTiBO、TaTiBON、及TaTiBCON等。 Ta由於對硫酸或硫酸過氧化氫混合物(SPM)等之洗淨之耐性較高，且具有可利用氟系氣體及氯系氣體容易地進行乾式蝕刻之良好之加工特性，故而作為相移膜4之材料而言優異。Ta之折射率(n)為0.943，消光係數(k)為0.041。因此，為了以薄膜獲得充分之相移效果，與Ta組合之材料必須為消光係數(k)小於Ta之材料或折射率(n)小於Ta之材料。Ti由於較Ta而言消光係數較小，故而可獲得相移效果並且獲得充分之反射率。又，TiN之折射率(n)為0.932，消光係數(k)為0.020，較Ta而言折射率及消光係數較小，因而可藉由將Ta與TiN組合而成之薄膜而獲得所需之相位差及反射率。 例如，TaTiN膜於13.5 nm下之折射率n為約0.937，消光係數k為約0.030。相移膜4可設定反射率及相位差成為所需值之膜厚，可將膜厚設為未達60 nm，較佳為50 nm以下。如圖3所示，於利用TaTiN膜形成相移膜4之情形時，若膜厚為46.7 nm，則相對於多層反射膜(附保護膜)之相對反射率成為5.4%，相位差成為約169°，若膜厚為51.9 nm，則相對於多層反射膜(附保護膜)之相對反射率成為6.6%，相位差成為約180°。再者，所謂相對反射率，係指以EUV光直接入射至多層反射膜(附保護膜)並反射之情形時的絕對反射率為基準時之相移膜對EUV光的反射率。 又，TaTi系材料為能夠利用實質上不含氧氣之氯(Cl)系氣體進行乾式蝕刻之材料。如上所述，作為可獲得相移效果之材料，例如可列舉Ru。但Ru係蝕刻速率較低，難以進行加工或修正，故而於利用含有TaRu合金之材料形成相移膜之情形時，存在加工性產生問題之情形。 TaTi系材料之Ta與Ti之比率較佳為4：1～1：4。又，於含有氮之情形時，較佳為Ta與TiN之比率為4：1～1：9。 包含此種TaTi系材料之相移膜4可利用DC(Direct Current，直流)濺鍍法及RF(Radio Frequency，射頻)濺鍍法等磁控濺鍍法等公知之方法而形成。又，靶可使用TaTi合金靶，亦可設為使用Ta靶與Ti靶之共濺鍍。 相移膜4可為單層之膜，亦可為包含2層以上之複數層膜之多層膜。於單層膜之情形時，具有如下特徵：可減少製造光罩基底時之步驟數，使生產效率提昇。再者，於相移膜例如為TaTiN膜等實質上不含氧之單層膜之情形時，成膜後之相移膜因暴露於大氣中而於表層形成自然氧化膜。於該情形時，較佳為與後述包含2層結構之相移膜之蝕刻同樣地，利用氟系氣體去除自然氧化膜，其後利用氯系氣體進行蝕刻。 於相移膜4為多層膜之情形時，可設為將第1材料層與第2材料層交替地積層3層以上之積層結構。第1材料層可自Ta及TaB中選擇，第2材料層可自TiN、TiO、TiON及TiCON中選擇。藉由對第1材料層及第2材料層之膜厚進行調整，能夠提昇相對於膜厚變動之相位差及反射率之穩定性。又，藉由將相移膜4之最上層設為第1材料層，能夠提昇洗淨耐性。 於相移膜4為多層膜之情形時，例如，可如圖4所示般自基板側起設為包含下層膜41及上層膜42之2層結構。下層膜41係設為包含EUV光之消光係數較大且蝕刻加工性較高之鉭(Ta)、鈦(Ti)及氮(N)之材料層。上層膜42係設為包含鉭(Ta)、鈦(Ti)及氧(O)之材料之層。上層膜42例如係以成為使用DUV光之光罩圖案檢查時之抗反射膜之方式適當地設定其光學常數及膜厚。藉此，使用DUV光之光罩圖案檢查時之檢查感度提昇。又，於下層膜41為TaTiN膜等實質上不含氧之情形時，上層膜42亦可作為抗氧化膜發揮功能。 又，EUV光由於波長較短，故而存在相位差及反射率之膜厚依存性較大之傾向。因此，要求相移膜4之相對於膜厚變動之相位差及反射率之穩定性。然而，如圖3所示，相對於相移膜4之膜厚，相位差及反射率分別表現出振動結構。由於相位差及反射率之振動結構不同，故而難以設為使相位差及反射率同時穩定之膜厚。 因此，即便於相移膜4之膜厚相對於設計值而略微變動(例如相對於設計膜厚±0.5%之範圍)之情形時，關於相位差，例如亦期望面間之相位差偏差為180度±2度之範圍，關於反射率，例如亦期望面間之反射率偏差為6%±0.2%之範圍。 藉由抑制來自上層膜42之最表面的EUV光之反射光，能夠使振動結構平穩而獲得相對於膜厚變動而言穩定之相位差及反射率。作為此種上層膜42之材料，較佳為具有大於下層膜41於EUV光下之折射率且小於外界之折射率(n＝1)之折射率的材料。又，上層膜之膜厚較佳為波長之1/4週期左右。於下層膜41包含含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料情形時，作為上層膜42之材料，較佳為矽化合物。作為矽化合物，可列舉含有Si及選自N、O、C、H中之至少一種元素之材料，較佳為可列舉SiO2 、SiON及Si3 N4 。於下層膜41為TaTiN膜之情形時，例如上層膜42可設為SiO2 膜。 如此，藉由將相移膜4設為多層膜，能夠對各層附加各種功能。 於上述2層結構之相移膜4之情形時，上層膜42之蝕刻氣體可使用選自如下氣體中者：CF4 、CHF3 、C2 F6 、C3 F6 、C4 F6 、C4 F8 、CH2 F2 、CH3 F、C3 F8 、SF6 、F2 等氟系氣體，以及以特定之比率包含氟系氣體與O2 之混合氣體等。又，下層膜41之蝕刻氣體可使用選自如下氣體中者：Cl2 、SiCl4 、及CHCl3 等氯系氣體，以特定之比率包含氯系氣體與O2 之混合氣體，以特定之比率包含氯系氣體與He之混合氣體，以及以特定之比率包含氯系氣體與Ar之混合氣體。此處，若於蝕刻之最終階段中於蝕刻氣體中含有氧氣，則Ru系保護膜3產生表面粗糙。因此，於將Ru系保護膜3暴露於蝕刻之過蝕刻階段中，較佳為使用不含氧氣之蝕刻氣體。 於相移膜4上亦可形成蝕刻遮罩膜。作為蝕刻遮罩膜之材料，使用相移膜4相對於蝕刻遮罩膜之蝕刻選擇比較高之材料。此處，所謂「B相對於A之蝕刻選擇比」，係指不欲進行蝕刻之層(成為遮罩之層)即A與欲進行蝕刻之層即B之蝕刻速率之比。具體而言，藉由「B相對於A之蝕刻選擇比＝B之蝕刻速度/A之蝕刻速度」之式進行指定。又，所謂「選擇比較高」，係指相對於比較對象，上述定義之選擇比之值較大。相移膜4相對於蝕刻遮罩膜之蝕刻選擇比較佳為1.5以上，進而較佳為3以上。 作為相移膜4相對於蝕刻遮罩膜之蝕刻選擇比較高之材料，於利用氟系氣體對相移膜4(或上層膜42)進行蝕刻之情形時，可使用鉻或鉻化合物之材料。作為鉻化合物，可列舉含有Cr及選自N、O、C、H中之至少一種元素之材料。又，於利用實質上不含氧氣之氯系氣體對相移膜4(或上層膜42)進行蝕刻之情形時，可使用矽或矽化合物之材料。作為矽化合物，可列舉：含有Si及選自N、O、C及H中之至少一種元素之材料，以及於矽或矽化合物中含有金屬之金屬矽(金屬矽化物)或金屬矽化合物(金屬矽化物化合物)等材料。作為金屬矽化合物，可列舉含有金屬及Si以及選自N、O、C及H中之至少一種元素之材料。 關於蝕刻遮罩膜之膜厚，就獲得作為將轉印圖案精度良好地形成於相移膜4的蝕刻遮罩之功能之觀點而言，較理想為3 nm以上。又，蝕刻遮罩膜之膜厚就使抗蝕劑膜之膜厚變薄之觀點而言，較理想為15 nm以下。 ＜＜背面導電膜＞＞ 於基板1之第2主面(背面)側(多層反射膜2形成面之相反側)，一般而言形成有靜電吸附用之背面導電膜5。靜電吸附用之背面導電膜5所要求之電氣特性(薄片電阻)通常為100 Ω/□(Ω/Square)以下。關於背面導電膜5之形成方法，例如可藉由磁控濺鍍法或離子束濺鍍法，使用鉻、鉭等金屬或合金之靶而形成。 背面導電膜5之含有鉻(Cr)之材料較佳為於Cr中含有選自硼、氮、氧、及碳中之至少一者的Cr化合物。作為Cr化合物，例如可列舉：CrN、CrON、CrCN、CrCON、CrBN、CrBON、CrBCN及CrBOCN等。 作為背面導電膜5之含有鉭(Ta)之材料，較佳為使用Ta(鉭)，含有Ta之合金，或於該等之任一者中含有硼、氮、氧及碳中之至少一者之Ta化合物。作為Ta化合物，例如可列舉：TaB、TaN、TaO、TaON、TaCON、TaBN、TaBO、TaBON、TaBCON、TaHf、TaHfO、TaHfN、TaHfON、TaHfCON、TaSi、TaSiO、TaSiN、TaSiON、及TaSiCON等。 作為含有鉭(Ta)或鉻(Cr)之材料，較佳為存在於其表層之氮(N)較少。具體而言，含有鉭(Ta)或鉻(Cr)之材料於背面導電膜5之表層之氮之含量較佳為未達5原子%，更佳為於表層實質上不含氮。其原因在於：含有鉭(Ta)或鉻(Cr)之材料於背面導電膜5於表層之氮之含量較少之情況下，耐磨耗性變高。 背面導電膜5較佳為包含含有鉭及硼之材料。藉由背面導電膜5包含含有鉭及硼之材料，可獲得具有耐磨耗性及化學液耐性之背面導電膜5。於背面導電膜5含有鉭(Ta)及硼(B)之情形時，B含量較佳為5～30原子%。背面導電膜5之成膜所使用之濺鍍靶中之Ta及B之比率(Ta：B)較佳為95：5～70：30。 背面導電膜5之厚度只要滿足作為靜電吸附用之功能，則並無特別限定，通常為10 nm至200 nm。又，該背面導電膜5亦兼備光罩基底100之第2主面側之應力調整，以與來自形成於第1主面側之各種膜之應力保持平衡而獲得平坦之反射型光罩基底之方式進行調整。 又，近年來，如日本專利第5883249號記載，有如下技術：為了修正反射型光罩等轉印用光罩之對位等之誤差，而對轉印用光罩之基板局部地照射飛秒雷射脈衝，藉此使基板表面或基板內部改質，從而對轉印用光罩之誤差進行修正。作為產生上述脈衝之雷射光束，例如有藍寶石雷射(波長800 nm)或Nd-YAG雷射(532 nm)等。 於將上述技術應用於反射型光罩200時，考慮自基板1之第2主面(背面)側照射雷射光束。然而，於包含上述含有鉭(Ta)或鉻(Cr)之材料的背面導電膜5之情形時，會產生不易透過雷射光束之問題。為了消除該問題，背面導電膜5較佳為至少使用至少於波長532 nm之光下之透過率為20%以上之材料而形成。 作為此種透過率較高之背面導電膜(透明導電膜)5之材料，較佳為使用摻錫氧化銦(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁氧化鋅(AZO)或摻銻氧化錫(ATO)。藉由將透明導電膜之膜厚設為50 nm以上，可將靜電吸附用之背面導電膜5所要求之電氣特性(薄片電阻)設為100 Ω/□以下。例如，膜厚100 nm之ITO膜對532 nm之波長之透過率為約79.1%，薄片電阻為50 Ω/□。 又，作為透過率較高之背面導電膜(透明導電膜)5之材料，較佳為使用鉑(Pt)、金(Au)、鋁(Al)或銅(Cu)之金屬單體。又，可使用於滿足所需透過率及電氣特性之範圍內，於該金屬中含有硼、氮、氧及碳中之至少一者之金屬化合物。該等金屬膜係與上述ITO等相比較而導電率較高，故而能夠薄膜化。關於金屬膜之膜厚，就透過率之觀點而言，較佳為50 nm以下，更佳為20 nm以下。又，若膜厚過薄，則有薄片電阻急遽地增加之傾向，及就成膜時之穩定性之觀點而言，金屬膜之膜厚較佳為2 nm以上。例如，膜厚10.1 nm之Pt膜對532 nm之波長之透過率為20.3%，薄片電阻為25.3 Ω/□。 進而，背面導電膜5可設為單層膜或2層以上之積層結構。為了使進行靜電吸附時之機械耐久性提昇、或使洗淨耐性提昇，較佳為將最上層設為CrO、TaO或SiO2 。又，亦可將最上層設為上述金屬膜之氧化膜，即PtO、AuO、AlO或CuO。最上層之厚度較佳為1 nm以上，更佳為5 nm以上，進而10 nm以上。於將背面導電膜設為透明導電膜之情形時，設為透過率滿足20%以上之材料及膜厚。 又，於背面導電膜5之基板側可設置中間層。關於中間層，可使其具有提昇基板1與背面導電膜5之密接性、或抑制氫氣自基板1向背面導電膜5侵入之功能。又，關於中間層，可使其具有如下功能：抑制使用EUV光作為曝光源之情形時被稱為帶外(out-of-band)光之真空紫外線光及紫外線光(波長：130～400 nm) 透過基板1而被背面導電膜5反射。作為中間層之材料，例如可列舉：Si、SiO2 、SiON、SiCO、SiCON、SiBO、SiBON、Cr、CrN、CrON、CrC、CrCN、CrCO、CrCON、Mo、MoSi、MoSiN、MoSiO、MoSiCO、MoSiON、MoSiCON、TaO及TaON等。中間層之厚度較佳為1 nm以上，更佳為5 nm以上，進而10 nm以上。於將背面導電膜設為透明導電膜之情形時，設為將中間層與透明導電膜積層而成者之透過率滿足20%以上之材料及膜厚。 如上所述，對於背面導電膜5，要求電氣特性(薄片電阻)及於自背面照射雷射光束之情形時將透過率設為所需值，但若為了滿足該等要求而使背面導電膜5之膜厚變薄，則存在產生其他問題之情形。通常，多層反射膜2具有較高之壓縮應力，故而基板1之第1主面側成為凸形狀，第2主面(背面)側成為凹形狀。另一方面，藉由多層反射膜2之退火(加熱處理)、及背面導電膜5之成膜而進行應力調整，以獲得總體平坦或第2主面側為略凹形狀之反射型光罩基底之方式進行調整。然而，若背面導電膜5之膜厚較薄，則該平衡崩塌，第2主面(背面)側之凹形狀會變得過大。於此種情況下進行靜電吸附時，存在如下情況：於基板周緣部(尤其是角部)產生刮痕，並產生膜剝落或微粒產生之問題。 為了解決該問題，較佳為將形成有背面導電膜5之附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀。作為將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀之第1方法，將成膜背面導電膜5之前的基板1之第2主面側之形狀設為凸形狀即可。藉由預先將基板1之第2主面設為凸形狀，即便將膜厚為10 nm左右之包含Pt膜等之膜應力較小之背面導電膜5成膜，且將具有較高之壓縮應力之多層反射膜2成膜，亦可將第2主面側之形狀設為凸形狀。 又，作為將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀之第2方法，可列舉於多層反射膜2成膜後於150℃～300℃下進行退火(加熱處理)之方法。尤佳為於210℃以上之高溫下進行退火。多層反射膜2可藉由進行退火而減小多層反射膜之膜應力，但退火溫度與多層反射膜之反射率處於取捨之關係。於多層反射膜2之成膜時，於自離子源供給氬(Ar)離子粒子之先前之Ar濺鍍之情形時，若於高溫下進行退火，則無法獲得所需反射率。另一方面，藉由進行自離子源供給氪(Kr)離子粒子之Kr濺鍍，能夠使多層反射膜2之退火耐性提昇，即便於高溫下進行退火，亦可維持較高之反射率。因此，藉由利用Kr濺鍍成膜多層反射膜2之後於150℃～300℃下進行退火，可減小多層反射膜2之膜應力。於該情形時，即便將膜厚為10 nm左右之包含Pt膜等之膜應力較小之背面導電膜5成膜，亦可將第2主面側之形狀設為凸形狀。 進而，亦可將上述第1方法與第2方法組合。再者，於將背面導電膜設為ITO膜等透明導電膜之情形時，能夠使膜厚變厚。因此，藉由於滿足電氣特性之範圍內進行厚膜化，可將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀。 藉由如此般將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀，能夠於進行靜電吸附時，防止於基板周緣部(尤其是角部)產生刮痕。 ＜反射型光罩及其製造方法＞ 使用本實施形態之反射型光罩基底100，製造反射型光罩。此處僅進行概要說明，下文將於實施例中一面參照圖式一面詳細地進行說明。 準備反射型光罩基底100，於其第1主面之相移膜4上形成抗蝕劑膜(於反射型光罩基底100具備抗蝕劑膜之情形時不需要)，對該抗蝕劑膜描繪(曝光)所需圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此而形成特定之抗蝕劑圖案。 於反射型光罩基底100之情形時，將該抗蝕劑圖案作為遮罩對相移膜4進行蝕刻而形成相移圖案，並利用灰化或抗蝕劑剝離液等去除抗蝕劑圖案，藉此形成相移圖案。最後，進行使用酸性或鹼性之水溶液之濕式洗淨。 此處，作為相移膜4之蝕刻氣體，可使用：Cl2 、SiCl4 、CHCl3 、及CCl4 等氯系氣體，以特定之比率含有氯系氣體與He之混合氣體、以特定之比率含有氯系氣體與Ar之混合氣體等。於相移膜4之蝕刻中，由於蝕刻氣體實質上不含氧氣，故而Ru系保護膜不會產生表面粗糙。作為該實質上不含氧氣之氣體，相當於氣體中之氧氣之含量為5原子%以下。 藉由以上步驟，可獲得陰影效應較少且具有側壁粗糙較少之高精度微細圖案之反射型光罩。 ＜半導體裝置之製造方法＞ 藉由使用上述本實施形態之反射型光罩200進行EUV曝光，可抑制由陰影效應所引起之轉印尺寸精度之降低，而於半導體基板上形成基於反射型光罩200上之相移圖案之所需轉印圖案。又，由於相移圖案為側壁粗糙較少之微細且高精度之圖案，故而能以較高之尺寸精度於半導體基板上形成所需之圖案。藉由除該微影法步驟以外還歷經被加工膜之蝕刻、絕緣膜及導電膜之形成、摻雜劑之導入、以及退火等各種步驟，可製造形成有所需電子電路之半導體裝置。 若進一步詳細地說明，則EUV曝光裝置包含產生EUV光之雷射電漿光源、照明光學系統、光罩平台系統、縮小投影光學系統、晶圓平台系統、及真空設備等。光源中具備碎片捕捉(debris trap)功能及截止曝光用光以外之長波長光之截止濾波器及真空差動排氣用之設備等。照明光學系統及縮小投影光學系統包含反射型鏡。EUV曝光用反射型光罩200係藉由形成於其第2主面之背面導電膜5被靜電吸附而載置於光罩平台。 EUV光源之光經由照明光學系統以相對於反射型光罩垂直面傾斜6°至8°之角度照射至反射型光罩200。針對該入射光之來自反射型光罩200之反射光朝向與入射相反之方向且以與入射角度相同之角度反射(正反射)，並被導入至通常具有1/4之縮小比之反射型投影光學系統，對載置於晶圓平台上之晶圓(半導體基板)上之抗蝕劑進行曝光。其間，至少對EUV光通過之空間進行真空排氣。又，於該曝光時，對光罩平台及晶圓平台以與縮小投影光學系統之縮小比相應之速度同步進行掃描，並經由狹縫進行曝光之掃描曝光成為主流。繼而，對將經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此可於半導體基板上形成抗蝕劑圖案。本發明中，使用陰影效應較小之薄膜而且側壁粗糙較少之具有高精度之相移圖案的光罩。因此，形成於半導體基板上之抗蝕劑圖案成為具有較高之尺寸精度之所需者。繼而，藉由使用該抗蝕劑圖案作為遮罩實施蝕刻等，例如可於半導體基板上形成特定之配線圖案。藉由歷經此種曝光步驟或被加工膜加工步驟、絕緣膜或導電膜之形成步驟、摻雜劑導入步驟、或退火步驟等其他需要之步驟，而製造半導體裝置。 [實施例] 以下，一面參照圖式一面對實施例進行說明。再者，於實施例中，對相同之構成要素使用相同之符號，並將說明簡化或省略。 [實施例1] 圖2係由利用反射型光罩基底100製作反射型光罩200之步驟的要部剖面模式圖。 反射型光罩基底100具有背面導電膜5、基板1、多層反射膜2、保護膜3、及相移膜4。相移膜4包含含有TaTi合金之材料。並且，如圖2(a)所示，於相移膜4上形成抗蝕劑膜11。 首先，對反射型光罩基底100進行說明。 準備第1主面及第2主面之兩主表面經研磨之6025尺寸(約152 mm×152 mm×6.35 mm)之作為低熱膨脹玻璃基板之SiO2 -TiO2 系玻璃基板作為基板1。以成為平坦且平滑之主表面之方式，進行包含粗研磨加工步驟、精密研磨加工步驟、局部加工步驟、及接觸研磨加工步驟之研磨。 於SiO2 -TiO2 系玻璃基板1之第2主面(背面)藉由磁控濺鍍(反應性濺鍍)法利用下述條件形成包含CrN膜之背面導電膜5。 背面導電膜形成條件：Cr靶、Ar與N2 之混合氣體氛圍(Ar：90%，N：10%)、膜厚20 nm。 繼而，於與形成有背面導電膜5之側為相反側的基板1之主表面(第1主面)上形成多層反射膜2。關於形成於基板1上之多層反射膜2，為了製成適於波長13.5 nm之EUV光之多層反射膜，而設為包含Mo及Si之週期多層反射膜。多層反射膜2係使用Mo靶及Si靶，於Ar氣體氛圍中藉由離子束濺鍍法於基板1上交替地積層Mo層及Si層而形成。首先，以4.2 nm之厚度成膜Si膜，繼而以2.8 nm之厚度成膜Mo膜。將其作為1週期，同樣地積層40週期，最後以4.0 nm之厚度成膜Si膜，而形成多層反射膜2。此處係設為40週期，但並不限於此，例如亦可為60週期。於設為60週期之情形時，步驟數較40週期增多，但可提高對EUV光之反射率。 繼而，於Ar氣體氛圍中，藉由使用Ru靶之離子束濺鍍法以2.5 nm之厚度成膜包含Ru膜之保護膜3。 繼而，藉由DC磁控濺鍍法形成包含TaTiN膜之相移膜4。TaTiN膜係使用TaTi靶，於Ar氣體與N2 氣體之混合氣體氛圍中利用反應性濺鍍以51.9 nm之膜厚進行成膜。TaTiN膜之含有比率為Ta：Ti：N＝1：1：1。 上述所形成之TaTiN膜於波長13.5 nm下之折射率n、消光係數(折射率虛部)k分別為以下。 TaTiN：n＝0.937，k＝0.030 再者，於相移膜之表層形成有不會對相移效果產生影響之範圍之極薄之自然氧化膜(TaTiON膜)。 上述包含TaTiN膜之相移膜4於波長13.5 nm下之絕對反射率為4.3%(對附保護膜之多層反射膜面之反射率相當於6.6%)。又，相移膜4之膜厚為51.9 nm，係將相移膜進行圖案化時之相位差相當於180°之膜厚。可較下述比較例之TaN膜之相移膜之膜厚65 nm而變薄約20%，從而可減小陰影效應。關於該陰影效應之減小，將於「半導體裝置之製造」之項目中詳細描述。 繼而，使用上述反射型光罩基底100製造反射型光罩200。 如上所述，於反射型光罩基底100之相移膜4上以100 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖2(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此而形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖2(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用CF4 氣體進行乾式蝕刻而去除相移膜4之表層(自然氧化膜)，繼而，使用Cl2 氣體進行TaTiN膜(相移膜4)之乾式蝕刻，藉此形成相移圖案4a(圖2(c))。 其後，利用灰化或抗蝕劑剝離液等去除抗蝕劑圖案11a。最後，進行使用純水(DIW)之濕式洗淨，而製造反射型光罩200(圖2(d))。再者，視需要可於濕式洗淨後進行光罩缺陷檢查，適當進行光罩缺陷修正。 實施例1之反射型光罩200由於相移膜4為TaTi合金系材料，故而利用氯系氣體之加工性良好，能以較高之精度形成相移圖案4a。又，相移圖案4a之膜厚為51.9 nm，可較先前之利用Ta系材料所形成之吸收體膜而變薄，如下文所述，可減小陰影效應。 將實施例1所製作之反射型光罩200設置於EUV掃描儀，對在半導體基板上形成有被加工膜及抗蝕劑膜之晶圓進行EUV曝光。繼而，將該經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此於形成有被加工膜之半導體基板上形成抗蝕劑圖案。為了對該曝光中之陰影效應進行評價，使用相對於對光罩入射而來之曝光用光平行地配置之圖案及垂直地配置之圖案，對其轉印尺寸之差進行測定。圖5(a)係配置於光罩上之相移圖案之俯視圖，表示相對於入射曝光用光50而配置於平行方向之相移圖案4b及配置於垂直方向之相移圖案4c。關於相移圖案4b與4c，除了配置方向以外，為相同形狀之圖案，因此，相移圖案4b之線寬LMP與相移圖案4c之線寬LMN為相同線寬。曝光用光50以相對於光罩表面之法線方向傾斜6°之角度入射至光罩。圖5(b)表示藉由曝光、顯影而形成於晶圓上之抗蝕劑圖案之俯視圖。抗蝕劑圖案24b及24c分別為藉由相移圖案4b及4c轉印形成者。所轉印形成之抗蝕劑圖案之線寬LPP與LPN之差ΔL(＝LPN－LPP)成為表示陰影效應之指標。一般而言，該差被稱為由陰影效應所引起之尺寸XY差，由於相移圖案成為障壁而產生之曝光用光之投影，於使用正型抗蝕劑之情形時，線寬LPN相對於線寬LPP變粗。 於實施例1所製作之反射型相移光罩之情形時，該尺寸XY差ΔL為2.0 nm。於比較例之項目中將另外進行描述，於使用膜厚65 nm之TaN之單層膜相移膜之情形時，該尺寸XY差ΔL為2.6 nm，藉由使用實施例1所製作之反射型相移光罩，可將由陰影效應引起之轉印精度降低改善20%以上。又，實施例1所製作之反射型相移光罩係相移圖案之側壁粗糙較少，剖面形狀亦穩定，故而所轉印形成之抗蝕劑圖案之LER或尺寸面內偏差較小，具有較高之轉印精度。除此以外，如上所述般，相移面之絕對反射率為4.3%(對附保護膜之多層反射膜面為6.6%之反射率)，故而可獲得充分之相移效果，可進行曝光裕度或焦點裕度較高之EUV曝光。 藉由蝕刻將該抗蝕劑圖案轉印至被加工膜，又，歷經絕緣膜及導電膜之形成、摻雜劑之導入、以及退火等各種步驟，藉此可製造具有所需特性之半導體裝置。 [實施例2] 實施例2係將背面導電膜5由CrN膜設為Pt膜之情形時之實施例，除此以外與實施例1相同。 即，於SiO2 -TiO2 系玻璃基板1之第2主面(背面)，於Ar氣體氛圍中藉由使用Pt靶之DC磁控濺鍍法以5.2 nm、10.1 nm、15.2 nm、及20.0 nm之膜厚分別成膜包含Pt膜之背面導電膜5，而製作4片附導電膜之基板。 自所製作之4片附導電膜之基板之第2主面(背面)照射波長532 nm之光並測定透過率，結果如圖6所示，透過率分別為39.8%、20.3%、10.9%、6.5%，膜厚為5.2 nm及10.1 nm之附導電膜之基板滿足透過率20%以上。又，藉由四端子測定法測定薄片電阻，結果分別為57.8 Ω/□、25.3 Ω/□、15.5 Ω/□、及11.2 Ω/□，均滿足100 Ω/□以下。 針對膜厚為10.1 nm之附導電膜之基板，利用與實施例1相同之方法製作反射型光罩基底100，其後製作反射型光罩200。自所製作之反射型光罩200之基板1之第2主面(背面)側照射波長532 nm之Nd-YAG雷射之雷射光束，結果由於背面導電膜5係由透過率較高之Pt膜形成，故而可修正反射型光罩200之對位誤差。 [實施例3] 實施例3係利用TiN膜與Ta膜之多層膜形成相移膜4之情形時之實施例，除此以外與實施例1相同。 藉由DC磁控濺鍍法於保護膜3上形成TiN膜。TiN膜係使用Ti靶，於Ar氣體與N2 氣體之混合氣體氛圍中利用反應性濺鍍以0.7 nm之膜厚進行成膜。繼而，藉由DC磁控濺鍍法於TiN膜上形成Ta膜。Ta膜係使用Ta靶，利用Ar氣體氛圍之濺鍍以1.6 nm之膜厚進行成膜。將TiN膜與Ta膜交替地成膜25週期，於最上層以2.4 nm之膜厚形成Ta膜，而將多層膜之膜厚設為58.3 nm。多層膜中之各元素之含有比率為Ta：Ti：N＝7：3：6。 上述所形成之Ta/TiN多層膜於波長13.5 nm中之折射率n、消光係數(折射率虛部)k分別為以下。 Ta/TiN多層膜：n＝0.943，k＝0.028 上述包含多層膜之相移膜4於波長13.5 nm下之相對反射率為6.3%，相位差為180度。 以與實施例1相同之方式，使用上述反射型光罩基底100製造反射型光罩200。其中，由於實施例3中之相移膜4之最上層為Ta膜，故而不進行使用CF4 氣體之自然氧化膜之去除步驟。 實施例3之反射型光罩200中，相移膜4為Ta/TiN多層膜，故而利用氯系氣體之加工性良好，能以較高之精度形成相移圖案4a。又，相移圖案4a之膜厚為58.3 nm，可較下述比較例之TaN膜之相移膜之膜厚65 nm而變薄約10%，從而可減小陰影效應。 將實施例3所製作之反射型光罩200設置於EUV曝光裝置，對在半導體基板上形成有被加工膜及抗蝕劑膜之晶圓進行EUV曝光。繼而，將該經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此於形成有被加工膜之半導體基板上形成抗蝕劑圖案。 藉由蝕刻將該抗蝕劑圖案轉印至被加工膜，又，歷經絕緣膜及導電膜之形成、摻雜劑之導入、以及退火等各種步驟，藉此可製造具有所需特性之半導體裝置。 [實施例4] 實施例4係將相移膜4設為下層膜41與上層膜42之2層結構之情形時之實施例，除此以外與實施例1相同。 藉由DC磁控濺鍍法於保護膜3上形成包含TaTiN膜之下層膜41。TaTiN膜係使用TaTi靶，於Ar氣體與N2 氣體之混合氣體氛圍中利用反應性濺鍍以45.1 nm之膜厚進行成膜。TaTiN膜之含有比率為Ta：Ti：N＝6：5：8。 上述所形成之TaTiN膜於波長13.5 nm下之折射率n、消光係數(折射率虛部)k分別為以下。 TaTiN：n＝0.943，k＝0.026 繼而，藉由DC磁控濺鍍法於下層膜41上形成包含TaTiON膜之上層膜42。TaTiON膜係使用TaTi靶，於Ar氣體與N2 氣體及O2 之混合氣體氛圍中利用反應性濺鍍以14.0 nm之膜厚進行成膜。TaTiON膜之含有比率為Ta：Ti：O：N＝8：6：1：20。 上述所形成之TaTiON膜於波長13.5 nm下之折射率n、消光係數(折射率虛部)k分別為以下。 TaTiON：n＝0.955，k＝0.022 上述包含2層膜之相移膜4於波長13.5 nm下之相對反射率為7.2%，相位差為180度。又，對DUV光之反射率於190～300 nm下為24.1%以下。 繼而，使用上述反射型光罩基底100製造反射型光罩200。 如上所述，於反射型光罩基底100之相移膜4上以100 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖2(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖2(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用CF4 氣體進行相移膜4之上層膜42之乾式蝕刻，繼而使用Cl2 氣體進行下層膜41之乾式蝕刻，藉此形成相移圖案4a(圖2(c))。 其後，利用灰化或抗蝕劑剝離液等去除抗蝕劑圖案11a。最後，進行使用純水(DIW)之濕式洗淨，而製造反射型光罩200(圖2(d))。 實施例4之反射型光罩200中，上層膜42即TaTiON膜成為下層膜41之蝕刻遮罩，因而能以較高之精度形成相移圖案4a。又，相移圖案4a之膜厚為59.1 nm，可較下述比較例之TaN膜之相移膜之膜厚65 nm而變薄約9%，從而可減小陰影效應。 以與實施例3相同之方式，使用本實施例所製作之反射型光罩200，藉此可製造具有所需特性之半導體裝置。 [實施例5] 實施例5係改變實施例4之下層膜41之膜厚且將上層膜42改變為SiO2 膜之情形時之實施例，除此以外與實施例4相同。 藉由DC磁控濺鍍法以50.6 nm之膜厚於保護膜3上成膜包含TaTiN膜之下層膜41。TaTiN膜之含有比率為Ta：Ti：N＝4：6：6。上述所形成之TaTiN膜於波長13.5 nm下之折射率n、消光係數(折射率虛部) k分別為以下。 TaTiN：n＝0.936，k＝0.028 繼而，藉由RF磁控濺鍍法於下層膜41上形成包含SiO2 膜之上層膜42。SiO2 膜係使用SiO2 靶，利用Ar氣體氛圍之濺鍍以3.5 nm之膜厚進行成膜。因此，相移膜4(上層膜42及下層膜41)之膜厚為54.1 nm。 上述所形成之SiO2 膜於波長13.5 nm下之折射率n、消光係數(折射率虛部)k分別為以下。 SiO2 ：n＝0.974，k＝0.013 如圖7所示，上述包含2層膜之相移膜4於波長13.5 nm下之相對反射率相對於±0.5%之膜厚變動而為6.0%±0.03%。又，相位差相對於±0.5%之膜厚變動而為179.4度±1.1度。藉此，可獲得高穩定之相移膜4。 以與實施例4相同之方式，使用上述反射型光罩基底100製造反射型光罩200。 本實施例之反射型光罩200中，上層膜42即SiO2 膜成為下層膜41之蝕刻遮罩，因而能以較高之精度形成相移圖案4a。又，相移圖案4a之膜厚為54.1 nm，可較下文所述之比較例之TaN膜之相移膜之膜厚65 nm而變薄約17%，從而可減小陰影效應。 以與實施例3相同之方式，使用本實施例所製作之反射型光罩200，藉此可製造具有所需特性之半導體裝置。 [比較例1] 比較例中，使用單層之TaN膜作為相移膜4，除此以外，利用與實施例1相同之結構及方法製造反射型光罩基底、反射型光罩，又，利用與實施例1相同之方法製造半導體裝置。 單層之TaN膜係於實施例1之光罩基底結構之保護膜3上代替TaTiN膜而形成。該TaN膜之形成方法係將Ta用於靶，於Xe氣體與N2 氣體之混合氣體氛圍中進行反應性濺鍍而成膜TaN膜。TaN膜之膜厚為65 nm，該膜之元素比率係Ta為88原子%，N為12原子%。 以上述方式所形成之TaN膜於波長13.5 nm下之折射率n、消光係數(折射率虛部)k分別為以下。 TaN：n＝0.949，k＝0.032 上述包含單層之TaN膜之相移膜於波長13.5 nm下之相位差為180°。反射率係對多層反射膜面為1.7%。比較例中，相移效果較小，無法充分改善投影光學像之對比度。 其後，利用與實施例1相同之方法於包含單層之TaN膜之相移膜上形成抗蝕劑膜，進行所需圖案描繪(曝光)及顯影、沖洗，而形成抗蝕劑圖案。繼而，將該抗蝕劑圖案作為遮罩，對包含TaN單層膜之相移膜進行使用氯氣之乾式蝕刻，而形成相移圖案。抗蝕劑圖案去除或光罩洗淨等亦利用與實施例1相同之方法進行，而製造反射型光罩。 如實施例1之半導體裝置之製造方法之項目所描述般，使用該反射型相移光罩研究陰影效應，結果尺寸XY差ΔL為2.6 nm。
1‧‧‧基板
2‧‧‧多層反射膜
3‧‧‧保護膜
4‧‧‧相移膜
4a‧‧‧相移圖案
5‧‧‧背面導電膜
11‧‧‧抗蝕劑膜
11a‧‧‧抗蝕劑圖案
24b、24c‧‧‧蝕劑圖案
41‧‧‧下層膜
42‧‧‧上層膜
50‧‧‧曝光用光
100‧‧‧反射型光罩基底
200‧‧‧反射型光罩
LMN、LMP、LPN、LPP‧‧‧線寬
圖1係用以說明本發明之反射型光罩基底之概略構成的要部剖面模式圖。 圖2(a)～(d)係以要部剖面模式圖表示由反射型光罩基底製作反射型光罩之步驟的步驟圖。 圖3係表示相移膜之厚度與對波長13.5 nm之光之相對反射率及相位差之關係的圖。 圖4係用以說明本發明之反射型光罩基底之概略構成的要部剖面模式圖。 圖5係用以說明實施例1之陰影效應之圖，(a)係自上表面觀察光罩之光罩圖案佈局圖(俯視圖)，(b)係自上表面觀察所轉印之抗蝕劑圖案之抗蝕劑圖案俯視圖。 圖6係表示包含Pt膜之背面導電膜之各膜厚之透過率光譜的圖。 圖7係實施例5之相移膜之厚度與對波長13.5 nm之光之相對反射率及相位差之關係的圖。

Claims (9)

  1. 一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係於基板上依序具有多層反射膜及使EUV光之相位偏移之相移膜者，且 上述相移膜包含單層膜或2層以上之多層膜，且包含含有鉭(Ta)及鈦(Ti)之材料。
  2. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述相移膜具有自基板側起依序積層有下層膜及上層膜之結構，且 上述下層膜包含含有鉭(Ta)、鈦(Ti)及氮(N)之材料， 上述上層膜包含含有鉭(Ta)、鈦(Ti)及氧(O)之材料。
  3. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述相移膜具有自基板側依序積層有下層膜及上層膜之結構，且 上述下層膜包含含有鉭(Ta)、鈦(Ti)及氮(N)之材料， 上述上層膜於EUV光下之折射率大於上述下層膜於EUV光下之折射率，且小於1。
  4. 如請求項3之反射型光罩基底，其中上述上層膜包含含有矽化合物之材料。
  5. 如請求項1至4中任一項之反射型光罩基底，其中於上述多層反射膜與上述相移膜之間進而具有保護膜，且 上述保護膜包含含有釕(Ru)之材料。
  6. 如請求項1至5中任一項之反射型光罩基底，其中於上述基板之相對於設有上述多層反射膜之面為相反側的面上進而具有導電膜，且 上述導電膜包含至少於波長532 nm之光下之透過率為20%以上之材料。
  7. 一種反射型光罩，其特徵在於具有對如請求項1至6中任一項之反射型光罩基底中之上述相移膜進行圖案化而成之相移圖案。
  8. 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：於如請求項1至6中任一項之反射型光罩基底之上述相移膜上形成抗蝕劑圖案， 將上述抗蝕劑圖案作為遮罩，藉由含有實質上不含氧氣之氯系氣體之乾式蝕刻氣體利用乾式蝕刻對上述相移膜進行圖案化而形成相移圖案。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於具有發出EUV光之曝光用光源之曝光裝置中設置如請求項7之反射型光罩，並將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕劑膜。
TW107101645A 2017-01-17 2018-01-17 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法 TWI781133B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017005773 2017-01-17
JP2017-005773 2017-01-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201831987A true TW201831987A (zh) 2018-09-01
TWI781133B TWI781133B (zh) 2022-10-21

Family

ID=62908217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107101645A TWI781133B (zh) 2017-01-17 2018-01-17 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11249385B2 (zh)
JP (2) JP6475400B2 (zh)
KR (2) KR102002441B1 (zh)
SG (1) SG11201906153SA (zh)
TW (1) TWI781133B (zh)
WO (1) WO2018135467A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6475400B2 (ja) 2017-01-17 2019-02-27 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
KR20240033148A (ko) 2019-10-29 2024-03-12 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크
KR102464780B1 (ko) * 2020-09-02 2022-11-09 주식회사 에스앤에스텍 도전막을 구비하는 블랭크마스크 및 이를 이용하여 제작된 포토마스크
KR102638933B1 (ko) * 2021-09-28 2024-02-22 에이지씨 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 도전막을 구비한 기판

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54160738A (en) 1978-06-05 1979-12-19 Nonchi Kk Liquid deodorant
JPH08330221A (ja) 1995-03-29 1996-12-13 Toppan Printing Co Ltd Ｘ線露光用マスクおよびｘ線露光用マスクブランク
US6803156B2 (en) 2001-08-01 2004-10-12 Infineon Technologies Richmond, Lp Electrostatic damage (ESD) protected photomask
JP4212025B2 (ja) 2002-07-04 2009-01-21 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法
JP2004207593A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Toppan Printing Co Ltd 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
WO2007039161A1 (en) 2005-09-27 2007-04-12 Schott Ag Mask blanc and photomasks having antireflective properties
KR100735530B1 (ko) 2006-02-02 2007-07-04 삼성전자주식회사 단차를 가진 반사층을 포함하는 반사형 포토마스크 및 그 제조방법
JP4958147B2 (ja) 2006-10-18 2012-06-20 Ｈｏｙａ株式会社 露光用反射型マスクブランク及び露光用反射型マスク、多層反射膜付き基板、並びに半導体装置の製造方法
KR101585696B1 (ko) 2006-12-15 2016-01-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 그 마스크 블랭크용의 기능막이 형성된 기판
JP2008244323A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Toppan Printing Co Ltd ステンシルマスク
KR20110050427A (ko) 2008-07-14 2011-05-13 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크
JP5282507B2 (ja) 2008-09-25 2013-09-04 凸版印刷株式会社 ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク及びパターン転写方法
JP2012009537A (ja) 2010-06-23 2012-01-12 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法
DE102010025033B4 (de) * 2010-06-23 2021-02-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Defekterkennung und Reparatur von EUV-Masken
DE102011078927B4 (de) 2010-07-12 2019-01-31 Carl Zeiss Sms Ltd. Verfahren zum Korrigieren von Fehlern einer photolithographischen Maske
JP5708651B2 (ja) 2010-08-24 2015-04-30 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
KR101857844B1 (ko) 2011-02-04 2018-05-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 도전막이 형성된 기판, 다층 반사막이 형성된 기판, 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
WO2013046627A1 (ja) 2011-09-28 2013-04-04 凸版印刷株式会社 反射型露光用マスクブランクおよび反射型露光用マスク
EP2581789B1 (en) 2011-10-14 2020-04-29 Fundació Institut de Ciències Fotòniques Optically transparent and electrically conductive coatings and method for their deposition on a substrate
WO2013062104A1 (ja) 2011-10-28 2013-05-02 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
KR101830327B1 (ko) 2012-03-08 2018-02-21 삼성전자주식회사 Ｅｕｖ용 패턴 및 ｄｕｖ용 패턴을 가진 포토마스크
JP6157874B2 (ja) 2012-03-19 2017-07-05 Hoya株式会社 Ｅｕｖリソグラフィー用多層反射膜付き基板及びｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、並びにｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP6171490B2 (ja) 2013-03-29 2017-08-02 凸版印刷株式会社 Ｅｕｖ露光用マスクの製造方法
JP6186962B2 (ja) 2013-07-08 2017-08-30 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
JP6186996B2 (ja) 2013-07-30 2017-08-30 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
US9746762B2 (en) * 2013-09-27 2017-08-29 Hoya Corporation Conductive film coated substrate, multilayer reflective film coated substrate, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method
JP6209103B2 (ja) * 2014-02-25 2017-10-04 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク
US9612531B2 (en) * 2014-03-21 2017-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating an integrated circuit with enhanced defect repairability
US9618836B2 (en) 2014-04-22 2017-04-11 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for EUV lithography, substrate with funtion film for the mask blank, and methods for their production
KR102499220B1 (ko) 2014-09-17 2023-02-13 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
US9551924B2 (en) 2015-02-12 2017-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method for fixing phase effects on EUV mask
SG10201911400WA (en) 2015-06-17 2020-02-27 Hoya Corp Substrate with electrically conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device
WO2017090485A1 (ja) 2015-11-27 2017-06-01 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JP6475400B2 (ja) 2017-01-17 2019-02-27 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US11237472B2 (en) 2017-03-02 2022-02-01 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method
TWI786243B (zh) 2017-12-27 2022-12-11 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 附導電膜之基板、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩以及半導體裝置之製造方法
JP7151169B2 (ja) 2018-05-24 2022-10-12 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201906153SA (en) 2019-08-27
KR20190026926A (ko) 2019-03-13
US20190361338A1 (en) 2019-11-28
JP6475400B2 (ja) 2019-02-27
WO2018135467A1 (ja) 2018-07-26
JP2019070854A (ja) 2019-05-09
KR102002441B1 (ko) 2019-07-23
TWI781133B (zh) 2022-10-21
JPWO2018135467A1 (ja) 2019-01-31
KR20190100251A (ko) 2019-08-28
US11249385B2 (en) 2022-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI810176B (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法
TWI835798B (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法
WO2018135468A1 (ja) 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
WO2019225737A1 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法
TWI764948B (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
JP7018162B2 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
TWI781133B (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法
WO2020184473A1 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
TW201928505A (zh) 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法
JP6440996B2 (ja) 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
WO2020045029A1 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2016046370A5 (zh)
JP2020034666A5 (zh)
WO2020256064A1 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法
WO2020256062A1 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent