JP2010186069A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透光性基板上に金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、次いで、該薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成し、形成された薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、上記薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理を施す。この処理は、たとえば酸素を含む雰囲気中での450℃〜900℃の加熱処理をすることにより行う。
【選択図】図2
Description
また、近年では、モリブデンシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いたArFエキシマレーザー用のバイナリマスクなども出現している。
本発明者は、繰返し使用によって透過率や位相差変化が生じた位相シフトマスクの光半透過膜パターンを調べた結果、MoSi系膜の表層側にSiとO、若干のMoを含む変質層が出来ており、これが透過率や位相差の変化、線幅の変化(太り)の主な原因のひとつであることが判明した。そして、このような変質層が生じる理由(メカニズム)は次のように考えられる。すなわち、従来のスパッタ成膜されたMoSi系膜(光半透過膜)は構造的には隙間があり、成膜後にアニールしたとしてもMoSi膜の構造の変化が小さいため、フォトマスクの使用過程においてこの隙間にたとえば大気中の酸素(O2)や水(H2O)が入り込み、さらには大気中の酸素(O2)がArFエキシマレーザーと反応することによって発生するオゾン(O3)等が入り込んで、光半透過膜を構成するSiやMoと反応する。
つまり、このような環境で光半透過膜を構成するSiとMoは露光光(特にArFなどの短波長光)の照射を受けると励起され遷移状態となり、Siが酸化し膨張する(SiよりもSiO2の体積が大きいため)と共に、Moも酸化して光半透過膜の表層側に変質層が生成される。このとき、大気中の水分量(湿度)に応じて生成されるSi酸化膜の品質は大きく異なり、湿度が高いほど密度の低いSi酸化膜が形成される。低密度Si酸化膜が形成される環境において、フォトマスクを繰返し使用する場合、露光光の照射を累積して受けると、Siの酸化及び膨張がさらに進行すると共に、バルクと変質層界面で酸化されたMoは変質層中を拡散し、表面に析出して、例えばMoO3となって昇華し、変質層の密度はさらに低くなり、酸化しやすい状態になる。その結果、変質層の厚みが次第に大きくなる(MoSi膜中での変質層の占める割合が大きくなる)ものと考えられる。このような変質層が発生し、さらに拡大していく現象は、光半透過膜を構成するSiやMoの酸化反応のきっかけとなるこれらの構成原子が励起され遷移状態となるのに必要なエネルギーを有するArFエキシマレーザー等の短波長の露光光の場合に顕著に確認される。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
(構成3)前記処理は、酸素を含む雰囲気中での450℃〜900℃の加熱処理であることを特徴とする構成1又は2に記載のフォトマスクの製造方法である。
(構成5)前記処理により変質した薄膜パターンの表層の厚さが、10nm以下であることを特徴とする構成1乃至4のいずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法である。
(構成8)前記保護膜の厚さが、15nm以下であることを特徴とする構成6又は7に記載のフォトマスクの製造方法である。
(構成10)前記薄膜は、遷移金属シリサイドの化合物を含む材料からなる遮光膜であることを特徴とする構成1乃至8のいずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法である。
(構成11)前記遷移金属シリサイドは、モリブデンシリサイドであることを特徴とする構成9又は10に記載のフォトマスクの製造方法である。
たとえばMoSi膜における変質層の発生メカニズムは前述したとおりであるが、この場合のSiの酸化速度(dx/dt)は、dx/dt=k・C0/N0であらわせる。ここで、kは酸化界面における酸化反応係数、C0は酸化界面におけるO2/H2O濃度、N0は単位体積あたりのSiO2分子数である。したがって、たとえば、N0の値を大きくすることによってSiの酸化速度を抑制することができる。そこで、構成2のように、薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理を施し、薄膜パターンの表層にケイ素及び酸素を含む層を形成することにより、薄膜パターンの表層のSiO2分子数を増加させることで、Siの酸化速度を抑制する。これにより、たとえH2O、O2やO3を含む環境でフォトマスクに対してArFエキシマレーザーなどの露光光照射が行われても、従来のようなSiの酸化及び膨張による変質層の発生、拡大を効果的に抑えることが可能である。そのため、フォトマスクの繰返し使用を行い、フォトマスクの薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射されても、薄膜パターンの転写特性、例えば光半透過膜の透過率や位相差の変化、線幅変化などを抑えられる。
なお、本発明における薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理により変質した薄膜パターンの表層の厚さは、10nm以下であることが好ましい(構成5)。
なお、この場合の上記保護膜の厚さは、15nm以下であることが好ましい(構成8)。
[第1の実施の形態]
本発明は、透光性基板上に、薄膜をパターニングしてなる転写パターンを有するフォトマスクの製造方法であって、前記透光性基板上に、金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜したフォトマスクブランクを用意する工程と、該フォトマスクブランクの薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成する工程と、形成された薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、前記形成された薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理を施す工程とを有することを特徴とする。
透光性基板上に上記薄膜を成膜する方法としては、例えばスパッタ成膜法が好ましく挙げられるが、本発明はスパッタ成膜法に限定する必要はない。
本実施の形態では、上記薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理として、酸素を含む雰囲気中での450℃〜900℃の加熱処理を行う。加熱温度が450℃未満であると、洗浄耐性および温水耐性が低下するという問題がある。一方、加熱温度が900℃よりも高いと、薄膜自体が劣化する恐れが生じる。
本発明で特に好ましくは、550℃〜650℃の範囲での加熱処理である。これは、600℃前後でSi−Nの結合が増加するためであると考えられる。
加熱処理は、酸素を含む雰囲気中で行うが、例えば加熱炉内を酸素置換した雰囲気で行うのが好適である。勿論、大気中で加熱処理を行ってもよい。
また、加熱処理時間については、加熱温度及び加熱処理により変質する薄膜の表層の厚さとの兼ね合いで決定すればよいが、概ね1時間〜3時間程度が好適である。
また、形成された薄膜パターンに対して本発明の処理を行うことにより、とくにパターンの側壁を保護し、パターンの側壁での膜強化が図れ、線幅変化をより低減することが可能となる。
なお、CD変化量は光半透過膜パターンの表層に生じる変質層の厚さをΔdとすると、2Δdで定義される。
本実施の形態では、上記薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理として、酸素プラズマ処理を行う。具体的には、例えば、チャンバー内を酸素ガス雰囲気として、所定のRFICPパワー及びRFバイアスパワーを印加することで、酸素ガスをプラズマ化し、チャンバー内に設置した薄膜パターン付き基板に対して酸素プラズマを照射することにより行う。
また、酸素プラズマ照射による処理時間(照射時間)については、酸素プラズマ処理条件及び該処理により変質する薄膜パターンの表層の厚さとの兼ね合いで決定すればよいが、概ね1〜10分程度が好適である。
なお、上述の酸素プラズマ処理を施す前に、薄膜パターン付き基板に対して例えば280℃以下で低温加熱処理を行っても差し支えない。
本実施の形態では、透光性基板上に、金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、次いで、該薄膜をパターニングして作製されるフォトマスクの薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、上記の形成された薄膜パターン上に保護膜を形成する。形成された薄膜パターン上に保護膜を形成することにより、薄膜パターンを構成するSi原子の酸化速度を抑制し、従来のようなSiの酸化及び膨張による変質層の発生、拡大を抑えることができる。
上記保護膜の組成は、Si=20〜50原子%、O=30〜60原子%、N=0〜40原子%、C=0〜20原子%で、ArFエキシマレーザー光に対する透過率が90%以上となるように調整するのが好ましい。また、Si=25〜45原子%、O=35〜55原子%、N=10〜25原子%がさらに好ましい。
薄膜パターン上に保護膜を形成すると、薄膜がない透光性基板表面にも保護膜が形成されるが、ArFエキシマレーザー光に対する透過率を90%以上にすると共に、バイアス補正の最適化により、フォトマスクとしての使用に影響を及ぼすことはない。
本発明により製造される上記位相シフトマスクは、例えばArFエキシマレーザーなどの短波長光を露光光源としてフォトマスクの繰返し使用を行っても、光半透過膜の透過率や位相差の変化、線幅変化などが抑えられ、性能が劣化せず、フォトマスクの寿命を著しく改善できる。
上記光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光(例えば、露光波長に対して1%〜20%)を透過させるものであって、所定の位相差(例えば180度)を有するものであり、この光半透過膜をパターニングした光半透過部と、光半透過膜が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち解像度を向上させるものである。
さらに、位相シフトマスクとして、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜とを有する形態とするものなどが挙げられる。
特に、光半透過膜をモリブデンシリサイド窒化物(MoSiN)で形成し、MoSiN膜の主表面を予め変質させる処理として加熱処理を行う場合、所望の位相差及び透過率を有しつつ、加熱処理による透過率変化を抑制するために、MoSiN膜におけるMoとSiの含有比は、Moが10%以上14%以下(好ましくは、11%以上13%以下)とするのが好ましい。
また、光半透過膜上にエッチングストッパー膜(例えば、クロム系膜)を設けることにより、遮光膜の材料を光半透過膜と同じ遷移金属シリサイド系の材料とすることもできる。この場合には、本発明の処理を施すことにより、光半透過膜及び遮光膜共にパターンが変質するのを防止することができるため、効果的である。
この光半透過膜上に遮光膜を有する形態において上記の加熱処理を行う場合には、加熱処理によって遮光膜のODが変化して所望のODが得られなくなることがあるが、その場合には加熱処理によるOD変化量を見込んで予め成膜すればよい。具体的には遮光膜の膜厚を厚くしたり、組成比率を変えたりすることによって、マスクブランク状態でのODが高めになるように成膜すればよい。
本発明により製造される上記遮光膜が遷移金属シリサイド系のバイナリマスクは、例えばArFエキシマレーザーなどの短波長光を露光光源としてフォトマスクの繰返し使用を行っても、遮光膜の遮光性の低下、線幅変化などを抑えられ、性能が劣化せず、フォトマスクの寿命を著しく改善できる。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
このとき、エッチングマスク膜に反射防止機能を持たせることにより、遮光膜上にエッチングマスク膜を残した状態でフォトマスクを作製してもよい。この場合には、本発明の処理を施すことにより、パターンの側壁に対して効果的に作用することになる。また、エッチングマスク膜を遮光膜上から剥離してフォトマスクを作製する場合には、本発明の処理を施すことにより、遮光膜パターンの表面及び側壁に対して作用することになる。
(実施例1)
図1は、本実施例に使用する位相シフトマスクブランク10の断面図である。
透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる光半透過膜2を成膜した。
具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=10mol%:90mol%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:N2:He=5:49:46)で、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を69nmの膜厚で形成した。なお、このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は4.52%、位相差が182.5度となっていた。
以上のようにして、位相シフトマスクブランク10を作製した。
次に、上記レジストパターン3aをマスクとして、光半透過膜2(MoSiN膜)のエッチングを行って光半透過膜パターン2aを形成した(同図(d)参照)。ドライエッチングガスとして、SF6とHeの混合ガスを用いた。
次に、残存するレジストパターンを剥離して、MoSiN膜パターンが形成された基板20を得た(同図(e)参照)。なお、光半透過膜の透過率、位相差はマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
上記照射後の光半透過膜(MoSiN膜)の透過率及び位相差を測定したところ、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は6.70%、位相差は181.9度となっていた。従って、照射前後の変化量は、透過率が+0.54%、位相差が−2.5度であり、変化量は小さく抑えられており、この程度の変化量はフォトマスクの性能に影響はない。また、光半透過膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、とくに従来発生していたような厚い変質層は確認されず、線幅の太り(CD変化量)に関しても10nm以下に抑えられていた。従って、本実施例の位相シフトマスクは、200nm以下の短波長の露光光源による累積照射に対して、極めて高い耐光性を備えていることがわかる。
実施例1と全く同様にして透光性基板上に光半透過膜としてMoSiN膜を成膜して位相シフトマスクブランクを作製した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率及び位相差は実施例1とほぼ同じであった。
次に、実施例1と同様にして、上記の位相シフトマスクブランクを用いて薄膜パターン付き基板を作製した。なお、作製した薄膜パターン付き基板におけるMoSiN光半透過膜の透過率、位相差はマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
次いで、上記MoSiN膜パターンが形成された基板に対して酸素プラズマ処理を施した。具体的には、チャンバー内をO2ガス雰囲気(O2ガス流量100sccm、圧力5Pa)として、RF ICPパワーを750W、及びRFバイアスパワーを250W印加することで、O2ガスをプラズマ化し、MoSiN膜パターンに酸素プラズマを照射した。なおこのとき、上記パターンを形成した基板を2枚用意し、酸素プラズマの照射時間を5分、10分として、夫々の場合の光学特性の変化を測定した。
また、酸素プラズマの照射時間10分の場合、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は5.27%、位相差が180.2度となっていた。従って、酸素プラズマ照射前後の変化量は、透過率が+0.36%、位相差が−0.3度である。
以上のようにして、本実施例の位相シフトマスクを作製した。
酸素プラズマの照射時間が5分のものの場合、ArFエキシマレーザー照射によって、透過率は5.13%、位相差が184.2度となっていた。従って、ArFエキシマレーザー照射前後の変化量は、透過率が+0.03%、位相差が−0.5度であった。
また、酸素プラズマの照射時間10分のものの場合、ArFエキシマレーザー照射によって、透過率は5.31%、位相差が179.9度となっていた。従って、ArFエキシマレーザー照射前後の変化量は、透過率が+0.04%、位相差が−0.3度である。
実施例1と全く同様にして透光性基板上に光半透過膜としてMoSiN膜を成膜して位相シフトマスクブランクを作製した。このMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率及び位相差は実施例1とほぼ同じであった。
次に、実施例1と同様にして、上記の位相シフトマスクブランクを用いて薄膜パターン付き基板を作製した。なお、作製した薄膜パターン付き基板におけるMoSiN光半透過膜の透過率、位相差はマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
次いで、上記MoSiN膜パターンが形成された基板(図2(e)参照)に対して、上記MoSiN膜パターン上に、スパッタリングによりSiON膜からなる保護膜4を形成した(図3参照)。具体的には、Siターゲットを用い、Arと一酸化窒素(NO)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:NO=1:4)で、ガス圧0.2Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、シリコン、酸素及び窒素からなるSiON膜(Si:35.5原子%、O:44.9原子%、N:18.5原子%)を5nmの膜厚で形成した。このSiON膜を形成したMoSiN膜パターンは、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は6.23%、位相差が184.8度となっていた。従って、SiON膜形成後の変化量は、透過率が+1.36%、位相差が+3.7度である。
以上のようにして、本実施例の位相シフトマスクを作製した。
透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板上に、遮光膜として、MoSiON膜(裏面反射防止層)、MoSi膜(遮光層)、MoSiON膜(表面反射防止層)、をそれぞれ形成した。
具体的には、MoとSiとの混合ターゲット(Mo:Si=21mol%:79mol%)を用いArとO2とN2とHeとの混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:O2:N2:He=5:4:49:42)で、ガス圧0.2Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:0.3原子%、Si:24.6原子%、O:22.5原子%、N:52.6原子%)を7nmの膜厚で形成した。
次いで、Mo:Si=4mol%:96mol%のターゲットを用い、ArとO2とN2とHe(ガス流量比 Ar:O2:N2:He=6:5:11:16)で、ガス圧0.1Pa、DC電源の電力を3.0kWで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:1.6原子%、Si:38.8原子%、O:18.8原子%、N:41.1原子%)を15nmの膜厚で形成した。
遮光膜の合計膜厚は52nmとした。遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.0であった。
以上のようにして、本実施例のバイナリマスクブランクを作製した。
次に上記マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
次に、残存するレジストパターンを剥離して、遮光膜パターンが形成された基板を得た。なお、遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいてマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
加熱処理後の遮光膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、MoSiON膜/MoSi膜/MoSiON膜からなるパターンの主表面及び側壁(特にMoSi膜)の表層部分に厚さ略5nmの被膜が形成されていた。さらにこの被膜の組成を詳しく分析したところ、Siと酸素を主成分として含む膜であることを確認した。
こうして、本実施例のバイナリマスクを得た。
本実施例は、遮光膜に関し、MoSiON膜(裏面反射防止層)を形成しなかったこと、遮光膜におけるMoSi膜(遮光層)及びMoSiON膜(表面反射防止層)に関し、下記条件で成膜を行い、MoSi膜(遮光層)をMoSiN膜(遮光層)に変え、その膜厚及び膜中のSi含有率を変化させたこと、MoSiON膜(表面反射防止層)の膜厚を変化させたこと、遮光膜の合計膜厚を変化させたこと、を除き、実施例4と同様である。
遮光膜におけるMoSiN膜(遮光層)は、モリブデン、シリコン、窒素からなる膜(Mo:9原子%、Si:72.8原子%、N:18.2原子%)を52nmの膜厚で形成した。また、遮光膜におけるMoSiON膜(表面反射防止層)は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:1.6原子%、Si:38.8原子%、O:18.8原子%、N:41.1原子%)を8nmの膜厚で形成した。
遮光膜の合計膜厚は60nmとした。遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.0であった。
次に、上記のバイナリマスクブランクを用いて実施例4と同様にして遮光膜パターン付き基板を作製した。なお、遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいてマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
加熱処理後の遮光膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、MoSiN膜/MoSiON膜からなるパターンの主表面及び側壁(特にMoSiN膜)の表層部分に厚さ略5nmの被膜が形成されていた。さらにこの被膜の組成を詳しく分析したところ、Siと酸素を主成分として含む膜であることを確認した。
こうして、本実施例のフォトマスクを得た。
上記加熱処理が施されたフォトマスクに対して、ArFエキシマレーザーを総照射量30kJ/cm2となるように連続照射した。照射後の遮光膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、とくに従来発生していたような変質層は確認されず、線幅の太り(CD変化量)に関しても10nm以下に抑えられていた。従って、本実施例のバイナリマスクは、200nm以下の短波長の露光光源による累積照射に対して、極めて高い耐光性を備えていることがわかる。
実施例4と全く同様にして透光性基板上に遮光膜として、MoSiON膜(裏面反射防止層)、MoSi膜(遮光層)、MoSiON膜(表面反射防止層)、をそれぞれ形成してバイナリマスクブランクを作製した。この遮光膜の光学濃度(OD)は、ArFエキシマレーザ−において実施例4と同じであった。
次に、上記のバイナリマスクブランクを用いて実施例4と同様にして遮光膜パターン付き基板を作製した。なお、遮光膜の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいてマスクブランク製造時と殆ど変化はなかった。
得られた本実施例のフォトマスクに対して、ArFエキシマレーザーを総照射量30kJ/cm2となるように連続照射した。照射後の遮光膜パターンの断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、とくに従来発生していたような変質層は確認されず、線幅の太り(CD変化量)に関しても6nm以下に抑えられていた。従って、本実施例のバイナリマスクは、200nm以下の短波長の露光光源による累積照射に対して、極めて高い耐光性を備えていることがわかる。
透光性基板としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる光半透過膜を形成して位相シフトマスクブランクを作製した。
具体的には、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=10mol%:90mol%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:N2:He=5:49:46)で、ガス圧0.3Pa、DC電源の電力を3.0kWとして、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、シリコン及び窒素からなるMoSiN膜を69nmの膜厚で形成した。
次いで、上記位相シフトマスクに対して加熱処理を施した。具体的には、大気中で加熱温度を280℃、加熱時間を2時間とした。なお、この加熱処理後のMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は6.11%、位相差は175.6度となっていた。また、加熱処理後のMoSiN膜の断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、MoSiN膜の表層部分に特に変化はなく、被膜のようなものは形成されていなかった。
比較例1と同様にして透光性基板上に光半透過膜としてMoSiN膜を成膜して位相シフトマスクブランクを作製し、さらにこれを用いて位相シフトマスクを作製した。
次いで、上記位相シフトマスクに対して加熱処理を施した。具体的には、大気中で加熱温度を400℃、加熱時間を2時間とした。なお、この加熱処理後のMoSiN膜は、ArFエキシマレーザーにおいて、透過率は7.14%、位相差は178.1度となっていた。また、加熱処理後のMoSiN膜の断面をTEM(透過型電子顕微鏡)を用いて詳しく観察したところ、MoSiN膜の表層部分に特に変化はなく、被膜のようなものは形成されていなかった。
2 光半透過膜
3 レジスト膜
4 保護膜
10 位相シフトマスクブランク
20 薄膜付き基板(位相シフトマスク)
Claims (11)
- 透光性基板上に、薄膜をパターニングしてなる転写パターンを有するフォトマスクの製造方法であって、
前記透光性基板上に、金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜したフォトマスクブランクを用意する工程と、該フォトマスクブランクの薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成する工程と、形成された薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、前記形成された薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理を施す工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記処理により薄膜パターンの表層にケイ素及び酸素を含む層を形成することを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記処理は、酸素を含む雰囲気中での450℃〜900℃の加熱処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記処理は、酸素プラズマ処理であることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記処理により変質した薄膜パターンの表層の厚さが、10nm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
- 透光性基板上に、薄膜をパターニングしてなる転写パターンを有するフォトマスクの製造方法であって、
前記透光性基板上に、金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜したフォトマスクブランクを用意する工程と、該フォトマスクブランクの薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成する工程と、形成された薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、前記形成された薄膜パターン上に保護膜を形成する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記保護膜は、ケイ素及び酸素を含む材料からなることを特徴とする請求項6に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記保護膜の厚さが、15nm以下であることを特徴とする請求項6又は7に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記薄膜は、遷移金属シリサイドの化合物を含む材料からなる光半透過膜であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記薄膜は、遷移金属シリサイドの化合物を含む材料からなる遮光膜であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記遷移金属シリサイドは、モリブデンシリサイドであることを特徴とする請求項9又は10に記載のフォトマスクの製造方法。
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