WO2004059384A1 - リソグラフィーマスクブランク - Google Patents

リソグラフィーマスクブランク Download PDF

Info

Publication number
WO2004059384A1
WO2004059384A1 PCT/JP2003/016561 JP0316561W WO2004059384A1 WO 2004059384 A1 WO2004059384 A1 WO 2004059384A1 JP 0316561 W JP0316561 W JP 0316561W WO 2004059384 A1 WO2004059384 A1 WO 2004059384A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thin film
nitrogen
phase shift
film
mask blank
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/016561
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masao Ushida
Megumi Takeuchi
Osamu Suzuki
Minoru Sakamoto
Original Assignee
Hoya Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corporation filed Critical Hoya Corporation
Priority to US10/525,524 priority Critical patent/US7781125B2/en
Priority to JP2004562909A priority patent/JP4319989B2/ja
Priority to DE10393095T priority patent/DE10393095B4/de
Publication of WO2004059384A1 publication Critical patent/WO2004059384A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers

Definitions

  • the present invention provides a photomask, an electron beam mask, and the like for use in manufacturing a semiconductor device and the like.
  • the formation of a transfer pattern in the manufacture of a semiconductor device is performed, for example, by irradiating exposure light through a photomask (reticle).
  • a photomask having a light-shielding film pattern formed on a transparent substrate has been conventionally used.
  • a chromium-based material chromium alone, chromium containing nitrogen, oxygen, carbon, or the like, or a laminated film of these material films.
  • phase shift masks have been put to practical use as ones that can improve the resolution of a transfer pattern.
  • Various types of phase shift masks (Levenson type, auxiliary pattern type, self-aligned type, etc.) are known.
  • One of them is a halftone phase shift mask suitable for transferring high-resolution patterns of holes and dots.
  • This halftone type phase shift mask has a light semi-transmissive film pattern having a phase shift amount of about 180 ° formed on a transparent substrate, and the light semi-transmissive film is formed as a single layer. Some are formed and others are formed in multiple layers.
  • Japanese Patent No. 2966639 discloses a light semi-transmissive film pattern formed of a thin film made of a material mainly composed of metal such as molybdenum, silicon and nitrogen.
  • the light semi-transmissive film made of such a material not only can control a predetermined phase shift amount and a predetermined transmittance with a single layer, but also has excellent acid resistance and light resistance.
  • Photomasks are generally cleaned using a sulfuric acid-based cleaning agent in the final step. It is considered that sulfuric acid or sulfate ions derived from the sulfuric acid-based cleaning agent used in the cleaning step often remains on the photomask after cleaning. For this reason, it is considered that the reaction between the sulfate ion and the ammonium ion generated for some reason is promoted by laser irradiation as a cause of the generation of the precipitate.
  • the wavelength of the exposure light source (exposure light wavelength) has changed from the current KrF excimer laser (248 nm) to an ArF excimer laser (193 nm).
  • the wavelength is getting shorter.
  • a short wavelength exposure light source such as an ArF excimer laser
  • the laser output becomes even higher. For this reason, there is a problem that the formation of precipitates is more easily promoted and the generation of foreign substances becomes more remarkable.
  • the sources of ammonium ions are thought to be substances or deposits from the atmosphere or from the pellicle.
  • a material containing nitrogen for the thin film used for the photomask as described above it was found that those containing nitrogen in the thin film had more ammonium ions on the film surface than the thin film containing no nitrogen. (NH4 +) was found to be abundant. Therefore, it is considered that the film containing nitrogen in the thin film may contribute to the precipitation of ammonium sulfate which may be a foreign matter defect.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the related art, and an object of the present invention is to provide a method capable of reducing the generation of ammonium ions due to the constituent components of a thin film. It is to provide a lithographic mask and a lithographic mask blank from which such a lithographic mask can be manufactured.
  • Still another object of the present invention is to produce a halftone phase shift mask capable of reducing the generation of ammonium ions due to a component of a thin film, and to manufacture such a halftone phase shift mask.
  • the object of the present invention is to provide a halftone type phase shift mask blank that can be used. Disclosure of the invention
  • the present invention has the following aspects.
  • a lithographic mask blank used as a material for manufacturing a lithographic mask wherein the lithographic mask blank has at least one thin film having a desired function on a substrate, wherein the blank is a thin film containing nitrogen as the thin film Forming an ammonium ion formed on the nitrogen-containing thin film or at least on a surface portion of the nitrogen-containing thin film to prevent generation of ammonium ions exposed to the surface when the lithography mask is manufactured. It has at least a film formation preventing layer.
  • the ammonium ion generation preventing layer is a thin film having a smaller nitrogen content than the nitrogen-containing thin film.
  • the ammonium ion generation preventing layer is formed by heat-treating the nitrogen-containing thin film.
  • a photomask is manufactured using the photomask plank according to any of the first to third aspects.
  • Halftone type mask used as a material for manufacturing halftone type phase masks A phase shift mask blank, comprising: a halftone phase shift mask blank having, on a substrate, a single- or multi-layer light semi-transmissive film having at least a desired transmittance and a phase shift amount.
  • a thin film containing nitrogen as a thin film constituting the permeable film and a thin film formed on the nitrogen-containing thin film or at least on a surface portion of the nitrogen-containing thin film. It has at least an ammonium ion generation preventing layer for preventing generation of exposed ammonium ions.
  • the ammonium ion generation preventing layer is a thin film having a smaller nitrogen content than the nitrogen-containing thin film.
  • the nitrogen-containing thin film contains at least silicon and nitrogen
  • the ammonia generation preventing layer contains at least silicon and oxygen
  • the ammonium ion generation preventing layer is formed by heat-treating the nitrogen-containing thin film.
  • a half-one phase shift mask is manufactured using the half-one phase shift mask blank according to any of the fifth to eighth aspects.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a halftone phase shift mask blank according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a halftone phase shift mask blank according to Embodiments 3 and 4 of the present invention.
  • FIG. 3 shows the presence / absence of an ammonia generation preventing film in Example 1 and the presence of an ammonium surface prevention film.
  • FIG. 4 is a diagram showing a relationship with a monium ion concentration.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the heat treatment time performed in Example 3 and the concentration of ammonium ions on the film surface.
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the heat treatment time performed in Example 4 and the concentration of ammonium ions on the film surface.
  • the present inventors have found that, in lithographic mask blanks such as masks and mask blanks, based on the fact that ammonium ions are extracted from a nitrogen-containing thin film whose surface is exposed when a mask is manufactured, ammonia ions are extracted. It was presumed that the formation of palladium ions was caused by nitrogen in the film. Incidentally, it has been found that even in a film containing nitrogen, there is almost no ammonium ion present inside the film, so that the nitrogen component in the thin film involves some alteration on the surface of the film, and the ammonia ion It is considered that ions were generated.
  • the formation of ammonium ions on the nitrogen-containing thin film or at least on the surface portion of the nitrogen-containing thin film is performed.
  • an ammonium ion generation prevention layer for preventing the formation of ammonium ions is formed.
  • the concentration of ammonium ions on the film surface decreases, and even if sulfuric acid or sulfuric acid ions remain in the subsequent washing of the mask blank with sulfuric acid or the sulfuric acid of a photomask manufactured using a mask blank, the exposure is performed.
  • the laser irradiation at this time it is possible to suppress the generation of foreign substances due to ammonium ions such as ammonium sulfate.
  • the surface subjected to the treatment for preventing the formation of foreign substances caused by ammonium ions such as ammonium sulfate is treated when the concentration of ammonium ions (NH4 +) is measured by an ion chromatography method using pure water extraction or the like.
  • NH4 + compared to before The treatment is performed so that the concentration decreases, for example, the NH4 + concentration measured by ion chromatography becomes 20 ng / cm 2 or less, preferably 10 ng / cm 2 or less, and more preferably 5 ng / cm 2 or less.
  • the formation of the ammonium ion generation preventing layer is performed so as not to impair the original function of the thin film. Alternatively, it is adjusted so as to have an original function when the ammonium ion generation preventing layer is formed.
  • the formation of the ammonium ion generation preventing layer can be performed at the time of manufacturing the mask blank or after the manufacturing, and can also be performed at the time of manufacturing the mask or after the manufacturing.
  • the following two methods are typically considered as methods for forming the ammonium ion generation preventing layer.
  • At least the outermost surface is a layer in which even if a substance caused by the formation of ammonium ions is present, the layer is difficult to elute or a layer that suppresses the formation of ammonium ions.
  • a method of forming a thin film (ammonia ion generation preventing layer) having a lower nitrogen content than a nitrogen-containing thin film there is a method of newly forming such an ammonium ion generation preventing layer on a nitrogen-containing thin film by film formation.
  • a thin film having a lower nitrogen content includes a thin film containing substantially no nitrogen.
  • the method (2) specifically includes, for example, a heat treatment of a thin film containing nitrogen.
  • a heat treatment of a thin film containing nitrogen By performing heat treatment in the atmosphere or an atmosphere containing oxygen such as 02 or C02, or an inert gas atmosphere such as nitrogen or Ar, or a vacuum treatment, the thin film containing nitrogen of the mask blank and its surface layer are thermally perturbed. Receive.
  • the photomask surface is modified to a chemically more stable state. This makes it possible to suppress the generation of ammonium ions on the surface of the thin film.
  • the heat treatment temperature is preferably 180 ° C. or higher, more preferably 250 or higher.
  • the heat treatment time varies depending on the processing temperature and the processing atmosphere.At least, considering that the thermal perturbation is uniformly applied to the photomask blank and the deterioration inside the thin film can be controlled stably, It is preferably at least 5 minutes, preferably at least 10 minutes.
  • the heat treatment temperature exceeds 400 ° C, for example, in an active atmosphere containing oxygen, the reaction with the thin film surface may proceed extremely, which may impair the function of the thin film. It is necessary to keep in mind.
  • the heat treatment at a high temperature it is preferable to perform the heat treatment in an atmosphere containing no oxygen or having a sufficiently controlled oxygen concentration.
  • a method of coexisting a substance for suppressing the generation of ammonium ions by nitrogen into the film together with nitrogen can be considered.
  • a substance that suppresses the formation of ammonium ions for example, oxygen is cited.
  • oxygen ions or the like are formed on the film surface of a thin film containing nitrogen.
  • a method of performing surface treatment such as surface oxidation treatment using heat, plasma, or the like.
  • examples of the foreign substance caused by the ammonium ion include ammonium sulfate, an ammonium salt mainly composed of ammonium sulfate, and other ammonium salts.
  • a thin film having a desired function in a photomask blank for example, a light shielding film, an antireflection film, an optical half for a halftone type phase shift mask can be used.
  • Permeable membranes and the like are used as a thin film having a desired function in a photomask blank. These thin films often correspond to thin films whose surfaces are exposed when a photomask is manufactured.
  • a thin film containing nitrogen is formed as a thin film constituting a light semi-transmissive film, and a thin film containing nitrogen is formed on at least a surface portion of the thin film containing nitrogen. And at least an ammonium ion generation preventing layer for preventing generation of ammonium ions whose surface is exposed when the mask is manufactured.
  • the nitrogen-containing thin film when the nitrogen-containing thin film is a light semi-transmissive film having a desired transmittance and phase shift amount of a halftone type phase shift mask blank, the nitrogen-containing thin film contains nitrogen.
  • This corresponds to a single-layer structure composed of a thin film, or a multi-layer semi-transmissive film in which a nitrogen-containing thin film is formed immediately below the ammonium ion generation preventing layer.
  • a material of the light semi-transmissive film having a single-layer structure for example, a material containing silicon and nitrogen, a material containing metal, silicon, and nitrogen, or a material containing oxygen, fluorine, carbon, and hydrogen is selected. And materials containing one or more of these.
  • the metal includes one or more metals selected from molybdenum, tantalum, tungsten, chromium, titanium, nickel, palladium, hafnium, zirconium and the like.
  • Such a material film can be formed by performing reactive sputtering in an atmosphere using a reactive gas such as silicon or a target made of metal and silicon in an atmosphere using a reactive gas such as nitrogen.
  • a reactive gas such as silicon or a target made of metal and silicon in an atmosphere using a reactive gas such as nitrogen.
  • the film can also be formed using a target including the above.
  • a material film of the light translucent film having a single layer structure obtained by laminating two or more layers, chromium, tantalum, hafnium, magnesium, aluminum, titanium, vanadium, yttrium, zirconium
  • a transmittance adjusting layer such as a metal film containing one or more selected from the group consisting of, niobium, molybdenum, tin, lanthanum, tungsten, silicon, etc., and the above-mentioned single-layer material (halftone film) are laminated.
  • the light transflective film has a phase difference of about 180 ° and a transmittance of 3 to 40% in order to obtain an effect as a halftone type phase shift film. Is set to the transmittance selected from the range.
  • an ammonia generation preventing layer on a material containing metal, silicon, and nitrogen, or a material layer containing one or more kinds selected from oxygen, fluorine, carbon, and hydrogen in these materials Is a material containing one kind selected from the group consisting of silicon, oxygen-containing material, metal, nitrogen (the amount of nitrogen is smaller than that of nitrogen-containing layer), and carbon. You can do it.
  • the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
  • the halftone phase shift mask blank had a transmittance of 5.5% and a phase shift of approximately 180 ° in the KrF excimer laser (wavelength: 248 nm).
  • an ammonium ion generation preventing layer 3 (each of which is made of a thin film of oxidized molybdenum and silicon (MoSiO) on the transparent substrate 1 by reactive sputtering (DC sputtering). Then, a film thickness of about 30 angstroms and a thickness of 100 angstroms) were formed to manufacture an eight-tone phase shift mask blank (see FIG. 1 (2)).
  • the MoSiN film + MoSio film can be used as a light semi-transmissive film of the halftone type phase shift mask blank.
  • Figure 3 shows a sample that was not treated to prevent foreign matter generation due to ammonium ions such as ammonium sulfate (denoted as “none” in the figure) and a sample that was treated to prevent foreign matter generation due to ammonium ions such as ammonium sulfate.
  • ammonium ion concentration on the film surface of the sample shown as film thickness in the figure
  • the ammonium sulfate on the surface of the film subjected to the ammonium sulfate production prevention treatment is greatly reduced.
  • This phase shift mask uses a KrF excimer laser or other pattern-based pattern transfer method for a sample that has been subjected to a process for preventing the formation of foreign particles due to ammonium ions such as ammonium sulfate, since the sample surface has a small amount of ammonium ions. In this case, the generation of foreign matter defects due to ammonium sulfate can be reduced.
  • phase shift mask blanks having a semi-transmissive film 2 (thickness of about 800 on guest ports) of 0 SiN) were prepared (see Fig. 1 (1)).
  • the halftone phase shift mask blank had a transmittance of 5.5% and a phase shift of about 180 ° with an ArF excimer laser (wavelength 193 nm).
  • Molybdenum and silicon Mo S
  • Two halftone type phase shift mask blanks having a 1 N) light semi-transmissive film 2 (thickness of about 800 ⁇ ) were prepared.
  • the MoS iN film + S i ON film can be used as the light semi-transmissive film of the halftone type phase shift mask blank.
  • the ammonium ion concentration on the film surface of this halftone type phase shift mask blank was measured by ion chromatography. As a result, a sample with a thickness of 30 ⁇ was 3.5 ng / cm2 and a film thickness of 100 ⁇ . It was 2.8 ng gZcn ⁇ for the sample of the system.
  • a chromium-based light-shielding film was formed on the thin film made of the MoSiO film, a resist film was formed, and a resist pattern was formed by pattern exposure and development.
  • the MoSiO film and MoSiN film are etched by dry etching with CF4 + 02 gas. After the resist is stripped, the film is washed with 100% 98% sulfuric acid (H2S04), rinsed with pure water, and phased. A shift mask was obtained.
  • This phase shift mask performs pattern transfer by laser irradiation with a KrF excimer laser, etc., since the sample that has been subjected to the process of preventing foreign matter generation due to ammonium ions such as ammonium sulfate has a small amount of ammonium ions on the film surface. In this case, the generation of foreign matter defects due to ammonium sulfate can be reduced.
  • the preferred thickness of the ammonia formation preventing layer is preferably 10 on guest ports or more, more preferably 30 on guest rooms or more, from the viewpoint of dramatically reducing the amount of ammonium ions on the film surface. .
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, a light semi-transmissive film (thickness: about 935 angstroms) of molybdenum and silicon (MoSiN) 2 was formed on the transparent substrate 1 (see FIG. 2 (1 ) See).
  • FIG. 4 shows the results of the measurement of the relationship between the heat treatment time and the concentration of ammonium ions on the surface of the film by ion chromatography.
  • the amount of ammonium ions is reduced by the heat treatment, especially when the heat treatment time exceeds about 15 minutes. This is presumably because, in this embodiment, the heat perturbation applied to the mask blank from about 15 minutes after the heat treatment uniformly and effectively acted on the entire surface of the thin film.
  • Example 2 the same mask processing as in Example 1 was performed to obtain a phase shift mask.
  • This phase shift mask has a small amount of ammonium ions on the film surface of the sample that has been subjected to the ammonium sulfate prevention treatment. Therefore, when the pattern is transferred by laser irradiation such as a KrF excimer laser, the foreign matter due to the ammonium sulfate The generation of defects was prevented.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, a light translucent film 2 of molybdenum and silicon (MoSIN) nitrided (thickness: about 935 on-guest D-mem) 2 was formed on the transparent substrate 1 (FIG. 2 ( 1) See).
  • MoSIN molybdenum and silicon
  • a heat treatment 4 was performed at 400 ° C. in a nitrogen atmosphere (see FIG. 2 (2)).
  • Fig. 5 shows the results of measurement of the heat treatment time and the concentration of ammonium ions on the film surface by ion chromatography.
  • This phase shift mask has a small amount of ammonium ions on the film surface of the sample that has been treated to prevent ammonium sulfate generation. Therefore, when pattern transfer is performed by laser irradiation with a KrF excimer laser, foreign matter defects due to ammonium sulfate was prevented from being generated. Industrial applicability
  • a thin film whose surface is exposed when a photomask is manufactured is at least a nitrogen-containing thin film, and the nitrogen-containing thin film is made of ammonium sulfate or the like.
  • a photomask blank capable of producing a photomask in which ammonium sulfate is not deposited by laser irradiation can be obtained by having a surface that has been subjected to a treatment for preventing foreign matter generation due to ammonium ions. .

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

リソグラフィーマスクを製造する素材として用いられるリソグラフィーマスクブランクであって、基板上に所望の機能を有する薄膜を少なくとも一層有するリソグラフィーマスクブランクにおいて、前記ブランクは、前記薄膜として窒素を含有する薄膜と、前記窒素を含有する薄膜上、又は前記窒素を含有する薄膜の少なくとも表面部分に形成された、前記リソグラフィーマスクを製造したときに表面に露出するアンモニウムイオンの生成を防止するアンモニウムイオン生成防止層を有する。

Description

明 細 書 リソグラフィ一マスクブランク 技術分野
本発明は、 半導体装置等の製造に用いるためのフォトマスク、 電子線マスク、
X線マスク等のリソグラフィ一マスクの素材となるリソダラフィ一マスクブラン ク及びリソグラフィ一マスクに関し、 特に、 フォトマスクの一例であるハーフ卜 —ン型位相シフトマスクの素材となるハーフトーン型位相シフトマスクブランク 及びハーフ ] ^一ン型位相シフトマスクに関する。 背景技術
半導体装置の製造における転写パターンの形成は、 例えば、 フォトマスク （レ チクル） を介して露光光の照射を行うことにより行われる。
このようなフォトマスクとしては、 透明基板上に遮光膜パターンが形成されて いるものが従来から使用されている。 遮光膜の材料としては、 クロム系材料 （ク ロム単体、 又はクロムに窒素、 酸素、 炭素等が含有されたもの、 あるいはこれら 材料膜の積層膜） が一般的に用いられている。
さらに、 近年において転写パターンの解像度を向上できるものとして、 位相シ フトマスクが実用化されている。 位相シフトマスクには、 様々なタイプ （レベン ソン型、 補助パターン型、 自己整合型など） が知られている。 その中の一つとし て、 ホール、 ドットの高解像パターン転写に適したハーフトーン型位相シフトマ スクがある。
このハーフトーン型位相シフトマスクは、 透明基板上に、 略 1 8 0 ° の位相シ フト量を有する光半透過膜パターンが形成されたものであり、 光半透過膜が単層 で形成されているものや多層で形成されているものがある。 例えば、 特許 2 9 6 6 3 6 9号公報には、 光半透過膜パターンをモリブデンなどの金属、 シリコン及 び窒素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成したものが開示されてい る。 このような材料の光半透過膜は、 単層で所定の位相シフト量及び透過率を制御 できることの他、 耐酸性及び耐光性等に優れたものが得られる。
上記のように、 フォトマスクにおいて用いられる膜材料としては、 様々な理由 から膜中に窒素を含むものが少なからず開発されている。
ところで、 フォトマスク （レチクル） を用いてパターン転写を行う際には、 フ オトマスクに対して高エネルギーのレーザ光が照射される。 このため、 レーザ照 射によりフォトマスク表面における化学反応が助長される。 それにより、 何かし らの析出物の形成が促進され、 その析出物が異物としてフォトマスク上に発生し 付着するという問題がある。 そのような析出物の一つとして、 硫酸アンモニゥム があることが確認されている。
フォトマスクは、 最終工程に硫酸系洗浄剤を用いた洗浄が行われるのが一般的 である。 その洗浄工程で使用される硫酸系洗浄剤に由来する硫酸又は硫酸イオン が洗浄後のフォトマスクに残留していることが多いと考えられる。 このため、 こ の硫酸イオンと何かしらの原因で発生したアンモニゥムイオンの反応がレ一ザ照 射によって促進されることが、 析出物が生じる原因として考えられる。
特に、 近年における L S Iパターンの微細化に伴い、 露光光源の波長 （露光光 波長） は、 現行の K r Fエキシマレーザ （2 4 8 nm) から、 A r Fエキシマレ 一ザ （1 9 3 nm) へと短波長化が進んでいる。 このような状況の下、 例えば、 A r Fエキシマレ一ザのような短波長の露光光源を用いた場合、 レーザ出力がさ らに高出力となる。 このため、 析出物の形成がより促進され易く、 異物生成がよ り顕著となるという問題点がある。
アンモニゥムイオンの発生源は、 大気中又はペリクル由来の物質もしくは付着 物であると考えられる。 ところが、 上記したようにフォトマスクに用いられる薄 膜に窒素が含有された材料を用いるものについて調べた結果、 薄膜に窒素を含む ものは、 窒素を含まない薄膜よりも、 膜表面にアンモニゥムイオン （NH4+) が 多く存在することがわかった。 従って、 薄膜に窒素を含むものは、 異物欠陥とな り得る硫酸アンモニゥムの析出に寄与している可能性があると考えられる。 本発明は、 上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、 その目的は、 薄膜の構成成分が起因したアンモニゥムイオンの生成を低減することが可能なリ ソグラフィ一マスク及びそのようなリソグラフィーマスクを製造することができ るリソグラフィ一マスクブランクを提供することにある。
さらに、 本発明の他の目的は、 薄膜の成分が起因したアンモニゥムイオンの生 成を低減することが可能なハーフトーン型位相シフトマスク及びそのようなハー フトーン型位相シフトマスクを製造することができるハーフトーン型位相シフト マスクブランクを提供することにある。 発明の開示
本発明は以下の態様を有する。
(第 1の態様）
リソダラフィ一マスクを製造する素材として用いられるリソグラフィ一マスク ブランクであって、 基板上に所望の機能を有する薄膜を少なくとも一層有するリ ソグラフィ一マスクブランクにおいて、 前記ブランクは、 前記薄膜として窒素を 含有する薄膜と、 前記窒素を含有する薄膜上、 又は前記窒素を含有する薄膜の少 なくとも表面部分に形成された、 前記リソグラフィーマスクを製造したときに表 面に露出するアンモニゥムイオンの生成を防止するアンモニゥムイオン生成防止 層を少なくとも有する。
(第 2の態様）
前記第 1の態様のリソグラフィ一マスクブランクにおいて、 前記ァンモニゥム イオン生成防止層が、 前記窒素を含む薄膜よりも窒素の含有量が小さい薄膜であ る。
(第 3の態様）
前記第 1の態様のリソグラフィ一マスクブランクにおいて、 前記アンモニゥム イオン生成防止層が、 前記窒素を含有する薄膜の熱処理により形成される。
(第 4の態様）
フォトマスクを、 前記第 1〜3の態様のいずれかに係るフォトマスクプランク を用いて製造する。
(第 5の態様）
ハーフトーン型位相マスクを製造する素材として用いられるハーフトーン型位 相シフトマスクブランクであって、 基板上に、 少なくとも所望の透過率及び位相 シフト量を有する一層又は多層からなる光半透過膜を有するハーフトーン型位相 シフトマスクブランクにおいて、 前記ブランクは、 前記光半透過膜を構成する薄 膜として窒素を含有する薄膜と、 前記窒素を含有する薄膜上、 又は前記窒素を含 有する薄膜の少なくとも表面部分に形成された、 前記リソグラフィーマスクを製 造したときに表面に露出するアンモニゥムイオンの生成を防止するアンモニゥム イオン生成防止層を少なくとも有する。
(第 6の態様）
前記第 5の態様のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、 前記ァ ンモニゥムイオン生成防止層が、 前記窒素を含む薄膜よりも窒素の含有量が小さ い薄膜である。
(第 7の態様）
前記第 5の態様のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、 前記窒 素を含有する薄膜がシリコンと窒素を少なくとも含み、 前記アンモニゥム生成防 止層がシリコンと酸素を少なくとも含む。
(第 8の態様）
前記第 5の態様のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、 前記ァ ンモニゥムイオン生成防止層が、 前記窒素を含有する薄膜の熱処理により形成さ れる。
(第 9の態様）
ハーフ 1 ^一ン型位相シフトマスクを、 前記第 5〜 8の態様のいずれかに係るハ ーフ 1 ^一ン型位相シフトマスクブランクを用いて製造する。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施例 1に係るハーフトーン型位相シフトマスクブランクを 説明するための断面図である。
図 2は、 本発明の実施例 3及 4に係るハーフトーン型位相シフトマスクブラン クの製造方法を説明するための断面図である。
図 3は、 実施例 1における、 アンモニゥム生成防止膜の有無と、 膜表面のアン モニゥムイオン濃度との関係を示す図である。
図 4は、 実施例 3で実施した熱処理時間と、 膜表面のアンモニゥムイオン濃度 との関係を示す図である。
図 5は、 実施例 4で実施した熱処理時間と、 膜表面のアンモニゥムイオン濃度 との関係を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明について詳細に説明する。
本発明者らは、 フォ 1、マスクブランク等のリソグラフィ一マスクブランクにお いて、 マスクを製造したときに表面が露出する窒素を含有する薄膜において、 ァ ンモニゥムイオンが抽出されるという事実に基づき、 アンモニゥムイオンの生成 が、膜中の窒素に起因するものと推定した。ちなみに、窒素を含む膜であっても、 膜の内部にアンモニゥムイオンはほとんど存在していないことが判明しているた め、 薄膜中の窒素成分が、 膜の表面における何らかの変質を伴い、 アンモニゥム イオンを生成しているものと考えられる。
本発明においては、 膜中の窒素に起因すると考えられる膜表面におけるアンモ ニゥムイオンの生成を防止するために、 窒素を含有する薄膜上、 又は窒素を含有 する薄膜の少なくとも表面部分にアンモニゥムイオンの生成を防止するアンモニ ゥムイオン生成防止層を形成する。 これにより、 マスクを製造したときに表面が 露出する層において、 膜中の窒素に起因すると考えられるアンモニゥムイオン生 成が低減される。
その結果、 膜表面のアンモニゥムイオン濃度が小さくなり、 その後のマスクブ ランクの硫酸洗浄又はマスクブランクを用いて製造されたフォトマスクの硫酸洗 浄等において硫酸又は硫酸イオン等が残留したとしても、 露光の際のレーザ照射 によって硫酸アンモニゥムなどのアンモニゥムイオンに起因する異物の発生を抑 えることができる。
本発明において、 硫酸アンモニゥムなどのアンモニゥムイオンに起因する異物 生成防止処理が施された表面は、 純水抽出によるイオンクロマトクラフィ一法等 でアンモニゥムイオン （NH4+) 濃度を測定したときに、 処理前に比べて NH4+ 濃度が減少しており、 例えば、 イオンクロマトグラフィー法で測定した NH4+濃 度が、 20ngZcm2以下、好ましくは 10 ng/cm2以下、 さらに好ましく は、 5ng/cm2以下となるように処理が施される。
本発明において、 アンモニゥムイオン生成防止層の形成は、 薄膜の本来の機能 を損なわないように行われる。 あるいは、 アンモニゥムイオン生成防止層を形成 したときに本来の機能を有するように調整される。
本発明において、 アンモニゥムイオン生成防止層の形成は、 マスクブランク製 造時又は製造後に行うことができ、マスク製造時又は製造後に行うこともできる。 アンモニゥムイオン生成防止層の形成方法としては、 代表的には次の 2つの方 法が考えられる。
(1) 最表面に、 アンモニゥムイオンの生成に起因する物質が少ない層を設け る。
(2) 少なくとも最表面を、 アンモニゥムイオンの生成に起因する物質が存在 したとしてもその物質が溶出し難い層もしくはアンモニゥムィオンの生成を抑制 する層とする。
(1) の方法については、 具体的には、 窒素を含む薄膜よりも窒素の含有量が 小さい薄膜 （アンモニゥムイオン生成防止層） を形成する方法がある。 このよう なアンモニゥムイオン生成防止層は、 窒素を含む薄膜上に新たに成膜により形成 する方法等がある。 窒素を含有する薄膜を窒素を含む薄膜よりも窒素の含有量が 小さい薄膜で覆うことによって、 マスクとなったときに露出する表面に窒素が存 在が少なくなくなる。 これにより、 薄膜中の窒素に起因して薄膜表面にアンモニ ゥムイオンが生成されるのを防止するすることができる。 尚、 窒素の含有量が小 さい薄膜とは、 窒素を実質的に含まない薄膜を含むものである。
(2)の方法については、 具体的には、 例えば、 窒素を含む薄膜の熱処理が挙げ られる。 大気、 或いは 02、 C02などの酸素を含む雰囲気、 又は窒素、 Ar等の不活 性ガス雰囲気、 真空中等で熱処理を施すことによって、 マスクブランクの窒素を 含む薄膜及びその表層部分は熱的な摂動を受ける。
これにより、 膜構造の再配列が助長され、 例えば、 膜表層部では薄膜構成元素 であるシリコンや窒素のダングリングボンドがより効率良く結合を形成し、 安定 な状態へと推移する。
一方、 熱処理を施す雰囲気によっては、 同様に熱的な摂動を受けた膜表面と雰 囲気との反応により、 例えば、 緻密な極薄酸化膜が形成され、 上記した （1 ) の 方法も兼ね備えることができる。
すなわち、 熱的なエネルギーの適宜な付与により、 フォトマスク表面は化学的 により安定な状態へと改質される。 これにより、 薄膜表面におけるアンモニゥム イオンの発生を抑制することが可能となる。
このように好適な作用を得るためには、 熱処理温度は、 180°C以上、 好ましくは 250で以上が好ましい。
また、 熱処理時間は、 処理温度や処理雰囲気によって異なるが、 フォトマスク ブランクに対して熱的な摂動を均一に付与し、 かつ薄膜内部の変質が安定して制 御できることを考慮して、最低でも 5分以上、好ましくは 10分以上であることが 好ましい。
尚、 熱処理温度が 400°Cを超える場合は、 例えば、 酸素を含む活性雰囲気にお いては、 薄膜表面との反応が過激に進行する場合があり、 薄膜の機能を損なう恐 れがあるため、 留意する必要がある。
高温での熱処理の場合は、 好ましくは、 酸素を含まない、 あるいは充分に酸素 濃度を制御した雰囲気において熱処理することが好ましい。
上記熱処理以外の他の方法としては、 窒素によるアンモニゥムイオンを生成を 抑制する物質を窒素と共に膜中に共存させるようにする方法も考えられる。 この ような、 アンモニゥムイオンの生成を抑制する物質としては、 例えば、 酸素が挙 げられ、 そのようなアンモニゥムイオン生成防止層の形成方法としては、 窒素を 含む薄膜に対する膜表面に酸素イオン等を打ち込む方法や、 熱、 プラズマ等を利 用した表面酸化処理のような表面処理にて行う方法がある。
本発明において、 アンモニゥムイオンに起因する異物としては、 硫酸アンモニ ゥムや、 硫酸アンモニゥムを主体とするアンモニゥム塩、 その他のアンモニゥム 塩等が挙げられる。
本発明において、 フォトマスクブランクにおける所望の機能を有する薄膜とし ては、 例えば、 遮光膜、 反射防止膜、 ハーフトーン型位相シフトマスク用の光半 透過膜等が挙げられる。 これらの薄膜は、 フォトマスクを製造したときに表面が 露出する薄膜に該当する場合が多い。
また、 本発明におけるハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいては、 光半透過膜を構成する薄膜として窒素を含有する薄膜と、窒素を含有する薄膜上、 又は窒素を含有する薄膜の少なくとも表面部分に形成された、 前記マスクを製造 したときに表面が露出するアンモニゥムイオンの生成を防止するアンモニゥムィ オン生成防止層を少なくとも有する。
上記のように、 窒素を含有する薄膜を、 ハーフトーン型位相シフトマスクブラ ンクの所望の透過率及び位相シフト量を有する光半透過膜とした場合、 窒素を含 有する薄膜は、 窒素を含有する薄膜からなる単層構造のもの、 又は多層構造の光 半透過膜のうちのアンモニゥムイオン生成防止層の直下層に、 窒素を含有する薄 膜を形成したものが該当する。
ここで、 単層構造の光半透過膜の材料としては、 例えば、 シリコン及び窒素を 含むもの、 又は金属、 シリコン、 及び窒素を含むもの、 或いはこれらに、 酸素、 フッ素、 炭素、 及び水素から選ばれる一種又は二種以上を含有する材料が挙げら れる。 尚、 金属としては、 モリブデン、 タンタル、 タングステン、 クロム、 チタ ン、 ニッケル、 パラジウム、 ハフニウム、 ジルコニウム等から選ばれる一種又は 二種以上を含むものが挙げられる。
このような材料膜は、 シリコン、 又は金属とシリコンからなるターゲットを用 レ 窒素等の反応性ガスを用いた雰囲気中で反応性スパッタリングを行うことに より成膜することができるが、 窒素等を含むターゲットを用いて成膜することも できる。
多層構造の光半透過膜としては、 上記単層構造の光半透過膜の材料膜をニ層以 上積層させたもの、 クロム、 タンタル、 ハフニウム、 マグネシウム、 アルミニゥ ム、 チタン、 バナジウム、 イットリウム、 ジルコニウム、 ニオブ、 モリブデン、 スズ、 ランタン、 タングステン、 シリコン等から選ばれる一種又は二種以上を含 む金属膜等の透過率調整層と、 上記単層の材料 （ハーフトーン膜） を積層させた もの等が挙げられる。 尚、 光半透過膜は、 ハーフトーン型位相シフト膜としての 効果を得るために、 位相差が略 1 8 0 ° に設定されており、 透過率は 3〜4 0 % の範囲から選択された透過率に設定される。
特に、 金属、 シリコン、 及び窒素を含むもの、 或いはこれらに、酸素、 フッ素、 炭素、 及び水素から選ばれる一種又は二種以上を含有する材料層の上に、 アンモ ニゥム生成防止層を形成する場合は、 アンモニゥム生成防止層の材料として、 シ リコンに酸素を含む材料、 それらに金属、 窒素 （窒素を含有する層より窒素の量 が少ない量とする） 及び炭素から選ばれる 1種を含む材料とすることできる。 以下、 実施例を用いて、 本発明をさらに詳細に説明する。
(実施例 1 )
モリブデン （Mo) とシリコン （S i ) との混合ターゲット （Mo ： S i =2 0 ： 8 Omo 1 %) を用い、 アルゴン （Ar) と窒素 （N2) との混合ガス雰囲気
(A r ： N2= 1 0 %： 9 0 %、圧力： 0. 2 P a)で、反応性スパッタリング（D Cスパッタリング） により、 透明基板 1上に窒化されたモリブデン及びシリコン
(Mo S 〖 N) の光半透過膜 2 (膜厚約 935オンゲストロ ム） を形成したハーフト一 ン型位相シフトマスクプランクを 3枚用意した （図 1 (1) 参照)。 このハーフト ーン型位相シフトマスクブランクは、 K r Fエキシマレ一ザ一 (波長 248 nm) でおいて、 透過率はそれぞれ 5. 5%、 位相シフト量が略 1 80° であった。 この位相シフトブランク 2枚の光半透過膜 2上に、 上記の同様のターゲットを 用い、 アルゴン （Ar) と酸素 （〇2) との混合ガス雰囲気 （Ar ： 02=6 0%： 40 %、 圧力： 0. 2 P a) で、 反応性スパッタリング (DCスパッタリング) により、 透明基板 1上に酸化されたモリブデン及びシリコン （Mo S i O) の薄 膜からなるアンモニゥムイオン生成防止層 3 (それぞれ、 膜厚約 30オンゲストロ-ム、 及び 1 00オングスト Π-ム）を形成して、八ーフトーン型位相シフ卜マスクブランクを 製造した （図 1 (2) 参照)。
このハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、 Mo S i N膜 +Mo S i O 膜をハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜とすることができる。 図 3は、 硫酸アンモニゥムなどのアンモニゥムイオンに起因する異物生成防止 処理を施さなかったサンプル （図中 「無し」 と表記） と、 硫酸アンモニゥムなど のアンモニゥムイオンに起因する異物生成防止処理を施したサンプル （図中膜厚 で表記） における、 膜表面のアンモニゥムイオン濃度を、 イオンクロマトグラフ ィ一法で測定した結果である。 この図から明らかなように、 硫酸アンモニゥム生 成防止処理を施したものについては、 膜表面のアンモニゥムイオンが飛躍的に減 少していることがわかる。
次に、 Mo S iO膜からなる薄膜上に、 クロム系遮光膜を形成した後、 レジス 卜膜を形成し、パターン露光、現像によりレジストパタ一ンを形成した。次いで、 CF4+02ガスによるドライエッチングにより、 MoS i 0111¾^Mo S i N膜 をエッチングし、 レジスト剥離後、 100°(：の98%硫酸 （H2S04) にて洗浄 し、 純水でリンスして位相シフトマスクを得た。
この位相シフトマスクは、 硫酸アンモニゥムなどのアンモニゥムイオンに起因 する異物生成防止処理を施したサンプルは膜表面のアンモニゥムイオンが少ない こと力 ら、 Kr Fエキシマレ一ザ等のレーザ照射によるパターン転写を行った場 合、 硫酸アンモニゥムによる異物欠陥の生成を低減することができる。
(実施例 2 )
モリブデン （Mo) とシリコン （S i ) との混合ターゲッ卜 （Mo： S i = 8 ： 92mo 1 %) を用い、 アルゴン （Ar) と窒素 （N2) との混合ガス雰囲気 （A r ： N2=l 0%： 90%、 圧力： 0. 2 P a) で、 反応性スパッタリング (DC スパッ夕リング）により、透明基板 1上に窒化されたモリブデン及びシリコン（M
0 S i N)の光半透過膜 2 (膜厚約 800オンゲスト口-ム） を形成したハーフトーン型 位相シフトマスクブランクを 3枚用意した （図 1 (1)参照)。 このハーフトーン 型位相シフトマスクブランクは、 Ar Fエキシマレーザー （波長 193nm) で おいて、 透過率はそれぞれ 5. 5%、 位相シフト量が略 180° であった。 実施例 1と同様の透明基板 1上に窒化されたモリブデン及びシリコン （Mo S
1 N) の光半透過膜 2 (膜厚約 800オングストロ-ム） を形成したハーフトーン型位相 シフ卜マスクブランクを 2枚用意した。
この位相シフトブランクの光半透過膜 2上に、 シリコンターゲットを用い、 ァ ルゴン （Ar) と窒素 （N2) と酸素 （02) との混合ガス雰囲気 （A r ： N2： 02 =20% : 60% : 20%、 圧力： 0. l P a) で、 反応性スパッタリング （D Cスパッタリング） により、 透明基板 1上に S i ONの薄膜からなるアンモニゥ ムイオン生成防止層 3 (それぞれ、膜厚約 30オンゲストロ-ム及び約 100才ンゲストローム) を形成してハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。 尚、 MoS i N層の組成は、 Mo : S i : N=5 : 45 : 50 a t %であるのに対し、 S i 0 N層の組成は、 S i : 0 : N= 42 : 43 : 15 a t %であり、 窒素の量が 「窒 素を含む層」 よりも 「アンモニア生成防止層」 の方が少ない。
このハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、 MoS iN膜+S i ON 膜をハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜とすることができる。 このハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける、 膜表面のアンモニゥ ムイオン濃度を、 イオンクロマトグラフィー法で測定した結果、 膜厚 30オングスト ロ-ムのサンプルについては 3. 5 n g/cm2,膜厚 100オンゲストロ-ムのサンプルに ついては 2. 8 n gZcn^であった。
次に、 MoS iO膜からなる薄膜上に、 クロム系遮光膜を形成した後、 レジス ト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジストパターンを形成した。次いで、 CF4+02ガスによるドライエッチングにより、 MoS i O膜及び MoS i N膜 をエッチングし、 レジスト剥離後、 100°じの98%硫酸 （H2S04) にて洗浄 し、 純水でリンスして位相シフトマスクを得た。
この位相シフトマスクは、 硫酸アンモニゥムなどのアンモニゥムイオンに起因 する異物生成防止処理を施したサンプルは膜表面のアンモニゥムイオンが少ない ことから、 Kr Fエキシマレ一ザ等のレーザ照射によるパターン転写を行った場 合、 硫酸アンモニゥムによる異物欠陥の生成を低減することができる。
なお、 本発明において、 アンモニゥム生成防止層の好ましい厚さは、 膜表面の アンモニゥムイオンを飛躍的に減少させる観点から、 10オンゲスト口-ム以上が好まし く 30オンゲストロ-ム以上がさらに好ましい。
(実施例 3)
実施例 1と同様にして、透明基板 1上に窒化されたモリブデン及びシリコン (M oS iN) の光半透過膜 （膜厚約 935オンク"スト D -ム） 2を形成した （図 2 (1) 参 照)。
次いで、 大気中で 280°Cで熱処理 4を施した （図 2 (2) 参照)。 図 4は、 熱処理時間と、 膜表面のアンモニゥムイオン濃度との関係を、 イオンクロマトグ ラフィ一法で測定した結果である。 図 4から明らかなように、 熱処理により、 アンモニゥムイオンが減少すること が判り、特に熱処理時間が 1 5分を過ぎた辺りから、飛躍的に減少する。これは、 本実施例においては、熱処理後、約 15分辺りからマスクブランクに与えた熱摂動 が、 薄膜全面に対して均一かつ効果的に作用したためと考えられる。
次に、 実施例 1と同様のマスク加工を行って位相シフ卜マスクを得た。
この位相シフトマスクは、 硫酸アンモニゥム生成防止処理を施したサンプルは 膜表面のアンモニゥムイオンが少ないことから、 K r Fエキシマレ一ザ等のレー ザ照射によるパターン転写を行った場合、 硫酸アンモニゥムによる異物欠陥の生 成を防止することができた。
(実施例 4 )
実施例 1と同様にして、透明基板 1上に窒化されたモリブデン及びシリコン (M o S I N) の光半透過膜 （膜厚約 9 3 5オンゲスト D-ム） 2を形成した （図 2 ( 1 ) 参 照)。
次いで、 窒素雰囲気中で 4 0 0 °Cで熱処理 4を施した （図 2 ( 2 ) 参照)。 図 5 は、 熱処理時間と、 膜表面のアンモニゥムイオン濃度を、 イオンクロマ卜グラフ ィ一法で測定した結果である。
図 5から明らかなように、 熱処理により、 アンモニゥムイオンが減少すること が判り、特に熱処理時間が 2 0分を過ぎた辺りから、飛躍的に減少する。これは、 本実施例においては、熱処理後、約 20分辺りからフォトマスクブランクに与えた 熱摂動が、 薄膜全面に対して均一かつ効果的に作用したためと考えられる。 次に、 実施例 1と同様のマスク加工を行って位相シフトマスクを得た。
この位相シフトマスクは、 硫酸アンモニゥム生成防止処理を施したサンプルは 膜表面のアンモニゥムイオンが少ないことから、 K r Fエキシマレーザ等のレー ザ照射によるパターン転写を行った場合、 硫酸アンモニゥムによる異物欠陥の生 成を防止することができた。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 フォトマスクを製造したときに表面が露出する薄膜が少なく とも窒素を含有する薄膜であり、 窒素を含有する薄膜が、 硫酸アンモニゥムなど のアンモニゥムイオンに起因する異物生成防止処理が施された表面を有するもの とすることにより、 レーザ照射によって硫酸アンモニゥムが析出しないようなフ ォトマスクを製造することができるフォトマスクブランクを得ることができる。

Claims

請求の範囲
1 . リソグラフィ一マスクを製造する素材として用いられるリソグラフィ一 マスクブランクであって、 基板上に所望の機能を有する薄膜を少なくとも一層有 するリソグラフィ一マスクブランクにおいて、
前記ブランクは、 前記薄膜として窒素を含有する薄膜と、 前記窒素を含有する 薄膜上、 又は前記窒素を含有する薄膜の少なくとも表面部分に形成された、 前記 リソグラフィ一マスクを製造したときに表面に露出するアンモニゥムイオンの生 成を防止するアンモニゥムイオン生成防止層を少なくとも有することを特徴とす るリソグラフィ一マスクブランク。
2 . 前記アンモニゥムイオン生成防止層が、 前記窒素を含む薄膜よりも窒素 の含有量が小さい薄膜であることを特徴とする請求項 1に記載のリソグラフィー
3 . 前記アンモニゥムイオン生成防止層が、 前記窒素を含有する薄膜の熱処 理により形成されることを特徴とする請求項 1に記載のリソダラフィ一マスクブ ランク。
4. 請求項 1〜 3のいずれかに記載の前記リソグラフィーマスクブランクを 用いて製造したことを特徴とするフォトマスク。
5 . ハーフ I ン型位相マスクを製造する素材として用いられるハーフトー ン型位相シフトマスクブランクであって、 基板上に、 少なくとも所望の透過率及 び位相シフト量を有する一層又は多層からなる光半透過膜を有するハーフ 1 ^一ン 型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記ブランクは、前記光半透過膜を構成する薄膜として窒素を含有する薄膜と、 前記窒素を含有する薄膜上、 又は前記窒素を含有する薄膜の少なくとも表面部分 に形成された、 前記リソグラフィーマスクを製造したときに表面が露出するアン モニゥムィオンの生成を防止するァンモニゥムイオン生成防止層を少なくとも有 することを特徴とするハーフ 1 ^一ン型位相シフトマスクプランク。
6 . 前記アンモニゥムイオン生成防止層が、 前記窒素を含む薄膜よりも窒素 の含有量が小さい薄膜であることを特徴とする請求項 5に記載のハーフトーン型 位相シフ
7 . 前記窒素を含有する薄膜がシリコンと窒素を少なくとも含み、 前記アン モニゥム生成防止層がシリコンと酸素を少なくとも含むことを特徴とする請求項 6に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
8 . 前記アンモニゥムイオン生成防止層が、 前記窒素を含有する薄膜の熱処 理により形成されることを特徴とする請求項 5に記載のハーフトーン型位相シフ
9 . 請求項 5〜 8のいずれかに記載の前記ハーフトーン型位相シフトマスク を用いて製造したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
PCT/JP2003/016561 2002-12-26 2003-12-24 リソグラフィーマスクブランク WO2004059384A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/525,524 US7781125B2 (en) 2002-12-26 2003-12-24 Lithography mask blank
JP2004562909A JP4319989B2 (ja) 2002-12-26 2003-12-24 リソグラフィーマスクブランク
DE10393095T DE10393095B4 (de) 2002-12-26 2003-12-24 Lithografiemaskenrohling

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-376275 2002-12-26
JP2002376275 2002-12-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004059384A1 true WO2004059384A1 (ja) 2004-07-15

Family

ID=32677361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/016561 WO2004059384A1 (ja) 2002-12-26 2003-12-24 リソグラフィーマスクブランク

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7781125B2 (ja)
JP (1) JP4319989B2 (ja)
DE (1) DE10393095B4 (ja)
TW (1) TWI227810B (ja)
WO (1) WO2004059384A1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007206184A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクおよびその製造方法、並びにパターン転写方法
US7585418B2 (en) 2004-06-25 2009-09-08 Hoya Corporation Lithographic mask and manufacturing method thereof
JP2010002816A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク
WO2010092879A1 (ja) * 2009-02-12 2010-08-19 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法
JP2010243598A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスクおよび階調マスクの製造方法
US8221941B2 (en) 2008-12-29 2012-07-17 Hoya Corporation Photomask blank manufacturing method and photomask manufacturing method
JP2012212180A (ja) * 2012-07-24 2012-11-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 欠陥の低減方法
JPWO2018056033A1 (ja) * 2016-09-26 2018-09-27 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
WO2019188397A1 (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
WO2022054810A1 (ja) * 2020-09-08 2022-03-17 凸版印刷株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
JP2022118976A (ja) * 2021-02-03 2022-08-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク
JP2022118978A (ja) * 2021-02-03 2022-08-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク
JP2022118977A (ja) * 2021-02-03 2022-08-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100617389B1 (ko) * 2005-05-16 2006-08-31 주식회사 피케이엘 헤이즈 방지를 위한 위상편이 마스크
JP5535932B2 (ja) * 2008-10-29 2014-07-02 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
JP5114367B2 (ja) 2008-11-21 2013-01-09 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクの製造方法及びそのフォトマスクを用いたパターン転写方法
JP5762819B2 (ja) * 2010-05-19 2015-08-12 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法、並びにマスクブランク及び転写用マスク
JP6292581B2 (ja) * 2014-03-30 2018-03-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP7298556B2 (ja) * 2020-06-30 2023-06-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08137089A (ja) * 1994-11-07 1996-05-31 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JPH103162A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Nec Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
US20020058186A1 (en) * 2000-09-12 2002-05-16 Hoya Corporation Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask
JP2002156742A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
JP2003149788A (ja) * 2001-11-16 2003-05-21 Toppan Printing Co Ltd ドライエッチング方法およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2966369B2 (ja) 1996-03-30 1999-10-25 ホーヤ株式会社 位相シフトマスク、及び位相シフトマスクブランク
US5851701A (en) * 1997-04-01 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Atom lithographic mask having diffraction grating and attenuated phase shifters
JP4248137B2 (ja) * 2000-11-22 2009-04-02 富士フイルム株式会社 ネガ型感光性平版印刷版
JP2002258458A (ja) * 2000-12-26 2002-09-11 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスク及びマスクブランク
JP3495983B2 (ja) * 2000-12-28 2004-02-09 キヤノン株式会社 マスク及び投影露光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08137089A (ja) * 1994-11-07 1996-05-31 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JPH103162A (ja) * 1996-06-18 1998-01-06 Nec Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
US20020058186A1 (en) * 2000-09-12 2002-05-16 Hoya Corporation Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask
JP2002156742A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
JP2003149788A (ja) * 2001-11-16 2003-05-21 Toppan Printing Co Ltd ドライエッチング方法およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8535856B2 (en) 2004-06-25 2013-09-17 Hoya Corporation Lithographic mask and manufacturing method thereof
US7585418B2 (en) 2004-06-25 2009-09-08 Hoya Corporation Lithographic mask and manufacturing method thereof
US8263294B2 (en) 2004-06-25 2012-09-11 Hoya Corporation Lithographic mask and manufacturing method thereof
JP2007206184A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクおよびその製造方法、並びにパターン転写方法
JP2010002816A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクブランク
US8221941B2 (en) 2008-12-29 2012-07-17 Hoya Corporation Photomask blank manufacturing method and photomask manufacturing method
WO2010092879A1 (ja) * 2009-02-12 2010-08-19 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法
JP2010186069A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Hoya Corp フォトマスクの製造方法
US8663875B2 (en) 2009-02-12 2014-03-04 Hoya Corporation Method of manufacturing a photomask
JP2010243598A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスクおよび階調マスクの製造方法
JP2012212180A (ja) * 2012-07-24 2012-11-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 欠陥の低減方法
JPWO2018056033A1 (ja) * 2016-09-26 2018-09-27 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
WO2019188397A1 (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
WO2022054810A1 (ja) * 2020-09-08 2022-03-17 凸版印刷株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
JP2022045198A (ja) * 2020-09-08 2022-03-18 凸版印刷株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
JP2022118976A (ja) * 2021-02-03 2022-08-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク
JP2022118978A (ja) * 2021-02-03 2022-08-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク
JP2022118977A (ja) * 2021-02-03 2022-08-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク
JP7280297B2 (ja) 2021-02-03 2023-05-23 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク
JP7280296B2 (ja) 2021-02-03 2023-05-23 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びフォトマスク

Also Published As

Publication number Publication date
TWI227810B (en) 2005-02-11
TW200422772A (en) 2004-11-01
US7781125B2 (en) 2010-08-24
DE10393095B4 (de) 2011-07-07
US20050250018A1 (en) 2005-11-10
JP4319989B2 (ja) 2009-08-26
JPWO2004059384A1 (ja) 2006-04-27
DE10393095T5 (de) 2005-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101003375B1 (ko) 리소그래피 마스크의 제조 방법 및 리소그래피 마스크
JP4319989B2 (ja) リソグラフィーマスクブランク
EP2302452B1 (en) Photomask blank and photomask
JP5554239B2 (ja) フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
TWI684059B (zh) 半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩
JP6264238B2 (ja) ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
TWI663467B (zh) 半色調相位移空白光罩、半色調相位移光罩及圖型曝光方法
TW201823851A (zh) 半色調相移空白遮罩及半色調相移遮罩
TWI738950B (zh) 空白光罩及其製造方法
TWI742254B (zh) 空白光罩
KR101903227B1 (ko) 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크의 제조 방법
TWI832788B (zh) 光罩空白基板及光罩之製造方法
KR20120044342A (ko) 마스크 블랭크 및 전사용 마스크와 전사용 마스크의 제조 방법
TWI498670B (zh) 光圖案曝光方法，光罩及空白光罩
JP6332109B2 (ja) ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法
TWI738949B (zh) 空白光罩及其製造方法
TWI801665B (zh) 相位移型空白光罩及相位移型光罩
KR100805973B1 (ko) 리소그래피 마스크 블랭크
JP7298556B2 (ja) フォトマスクブランクの製造方法
KR20180126810A (ko) 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법
JP2008070881A (ja) マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE JP KR US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004562909

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057002058

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10525524

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057002058

Country of ref document: KR

RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 10393095

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20050825

Kind code of ref document: P

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10393095

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8607