JPH0594003A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPH0594003A JPH0594003A JP25612191A JP25612191A JPH0594003A JP H0594003 A JPH0594003 A JP H0594003A JP 25612191 A JP25612191 A JP 25612191A JP 25612191 A JP25612191 A JP 25612191A JP H0594003 A JPH0594003 A JP H0594003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- chromium
- glass substrate
- photomask
- view
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の製造におけるフォトリソグラフィ
ーに使用されるフォトマスクにおいて、ガラス基板上に
付着させたクロムパターンの段差をなくすことによっ
て、基板洗浄の際にパターンの端に薄いごみが引っかか
るのを防止する。 【構成】ガラス基板１のパターン形成面側に段差が生じ
ないように、クロムパターン２をガラス基板１に埋め込
んだ構造を有する。
ーに使用されるフォトマスクにおいて、ガラス基板上に
付着させたクロムパターンの段差をなくすことによっ
て、基板洗浄の際にパターンの端に薄いごみが引っかか
るのを防止する。 【構成】ガラス基板１のパターン形成面側に段差が生じ
ないように、クロムパターン２をガラス基板１に埋め込
んだ構造を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造に使用
するフォトマスクに関するものであり、特にフォトレジ
ストの塗布されたウェーハ上にパターンを転写するため
のフォトマスクに関する。
するフォトマスクに関するものであり、特にフォトレジ
ストの塗布されたウェーハ上にパターンを転写するため
のフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトリソグラフィー工程に使用
されるフォトレジスト（以下、単にレジストと称する）
の塗布されたウェーハ上にパターンを転写するために用
いられるフォトマスクにおいて、そのフォトマスクは、
平坦なガラス基板上にクロム及び酸化クロムを付着さ
せ、パターニングすることにより、パターンが形成され
ている。このとき、図６の平面図（ａ）及び断面図
（ｂ）に示すように、平坦なガラス基板１上にクロムパ
ターン２が乗っているため、クロムの膜厚分だけ段差が
生じていた。
されるフォトレジスト（以下、単にレジストと称する）
の塗布されたウェーハ上にパターンを転写するために用
いられるフォトマスクにおいて、そのフォトマスクは、
平坦なガラス基板上にクロム及び酸化クロムを付着さ
せ、パターニングすることにより、パターンが形成され
ている。このとき、図６の平面図（ａ）及び断面図
（ｂ）に示すように、平坦なガラス基板１上にクロムパ
ターン２が乗っているため、クロムの膜厚分だけ段差が
生じていた。
【０００３】従来技術においては、マスクにごみが付着
している場合には、洗浄を行って使用するが、図８
（ａ），（ｂ）および図９（ａ），（ｂ）に示すよう
に、フォトマスクのガラス基板１上にクロムパターン２
が付着しているためにクロムパターンの膜厚の分だけ段
差が生じ、パターンに薄いごみ３が引っかかり、ごみが
フォトマスク上に残ってしまう。また、フォトマスクの
洗浄を行う際に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、ク
ロムパターン２の段差に洗浄用のブラシや液体が強く当
たるために、洗浄回数を重ねるごとに、パターンが磨耗
したり剥れたりしてクロムパターン４の破損を生じる。
している場合には、洗浄を行って使用するが、図８
（ａ），（ｂ）および図９（ａ），（ｂ）に示すよう
に、フォトマスクのガラス基板１上にクロムパターン２
が付着しているためにクロムパターンの膜厚の分だけ段
差が生じ、パターンに薄いごみ３が引っかかり、ごみが
フォトマスク上に残ってしまう。また、フォトマスクの
洗浄を行う際に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、ク
ロムパターン２の段差に洗浄用のブラシや液体が強く当
たるために、洗浄回数を重ねるごとに、パターンが磨耗
したり剥れたりしてクロムパターン４の破損を生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の、レジ
ストの塗布されたウェーハ上にパターンを転写するため
に用いられるフォトマスクにおいて、実際に使用される
時にごみが付着している場合には洗浄が施されてから使
用される。この際、マスクのパターン形成面側にはクロ
ムパターンの膜厚に相当する段差があるため、厚さの薄
いごみや小さいごみがクロムパターンの端に引っかか
り、除去できないという欠点がある。また、洗浄を回数
を重ねるごとに、洗浄に使用されるブラシや液体が段部
に強く当たるために、次第にパターンが磨耗したり剥れ
たりして、パターンの破損を招いてしまうという欠点が
ある。
ストの塗布されたウェーハ上にパターンを転写するため
に用いられるフォトマスクにおいて、実際に使用される
時にごみが付着している場合には洗浄が施されてから使
用される。この際、マスクのパターン形成面側にはクロ
ムパターンの膜厚に相当する段差があるため、厚さの薄
いごみや小さいごみがクロムパターンの端に引っかか
り、除去できないという欠点がある。また、洗浄を回数
を重ねるごとに、洗浄に使用されるブラシや液体が段部
に強く当たるために、次第にパターンが磨耗したり剥れ
たりして、パターンの破損を招いてしまうという欠点が
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の、レジストの塗
布されたウェーハ上にパターンを転写するために用いら
れるフォトマスクにおいては、ガラス基板のパターン形
成面に段差が生じないように、パターンがガラス基板に
埋め込まれている構造を有する。
布されたウェーハ上にパターンを転写するために用いら
れるフォトマスクにおいては、ガラス基板のパターン形
成面に段差が生じないように、パターンがガラス基板に
埋め込まれている構造を有する。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を用いて説
明する。図１は本発明の一実施例を示す図で、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図である。本実施例
のフォトマスクは、クロムパターン２がガラス基板１に
それぞれの上面が同一面となるように一致させて埋め込
まれている。本実施例では、クロムパターンがガラス基
板に上面を一致させて埋め込まれているために、フォト
マスクのパターン面に段差がない。こうすることによ
り、図３（ａ），（ｂ）及び図４（ａ），（ｂ）に示す
ように、フォトマスク洗浄の際に薄いごみ３がクロムパ
ターン２の端に引っかかったり、クロムパターン２が磨
耗して剥れることを防止することができる。
明する。図１は本発明の一実施例を示す図で、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図である。本実施例
のフォトマスクは、クロムパターン２がガラス基板１に
それぞれの上面が同一面となるように一致させて埋め込
まれている。本実施例では、クロムパターンがガラス基
板に上面を一致させて埋め込まれているために、フォト
マスクのパターン面に段差がない。こうすることによ
り、図３（ａ），（ｂ）及び図４（ａ），（ｂ）に示す
ように、フォトマスク洗浄の際に薄いごみ３がクロムパ
ターン２の端に引っかかったり、クロムパターン２が磨
耗して剥れることを防止することができる。
【０００７】図２は本発明の他の実施例の平面図
（ａ），および断面図（ｂ）である。本実施例において
は、クロムパターン２が完全にガラス基板１の中に取り
込まれて、表面は全てガラスで覆われている。こうする
ことにより、パターン面の材質が均一となり、基板表面
の状態が均一となるため、洗浄液の表面張力が一定とな
り、基板表面の液体に対する濡れ性が一定となる。この
ため、濡れ性の変化によるゴミの引っかかりが生じなく
なり、安定してなめらかなごみの除去が加納となる。ま
た、パターン面に段差が無いために、洗浄を重ねた際に
パターンが磨耗して剥れることを防止できる。
（ａ），および断面図（ｂ）である。本実施例において
は、クロムパターン２が完全にガラス基板１の中に取り
込まれて、表面は全てガラスで覆われている。こうする
ことにより、パターン面の材質が均一となり、基板表面
の状態が均一となるため、洗浄液の表面張力が一定とな
り、基板表面の液体に対する濡れ性が一定となる。この
ため、濡れ性の変化によるゴミの引っかかりが生じなく
なり、安定してなめらかなごみの除去が加納となる。ま
た、パターン面に段差が無いために、洗浄を重ねた際に
パターンが磨耗して剥れることを防止できる。
【０００８】本実施例のフォトマスクの形成方法につい
て図５（ａ）〜（ｋ）を用いて説明する。まず、図
（ａ）のガラス基板１に図（ｂ）のように厚膜のレジス
ト５を塗布する。その後、露光を施し、図（ｃ）のよう
にレジストをパターニングする。次にドライエッチング
により、図（ｄ）のように露出している部分のガラス基
板１を０．１μｍエッチングする。その上から、図
（ｅ）のようにクロム６を０．５μｍ付着させ、リフト
オフ法により、図（ｆ）のようにレジスト上のクロムを
除去する。このとき、クロム６の端に突出した部分があ
るため、図（ｇ）のように薄膜厚レジスト７を塗布し、
全体をエッチングすることにより、図（ｈ）のように薄
膜厚レジスト７とクロム６の突出した部分がエッチング
されて無くなる。次に、残ったレジストを除去した後
に、図（ｉ）のようにドライエッチングによりクロムを
ガラス基板１と同じ高さまでエッチングしてクロムパタ
ーン２を形成し、図（ｊ）のようにＳｉＯx 膜８をプラ
ズマ成長させる。最後に、熱処理を施すことにより図
（ｋ）のようにＳｉＯx 膜とガラス基板１を分子レベル
で結合させる。こうすることにより、クロムパターン２
がガラス基板１に埋め込まれたフォトマスクを形成でき
る。
て図５（ａ）〜（ｋ）を用いて説明する。まず、図
（ａ）のガラス基板１に図（ｂ）のように厚膜のレジス
ト５を塗布する。その後、露光を施し、図（ｃ）のよう
にレジストをパターニングする。次にドライエッチング
により、図（ｄ）のように露出している部分のガラス基
板１を０．１μｍエッチングする。その上から、図
（ｅ）のようにクロム６を０．５μｍ付着させ、リフト
オフ法により、図（ｆ）のようにレジスト上のクロムを
除去する。このとき、クロム６の端に突出した部分があ
るため、図（ｇ）のように薄膜厚レジスト７を塗布し、
全体をエッチングすることにより、図（ｈ）のように薄
膜厚レジスト７とクロム６の突出した部分がエッチング
されて無くなる。次に、残ったレジストを除去した後
に、図（ｉ）のようにドライエッチングによりクロムを
ガラス基板１と同じ高さまでエッチングしてクロムパタ
ーン２を形成し、図（ｊ）のようにＳｉＯx 膜８をプラ
ズマ成長させる。最後に、熱処理を施すことにより図
（ｋ）のようにＳｉＯx 膜とガラス基板１を分子レベル
で結合させる。こうすることにより、クロムパターン２
がガラス基板１に埋め込まれたフォトマスクを形成でき
る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のレジストの
塗布されたウェーハにパターンを転写するために用いら
れるフォトマスクにおいては、クロムパターンをガラス
基板に埋め込む構造にすることにより、パターンの端に
ごみが残らず、パターンを破損することなく洗浄を施す
ことができるという効果がある。
塗布されたウェーハにパターンを転写するために用いら
れるフォトマスクにおいては、クロムパターンをガラス
基板に埋め込む構造にすることにより、パターンの端に
ごみが残らず、パターンを破損することなく洗浄を施す
ことができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す図で、同図（ａ）は平
面図、同図（ｂ）は断面図である。
面図、同図（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す図で、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂ）は断面図である。
平面図、同図（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の効果を説明するための図であり、同図
（ａ），（ｂ）は洗浄前を示すそれぞれ平面図と断面図
である。
（ａ），（ｂ）は洗浄前を示すそれぞれ平面図と断面図
である。
【図４】本発明の効果を説明するための図であり、同図
（ａ），（ｂ）は洗浄後を示すそれぞれ平面図と断面図
である。
（ａ），（ｂ）は洗浄後を示すそれぞれ平面図と断面図
である。
【図５】本発明の一実施例の製造方法を示す図で、同図
（ａ）〜（ｋ）は工程を示す断面図である。
（ａ）〜（ｋ）は工程を示す断面図である。
【図６】従来のフォトマスクを示す図で、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂ）は断面図である。
平面図、同図（ｂ）は断面図である。
【図７】従来のフォトマスクの破損状態を示した図であ
り、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図である。
り、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図である。
【図８】従来のフォトマスクの洗浄状態を説明する図
で、同図（ａ），（ｂ）は洗浄前を示すそれぞれ平面図
及び断面図である。
で、同図（ａ），（ｂ）は洗浄前を示すそれぞれ平面図
及び断面図である。
【図９】従来のフォトマスクの洗浄状態を示した図であ
り、同図（ａ），（ｂ）は洗浄後を示すそれぞれ平面図
及び断面図である。
り、同図（ａ），（ｂ）は洗浄後を示すそれぞれ平面図
及び断面図である。
１ ガラス基板 ２ クロムパターン ３ 薄いごみ ４ クロムパターンの破損 ５ 厚膜レジスト ６ 付着されたクロム ７ 薄膜厚レジスト ８ ＳｉＯx 膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の製造におけるフォトリソグ
ラフィーに使用されるフォトマスクにおいて、ガラス基
板のパターン形成面側に段差が生じないようにパターン
を埋め込んだことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25612191A JPH0594003A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25612191A JPH0594003A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594003A true JPH0594003A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17288193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25612191A Pending JPH0594003A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594003A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4861612A (en) * | 1987-02-06 | 1989-08-29 | Kao Corporation | Method of separating oleaginous matter into components having various melting points |
| US9343939B2 (en) | 2010-12-23 | 2016-05-17 | General Electric Company | Electric motor structure to minimize electro-magnetic interference |
-
1991
- 1991-10-03 JP JP25612191A patent/JPH0594003A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4861612A (en) * | 1987-02-06 | 1989-08-29 | Kao Corporation | Method of separating oleaginous matter into components having various melting points |
| US9343939B2 (en) | 2010-12-23 | 2016-05-17 | General Electric Company | Electric motor structure to minimize electro-magnetic interference |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6383952B1 (en) | RELACS process to double the frequency or pitch of small feature formation | |
| JPH09139386A (ja) | 非平面層の平坦化方法 | |
| JPH0594003A (ja) | フオトマスク | |
| JPH05107744A (ja) | フオトマスクの異物除去方法 | |
| KR0147996B1 (ko) | 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법 | |
| JPS62201444A (ja) | フオトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH04324445A (ja) | 露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JPH0493943A (ja) | レティクル | |
| KR0126649B1 (ko) | 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법 | |
| JPS63288020A (ja) | 電極作成方法 | |
| JPS6156349A (ja) | フオト・マスクの製造方法 | |
| JPH02161433A (ja) | フォトマスク基板 | |
| JPH06104172A (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| JP2732868B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| KR960013140B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPS62231959A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS604944A (ja) | フオトマスク | |
| JPH04232766A (ja) | イオンフロー記録用ヘッドの製造方法 | |
| JPH03245528A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2000150419A (ja) | 金属膜の堆積方法、配線パターンの形成方法及び配線パターンの構造 | |
| JPH0458168B2 (ja) | ||
| JPS6315249A (ja) | 光学マスクの製造方法 | |
| JPH11194222A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS62150350A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH02231722A (ja) | 配線パターン形成方法 |