JPH05107744A - フオトマスクの異物除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フォトマスク上に付着した異物をフォトマス
クにキズをつけることなく完全に除去する方法を得る。 【構成】 異物３が付着したフォトマスク上にポリマー
の膜４を形成し、このポリマー膜４を除去することによ
り、同時に異物３も除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はフォトマスクの異物除
去方法に関し、特に半導体製造工程の１つであるフォト
リソグラフィで使用するフォトマスクの異物除去方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２は、フォトマスク上に付着した異物
を示す断面図であり、図において、１はフォトマスク基
板、２はフォトマスク基板１上に形成されたフォトマス
クパターンであり、フォトマスクはフォトマスク基板１
上にフォトマスクパターン２が形成されたものである。
３はフォトマスク上に付着した異物である。

【０００３】フォトマスクは半導体の製造における写真
製版の原板であるため、フォトマスク上の欠陥及び異物
３の存在は、半導体製造上問題があり除去しなければな
らず、従来は、図２に示すようなフォトマスクに付着し
た異物３を除去する方法として、スクラブ（ｓｃｒｕ
ｂ）洗浄が用いられてきた。

【０００４】スクラブ（ｓｃｒｕｂ）洗浄法は、ブラ
シ，布等でこすりながら、フォトマスクに付着した異物
３を除去する方法で、完全に異物３の除去を行うために
洗剤，酸，アルカリ等の化学処理と組み合わせて用いら
れている。また、フォトマスクをこする方向，圧力，回
数等も異物３の付着の仕方、あるいは除去の具合によっ
て制御されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスクの
異物除去方法は以上のように構成されているので、ブラ
シ，布等でこするなどしてフォトマスクに付着した異物
３の除去を行っており、このような物理的な除去方法で
は、フォトマスクにキズがつく、フォトマスクパターン
２がはがれるというような欠陥が発生するとか、一旦フ
ォトマスクから除去されてブラシ等側に付いた異物３
が、再びフォトマスクに付着するとか、ブラシ等でこす
れなかった部分（パターンエッヂ等）の異物３は除去で
きないなどの問題点があった。

【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、フォトマスクに付着した異物を
フォトマスクにキズを付けることなく、完全に除去する
ことのできるフォトマスクの異物除去方法を得ることを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明に係るフォトマ
スクの異物除去方法は、異物が付着したフォトマスク上
にポリマーの膜を形成し、次に、このポリマー膜を除去
することにより異物を除去するものである。

【０００８】

【作用】この発明におけるフォトマスクの異物除去方法
では、フォトマスク上に成膜されたポリマーの膜ととも
に異物が除去されるので、フォトマスク上の異物がフォ
トマスク面一様に除去でき、さらにフォトマスクにキズ
等の欠陥を作ることもない。

【０００９】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例によるフォトマスクの
異物除去方法を説明するための断面図で、図において、
１は石英などのフォトマスク基板、２はＣｒ，ＭｏＳｉ
などのフォトマスクパターンであり、フォトマスクはフ
ォトマスク基板１上にフォトマスクパターン２が形成さ
れたものである。３はフォトマスク上に付着した異物、
４はポリビニルアルコール（ＰＶＡ）の膜である。

【００１０】次にフォトマスクの異物除去方法について
説明する。まず、異物３の付着したフォトマスク（フォ
トマスク基板１およびフォトマスクパターン２）上にポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ）を数μｍ〜数十μｍの厚
さに回転塗布し、次に５０℃で１０〜３０分程度のベー
キングを行い、図１(b) に示すようにＰＶＡ膜４を形成
する。

【００１１】一般に異物３は、フォトマスク材料との分
子間力でフォトマスクに付着している。このため、この
異物３を除去するためにはこの分子間力に打ち勝つよう
な外力、例えばスクラブ洗浄など、物理的な外力を加え
ることにより取り除かなければならない。

【００１２】しかし、この異物３を取り囲むようにＰＶ
Ａ等のポリマーが成膜された場合、異物３の分子間力は
ＰＶＡ膜４にも作用し、相対的にフォトマスクと異物３
との間の分子間力は小さくなると考えられる。

【００１３】従って、ＰＶＡ膜４を温水洗浄などで除去
すれば、異物３とフォトマスクとの間の分子間力は小さ
くなっており、また、ＰＶＡ膜４は水溶性のポリマーな
ので、温水で簡単に溶解することができるため、図１
(c) に示すように異物３はＰＶＡ膜４とともに除去され
る。

【００１４】なお、上記実施例では、ＰＶＡ膜４を温水
洗浄で除去したが、ＰＶＡ膜４を物理的にはがす（むき
とる）方法でも良い。この場合、異物３はＰＶＡ膜４の
中に入ったまま、ＰＶＡ膜４とともに除去される。

【００１５】また、上記実施例ではポリマーの膜４とし
てＰＶＡを用いていたが、同じような効果のあるポリマ
ー、例えばレジスト膜のような膜でも同様の効果を示
す。

【００１６】

【発明の効果】以上のように、この発明に係るフォトマ
スクの異物除去方法によれば、異物が付着した、フォト
マスク基板上にフォトマスクパターンを形成したフォト
マスク上にポリマーの膜を形成し、このポリマー膜を除
去することにより、同時に異物も除去できるので、フォ
トマスクにキズ等の欠陥を発生することなく、フォトマ
スク全面にわたり異物を除去することができるので、半
導体製造における歩留りを向上できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例によるフォトマスクの異物
除去方法を説明するための断面図である。

【図２】フォトマスク上に付着した異物を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１ フォトマスク基板 ２ フォトマスクパターン ３ 異物 ４ ポリマーの膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 異物が付着した、フォトマスク基板上に
   フォトマスクパターンを形成しているフォトマスク上に
   ポリマーの膜を形成し、次に、該ポリマー膜を除去する
   ことにより前記異物を除去することを特徴とするフォト
   マスクの異物除去方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のフォトマスクの異物除去
   方法において、上記ポリマー膜がポリビニルアルコール
   からなることを特徴とするフォトマスクの異物除去方
   法。