JPS6050536A - フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 - Google Patents
フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法Info
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- JPS6050536A JPS6050536A JP58158488A JP15848883A JPS6050536A JP S6050536 A JPS6050536 A JP S6050536A JP 58158488 A JP58158488 A JP 58158488A JP 15848883 A JP15848883 A JP 15848883A JP S6050536 A JPS6050536 A JP S6050536A
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- Japan
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- washing
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- cleaning
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法に関す
る。このｎラス基板は、水にＣｅ ０２等の１１ｊｌＩ
剤を加えた研摩液でガラス基板を研摩したものであり゛
、ぞの後の工程において研摩剤を取り去るために、フッ
酸又はケイフッ化水素酸の水溶液による洗浄方法が提案
されている。この洗浄方法は、フッ素イオンを用いてガ
ラス表面層を溶解せしめることにより、ガラス基板の表
面に付着した異物を除去し、洗浄効果を得るものである
。
る。このｎラス基板は、水にＣｅ ０２等の１１ｊｌＩ
剤を加えた研摩液でガラス基板を研摩したものであり゛
、ぞの後の工程において研摩剤を取り去るために、フッ
酸又はケイフッ化水素酸の水溶液による洗浄方法が提案
されている。この洗浄方法は、フッ素イオンを用いてガ
ラス表面層を溶解せしめることにより、ガラス基板の表
面に付着した異物を除去し、洗浄効果を得るものである
。
しかしながら、このような洗浄方法は、ガラス基板に対
して僅かな侵食作用を利用していることから、点接触に
より付着している粒子状異物（大きさ：大略１０μｍ以
下）に対しては効果があるものの、有機物の股のような
面状で付着した異物に対しては充分に除去できない欠点
があった。特に、研摩工程においてポリカーボネーｉ−
等のプラスチック製キャリアを用いた場合、キャリアの
内側面とガラス基板の外側面とが研摩中に衝突を繰り返
し、瞬間的に高熱を発生することにより、キャリアの衝
突部分が融解してガラス基板の側面に不定形（大きさ：
数ｍｌｌ１）の形態で付着することがある。
して僅かな侵食作用を利用していることから、点接触に
より付着している粒子状異物（大きさ：大略１０μｍ以
下）に対しては効果があるものの、有機物の股のような
面状で付着した異物に対しては充分に除去できない欠点
があった。特に、研摩工程においてポリカーボネーｉ−
等のプラスチック製キャリアを用いた場合、キャリアの
内側面とガラス基板の外側面とが研摩中に衝突を繰り返
し、瞬間的に高熱を発生することにより、キャリアの衝
突部分が融解してガラス基板の側面に不定形（大きさ：
数ｍｌｌ１）の形態で付着することがある。
このような付着の異物に対し従来の洗浄方法にＪ：つて
は全く除去することができなかった。その結果、フォ４
・マスク用ガラスＩｔ板の製造工程では、前述した異物
が後述のフォトリソグラフィ工程に持ち込まれ、ピンホ
ールやパターン欠けなどの不良を誘発させる欠点があっ
た。このような欠点は、ＩＣ，ＬＳＩの集積痕が増し、
パターンの線幅が細密化してきたのに伴い、顕著に現わ
れている。
は全く除去することができなかった。その結果、フォ４
・マスク用ガラスＩｔ板の製造工程では、前述した異物
が後述のフォトリソグラフィ工程に持ち込まれ、ピンホ
ールやパターン欠けなどの不良を誘発させる欠点があっ
た。このような欠点は、ＩＣ，ＬＳＩの集積痕が増し、
パターンの線幅が細密化してきたのに伴い、顕著に現わ
れている。
本発明は、」：記のような欠点を除去するためになされ
たものであり、面状で付着した異物を除去することがで
きるフォトマスク用ガラス基板の洗浄方法を提供するこ
とを目的とする。
たものであり、面状で付着した異物を除去することがで
きるフォトマスク用ガラス基板の洗浄方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明の特徴は、フォトマスク用ガラス基板（以下、「
ガラス基板Ｊという。）に、面状でｆ＝Ｊ着した異物を
、ブラシ洗浄等の摩擦材料を用いた洗浄工程と、プラス
チックに対して溶解性を有する有機溶剤による洗浄工程
を含み、プラスチックを含む異物は、摩擦材料を用いた
洗浄工程及び有機溶剤による工程を含む洗浄方法で除去
し、プラスチックを含まない異物も実質的に同時に除去
することである。
ガラス基板Ｊという。）に、面状でｆ＝Ｊ着した異物を
、ブラシ洗浄等の摩擦材料を用いた洗浄工程と、プラス
チックに対して溶解性を有する有機溶剤による洗浄工程
を含み、プラスチックを含む異物は、摩擦材料を用いた
洗浄工程及び有機溶剤による工程を含む洗浄方法で除去
し、プラスチックを含まない異物も実質的に同時に除去
することである。
」ズ下、本発明の実施例を図に基づぎ詳細にが２明する
。先ず、ポリカーボネート製キ１７リアの一部又はｒＩ
ｌｌ摩剤が面状で付着したガラスＬｔＩＩｉｉを第１図
に示す−０１は１２７ｖｎ ｘ１２７Ｉｍ ｘ ２．３
１１１［１１のガラス基板、２は前記ガラス基板の外側
面、３は前記外側面２に面状で付着したポリカーボネー
トを含む異物、４は前記ガラス基板１の主表面、５は前
記主表面４に面状で付着した研摩剤の異物であり、さら
に前記ガラス基板１の表面には粒子状異物（図示Ｕず。
。先ず、ポリカーボネート製キ１７リアの一部又はｒＩ
ｌｌ摩剤が面状で付着したガラスＬｔＩＩｉｉを第１図
に示す−０１は１２７ｖｎ ｘ１２７Ｉｍ ｘ ２．３
１１１［１１のガラス基板、２は前記ガラス基板の外側
面、３は前記外側面２に面状で付着したポリカーボネー
トを含む異物、４は前記ガラス基板１の主表面、５は前
記主表面４に面状で付着した研摩剤の異物であり、さら
に前記ガラス基板１の表面には粒子状異物（図示Ｕず。
）が付着している。次に、前記第１図で示す異物が付着
したガラス基板を洗浄する工程を第２図に基づき説明す
る。先ず、ガラス基板１をフッ酸０．１Φ社％水溶液中
に浸漬し、６００Ｗ超音波洗浄機により２分間洗浄し、
前記ガラス基板１の表面に付着している粒子状異物を除
去する。
したガラス基板を洗浄する工程を第２図に基づき説明す
る。先ず、ガラス基板１をフッ酸０．１Φ社％水溶液中
に浸漬し、６００Ｗ超音波洗浄機により２分間洗浄し、
前記ガラス基板１の表面に付着している粒子状異物を除
去する。
（工程１））。次に、第３図に示すような、直径約０．
２ａＩＩｌｌのナイロンブラシ６を設けたナイロンブラ
シ洗浄機にガラス基板１の外側面２をプーイｎンブラシ
６の植毛方向に対１ノで直角に設置、移動させることに
より１分間洗浄し、ガラス基板１の外側面２に付着した
ポリカーボネート及び研摩剤を含む異物３の主として研
摩剤と、主表面４に付着した研摩剤の異物５とを除去す
る（ｘｆｉ２＞）。
２ａＩＩｌｌのナイロンブラシ６を設けたナイロンブラ
シ洗浄機にガラス基板１の外側面２をプーイｎンブラシ
６の植毛方向に対１ノで直角に設置、移動させることに
より１分間洗浄し、ガラス基板１の外側面２に付着した
ポリカーボネート及び研摩剤を含む異物３の主として研
摩剤と、主表面４に付着した研摩剤の異物５とを除去す
る（ｘｆｉ２＞）。
次に、ガラス基板１を常温のアセ１〜ン中に浸漬して、
６００Ｗ超音波洗浄機により２分間洗浄し、前記工１！
ｉ！２）までの洗浄工程で残ったポリカーボネート及び
研摩剤を含む異物３を完全に除去する（工程３））。Ｉ
Ｉｌ後に、ガラス基板１を超音波洗浄機より取り出し、
温風により乾燥する。
６００Ｗ超音波洗浄機により２分間洗浄し、前記工１！
ｉ！２）までの洗浄工程で残ったポリカーボネート及び
研摩剤を含む異物３を完全に除去する（工程３））。Ｉ
Ｉｌ後に、ガラス基板１を超音波洗浄機より取り出し、
温風により乾燥する。
本実施例によれば、ナイロンブラシ洗浄機によって、面
状の研摩剤の異物と、プラスチックであるポリカーボネ
ートとりＩｆｌＪ剤Ｊ：りなる異物の主と１ノで研摩剤
とを、摩擦材料で除去し、次にポリカーボネートを含む
異物を、有機溶剤であるアレトンによりポリカーボネー
トを溶解することにＪ：り除去づることである。
状の研摩剤の異物と、プラスチックであるポリカーボネ
ートとりＩｆｌＪ剤Ｊ：りなる異物の主と１ノで研摩剤
とを、摩擦材料で除去し、次にポリカーボネートを含む
異物を、有機溶剤であるアレトンによりポリカーボネー
トを溶解することにＪ：り除去づることである。
本発明は、前記実施例に限定されず、下記の工程であっ
てもよい。ずなわら、ナイロンブラシ洗浄機で、主と１
ノで面状のｒｌＩＩ摩剤等の異物を除去し、次に、プラ
スチックであるポリカーボネートを塩化メチレンで溶解
して除青し、最少に、 フッ酸０．１１１％水溶液によ
り、残香の粒子状貢物を除去し、ガラス基板にイ」着し
ている異物を完全に除去する。また、ナイロンブラシ洗
浄機の前工程にプラスチックを溶解する有機溶剤による
洗浄■稈を行ってもにり、有機溶剤ににる洗浄工程、ナ
イロンブラシ洗ｒＰ機にＪ：る洗浄工程、フッ酸０．１
重囲％水溶液による洗浄の順序で行９てもよい。
てもよい。ずなわら、ナイロンブラシ洗浄機で、主と１
ノで面状のｒｌＩＩ摩剤等の異物を除去し、次に、プラ
スチックであるポリカーボネートを塩化メチレンで溶解
して除青し、最少に、 フッ酸０．１１１％水溶液によ
り、残香の粒子状貢物を除去し、ガラス基板にイ」着し
ている異物を完全に除去する。また、ナイロンブラシ洗
浄機の前工程にプラスチックを溶解する有機溶剤による
洗浄■稈を行ってもにり、有機溶剤ににる洗浄工程、ナ
イロンブラシ洗ｒＰ機にＪ：る洗浄工程、フッ酸０．１
重囲％水溶液による洗浄の順序で行９てもよい。
しかしながら、本発明によって望ましい工程は、ナイロ
ンブラシ洗浄機等の摩擦材料による洗浄工程を行い、次
に、有機溶剤による洗浄工程を行うことである。その理
由は、プラスチックを含む異物の表面に存在するｒｔｌ
ｌ ＩＩ剤等のプラスチック以外の異物を除去し、前記
プラスチックの溶解を容易にｂらしめるためである。
ンブラシ洗浄機等の摩擦材料による洗浄工程を行い、次
に、有機溶剤による洗浄工程を行うことである。その理
由は、プラスチックを含む異物の表面に存在するｒｔｌ
ｌ ＩＩ剤等のプラスチック以外の異物を除去し、前記
プラスチックの溶解を容易にｂらしめるためである。
次に、前記実施例において、摩ＪＬｉｌ利による洗）ｐ
工程でナイロンブラシ洗浄機を用いたが、ナイ［１ンブ
ラシによらず、馬毛等の他の材質のブラシを用いてもよ
く、また、ブラシに限らず、フェルト、発泡ポリウレタ
ン等を用いてもにい。次に、前記実施例でプラスチック
に対して溶解性を有する有機溶剤として、アセトン又は
塩化メチレンを用いたが、メチルエチルケ１−ン、メチ
ルインブチルケドン等のケトン類や、塩化メチル、四塩
化炭素、トリクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素等
の、プラスチックに対する溶解性の大きな有機溶剤を用
いてもにい。さらに、前記実施例では研１’Ｊ Ｉ Ｐ
ｉ！後のガラス基板の洗浄について）小べたが、研削工
程後の洗浄工程としても使用できる。
工程でナイロンブラシ洗浄機を用いたが、ナイ［１ンブ
ラシによらず、馬毛等の他の材質のブラシを用いてもよ
く、また、ブラシに限らず、フェルト、発泡ポリウレタ
ン等を用いてもにい。次に、前記実施例でプラスチック
に対して溶解性を有する有機溶剤として、アセトン又は
塩化メチレンを用いたが、メチルエチルケ１−ン、メチ
ルインブチルケドン等のケトン類や、塩化メチル、四塩
化炭素、トリクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素等
の、プラスチックに対する溶解性の大きな有機溶剤を用
いてもにい。さらに、前記実施例では研１’Ｊ Ｉ Ｐ
ｉ！後のガラス基板の洗浄について）小べたが、研削工
程後の洗浄工程としても使用できる。
以上のように、本発明にＪ：れば、研摩材オ′ミ１にＪ
、る洗浄工程と、プラスチックに対して溶解性を有Ｊる
有機溶剤による洗浄工程を併用することにより、面状の
異物、特にガラス基板の外側面に付着したプラスチック
を含む異物又はプラスデックより（７る異物の除去に対
して効果があり、本発明にＪ：れば、従来の洗浄工程で
除去できなかった異物も充分に除去した。さらに、ガラ
ス基板の主表面にクロム膜等を蒸着“す′る工程ヤ）、
前記クロム膜等にパターンを形成Ｊる工程において、ガ
ラス基板の外側面に１１着している異物が落下して、欠
陥を発生させることも、本発明によれば、ガラス基板に
付着している異物を完全に除去できることにより防止で
きる効果がある。
、る洗浄工程と、プラスチックに対して溶解性を有Ｊる
有機溶剤による洗浄工程を併用することにより、面状の
異物、特にガラス基板の外側面に付着したプラスチック
を含む異物又はプラスデックより（７る異物の除去に対
して効果があり、本発明にＪ：れば、従来の洗浄工程で
除去できなかった異物も充分に除去した。さらに、ガラ
ス基板の主表面にクロム膜等を蒸着“す′る工程ヤ）、
前記クロム膜等にパターンを形成Ｊる工程において、ガ
ラス基板の外側面に１１着している異物が落下して、欠
陥を発生させることも、本発明によれば、ガラス基板に
付着している異物を完全に除去できることにより防止で
きる効果がある。
第１図は、異物が付着しているガラス基板の斜視図、第
２図は、本発明の一実施例を示す工程図、第３図は、本
発明の一実施例に用いられるフィロンブラシ洗Ｑ ０１
とガラス基板の関係を示Ｊ図である。 １・・・ガラス基板、２・・・外側面、３・・・外側面
に付着した面状の異物、４・・・主表面、５・・・主表
面に１４着した異物、６・・・プイロンブラシ コ 第２図 第３図 手 続 補 正 書 （自発） １．事ｆ１の表示 昭和５８年特許願第１５８４８８号
２、発明の名称 フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿ｌＴ１１１３番１２号〒１６
０ 置 ０３（３４８）１２２１ボ Ａ７ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄５、補正の
内容 （１） 明１１１１第４頁３行目に「ポリカーボネー１
へを含む」どあるを「ポリカーボネート及び研摩剤を含
む」と補正する。 以」二
２図は、本発明の一実施例を示す工程図、第３図は、本
発明の一実施例に用いられるフィロンブラシ洗Ｑ ０１
とガラス基板の関係を示Ｊ図である。 １・・・ガラス基板、２・・・外側面、３・・・外側面
に付着した面状の異物、４・・・主表面、５・・・主表
面に１４着した異物、６・・・プイロンブラシ コ 第２図 第３図 手 続 補 正 書 （自発） １．事ｆ１の表示 昭和５８年特許願第１５８４８８号
２、発明の名称 フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿ｌＴ１１１３番１２号〒１６
０ 置 ０３（３４８）１２２１ボ Ａ７ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄５、補正の
内容 （１） 明１１１１第４頁３行目に「ポリカーボネー１
へを含む」どあるを「ポリカーボネート及び研摩剤を含
む」と補正する。 以」二
Claims (2)
- （１） フォトマスク用ガラス基板の洗浄工程において
、摩擦材料による洗浄工程と、プラスチックに対して溶
解性を有づ°る有機溶剤による洗浄工程とを含むことを
特徴どするフォｉ・マスク用ガラス基板の洗浄方法。 - （２） 前記摩ｖＡ材料にＪ：る洗浄■稈の後工程どし
て、前記プラスチックに対して溶解性を有する有機溶剤
による洗浄工程をなずことを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のフォトマスク用ガラス基板の洗浄方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158488A JPS6050536A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158488A JPS6050536A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050536A true JPS6050536A (ja) | 1985-03-20 |
Family
ID=15672832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158488A Pending JPS6050536A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050536A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02169078A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | 基板洗浄方法 |
| JP2003195482A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114144A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | Method and apparatus for washing photomask |
| JPS57119347A (en) * | 1981-01-17 | 1982-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for washing photomask |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158488A patent/JPS6050536A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114144A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | Method and apparatus for washing photomask |
| JPS57119347A (en) * | 1981-01-17 | 1982-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | Method and device for washing photomask |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02169078A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-29 | Mitsubishi Electric Corp | 基板洗浄方法 |
| JP2003195482A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
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