JP2734610B2 - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置及び洗浄方法Info
- Publication number
- JP2734610B2 JP2734610B2 JP1067887A JP6788789A JP2734610B2 JP 2734610 B2 JP2734610 B2 JP 2734610B2 JP 1067887 A JP1067887 A JP 1067887A JP 6788789 A JP6788789 A JP 6788789A JP 2734610 B2 JP2734610 B2 JP 2734610B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- processing chamber
- cleaned
- mask
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［概要］ フォトマスクやレチクルあるいはウェハを洗浄するた
めの洗浄装置及び洗浄方法に関し、 被洗浄物の表裏各面に対し異なる洗浄を容易に施すこ
とができるようにすることを目的とし、 ドライ洗浄を行なう第一の処理室とウェット洗浄を行
なう第二の処理室とを区画する区画板を開口部で開口
し、その開口部に被洗浄物を保持する保持手段を設けて
被洗浄物で区画し、第一の処理室にて被洗浄物の第一の
処理室側の面のドライ洗浄を行ない、第二の処理室にて
被洗浄物の第二の処理室側の面のウェット洗浄を行なう
ように構成する。
めの洗浄装置及び洗浄方法に関し、 被洗浄物の表裏各面に対し異なる洗浄を容易に施すこ
とができるようにすることを目的とし、 ドライ洗浄を行なう第一の処理室とウェット洗浄を行
なう第二の処理室とを区画する区画板を開口部で開口
し、その開口部に被洗浄物を保持する保持手段を設けて
被洗浄物で区画し、第一の処理室にて被洗浄物の第一の
処理室側の面のドライ洗浄を行ない、第二の処理室にて
被洗浄物の第二の処理室側の面のウェット洗浄を行なう
ように構成する。
［産業上の利用分野］ この発明はフォトマスクやレチクルあるいはウェハを
洗浄するための洗浄装置及び洗浄方法に関するものであ
る。
洗浄するための洗浄装置及び洗浄方法に関するものであ
る。
フォトマスクやレチクルはその製造工程において基板
の表面に酸化クロム等の遮光膜がパターニングされ、そ
のパターニング工程の前後で基板の汚れに応じたウェッ
ト洗浄あるいはドライ洗浄が施される。
の表面に酸化クロム等の遮光膜がパターニングされ、そ
のパターニング工程の前後で基板の汚れに応じたウェッ
ト洗浄あるいはドライ洗浄が施される。
［従来の技術］ フォトマスクやレチクルはその製造工程において石英
基板の表裏各面にそれぞれ異質の汚れが付着する。すな
わち、表面にはフォトレジストの残膜やドライエッチン
グで生じた灰化物あるいはウェットエッチングによる残
留エッチング薬物等の汚れが付着し、基板裏面にはエッ
チング薬物や飛散したフォトレジストあるいは各工程で
同基板を保持する保持装置による保持跡等の汚れが表面
より度合の高い状態で付着している。
基板の表裏各面にそれぞれ異質の汚れが付着する。すな
わち、表面にはフォトレジストの残膜やドライエッチン
グで生じた灰化物あるいはウェットエッチングによる残
留エッチング薬物等の汚れが付着し、基板裏面にはエッ
チング薬物や飛散したフォトレジストあるいは各工程で
同基板を保持する保持装置による保持跡等の汚れが表面
より度合の高い状態で付着している。
そして、このような基板はパターニング工程後におい
てその汚れを除去するために基板裏面の汚れを除去する
能力を備えた洗浄装置で洗浄されていた。
てその汚れを除去するために基板裏面の汚れを除去する
能力を備えた洗浄装置で洗浄されていた。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、上記のようにパターニングされたフォトマ
スクやレチクルをその基板裏面の汚れに合わせた洗浄能
力を備えた洗浄装置で洗浄すると、比較的清浄な基板表
面がかえって汚れたり、あるいはパターニングされた遮
光膜が損傷されることもある。すなわち、ブラシ、スポ
ンジ等で物理的に表面を擦って洗浄するスクラブ洗浄や
超音波洗浄あるいは過硫酸洗浄では基板表面が洗浄液に
よりかえって汚れたり、あるいは過剰な洗浄力でパター
ンが損傷されることがある。
スクやレチクルをその基板裏面の汚れに合わせた洗浄能
力を備えた洗浄装置で洗浄すると、比較的清浄な基板表
面がかえって汚れたり、あるいはパターニングされた遮
光膜が損傷されることもある。すなわち、ブラシ、スポ
ンジ等で物理的に表面を擦って洗浄するスクラブ洗浄や
超音波洗浄あるいは過硫酸洗浄では基板表面が洗浄液に
よりかえって汚れたり、あるいは過剰な洗浄力でパター
ンが損傷されることがある。
この発明の目的は、被洗浄物の表裏各面に対し異なる
洗浄を容易に施すことができる洗浄装置及び洗浄方法を
提供するにある。
洗浄を容易に施すことができる洗浄装置及び洗浄方法を
提供するにある。
［課題を解決するための手段］ 第１図は本発明の原理説明図である。すなわち、ドラ
イ洗浄を行なう第一の処理室３とウェット洗浄を行なう
第二の処理室４とを区画する区画板５が開口部６で開口
され、その開口部６に保持手段12で被洗浄物９を保持し
て同被洗浄物９により前記両処理室3,4を区画し、第一
の処理室３にて被洗浄物９の第一の処理室側の面のドラ
イ洗浄を行ない、第二の処理室４にて被洗浄物９の第二
の処理室側の面のウェット洗浄を行なうようにしてい
る。
イ洗浄を行なう第一の処理室３とウェット洗浄を行なう
第二の処理室４とを区画する区画板５が開口部６で開口
され、その開口部６に保持手段12で被洗浄物９を保持し
て同被洗浄物９により前記両処理室3,4を区画し、第一
の処理室３にて被洗浄物９の第一の処理室側の面のドラ
イ洗浄を行ない、第二の処理室４にて被洗浄物９の第二
の処理室側の面のウェット洗浄を行なうようにしてい
る。
［作用］ 被洗浄物９の汚れの少ない面を第一の処理室３に露出
させ、汚れの多い面を第二の処理室４に露出して洗浄す
ると、被洗浄物９の表裏各面の汚れに応じた洗浄が施さ
れる。なお、第一の処理室３でのドライ洗浄と第二の処
理室４でのウェット洗浄とを同時に行なうようにすれ
ば、被洗浄物９に対する洗浄効率を向上させることが可
能である。又、被洗浄物を両処理室3,4の気圧差により
保持するようにすれば、被洗浄物を保持するための保持
手段12を簡素化し得る。
させ、汚れの多い面を第二の処理室４に露出して洗浄す
ると、被洗浄物９の表裏各面の汚れに応じた洗浄が施さ
れる。なお、第一の処理室３でのドライ洗浄と第二の処
理室４でのウェット洗浄とを同時に行なうようにすれ
ば、被洗浄物９に対する洗浄効率を向上させることが可
能である。又、被洗浄物を両処理室3,4の気圧差により
保持するようにすれば、被洗浄物を保持するための保持
手段12を簡素化し得る。
［実施例］ 以下、この発明を具体化した一実施例を第２図に従っ
て説明すると、洗浄装置１のケース２には同ケース２内
を上部処理室３と下部処理室４とに区画する区画板５が
形成され、その区画板５の中央部には開口部６が形成さ
れるとともに、区画板５の周縁部近傍には通気孔７が形
成されている。開口部６の周縁には段差部８が形成さ
れ、その段差部８でマスク９周縁部を支持可能となって
いる。なお、マスク９はケース２に設けられる開閉可能
な取入れ口（図示しない）から搬入される。
て説明すると、洗浄装置１のケース２には同ケース２内
を上部処理室３と下部処理室４とに区画する区画板５が
形成され、その区画板５の中央部には開口部６が形成さ
れるとともに、区画板５の周縁部近傍には通気孔７が形
成されている。開口部６の周縁には段差部８が形成さ
れ、その段差部８でマスク９周縁部を支持可能となって
いる。なお、マスク９はケース２に設けられる開閉可能
な取入れ口（図示しない）から搬入される。
ケース２内において区画板５の上方にはドライ洗浄器
10が設けられ、開口部６上に支持されたマスク９に30〜
120g/cm3のオゾンを噴射可能となっている。
10が設けられ、開口部６上に支持されたマスク９に30〜
120g/cm3のオゾンを噴射可能となっている。
ケース２の上部一側には送気管11が接続され、その送
気管11の先端には送風器12が取着されている。そして、
送気管11には除塵フィルタ13が介在され、送風器12から
送られる空気が除塵フィルタ13で除塵されてケース２内
へ導入され、その導入空気により上部処理室３内の気圧
が上昇してマスク９が開口部６周縁に圧接されるように
なっている。
気管11の先端には送風器12が取着されている。そして、
送気管11には除塵フィルタ13が介在され、送風器12から
送られる空気が除塵フィルタ13で除塵されてケース２内
へ導入され、その導入空気により上部処理室３内の気圧
が上昇してマスク９が開口部６周縁に圧接されるように
なっている。
下部処理室４内にはウェット洗浄槽14が区画板５から
吊下支持され、そのウェット洗浄槽14内には前記開口部
６にマスク９が圧接された後に例えば硫酸等の洗浄液15
が導入されるとともに、マスク９裏面に向かって対流す
るように循環され、底面には超音波発生装置16が設けら
れている。そして、洗浄液15は70〜120℃に保たれ、超
音波発生装置16から0.8〜1MHZの超音波が洗浄液15に出
力されている。
吊下支持され、そのウェット洗浄槽14内には前記開口部
６にマスク９が圧接された後に例えば硫酸等の洗浄液15
が導入されるとともに、マスク９裏面に向かって対流す
るように循環され、底面には超音波発生装置16が設けら
れている。そして、洗浄液15は70〜120℃に保たれ、超
音波発生装置16から0.8〜1MHZの超音波が洗浄液15に出
力されている。
さて、このように構成された洗浄装置１ではマスク９
のパターン形成側である表面を上側とするとともに裏面
を下側として区画板５の開口部６上に同マスク９を載置
した状態で送風器12から送気管11及び除塵フィルタ13を
介して清浄な空気が上部処理室３に送られると、上部処
理室３内の気圧が若干上昇してマスク９周縁が段差部８
に圧接される。この状態でドライ洗浄器10から前記条件
でオゾンが噴出されると、比較的清浄なマスク９表面の
レジスト残膜、有機物あるいはレジスト現像液のシミ等
が洗浄される。
のパターン形成側である表面を上側とするとともに裏面
を下側として区画板５の開口部６上に同マスク９を載置
した状態で送風器12から送気管11及び除塵フィルタ13を
介して清浄な空気が上部処理室３に送られると、上部処
理室３内の気圧が若干上昇してマスク９周縁が段差部８
に圧接される。この状態でドライ洗浄器10から前記条件
でオゾンが噴出されると、比較的清浄なマスク９表面の
レジスト残膜、有機物あるいはレジスト現像液のシミ等
が洗浄される。
一方、マスク９裏面はウェット洗浄槽14内の洗浄液15
に晒されるとともに超音波発生装置16から発生される超
音波により超音波洗浄され、微小異物、飛散レジストあ
るいは無機物等が洗浄される。そして、マスク９は区画
板５の段差部８に圧接されているので、洗浄液15が上部
処理室３内に溢れてマスク９表面が洗浄液９に侵される
ことはない。
に晒されるとともに超音波発生装置16から発生される超
音波により超音波洗浄され、微小異物、飛散レジストあ
るいは無機物等が洗浄される。そして、マスク９は区画
板５の段差部８に圧接されているので、洗浄液15が上部
処理室３内に溢れてマスク９表面が洗浄液９に侵される
ことはない。
以上のように、この洗浄装置１ではマスク９の表面と
裏面に異なる洗浄を同時に施すことができるので、表面
と裏面とで汚れの度合の異なるマスク９の各面に適した
洗浄を施すことができる。従って、マスク９裏面の汚れ
は硫酸を洗浄液とした超音波洗浄で確実に洗浄すること
ができるとともに、汚れの度合の少ないマスク９表面に
形成されたパターンを過度な洗浄で痛めることを防止で
きる。
裏面に異なる洗浄を同時に施すことができるので、表面
と裏面とで汚れの度合の異なるマスク９の各面に適した
洗浄を施すことができる。従って、マスク９裏面の汚れ
は硫酸を洗浄液とした超音波洗浄で確実に洗浄すること
ができるとともに、汚れの度合の少ないマスク９表面に
形成されたパターンを過度な洗浄で痛めることを防止で
きる。
なお、前記実施例では洗浄液15として硫酸を使用した
が、ウェット洗浄槽14に洗浄液として硝酸を導入し、そ
の硝酸で前記硫酸を使用した場合とほぼ同一条件で超音
波洗浄しても同様な洗浄効果を得ることができる。ま
た、洗浄液として約60℃の純水を使用して上記のような
超音波洗浄を行なうと、マスク９裏面の微小異物やレジ
スト現像液のシミ等が洗浄され、前記マスク９の他にレ
チクル、ウェハを被洗浄物として洗浄することもでき
る。
が、ウェット洗浄槽14に洗浄液として硝酸を導入し、そ
の硝酸で前記硫酸を使用した場合とほぼ同一条件で超音
波洗浄しても同様な洗浄効果を得ることができる。ま
た、洗浄液として約60℃の純水を使用して上記のような
超音波洗浄を行なうと、マスク９裏面の微小異物やレジ
スト現像液のシミ等が洗浄され、前記マスク９の他にレ
チクル、ウェハを被洗浄物として洗浄することもでき
る。
［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明の洗浄装置又は洗浄方
法によれば、被洗浄物の表裏各面に対し異なる洗浄を容
易に施すことができる優れた効果を発揮する。
法によれば、被洗浄物の表裏各面に対し異なる洗浄を容
易に施すことができる優れた効果を発揮する。
第１図は本発明の原理説明図、第２図は本発明を具体化
した洗浄装置の断面図である。 図中、３は第一の処理室、４は第二の処理室、５は区画
板、５は区画板、６は開口部、９は被洗浄物、12は保持
手段である。
した洗浄装置の断面図である。 図中、３は第一の処理室、４は第二の処理室、５は区画
板、５は区画板、６は開口部、９は被洗浄物、12は保持
手段である。
Claims (4)
- 【請求項１】ドライ洗浄を行なう第一の処理室（３）と
ウェット洗浄を行なう第二の処理室（４）とを区画する
区画板（５）を開口部（６）で開口し、その開口部
（６）に被洗浄物（９）を保持する保持手段（12）を設
けて被洗浄物（９）で区画し、第一の処理室（３）にて
被洗浄物（９）の第一の処理室側の面のドライ洗浄を行
ない、第二の処理室（４）にて被洗浄物（９）の第二の
処理室側の面のウェット洗浄を行なうことを特徴とする
洗浄装置。 - 【請求項２】前記第一の処理室（３）でのドライ洗浄
と、前記第二の処理室（４）でのウェット洗浄が同時に
行なわれることを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。 - 【請求項３】被洗浄物（９）が気圧差により保持される
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の洗浄装
置。 - 【請求項４】ドライ洗浄を行なう第一の処理室（３）と
ウェット洗浄を行なう第二の処理室（４）とを区画する
区画板（５）を開口部（６）で開口し、その開口部
（６）に被洗浄物（９）を保持して同被洗浄物（９）に
より前記両処理室（3,4）を区画し、第一の処理室
（３）にて被洗浄物（９）の第一の処理室側の面のドラ
イ洗浄を行ない、第二の処理室（４）にて被洗浄物
（９）の第二の処理室側の面のウェット洗浄を行なうこ
とを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067887A JP2734610B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067887A JP2734610B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246217A JPH02246217A (ja) | 1990-10-02 |
| JP2734610B2 true JP2734610B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=13357855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1067887A Expired - Fee Related JP2734610B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734610B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE787281A (fr) * | 1971-08-19 | 1972-12-01 | Peabody Engineering Corp | Tuyere de pulverisation peripherique |
| JPH0831435B2 (ja) * | 1986-09-29 | 1996-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の洗浄方法 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1067887A patent/JP2734610B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02246217A (ja) | 1990-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890002307B1 (ko) | 마스크 세정장치 | |
| TWI232492B (en) | A process chamber equipped with a cleaning function | |
| JP2734610B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JPS6143430A (ja) | カセツト洗浄装置 | |
| JPS60240129A (ja) | スクラブ洗浄装置 | |
| JPH01140727A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JPH05107744A (ja) | フオトマスクの異物除去方法 | |
| JPH07104460A (ja) | 薄板の洗浄方法 | |
| JPS59195651A (ja) | ホトマスク洗浄装置 | |
| JPH0723956Y2 (ja) | ケース洗浄装置 | |
| JPS59195653A (ja) | フオトマスクの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JPS63271938A (ja) | 硬表面の洗浄方法 | |
| JPH05259144A (ja) | 基板洗浄方法 | |
| JPS6348678A (ja) | 表面清掃装置 | |
| JP2000315672A (ja) | 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置 | |
| JPS649618B2 (ja) | ||
| JPS6423539A (en) | Cleaning of rear of semiconductor wafer | |
| JPS6050536A (ja) | フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法 | |
| JPS6488547A (en) | Production of semiconductor device | |
| JPS63224332A (ja) | 半導体ウエハの両面洗浄装置 | |
| JPS59184530A (ja) | スプレ−洗浄方法 | |
| JPH04196425A (ja) | 薬液処理装置 | |
| JP2001267276A (ja) | ワーク保持盤の洗浄方法並びに研磨装置と研磨方法 | |
| JPS61144830A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPS58128738A (ja) | シリコンウエハ−の洗浄工程における処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |