JPH02252237A - 洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、洗浄方法に関する。

（従来の技術） 近年、半導体装置は高集積化される傾向にあり、このた
めその回路パターン等も例えば線幅１μｍ以下等と超微
細化される傾向にある。

このような半導体装置を製造する工程においては、微小
な塵埃の存在が大きな障害となるので、半導体製造を行
うクリーンルームは、例えばクラスＩＯ等の超クリーン
化が進められている。

ところで、上述のような半導体製造工程においては、基
板に各種処理を施す前処理として、従来から基板例えば
半導体ウェハの洗浄を行い、半導体ウェハ面に付着した
塵埃の除去を行っている。

このような基板の洗浄方法としては、従来、ブラシによ
り基板表面を擦る洗浄方法、超音波の高周波振動による
洗浄方法、圧力例えばｌｏＯＫｇ程度の高圧ジェット噴
流を基板表面に当てる洗浄方法、あるいはこれらを組み
合せた洗浄方法等が知られている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、一般に、半導体ウェハ等の基板表面には
例えば１μｍ程度の微小な凹凸が有り、このような凹凸
に入り込んだ微小な塵埃は、上記説明の従来の方法のう
ち、高圧ジェット噴流を基板表面に当てる洗浄方法以外
の方法では除去するのが困難である。ところが、この高
圧ジェット噴流を用いる洗浄方法では、上述したように
圧力例えば１００Ｋｇ程度の高圧ジェット噴流を基板表
面に当てるので、基板に損傷を与えるという問題がある
。

また、例えばある種の溶媒を用いて基板表面の微小な凹
凸に入り込んだ微小な塵埃を溶解し、除去することも考
えられるが、一般に塵埃は、例えばシリコン、レジスト
、有機物等からなり、その種類は多種多様であるため、
特定な溶媒で全ての塵埃を化学的に溶解し、除去するこ
とは困難である。特に、シリコンからなる塵埃の場合は
、化学的に溶解し、除去することは非常に困難である。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて付着した微小な塵埃を効率良く除去する
ことができ、かつ、被洗浄体の表面に損傷を与えること
のない洗浄方法を堤供しようとするものである。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、付着した微小な塵埃を洗浄除去する
にあたり、溶解性微粒子を含む洗浄液によって洗浄を行
うことにより、付着した微小な塵埃を洗浄し、この後残
留した前記溶解性微粒子を溶解させて洗浄することを特
徴とする。

（作　用） 本発明の洗浄方法では、まず、溶解性微粒子を含む洗浄
液を用いて、例えばブラシによる洗浄、超音波による洗
浄、ジェット噴流による洗浄等を行い、付着した微小な
塵埃を溶解性微粒子により遊離させる。そして次に、残
留した溶解性微粒子を溶解させて洗浄を終了する。

例えば、多種多様な物質からなる微小な塵埃を、これら
の塵埃とほぼ同程度の質量を有する溶解性微粒子を衝突
させることにより基板面から除去する。そして、この後
塵埃と置換する如く基板面に付着した溶解性微粒子を所
定の溶媒で溶解し、基板面から除去する。

したがって、従来に較べて基板面に付むした微小な塵埃
を効率良く除去することができ、かつ、基板に損傷を与
えることがない。

（実施例） 以下、本発明方法の実施例を図面を参照して説明する。

この実施例では、まず第１図（ａ）に示す如（、基台１
上に洗浄目的物である基板例えば半導体ウェハ２を吸着
固定し、例えば洗浄液供給ノズル３から直径例えば０．
１−１μｍ程度の微小な溶解性微粒子４を含む洗浄液、
例えば溶解性微粒子４を含む純水を被洗浄部に供給例え
ば流入している状態で、ブラシ５によって半導体ウェハ
２表面を擦り、洗浄を行う。上記洗浄は加温されている
とさらによい。また半導体ウェハを加熱状態で洗浄して
もさらによい。そして、第１図（ｂ）に示すごとく、半
導体ウェハ２表面に形成された微小な凹凸等に入り込む
如く半導体ウェハ２表面に付着した微小な塵埃６に溶解
性微粒子４を衝突させる。

すると、微小な塵埃６と溶解性微粒子４は、大きさがほ
ぼ同じで、その質量もほぼ同程度であるため、上記衝突
により第１図（ｃ）に示す如く微小な塵埃６と溶解性微
粒子４とが置換し、溶解性微粒子４が半導体ウニ／Ｘ−
２表面に付着する。

この後、判明している上記溶解性微粒子４の溶媒を半導
体ウェハ２表面に供給し、第１図（ｄ）に示す如くこの
溶媒により半導体ウェハ２の表面に残留した溶解性微粒
子４を溶解除去する。当然のことながら溶解性微粒子４
は略完全に溶解除去が可能になる。

すなわち、この実施例の基板の洗浄では、まず、例えば
シリコン、レジスト、有機物等からなる多種多様な微小
な塵埃６に、溶解性微粒子４を衝突させることにより半
導体ウェハ２表面から遊離、浮上除去する。

なお、溶解性微粒子４は、塵埃６とほぼ同じ程度の大き
さに構成されており、塵埃６とほぼ同程度の質量を有す
るので、塵埃６は、溶解性微粒子４との衝突により効率
良く除去される。

そして、この後、半導体ウェハ２表面に所定の溶媒を供
給し、塵埃６と置換する如く半導体ウェハ２表面に付着
した溶解性微粒子４を溶解し、除去する。

したがって、従来に較べて半導体ウェハ２表面に付着し
た微小な塵埃６を効率良く除去することができ、かつ、
前述した圧力例えば１００Ｋｇ程度の高圧ジェット噴流
を用いる従来の方法のように半導体ウェハ２に損傷を与
えることもない。

なお、上記実施例では、溶解性微粒子４を含む洗浄液を
供給しながらブラシ５によって半導体ウェハ２表面を擦
り、洗浄を行う方法について説明したが、本発明は係る
実施例に限定されるものではなく、例えば溶解性微粒子
４を含む洗浄液を用い超音波による洗浄を行って、半導
体ウェハ２表面における微小な塵埃６と溶解性微粒子４
との置換を行ってもよい。

この洗浄方法は半導体素子の洗浄工程に適用して良好な
結果の得られることは上記の通りであるが、特にレジス
ト塗布現像工程に適用するとさらに良い。特にレジスト
塗布後溶剤を乾燥させるため粉末の飛散はさけられない
。従って、不要な粉末を洗浄するのに極めて有効である
。

［発明の効果］ 上述のように、本発明−の洗浄方法では、従来に較べて
基板面に付着した微小な塵埃を効率良く除去することが
でき、かつ、基板に損傷を与えることがない。したがっ
て、半導体製造工程における生産性の向上を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の洗浄方法を説明するための
図である。 １・・・・・・基台、２・・・・・・半導体ウェハ、３
・・・・・・洗浄液供給ノズル、４・・・・・・溶解性
微粒子、５・・・・・・ブラシ、６・・・・・・塵埃。 出願人　　　　　　東京エレクトロン株式会社出願人　
　　　　　チル九州株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）付着した微小な塵埃を洗浄除去するにあたり、 溶解性微粒子を含む洗浄液によって洗浄を行うことによ
   り、付着した微小な塵埃を洗浄し、この後残留した前記
   溶解性微粒子を溶解させて洗浄することを特徴とする洗
   浄方法。