KR100904524B1 - 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
상기 구리 화합물층은 구리와 반응하는 반응성 가스와 구리가 반응하여 형성된 층이며, 상기 반응성 가스는 암모늄(NH3)또는 질소(N2)가스이다.
그리고, 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성되며, 상기 게이트 배선의 상부에 상기 화소전극과 접촉하는 섬형상의 금속층을 구성하여, 이를 제 1 전극으로 하고 그 하부의 게이트 배선을 제 2 전극을 하는 보조 용량부를 형성한다.
Claims (5)
- 기판 상에 구리화합물(CuxN)층과 구리(Cu)층을 순차적으로 적층하는 단계와;상기 구리층과 구리 화합물층을 동시에 패턴하여, 구리층과 구리화합물층의 이중층의 게이트 전극과 이와 연결된 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 게이트 전극이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층을 증착하고 패턴하여, 액티브층과 오믹 콘택층을 형성하는 단계와;상기 오믹 콘택층이 형성된 기판의 전면에 구리화합물(CuxN)층과 구리층을 순차적으로 적층하는 단계와;상기 구리층과 구리 화합물층을 동시에 패턴하여, 상기 오믹 콘택층 상에 구리층과 구리화합물층의 이중층의 소정간격 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스전극에 연결되고 상기 게이트 배선과는 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기판의 전면에 보호막을 형성하고 패턴하여, 상기 드레인 전극을 노출하는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계와;상기 노출된 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역에 위치하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 구리 화합물층은 구리와 반응하는 반응성 가스와 구리가 반응하여 형성된 층인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 반응성 가스는 암모늄(NH3)또는 질소(N2)가스인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 배선의 상부에 상기 화소전극과 접촉하는 섬형상의 금속층을 구성하여, 이를 제 1 전극으로 하고 그 하부의 게이트 배선을 제 2 전극을 하는 보조 용량부를 형성하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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