JP2003309268A - 有機トランジスタ素子及びその製造方法 - Google Patents
有機トランジスタ素子及びその製造方法Info
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- JP2003309268A JP2003309268A JP2003033028A JP2003033028A JP2003309268A JP 2003309268 A JP2003309268 A JP 2003309268A JP 2003033028 A JP2003033028 A JP 2003033028A JP 2003033028 A JP2003033028 A JP 2003033028A JP 2003309268 A JP2003309268 A JP 2003309268A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便な方法で製作でき、生産効率に優れ、し
かもパターン精度が高く、したがって性能の安定した、
キャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを提供す
る。 【解決手段】 電極膜の切削により形成された間隙が有
機半導体膜で連結され、有機半導体からなるチャネルで
連結されたソース電極及びドレイン電極が構成された有
機トランジスタ素子。
かもパターン精度が高く、したがって性能の安定した、
キャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを提供す
る。 【解決手段】 電極膜の切削により形成された間隙が有
機半導体膜で連結され、有機半導体からなるチャネルで
連結されたソース電極及びドレイン電極が構成された有
機トランジスタ素子。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタ性能
の安定した電界効果型有機トランジスタ素子を容易に製
造する方法に関する。
の安定した電界効果型有機トランジスタ素子を容易に製
造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばコンピュータディスプレイの画像
駆動素子として用いられる薄膜トランジスタ素子（ＴＦ
Ｔ素子）のスイッチング素子（トランジスタ素子）に用
いられるＳｉ半導体材料ではソース部、ドレイン部にゲ
ート電極を組み合わせることによりチャネルを形成し、
ソース、ドレイン間の電流のＯＮ，ＯＦＦを制御する。
このＴＦＴ素子には主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）などの半導体が用いら
れ、これらのＳｉ半導体（必要に応じて金属膜も）を多
層化し、ソース、ドレイン、ゲート電極を基板上に順次
形成していくことでＴＦＴ素子が製造される。こうした
ＴＦＴ素子の製造には通常、スパッタリング、その他の
真空系の製造プロセスが必要とされる。
駆動素子として用いられる薄膜トランジスタ素子（ＴＦ
Ｔ素子）のスイッチング素子（トランジスタ素子）に用
いられるＳｉ半導体材料ではソース部、ドレイン部にゲ
ート電極を組み合わせることによりチャネルを形成し、
ソース、ドレイン間の電流のＯＮ，ＯＦＦを制御する。
このＴＦＴ素子には主にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン）、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）などの半導体が用いら
れ、これらのＳｉ半導体（必要に応じて金属膜も）を多
層化し、ソース、ドレイン、ゲート電極を基板上に順次
形成していくことでＴＦＴ素子が製造される。こうした
ＴＦＴ素子の製造には通常、スパッタリング、その他の
真空系の製造プロセスが必要とされる。
【０００３】近年、有機半導体による種々の有機薄膜ト
ランジスタが提案されており、印刷やインクジェット法
により簡便な方法で作製できることが記載されている
（例えば特許文献１〜４参照）。
ランジスタが提案されており、印刷やインクジェット法
により簡便な方法で作製できることが記載されている
（例えば特許文献１〜４参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１９０００１号公報
【０００５】
【特許文献２】特開２０００−３０７１７２号公報
【０００６】
【特許文献３】国際公開第００／７９６１７号パンフレ
ット
ット
【０００７】
【特許文献４】国際公開第０１／４７０４３号パンフレ
ット
ット
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機薄
膜トランジスタの主要部である有機半導体チャネルの形
成には、依然フォトリソグラフ法を用いるため、プロセ
スは煩雑で、生産効率が低い。生産効率を上げると、パ
ターン精度が低く、トランジスタの性能にばらつきが生
じてしまう問題が有る。また、素子のキャリア移動度が
低いという問題があった。
膜トランジスタの主要部である有機半導体チャネルの形
成には、依然フォトリソグラフ法を用いるため、プロセ
スは煩雑で、生産効率が低い。生産効率を上げると、パ
ターン精度が低く、トランジスタの性能にばらつきが生
じてしまう問題が有る。また、素子のキャリア移動度が
低いという問題があった。
【０００９】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、簡便な方法で製作でき、生産効率
に優れ、しかもパターン精度が高く、したがって性能の
安定した、キャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタ
を提供することにある。
であり、その目的は、簡便な方法で製作でき、生産効率
に優れ、しかもパターン精度が高く、したがって性能の
安定した、キャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタ
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、
１） 電極膜の切削により形成された間隙が有機半導体
膜で連結され、有機半導体からなるチャネルで連結され
たソース電極及びドレイン電極が構成された有機トラン
ジスタ素子、 ２） 電極膜が金属微粒子含有層である１）の有機トラ
ンジスタ素子、 ３） 電極膜が導電性ポリマーからなる１）の有機トラ
ンジスタ素子、 ４） 電極膜が金属微粒子含有層及び導電性ポリマー層
からなる１）の有機トランジスタ素子、 ５） レーザー光の照射により切削がなされる１）〜
４）の何れかの有機トランジスタ素子、 ６） 酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸
化タンタル、酸化チタンの何れかからなる絶縁層を有す
る１）〜５）の何れかの有機トランジスタ素子、 ７） 前記有機半導体からなるチャネルがポリイミド、
ポリアミド、ポリエステル及びポリアクリレートの何れ
かからなる絶縁層に接して形成される１）〜６）の何れ
かの有機トランジスタ素子、 ８） 有機半導体がπ共役系高分子化合物である１）〜
７）の何れかの有機トランジスタ素子、 ９） 高分子支持体上に形成された１）〜８）の何れか
の有機トランジスタ素子、 １０） 電極膜を切削し、それにより形成された間隙を
有機半導体膜で連結する工程を経る有機トランジスタ素
子の製造方法、 １１） 支持体上に形成した電極膜を切削し、それによ
り形成された間隙を有機半導体膜で連結した後、絶縁層
を形成する工程を経る１０）の有機トランジスタ素子の
製造方法、 １２） 支持体上にゲート電極を形成して絶縁層で被覆
し、該絶縁層上に形成した電極膜を切削し、それにより
形成された間隙を有機半導体膜で連結する工程を経る１
０）の有機トランジスタ素子の製造方法、 １３） 電極膜が金属微粒子含有層及び／又は導電性ポ
リマー層からなる１０）〜１２）の何れかの有機トラン
ジスタ素子の製造方法、 １４） レーザー光の照射により切削がなされる１０）
〜１３）の何れかの有機トランジスタ素子の製造方法、
によって達成される。
膜で連結され、有機半導体からなるチャネルで連結され
たソース電極及びドレイン電極が構成された有機トラン
ジスタ素子、 ２） 電極膜が金属微粒子含有層である１）の有機トラ
ンジスタ素子、 ３） 電極膜が導電性ポリマーからなる１）の有機トラ
ンジスタ素子、 ４） 電極膜が金属微粒子含有層及び導電性ポリマー層
からなる１）の有機トランジスタ素子、 ５） レーザー光の照射により切削がなされる１）〜
４）の何れかの有機トランジスタ素子、 ６） 酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸
化タンタル、酸化チタンの何れかからなる絶縁層を有す
る１）〜５）の何れかの有機トランジスタ素子、 ７） 前記有機半導体からなるチャネルがポリイミド、
ポリアミド、ポリエステル及びポリアクリレートの何れ
かからなる絶縁層に接して形成される１）〜６）の何れ
かの有機トランジスタ素子、 ８） 有機半導体がπ共役系高分子化合物である１）〜
７）の何れかの有機トランジスタ素子、 ９） 高分子支持体上に形成された１）〜８）の何れか
の有機トランジスタ素子、 １０） 電極膜を切削し、それにより形成された間隙を
有機半導体膜で連結する工程を経る有機トランジスタ素
子の製造方法、 １１） 支持体上に形成した電極膜を切削し、それによ
り形成された間隙を有機半導体膜で連結した後、絶縁層
を形成する工程を経る１０）の有機トランジスタ素子の
製造方法、 １２） 支持体上にゲート電極を形成して絶縁層で被覆
し、該絶縁層上に形成した電極膜を切削し、それにより
形成された間隙を有機半導体膜で連結する工程を経る１
０）の有機トランジスタ素子の製造方法、 １３） 電極膜が金属微粒子含有層及び／又は導電性ポ
リマー層からなる１０）〜１２）の何れかの有機トラン
ジスタ素子の製造方法、 １４） レーザー光の照射により切削がなされる１０）
〜１３）の何れかの有機トランジスタ素子の製造方法、
によって達成される。
【００１１】即ち本発明者は、形成した電極膜を切削
し、それにより形成された間隙を有機半導体膜で連結す
れば、有機半導体チャネルを簡便に作製することができ
ると考え、本発明に至った。
し、それにより形成された間隙を有機半導体膜で連結す
れば、有機半導体チャネルを簡便に作製することができ
ると考え、本発明に至った。
【００１２】以下、本発明について詳しく述べる。図１
に本発明の有機トランジスタ素子の構成をモデル的に示
す。図において、本発明の有機トランジスタ素子１は、
ソース電極２とドレイン電極３を連結する有機半導体か
らなるチャネル４が、ゲート電極５と絶縁層６を介して
支持体７上に形成されている。
に本発明の有機トランジスタ素子の構成をモデル的に示
す。図において、本発明の有機トランジスタ素子１は、
ソース電極２とドレイン電極３を連結する有機半導体か
らなるチャネル４が、ゲート電極５と絶縁層６を介して
支持体７上に形成されている。
【００１３】本発明でソース電極とドレイン電極を連結
するチャネル４に用いる有機半導体材料としては、π共
役系材料が用いられ、例えばポリピロール、ポリ（Ｎ−
置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ
（３，４−二置換ピロール）などのポリピロール類、ポ
リチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ
（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェン
などのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどの
ポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなど
のポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）などのポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポ
リアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（３−置
換アニリン）、ポリ（２，３−置換アニリン）などのポ
リアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン
類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリ
アズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリ
ピレン類、ポリカルバゾール、ポリ（Ｎ−置換カルバゾ
ール）などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンな
どのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフラ
ンなどのポリフラン類、ポリ（ｐ−フェニレン）などの
ポリ（ｐ−フェニレン）類、ポリインドールなどのポリ
インドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン
類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセ
ン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピ
レン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネ
ン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアン
トラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素
の一部をＮ、Ｓ、Ｏなどの原子、カルボニル基などの官
能基に置換した誘導体（トリフェノジオキサジン、トリ
フェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノンな
ど）、ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフ
ィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平
１１−１９５７９０に記載された多環縮合体などを用い
ることができる。
するチャネル４に用いる有機半導体材料としては、π共
役系材料が用いられ、例えばポリピロール、ポリ（Ｎ−
置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ
（３，４−二置換ピロール）などのポリピロール類、ポ
リチオフェン、ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ
（３，４−二置換チオフェン）、ポリベンゾチオフェン
などのポリチオフェン類、ポリイソチアナフテンなどの
ポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなど
のポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）などのポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポ
リアニリン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（３−置
換アニリン）、ポリ（２，３−置換アニリン）などのポ
リアニリン類、ポリアセチレンなどのポリアセチレン
類、ポリジアセチレンなどのポリジアセチレン類、ポリ
アズレンなどのポリアズレン類、ポリピレンなどのポリ
ピレン類、ポリカルバゾール、ポリ（Ｎ−置換カルバゾ
ール）などのポリカルバゾール類、ポリセレノフェンな
どのポリセレノフェン類、ポリフラン、ポリベンゾフラ
ンなどのポリフラン類、ポリ（ｐ−フェニレン）などの
ポリ（ｐ−フェニレン）類、ポリインドールなどのポリ
インドール類、ポリピリダジンなどのポリピリダジン
類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセ
ン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピ
レン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネ
ン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアン
トラセンなどのポリアセン類およびポリアセン類の炭素
の一部をＮ、Ｓ、Ｏなどの原子、カルボニル基などの官
能基に置換した誘導体（トリフェノジオキサジン、トリ
フェノジチアジン、ヘキサセン−６，１５−キノンな
ど）、ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフ
ィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーや特開平
１１−１９５７９０に記載された多環縮合体などを用い
ることができる。
【００１４】また、これらのポリマーと同じ繰返し単位
を有するたとえばチオフェン６量体であるα−セクシチ
オフェンα，ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、
α，ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α，ω−
ビス（３−ブトキシプロピル）−α−セクシチオフェ
ン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に
用いることができる。
を有するたとえばチオフェン６量体であるα−セクシチ
オフェンα，ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、
α，ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α，ω−
ビス（３−ブトキシプロピル）−α−セクシチオフェ
ン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に
用いることができる。
【００１５】さらに銅フタロシアニンや特開平１１−２
５１６０１に記載のフッ素置換銅フタロシアニンなどの
金属フタロシアニン類、ナフタレン１，４，５，８−テ
トラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフ
ルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テ
トラカルボン酸ジイミドとともに、Ｎ，Ｎ’−ビス（１
Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス
（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）及びＮ，Ｎ’−ジ
オクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸
ジイミド誘導体、ナフタレン２，３，６，７テトラカル
ボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイ
ミド類、及びアントラセン２，３，６，７−テトラカル
ボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジ
イミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、Ｃ
60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78、Ｃ84等フラーレン類、ＳＷＮＴ
などのカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘ
ミシアニン色素類などの色素などがあげられる。
５１６０１に記載のフッ素置換銅フタロシアニンなどの
金属フタロシアニン類、ナフタレン１，４，５，８−テ
トラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフ
ルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テ
トラカルボン酸ジイミドとともに、Ｎ，Ｎ’−ビス（１
Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス
（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）及びＮ，Ｎ’−ジ
オクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸
ジイミド誘導体、ナフタレン２，３，６，７テトラカル
ボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイ
ミド類、及びアントラセン２，３，６，７−テトラカル
ボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジ
イミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、Ｃ
60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78、Ｃ84等フラーレン類、ＳＷＮＴ
などのカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘ
ミシアニン色素類などの色素などがあげられる。
【００１６】これらのπ共役系材料のうちでも、チオフ
ェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニ
レン、ｐ−フェニレン、これらの置換体またはこれらの
２種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数ｎが
４〜１０であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数ｎ
が２０以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環
芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸
ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれ
た少なくとも１種が好ましい。
ェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニ
レン、ｐ−フェニレン、これらの置換体またはこれらの
２種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数ｎが
４〜１０であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数ｎ
が２０以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環
芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸
ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれ
た少なくとも１種が好ましい。
【００１７】また、その他の有機半導体材料としては、
テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）錯体、ビスエチレンテトラチアフル
バレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴ
ＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体、などの有機
分子錯体も用いることができる。さらにポリシラン、ポ
リゲルマンなどのσ共役系ポリマーや特開２０００−２
６０９９９に記載の有機・無機混成材料も用いることが
できる。
テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）錯体、ビスエチレンテトラチアフル
バレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴ
ＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体、などの有機
分子錯体も用いることができる。さらにポリシラン、ポ
リゲルマンなどのσ共役系ポリマーや特開２０００−２
６０９９９に記載の有機・無機混成材料も用いることが
できる。
【００１８】本発明においては、有機半導体層に、たと
えば、アクリル酸、アセトアミド、ジメチルアミノ基、
シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基などの官能基を有
する材料や、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレ
ンおよびテトラシアノキノジメタンやそれらの誘導体な
どのように電子を受容するアクセプターとなる材料や、
たとえばアミノ基、トリフェニル基、アルキル基、水酸
基、アルコキシ基、フェニル基などの官能基を有する材
料、フェニレンジアミンなどの置換アミン類、アントラ
セン、ベンゾアントラセン、置換ベンゾアントラセン
類、ピレン、置換ピレン、カルバゾールおよびその誘導
体、テトラチアフルバレンとその誘導体などのように電
子の供与体であるドナーとなるような材料を含有させ、
いわゆるドーピング処理を施してもよい。
えば、アクリル酸、アセトアミド、ジメチルアミノ基、
シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基などの官能基を有
する材料や、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレ
ンおよびテトラシアノキノジメタンやそれらの誘導体な
どのように電子を受容するアクセプターとなる材料や、
たとえばアミノ基、トリフェニル基、アルキル基、水酸
基、アルコキシ基、フェニル基などの官能基を有する材
料、フェニレンジアミンなどの置換アミン類、アントラ
セン、ベンゾアントラセン、置換ベンゾアントラセン
類、ピレン、置換ピレン、カルバゾールおよびその誘導
体、テトラチアフルバレンとその誘導体などのように電
子の供与体であるドナーとなるような材料を含有させ、
いわゆるドーピング処理を施してもよい。
【００１９】前記ドーピングとは電子授与性分子（アク
セプター）または電子供与性分子（ドナー）をドーパン
トとして該薄膜に導入することを意味する。従って，ド
ーピングが施された薄膜は、前記の縮合多環芳香族化合
物とドーパントを含有する薄膜である。本発明に用いる
ドーパントとしては公知のものを採用することができ
る。
セプター）または電子供与性分子（ドナー）をドーパン
トとして該薄膜に導入することを意味する。従って，ド
ーピングが施された薄膜は、前記の縮合多環芳香族化合
物とドーパントを含有する薄膜である。本発明に用いる
ドーパントとしては公知のものを採用することができ
る。
【００２０】これら有機薄膜の作製法としては、真空蒸
着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスター
ビーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレー
ティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、プラズマ重
合法、電解重合法、化学重合法、スプレーコート法、ス
ピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、
キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコー
ト法およびＬＢ法等が挙げられ、材料に応じて使用でき
る。ただし、この中で生産性の点で、有機半導体の溶液
を用いて簡単かつ精密に薄膜が形成できるスピンコート
法、ブレードコート法、デイップコート法、ロールコー
ト法、バーコート法、ダイコート法等が好まれる。
着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスター
ビーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレー
ティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、プラズマ重
合法、電解重合法、化学重合法、スプレーコート法、ス
ピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、
キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコー
ト法およびＬＢ法等が挙げられ、材料に応じて使用でき
る。ただし、この中で生産性の点で、有機半導体の溶液
を用いて簡単かつ精密に薄膜が形成できるスピンコート
法、ブレードコート法、デイップコート法、ロールコー
ト法、バーコート法、ダイコート法等が好まれる。
【００２１】なおＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ
誌 １９９９年 第６号、ｐ４８０〜４８３に記載の様
に、ペンタセン等前駆体が溶媒に可溶であるものは、塗
布により形成した前駆体の膜を熱処理して目的とする有
機材料の薄膜を形成しても良い。
誌 １９９９年 第６号、ｐ４８０〜４８３に記載の様
に、ペンタセン等前駆体が溶媒に可溶であるものは、塗
布により形成した前駆体の膜を熱処理して目的とする有
機材料の薄膜を形成しても良い。
【００２２】これら有機半導体からなる薄膜の膜厚とし
ては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性
は、有機半導体からなる活性層の膜厚に大きく左右され
る場合が多く、その膜厚は、有機半導体により異なる
が、一般に１μｍ以下、特に１０〜３００ｎｍが好まし
い。
ては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性
は、有機半導体からなる活性層の膜厚に大きく左右され
る場合が多く、その膜厚は、有機半導体により異なる
が、一般に１μｍ以下、特に１０〜３００ｎｍが好まし
い。
【００２３】ソース電極２、ドレイン電極３及びゲート
電極５を形成する材料は導電性材料であれば特に限定さ
れず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、
アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テ
ルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウ
ム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化ス
ズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フ
ッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラ
ッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、
リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カ
リウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガ
ン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナ
トリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、ア
ルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／
銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネ
シウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミ
ニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用い
られるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、イ
ンジウム、ＩＴＯおよび炭素が好ましい。
電極５を形成する材料は導電性材料であれば特に限定さ
れず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、
アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テ
ルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウ
ム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化ス
ズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フ
ッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラ
ッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、
リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カ
リウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガ
ン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナ
トリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、ア
ルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／
銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネ
シウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミ
ニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用い
られるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、イ
ンジウム、ＩＴＯおよび炭素が好ましい。
【００２４】本発明におけるチャネル４で連結されるソ
ース電極２及びドレイン電極３は、導電性材料を含む、
溶液、ペースト、インク、金属薄膜前駆体材料、液状分
散物などを用いて作成されることが好ましい。導電性材
料としては、導電性ポリマーや金属微粒子などを好適に
用いることができる。また、溶媒や分散媒体としては、
有機半導体へのダメージを抑制するため、水を６０％以
上、好ましくは９０％以上含有する溶媒または分散媒体
であることが好ましい。
ース電極２及びドレイン電極３は、導電性材料を含む、
溶液、ペースト、インク、金属薄膜前駆体材料、液状分
散物などを用いて作成されることが好ましい。導電性材
料としては、導電性ポリマーや金属微粒子などを好適に
用いることができる。また、溶媒や分散媒体としては、
有機半導体へのダメージを抑制するため、水を６０％以
上、好ましくは９０％以上含有する溶媒または分散媒体
であることが好ましい。
【００２５】金属微粒子を含有する分散物としては、た
とえば公知の導電性ペーストなどを用いても良いが、好
ましくは、粒子径が１〜５０ｎｍ、好ましくは１〜１０
ｎｍの金属微粒子を含有する分散物である。
とえば公知の導電性ペーストなどを用いても良いが、好
ましくは、粒子径が１〜５０ｎｍ、好ましくは１〜１０
ｎｍの金属微粒子を含有する分散物である。
【００２６】金属微粒子の材料としては白金、金、銀、
ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタ
ル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリ
ジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モ
リブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができ
る。
ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタ
ル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリ
ジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モ
リブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができ
る。
【００２７】これらの金属からなる微粒子を、主に有機
材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤
である分散媒中に分散した分散物を用いて電極を形成す
るのが好ましい。
材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤
である分散媒中に分散した分散物を用いて電極を形成す
るのが好ましい。
【００２８】このような金属微粒子の分散物の製造方法
として、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合
成法などの物理的生成法や、コロイド法、共沈法など
の、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する
化学的生成法が挙げられるが、好ましくは、特開平１１
−７６８００号、同１１−８０６４７号、同１１−３１
９５３８号、特開２０００−２３９８５３等に示された
コロイド法、特開２００１−２５４１８５、同２００１
−５３０２８、同２００１−３５２５５、同２０００−
１２４１５７、同２０００−１２３６３４などに記載さ
れたガス中蒸発法により製造された金属微粒子の分散物
である。これらの金属微粒子分散物を用いて電極を成形
し、溶媒を乾燥させた後、必要に応じて１００〜３００
℃、好ましくは１５０〜２００℃の範囲で形状様に加熱
することにより、金属微粒子を熱融着させ、目的の形状
を有する電極パターンを形成するものである。
として、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合
成法などの物理的生成法や、コロイド法、共沈法など
の、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する
化学的生成法が挙げられるが、好ましくは、特開平１１
−７６８００号、同１１−８０６４７号、同１１−３１
９５３８号、特開２０００−２３９８５３等に示された
コロイド法、特開２００１−２５４１８５、同２００１
−５３０２８、同２００１−３５２５５、同２０００−
１２４１５７、同２０００−１２３６３４などに記載さ
れたガス中蒸発法により製造された金属微粒子の分散物
である。これらの金属微粒子分散物を用いて電極を成形
し、溶媒を乾燥させた後、必要に応じて１００〜３００
℃、好ましくは１５０〜２００℃の範囲で形状様に加熱
することにより、金属微粒子を熱融着させ、目的の形状
を有する電極パターンを形成するものである。
【００２９】さらに、ソース電極２、ドレイン電極３と
しては、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電
性ポリマーを用いることも好ましく、例えば導電性ポリ
アニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェ
ン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンス
ルホン酸の錯体なども好適に用いられる。これによりソ
ース電極とドレイン電極とのショットキー障壁を低減す
ることができる。
しては、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電
性ポリマーを用いることも好ましく、例えば導電性ポリ
アニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェ
ン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンス
ルホン酸の錯体なども好適に用いられる。これによりソ
ース電極とドレイン電極とのショットキー障壁を低減す
ることができる。
【００３０】絶縁層６として種々の絶縁膜を用いること
ができるが、特に無機酸化物被膜が好ましい。とりわけ
ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2が好ま
しい。他の好ましい絶縁膜として、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリエステル、ポリアクリレートの何れかからな
る層が挙げられる。ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2
Ｏ5及びＴｉＯ2等の無機酸化物又は無機窒化物が有機半
導体チャネルのキャリア密度を増大させる点で、ポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル及びポリアクリレート
がラビング処理等の配向処理を施した後に該チャネルに
隣接させることによるキャリアの電界効果移動度の増大
という点で好ましく、併用することがより好ましい。そ
の他光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹
脂、或いはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、
ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラ
ック樹脂、及びシアノエチルプルラン等を用いることも
できる。例えばＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ
2Ｏ5、ＴｉＯ2等の無機酸化物又は無機窒化物によって
絶縁層を形成する場合は大気圧下でのプラズマ処理によ
る膜形成が有効である。
ができるが、特に無機酸化物被膜が好ましい。とりわけ
ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2が好ま
しい。他の好ましい絶縁膜として、ポリイミド、ポリア
ミド、ポリエステル、ポリアクリレートの何れかからな
る層が挙げられる。ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2
Ｏ5及びＴｉＯ2等の無機酸化物又は無機窒化物が有機半
導体チャネルのキャリア密度を増大させる点で、ポリイ
ミド、ポリアミド、ポリエステル及びポリアクリレート
がラビング処理等の配向処理を施した後に該チャネルに
隣接させることによるキャリアの電界効果移動度の増大
という点で好ましく、併用することがより好ましい。そ
の他光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹
脂、或いはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、
ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラ
ック樹脂、及びシアノエチルプルラン等を用いることも
できる。例えばＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ
2Ｏ5、ＴｉＯ2等の無機酸化物又は無機窒化物によって
絶縁層を形成する場合は大気圧下でのプラズマ処理によ
る膜形成が有効である。
【００３１】最も好ましい態様として、ゲート絶縁膜と
しては特にＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｔ
ｉＯ2を用い、該ゲート絶縁膜が有機半導体層を介して
接する層としてポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリアクリレートの何れかからなり、配向処理を施
した後有機半導体膜が設けられた層を設けることが好ま
しい。
しては特にＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｔ
ｉＯ2を用い、該ゲート絶縁膜が有機半導体層を介して
接する層としてポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリアクリレートの何れかからなり、配向処理を施
した後有機半導体膜が設けられた層を設けることが好ま
しい。
【００３２】大気圧下でのプラズマ製膜処理とは、大気
圧下又は大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプ
ラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する処理を指し、そ
の方法については特開平１１−６１４０６、同１１−１
３３２０５、特開２０００−１２１８０４、同２０００
−１４７２０９、同２０００−１８５３６２等に記載さ
れている。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く
形成することができる。
圧下又は大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプ
ラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する処理を指し、そ
の方法については特開平１１−６１４０６、同１１−１
３３２０５、特開２０００−１２１８０４、同２０００
−１４７２０９、同２０００−１８５３６２等に記載さ
れている。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く
形成することができる。
【００３３】ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、
ＴｉＯ2等による絶縁層６を形成する場合、金属アルコ
キシド及びその加水分解物から選ばれる少なくとも一
つ、及び有機溶媒を含有する組成物を浸漬塗布等で塗布
し、活性エネルギー線、例えば熱線あるいは紫外線など
のエネルギーをかけて、硬化させることができ、例え
ば、特開２０００−３２７３１０や特開２０００−３４
４５０４を参考にすることができる。
ＴｉＯ2等による絶縁層６を形成する場合、金属アルコ
キシド及びその加水分解物から選ばれる少なくとも一
つ、及び有機溶媒を含有する組成物を浸漬塗布等で塗布
し、活性エネルギー線、例えば熱線あるいは紫外線など
のエネルギーをかけて、硬化させることができ、例え
ば、特開２０００−３２７３１０や特開２０００−３４
４５０４を参考にすることができる。
【００３４】ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、
ポリアクリレートの何れかからなる層は、フィルム化し
た膜を用いても良いし、溶媒に溶解或いは分散した塗布
液を用いて塗布しても良い。塗布方法としては、ディッ
ピング、スピンコート、ナイフコート、バーコート、ブ
レードコート、スクイズコート、リバースロールコー
ト、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレー
コート、ダイコート等の公知の塗布方法を採用でき、連
続塗布又は薄膜塗布が可能な塗布方法が好ましく用いら
れる。またインクジェットやスクリーン印刷などにより
パターニングしても良い。
ポリアクリレートの何れかからなる層は、フィルム化し
た膜を用いても良いし、溶媒に溶解或いは分散した塗布
液を用いて塗布しても良い。塗布方法としては、ディッ
ピング、スピンコート、ナイフコート、バーコート、ブ
レードコート、スクイズコート、リバースロールコー
ト、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレー
コート、ダイコート等の公知の塗布方法を採用でき、連
続塗布又は薄膜塗布が可能な塗布方法が好ましく用いら
れる。またインクジェットやスクリーン印刷などにより
パターニングしても良い。
【００３５】絶縁層６の厚さは５０〜５００ｎｍ程度が
好ましい。支持体７としては高分子フィルムを用いるこ
とが好ましく、例えばポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエ
ーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、
ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロー
スアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィ
ルム等が挙げられる。
好ましい。支持体７としては高分子フィルムを用いるこ
とが好ましく、例えばポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエ
ーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、
ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロー
スアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィ
ルム等が挙げられる。
【００３６】これらの高分子フィルムには、トリオクチ
ルホスフェートやジブチルフタレート等の可塑剤を添加
してもよく、ベンゾトリアゾール系やベンゾフェノン系
等の公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。また、テト
ラエトキシシラン等の無機高分子の原料を添加し、化学
触媒や熱、光等のエネルギーを付与することにより高分
子量化する、いわゆる有機−無機ポリマーハイブリッド
法を適用して作製した樹脂を原料として用いることもで
きる。
ルホスフェートやジブチルフタレート等の可塑剤を添加
してもよく、ベンゾトリアゾール系やベンゾフェノン系
等の公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。また、テト
ラエトキシシラン等の無機高分子の原料を添加し、化学
触媒や熱、光等のエネルギーを付与することにより高分
子量化する、いわゆる有機−無機ポリマーハイブリッド
法を適用して作製した樹脂を原料として用いることもで
きる。
【００３７】さて本発明は、電極膜の切削により形成さ
れた間隙を有機半導体膜で連結して、有機半導体からな
るチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極を
構成することを特徴とする。
れた間隙を有機半導体膜で連結して、有機半導体からな
るチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極を
構成することを特徴とする。
【００３８】電極膜を切削する方法としてはレーザーア
ブレーション法、ダイシングソーやダイアモンドブレー
ド、ダイアモンドニードルによる加工等が挙げられる。
ブレーション法、ダイシングソーやダイアモンドブレー
ド、ダイアモンドニードルによる加工等が挙げられる。
【００３９】切削加工用のレーザーとしては、ルビーレ
ーザー、ガラスレーザー、ＹＡＧレーザー、ＧａＡｌＡ
ｓやＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザー、ＡｒＦ，Ｋｒ
Ｆ，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ等のエキシマレーザー、炭酸ガス
レーザー、Ａｒイオンレーザー等が挙げられ、これらの
うちエキシマレーザー、例えばＫｒＦエキシマレーザー
や、半導体レーザーが好ましい。
ーザー、ガラスレーザー、ＹＡＧレーザー、ＧａＡｌＡ
ｓやＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザー、ＡｒＦ，Ｋｒ
Ｆ，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ等のエキシマレーザー、炭酸ガス
レーザー、Ａｒイオンレーザー等が挙げられ、これらの
うちエキシマレーザー、例えばＫｒＦエキシマレーザー
や、半導体レーザーが好ましい。
【００４０】例えばエキシマレーザーによるアブレーシ
ョン法は、常温常圧で、短時間にミクロンオーダーの精
度の、熱歪みやバリの無い穴や溝を形成できる。またマ
スクを通してエキシマレーザー光を被加工物（ワーク）
に照射すれば、マスクパターンを転写して任意の形状の
穴や溝を形成できる。エキシマレーザーはパルスとして
発振され、材料を１パルスで約０．０１〜０．５μｍ除
去できるので、パルス数で除去する深さを正確に制御で
きる。
ョン法は、常温常圧で、短時間にミクロンオーダーの精
度の、熱歪みやバリの無い穴や溝を形成できる。またマ
スクを通してエキシマレーザー光を被加工物（ワーク）
に照射すれば、マスクパターンを転写して任意の形状の
穴や溝を形成できる。エキシマレーザーはパルスとして
発振され、材料を１パルスで約０．０１〜０．５μｍ除
去できるので、パルス数で除去する深さを正確に制御で
きる。
【００４１】また、本発明における有効な電極膜の切削
方法として、半導体レーザー等を用いた可視から赤外域
の高密度エネルギー光の照射によるアブレーションが挙
げられる。
方法として、半導体レーザー等を用いた可視から赤外域
の高密度エネルギー光の照射によるアブレーションが挙
げられる。
【００４２】アブレーションを用いる場合、以下の構成
により切削が可能になる。なお電極膜を構成する金属微
粒子含有層はそれ自身がアブレーション層として機能す
ることができるが、絶縁性アブレーション層と併用して
も良い。ソース電極またはドレイン電極の抵抗率を下
げ、かつ有機半導体層と電極の接触抵抗を軽減できるた
め、下記の中ではの構成が最も好ましい。
により切削が可能になる。なお電極膜を構成する金属微
粒子含有層はそれ自身がアブレーション層として機能す
ることができるが、絶縁性アブレーション層と併用して
も良い。ソース電極またはドレイン電極の抵抗率を下
げ、かつ有機半導体層と電極の接触抵抗を軽減できるた
め、下記の中ではの構成が最も好ましい。
【００４３】
金属微粒子含有層（電極膜＆アブレーション層）／
支持体 金属微粒子含有層（同上）／絶縁性アブレーション
層／支持体 導電性ポリマー層（電極膜）／絶縁性アブレーショ
ン層／支持体 導電性ポリマー層（電極膜）／金属微粒子含有層（ア
ブレーション層）／支持体 ここでいうアブレーション層とは、高密度エネルギー光
の照射によりアブレートする層を指し、ここで言うアブ
レートとは、物理的或いは化学的変化によりアブレーシ
ョン層が完全に飛散する、一部が破壊される或いは飛散
する、隣接する層との界面近傍のみに物理的或いは化学
的変化が起こるという現象を含む。このアブレートを利
用して電極膜を切削する。
支持体 金属微粒子含有層（同上）／絶縁性アブレーション
層／支持体 導電性ポリマー層（電極膜）／絶縁性アブレーショ
ン層／支持体 導電性ポリマー層（電極膜）／金属微粒子含有層（ア
ブレーション層）／支持体 ここでいうアブレーション層とは、高密度エネルギー光
の照射によりアブレートする層を指し、ここで言うアブ
レートとは、物理的或いは化学的変化によりアブレーシ
ョン層が完全に飛散する、一部が破壊される或いは飛散
する、隣接する層との界面近傍のみに物理的或いは化学
的変化が起こるという現象を含む。このアブレートを利
用して電極膜を切削する。
【００４４】アブレーション層は、エネルギー光吸収
剤、バインダー樹脂および必要に応じて添加される各種
添加剤から構成することができる。
剤、バインダー樹脂および必要に応じて添加される各種
添加剤から構成することができる。
【００４５】エネルギー光吸収剤は、照射するエネルギ
ー光を吸収する各種の有機および無機材料が使用可能で
あり、たとえばレーザー光源を赤外線レーザーとした場
合、赤外線を吸収する顔料、色素、金属、金属酸化物、
金属窒化物、金属炭化物、金属ホウ化物、グラファイ
ト、カーボンブラック、チタンブラックや、Ａｌ，Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等を主成分とするメタル磁性粉末等の強
磁性金属粉末などを用いることができ、中でも、カーボ
ンブラック、シアニン系などの色素、Ｆｅ系強磁性金属
粉末が好ましい。エネルギー光吸収剤の含有量は、アブ
レーション層形成成分の３０〜９５質量％程度、好まし
くは４０〜８０質量％である。
ー光を吸収する各種の有機および無機材料が使用可能で
あり、たとえばレーザー光源を赤外線レーザーとした場
合、赤外線を吸収する顔料、色素、金属、金属酸化物、
金属窒化物、金属炭化物、金属ホウ化物、グラファイ
ト、カーボンブラック、チタンブラックや、Ａｌ，Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等を主成分とするメタル磁性粉末等の強
磁性金属粉末などを用いることができ、中でも、カーボ
ンブラック、シアニン系などの色素、Ｆｅ系強磁性金属
粉末が好ましい。エネルギー光吸収剤の含有量は、アブ
レーション層形成成分の３０〜９５質量％程度、好まし
くは４０〜８０質量％である。
【００４６】アブレーション層のバインダー樹脂は、前
記色材微粒子を十分に保持できるものであれば、特に制
限無く用いることができ、ポリウレタン系樹脂、ポリエ
ステル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリビニルアセター
ル系樹脂、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂、フェノ
キシ樹脂、ポリカーボネート、ポリアミド系樹脂、フェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。
バインダー樹脂の含有量は、アブレーション層形成成分
５〜７０質量％程度、好ましくは２０〜６０質量％であ
る。
記色材微粒子を十分に保持できるものであれば、特に制
限無く用いることができ、ポリウレタン系樹脂、ポリエ
ステル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリビニルアセター
ル系樹脂、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂、フェノ
キシ樹脂、ポリカーボネート、ポリアミド系樹脂、フェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。
バインダー樹脂の含有量は、アブレーション層形成成分
５〜７０質量％程度、好ましくは２０〜６０質量％であ
る。
【００４７】高密度エネルギー光は、アブレートを発生
させる活性光であれば特に制限はなく用いることができ
る。露光方法としては、キセノンランプ、ハロゲンラン
プ、水銀ランプなどによるフラッシュ露光を、フォトマ
スクを介して行ってもよいし、レーザー光等を収束させ
走査露光を行っても良い。レーザー１ビーム当たりの出
力は２０〜２００ｍＷである赤外線レーザー、特に半導
体レーザーが最も好ましく用いられる。エネルギー密度
としては、好ましくは５０〜５００ｍＪ／ｃｍ２、更に
好ましくは１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2である。
させる活性光であれば特に制限はなく用いることができ
る。露光方法としては、キセノンランプ、ハロゲンラン
プ、水銀ランプなどによるフラッシュ露光を、フォトマ
スクを介して行ってもよいし、レーザー光等を収束させ
走査露光を行っても良い。レーザー１ビーム当たりの出
力は２０〜２００ｍＷである赤外線レーザー、特に半導
体レーザーが最も好ましく用いられる。エネルギー密度
としては、好ましくは５０〜５００ｍＪ／ｃｍ２、更に
好ましくは１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００４８】図２で、金属微粒子含有層からなる電極膜
をアブレーションにより切削する方法を示す。図２
（ａ）に示す、支持体７上に均一に形成された金属微粒
子含有層２（３）に対し、図２（ｂ）の如く支持体側か
らのレーザ露光によりアブレーションを行い、露光部分
の分解物を吸引装置１０により吸引し、その後全体を加
熱することにより金属微粒子を熱融着して、ソース電極
２及びドレイン電極３を得るものである。なお図２
（ｃ）の様に金属微粒子含有層２側からの露光によるア
ブレーションとしても良い。
をアブレーションにより切削する方法を示す。図２
（ａ）に示す、支持体７上に均一に形成された金属微粒
子含有層２（３）に対し、図２（ｂ）の如く支持体側か
らのレーザ露光によりアブレーションを行い、露光部分
の分解物を吸引装置１０により吸引し、その後全体を加
熱することにより金属微粒子を熱融着して、ソース電極
２及びドレイン電極３を得るものである。なお図２
（ｃ）の様に金属微粒子含有層２側からの露光によるア
ブレーションとしても良い。
【００４９】この場合、支持体と金属微粒子含有層との
間に、接着性調整のためのプライマー層を設けても良
く、金属微粒子含有層上にこれを保護する保護層を設け
ても良い。金属微粒子含有層の厚さは０．０１〜１μｍ
程度、好ましくは０．１〜０．５μｍである。
間に、接着性調整のためのプライマー層を設けても良
く、金属微粒子含有層上にこれを保護する保護層を設け
ても良い。金属微粒子含有層の厚さは０．０１〜１μｍ
程度、好ましくは０．１〜０．５μｍである。
【００５０】図３で、導電性ポリマー層からなる電極膜
をアブレーションにより切削する方法を示す。図３
（ａ）に示す、支持体７と導電性ポリマー層２（３）の
間に形成されたアブレーション層（金属微粒子含有層）
２０に対し、図３（ｂ）の如く支持体側からのレーザ露
光によりアブレーションを行って、支持体から分離した
露光部分のアブレーション層３を導電性ポリマー層２０
ごと吸引装置１０により吸引し、ソース電極２及びドレ
イン電極３を得るものである。なお導電性ポリマー層２
０側からの露光によるアブレーションとしても良い。
をアブレーションにより切削する方法を示す。図３
（ａ）に示す、支持体７と導電性ポリマー層２（３）の
間に形成されたアブレーション層（金属微粒子含有層）
２０に対し、図３（ｂ）の如く支持体側からのレーザ露
光によりアブレーションを行って、支持体から分離した
露光部分のアブレーション層３を導電性ポリマー層２０
ごと吸引装置１０により吸引し、ソース電極２及びドレ
イン電極３を得るものである。なお導電性ポリマー層２
０側からの露光によるアブレーションとしても良い。
【００５１】以上のような、レーザーアブレーションに
よる切削を行うことで、ソース電極とドレイン電極の間
隙距離の精度、つまりトランジスタのチャネル長は、レ
ーザー露光工程の精度に依存し、より簡便でかつ高精度
のパターニングが可能と成る。
よる切削を行うことで、ソース電極とドレイン電極の間
隙距離の精度、つまりトランジスタのチャネル長は、レ
ーザー露光工程の精度に依存し、より簡便でかつ高精度
のパターニングが可能と成る。
【００５２】図４は図１（ｂ）の構成のトランジスタ素
子の製造プロセスを示す概念図である。
子の製造プロセスを示す概念図である。
【００５３】１）まず支持体７上に電極膜２（３）を形
成する。電極膜は蒸着、スパッタリングによる金属薄膜
をマスクやフォトリソグラフ法によりパターニングして
もよいし、電極材料の分散物のペーストのパターニング
による形成でもよく、金属箔などを貼り付けて形成して
もよい。
成する。電極膜は蒸着、スパッタリングによる金属薄膜
をマスクやフォトリソグラフ法によりパターニングして
もよいし、電極材料の分散物のペーストのパターニング
による形成でもよく、金属箔などを貼り付けて形成して
もよい。
【００５４】２）次いで形成した電極膜を例えばレーザ
ーやダイシングソーを用いて切削し、３）フォトリソグ
ラフィー法、インクジェット法などで有機半導体膜（チ
ャネル４）を形成し、４）前述の方法で絶縁層６を形成
し、５）絶縁層６の上に電極膜の形成と同様な方法でゲ
ート電極５を形成してトランジスタ素子１とする。
ーやダイシングソーを用いて切削し、３）フォトリソグ
ラフィー法、インクジェット法などで有機半導体膜（チ
ャネル４）を形成し、４）前述の方法で絶縁層６を形成
し、５）絶縁層６の上に電極膜の形成と同様な方法でゲ
ート電極５を形成してトランジスタ素子１とする。
【００５５】図５は図１（ｄ）の構成のトランジスタ素
子の製造プロセスを示す概念図であり、支持体７上に
ゲート電極５を形成し、絶縁層６でゲート電極５を被
覆し、絶縁層６上に電極膜２（３）を形成し、電極
膜を切削し、有機半導体膜（チャネル４）を形成して
トランジスタ素子１とする。
子の製造プロセスを示す概念図であり、支持体７上に
ゲート電極５を形成し、絶縁層６でゲート電極５を被
覆し、絶縁層６上に電極膜２（３）を形成し、電極
膜を切削し、有機半導体膜（チャネル４）を形成して
トランジスタ素子１とする。
【００５６】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれに限定されない。
発明はこれに限定されない。
【００５７】実施例１
ｐ型シリコン基板上に、厚さ２５０ｎｍの熱酸化膜（Ｓ
ｉＯ2）を形成した後、その上にクロムを５ｎｍ、金を
１００ｎｍ、順次蒸着して成膜した。この電極膜をエキ
シマレーザー（波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザー、エネ
ルギー密度２．０Ｊ／ｃｍ2）で走査することで長さ５
μｍ、巾２ｍｍのチャネル用溝を形成してソース電極と
ドレイン電極に分割した。ゲート部分のＳｉＯ2膜を観
察すると表面から約５ｎｍ除去されていた。
ｉＯ2）を形成した後、その上にクロムを５ｎｍ、金を
１００ｎｍ、順次蒸着して成膜した。この電極膜をエキ
シマレーザー（波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザー、エネ
ルギー密度２．０Ｊ／ｃｍ2）で走査することで長さ５
μｍ、巾２ｍｍのチャネル用溝を形成してソース電極と
ドレイン電極に分割した。ゲート部分のＳｉＯ2膜を観
察すると表面から約５ｎｍ除去されていた。
【００５８】次いで、良く精製したポリ（３−ヘキシル
チオフェン）のクロロホルム溶液をスピンコートして有
機半導体層を形成し、乾燥してクロロホルムを除去し、
１００℃で５分間熱処理して、２４時間真空中で放置し
た。得られたポリ（３−ヘキシルチオフェン）膜の厚さ
は約５０ｎｍであった。
チオフェン）のクロロホルム溶液をスピンコートして有
機半導体層を形成し、乾燥してクロロホルムを除去し、
１００℃で５分間熱処理して、２４時間真空中で放置し
た。得られたポリ（３−ヘキシルチオフェン）膜の厚さ
は約５０ｎｍであった。
【００５９】更にアンモニアガス雰囲気下の室温で５時
間暴露した後、図６に示す配線を付設し、トランジスタ
特性の評価を行ったところ、ｐチャネルのエンハンスメ
ント型ＦＥＴとして良好に駆動した。飽和領域における
キャリア移動度は０．０２５ｃｍ2／Ｖｓであった。
間暴露した後、図６に示す配線を付設し、トランジスタ
特性の評価を行ったところ、ｐチャネルのエンハンスメ
ント型ＦＥＴとして良好に駆動した。飽和領域における
キャリア移動度は０．０２５ｃｍ2／Ｖｓであった。
【００６０】実施例２
厚さ１００μｍのポリイミドフィルム上に、市販の導電
性ポリマー（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ・・ポリ
（エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホ
ン酸の錯体、水分散物１質量％）をピエゾ方式のインク
ジェットで吐出し、幅約２ｍｍの塗布膜を形成し、１０
０℃で１５分熱処理をして２００ｎｍの膜厚の電極とし
た。この電極を幅方向にエキシマレーザーで切削したと
ころ、導電性ポリマー膜が除去されると同時にポリイミ
ドの表面も深さ方向に約１０ｎｍ削られ、幅約２ｍｍ、
長さ１０μｍのチャネル用溝が形成された。
性ポリマー（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ・・ポリ
（エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホ
ン酸の錯体、水分散物１質量％）をピエゾ方式のインク
ジェットで吐出し、幅約２ｍｍの塗布膜を形成し、１０
０℃で１５分熱処理をして２００ｎｍの膜厚の電極とし
た。この電極を幅方向にエキシマレーザーで切削したと
ころ、導電性ポリマー膜が除去されると同時にポリイミ
ドの表面も深さ方向に約１０ｎｍ削られ、幅約２ｍｍ、
長さ１０μｍのチャネル用溝が形成された。
【００６１】良く精製したα，ω−ジヘキシル−α−セ
クシチオフェンのクロロホルム溶液を、同様のインクジ
ェット法によりチャネル溝部分と、ソース電極、ドレイ
ン電極上にに吐出し乾燥させ、窒素ガス雰囲気中にて１
５０℃で２０分熱処理して、膜厚５０ｎｍの有機半導体
膜とした。
クシチオフェンのクロロホルム溶液を、同様のインクジ
ェット法によりチャネル溝部分と、ソース電極、ドレイ
ン電極上にに吐出し乾燥させ、窒素ガス雰囲気中にて１
５０℃で２０分熱処理して、膜厚５０ｎｍの有機半導体
膜とした。
【００６２】次いで、これらの電極及び有機半導体膜を
覆う様に、大気圧プラズマ法で厚さ２００ｎｍの酸化ケ
イ素被膜を形成し、その上に上記導電性ポリマーをイン
クジェット法で付着させて１８０℃１０分の熱処理を行
うことでゲート電極を形成して図１（ｂ）の構成のトラ
ンジスタ素子２を作製した。
覆う様に、大気圧プラズマ法で厚さ２００ｎｍの酸化ケ
イ素被膜を形成し、その上に上記導電性ポリマーをイン
クジェット法で付着させて１８０℃１０分の熱処理を行
うことでゲート電極を形成して図１（ｂ）の構成のトラ
ンジスタ素子２を作製した。
【００６３】実施例１のトランジスタ素子と同様に、良
好に動作し、移動度は０．０２２ｃｍ2／Ｖｓであっ
た。
好に動作し、移動度は０．０２２ｃｍ2／Ｖｓであっ
た。
【００６４】実施例３
特開２０００−２３９８３５に記載の方法で作製した金
コロイド分散液を実施例２と同様にインクジェット法で
吐出、乾燥させて電極膜を形成した。電極膜の幅手方向
にダイアモンド針で擦ることにより切削して、電極膜を
分断した。次いで２００℃で３０分熱処理し、電極膜中
の金コロイドを融着させてソース電極とドレイン電極、
及び長さ２０μｍ、巾２ｍｍのチャネル用溝を形成さ
せ、以下は実施例２と同様にしてトランジスタ素子３を
作製した。
コロイド分散液を実施例２と同様にインクジェット法で
吐出、乾燥させて電極膜を形成した。電極膜の幅手方向
にダイアモンド針で擦ることにより切削して、電極膜を
分断した。次いで２００℃で３０分熱処理し、電極膜中
の金コロイドを融着させてソース電極とドレイン電極、
及び長さ２０μｍ、巾２ｍｍのチャネル用溝を形成さ
せ、以下は実施例２と同様にしてトランジスタ素子３を
作製した。
【００６５】実施例１のトランジスタ素子と同様に、良
好に動作し、移動度は０．０２０ｃｍ2／Ｖｓであっ
た。
好に動作し、移動度は０．０２０ｃｍ2／Ｖｓであっ
た。
【００６６】実施例４
表面がラビング処理された厚さ１００μｍのポリイミド
フィルム上に、実施例３と同じ金コロイド分散液をピエ
ゾ方式のインクジェットで吐出し、幅約２ｍｍの塗布膜
を形成し、１００℃で１５分熱処理をして２００ｎｍの
膜厚の電極とした。この電極を幅方向に、発振波長８３
０ｎｍ、出力１００ｍＷの半導体レーザーで４００ｍＪ
／ｃｍ2の条件で切削したところ、露光部の金コロイド
分散物層が除去された。
フィルム上に、実施例３と同じ金コロイド分散液をピエ
ゾ方式のインクジェットで吐出し、幅約２ｍｍの塗布膜
を形成し、１００℃で１５分熱処理をして２００ｎｍの
膜厚の電極とした。この電極を幅方向に、発振波長８３
０ｎｍ、出力１００ｍＷの半導体レーザーで４００ｍＪ
／ｃｍ2の条件で切削したところ、露光部の金コロイド
分散物層が除去された。
【００６７】次いで２００℃で３０分熱処理し、金コロ
イドを融着させてソース電極とドレイン電極、及び長さ
１０μｍ、巾２ｍｍの溝を形成した。以上の工程を５回
繰り返したが溝の形状は一定であった。
イドを融着させてソース電極とドレイン電極、及び長さ
１０μｍ、巾２ｍｍの溝を形成した。以上の工程を５回
繰り返したが溝の形状は一定であった。
【００６８】良く精製したポリ（３−ヘキシルチオフェ
ン）のｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ体のクロロホルム溶液
を、同様のインクジェット法によりチャネル溝部分とソ
ース電極、ドレイン電極上に吐出し乾燥させ、窒素ガス
雰囲気中にて１５０℃で２０分熱処理して、膜厚５０ｎ
ｍの有機半導体膜とした。
ン）のｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ体のクロロホルム溶液
を、同様のインクジェット法によりチャネル溝部分とソ
ース電極、ドレイン電極上に吐出し乾燥させ、窒素ガス
雰囲気中にて１５０℃で２０分熱処理して、膜厚５０ｎ
ｍの有機半導体膜とした。
【００６９】次いで、これらの電極及び有機半導体膜を
覆う様に、大気圧プラズマ法で厚さ２００ｎｍの酸化ケ
イ素被膜を形成し、その上に上記導電性ポリマーをイン
クジェット法で付着させて９０℃１０分の熱処理を行う
ことでゲート電極を形成してトランジスタ素子４を作製
した。
覆う様に、大気圧プラズマ法で厚さ２００ｎｍの酸化ケ
イ素被膜を形成し、その上に上記導電性ポリマーをイン
クジェット法で付着させて９０℃１０分の熱処理を行う
ことでゲート電極を形成してトランジスタ素子４を作製
した。
【００７０】実施例１のトランジスタ素子と同様に、良
好に動作し、移動度は０．０３５ｃｍ2／Ｖｓであっ
た。
好に動作し、移動度は０．０３５ｃｍ2／Ｖｓであっ
た。
【００７１】比較例１
電極の作成を以下に変える以外は実施例４と同様に素子
を作成した。
を作成した。
【００７２】スパッタリングにより２００ｎｍの膜厚の
金薄膜を形成し、市販のポジ型フォトレジストをスピン
コートした後、マスクを介して露光し、アルカリ現像
し、水洗することで、レジストをパターニングした。さ
らに王水でチャネル部分の金を除去した後、メチルエチ
ルケトンを用いてレジストを除去し、水洗を３回繰り返
して、ソース電極、ドレイン電極を形成した。以上の工
程を５回試みたが、チャネル長は各々、１２、９、８、
１１、１０μｍとばらついた。
金薄膜を形成し、市販のポジ型フォトレジストをスピン
コートした後、マスクを介して露光し、アルカリ現像
し、水洗することで、レジストをパターニングした。さ
らに王水でチャネル部分の金を除去した後、メチルエチ
ルケトンを用いてレジストを除去し、水洗を３回繰り返
して、ソース電極、ドレイン電極を形成した。以上の工
程を５回試みたが、チャネル長は各々、１２、９、８、
１１、１０μｍとばらついた。
【００７３】これらの素子のキャリア移動度は０．０１
７ｃｍ2／Ｖｓであった。 実施例５ 表面がラビング処理された厚さ１００μｍのＰＥＮ（ポ
リエチレンナフタレート）フィルム上に、前述の金コロ
イド分散液をピエゾ方式のインクジェットで吐出し、幅
約２ｍｍの塗布膜を形成し、１００℃で１５分熱処理を
して２００ｎｍの膜厚の電極とした。さらにこの電極膜
上に市販の導電性ポリマー（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏ
ｎ Ｐ・・ポリ（エチレンジオキシチオフェン）とポリ
スチレンスルホン酸の錯体、水分散物１質量％）を同様
のインクジェットで吐出し１００℃で１５分熱処理をし
て５０ｎｍの膜厚の電極膜を形成した。この電極を幅方
向に、発振波長８３０ｎｍ、出力１００ｍＷの半導体レ
ーザーで４００ｍＪ／ｃｍ 2の条件で切削したところ、
露光部の金コロイド分散物層、および導電性ポリマー層
が除去された。
７ｃｍ2／Ｖｓであった。 実施例５ 表面がラビング処理された厚さ１００μｍのＰＥＮ（ポ
リエチレンナフタレート）フィルム上に、前述の金コロ
イド分散液をピエゾ方式のインクジェットで吐出し、幅
約２ｍｍの塗布膜を形成し、１００℃で１５分熱処理を
して２００ｎｍの膜厚の電極とした。さらにこの電極膜
上に市販の導電性ポリマー（バイエル社製Ｂａｙｔｒｏ
ｎ Ｐ・・ポリ（エチレンジオキシチオフェン）とポリ
スチレンスルホン酸の錯体、水分散物１質量％）を同様
のインクジェットで吐出し１００℃で１５分熱処理をし
て５０ｎｍの膜厚の電極膜を形成した。この電極を幅方
向に、発振波長８３０ｎｍ、出力１００ｍＷの半導体レ
ーザーで４００ｍＪ／ｃｍ 2の条件で切削したところ、
露光部の金コロイド分散物層、および導電性ポリマー層
が除去された。
【００７４】次いで２００℃で３０分熱処理し、金コロ
イドを融着させてソース電極とドレイン電極、及び長さ
１０μｍ、巾２ｍｍの溝を形成した。
イドを融着させてソース電極とドレイン電極、及び長さ
１０μｍ、巾２ｍｍの溝を形成した。
【００７５】以下、実施例４と同様に素子を作成したと
ころ、実施例４のトランジスタ素子と同様に、良好に動
作し、移動度は０．０３８ｃｍ2／Ｖｓであった。
ころ、実施例４のトランジスタ素子と同様に、良好に動
作し、移動度は０．０３８ｃｍ2／Ｖｓであった。
【００７６】
【発明の効果】本発明の有機トランジスタ素子によれ
ば、電極膜の切削により形成された間隙が有機半導体膜
で連結され、有機半導体からなるチャネルで連結された
ソース電極及びドレイン電極が構成されるので、簡便な
方法で製作でき、生産効率に優れ、しかもパターン精度
が高く、したがって性能が安定で、キャリア移動度が高
い。
ば、電極膜の切削により形成された間隙が有機半導体膜
で連結され、有機半導体からなるチャネルで連結された
ソース電極及びドレイン電極が構成されるので、簡便な
方法で製作でき、生産効率に優れ、しかもパターン精度
が高く、したがって性能が安定で、キャリア移動度が高
い。
【図１】本発明の有機トランジスタ素子の構成をモデル
的に示す図である。
的に示す図である。
【図２】金属微粒子含有層からなる電極膜をアブレーシ
ョンにより切削する方法を示す図である。
ョンにより切削する方法を示す図である。
【図３】導電性ポリマー層からなる電極膜をアブレーシ
ョンにより切削する方法を示す図である。
ョンにより切削する方法を示す図である。
【図４】図１（ｂ）の構成のトランジスタ素子の製造プ
ロセスを示す概念図である。
ロセスを示す概念図である。
【図５】図１（ｄ）の構成のトランジスタ素子の製造プ
ロセスを示す概念図である。
ロセスを示す概念図である。
【図６】トランジスタ素子のＦＥＴ特性を評価する回路
を示す概念図である。
を示す概念図である。
１ 有機トランジスタ素子
２ ソース電極
３ ドレイン電極
４ チャネル
５ ゲート電極
６ 絶縁層
７ 支持体
Claims (14)
- 【請求項１】 電極膜の切削により形成された間隙が有
機半導体膜で連結され、有機半導体からなるチャネルで
連結されたソース電極及びドレイン電極が構成されたこ
とを特徴とする有機トランジスタ素子。 - 【請求項２】 電極膜が金属微粒子含有層であることを
特徴とする請求項１に記載の有機トランジスタ素子。 - 【請求項３】 電極膜が導電性ポリマーからなることを
特徴とする請求項１に記載の有機トランジスタ素子。 - 【請求項４】 電極膜が金属微粒子含有層及び導電性ポ
リマー層からなることを特徴とする請求項１に記載の有
機トランジスタ素子。 - 【請求項５】 レーザー光の照射により切削がなされる
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の
有機トランジスタ素子。 - 【請求項６】 酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニ
ウム、酸化タンタル、酸化チタンの何れかからなる絶縁
層を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１
項に記載の有機トランジスタ素子。 - 【請求項７】 前記有機半導体からなるチャネルがポリ
イミド、ポリアミド、ポリエステル及びポリアクリレー
トの何れかからなる絶縁層に接して形成されることを特
徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の有機トラ
ンジスタ素子。 - 【請求項８】 有機半導体がπ共役系高分子化合物であ
ることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載
の有機トランジスタ素子。 - 【請求項９】 高分子支持体上に形成されたことを特徴
とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の有機トラン
ジスタ素子。 - 【請求項１０】 電極膜を切削し、それにより形成され
た間隙を有機半導体膜で連結する工程を経ることを特徴
とする有機トランジスタ素子の製造方法。 - 【請求項１１】 支持体上に形成した電極膜を切削し、
それにより形成された間隙を有機半導体膜で連結した
後、絶縁層を形成する工程を経ることを特徴とする請求
項１０に記載の有機トランジスタ素子の製造方法。 - 【請求項１２】 支持体上にゲート電極を形成して絶縁
層で被覆し、該絶縁層上に形成した電極膜を切削し、そ
れにより形成された間隙を有機半導体膜で連結する工程
を経ることを特徴とする請求項１０に記載の有機トラン
ジスタ素子の製造方法。 - 【請求項１３】 電極膜が金属微粒子含有層及び／又は
導電性ポリマー層からなることを特徴とする請求項１０
乃至１２の何れか１項に記載の有機トランジスタ素子の
製造方法。 - 【請求項１４】 レーザー光の照射により切削がなされ
ることを特徴とする請求項１０乃至１３の何れか１項に
記載の有機トランジスタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003033028A JP2003309268A (ja) | 2002-02-15 | 2003-02-12 | 有機トランジスタ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002038182 | 2002-02-15 | ||
| JP2002-38182 | 2002-02-15 | ||
| JP2003033028A JP2003309268A (ja) | 2002-02-15 | 2003-02-12 | 有機トランジスタ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003309268A true JP2003309268A (ja) | 2003-10-31 |
Family
ID=29405195
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|---|---|---|---|
| JP2003033028A Pending JP2003309268A (ja) | 2002-02-15 | 2003-02-12 | 有機トランジスタ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003309268A (ja) |
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