JP2006148056A - ナノ構造化電極 - Google Patents
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Abstract
【課題】均質かつ一様なコーティングをナノ構造化電極に形成することが出来るコーティングプロセスの提供。
【解決手段】ナノ構造化表面をコーティングするための方法、特に有機素子用の方法であって、ナノ構造化表面をコーティングする第1の物質を作製する工程と、前記第1の物質を溶媒に溶解する工程と、ナノ構造化表面の第1のコーティングを、第1の溶解物質前記ナノ構造体表面に塗布することにより形成する工程を備え、前記第1の物質は、ナノ構造化表面を前記第1の溶解物質からなる一様に薄く、かつ均質なウエット膜によって覆うように塗布される。
【選択図】図2
Description
ナノ構造化表面はナノ構造化電極、すなわち電極層を備えるナノ構造化表面であることが好ましい。電極層は更に好適には構造化される。
本発明によれば、ナノ構造化表面の表面特性が少なくとも領域によって異なるようにすることができる。特に、ナノ構造化表面は、第1の溶解物質に対して領域によって変化する濡れ性を有する。
第2の物質は有機半導体物質、導電物質、又はナノ粒子物質とすると更に有利である。第2のコーティングは、特に半導体層又は電極層とすることができる。
層、特に有機半導体層を形成する際に伴われる。均質かつ一様という用語は、特にナノ構造化電極を考慮し、かつほぼ一定の厚さを有する一つの層を、ナノ構造化電極の全ての表面領域を覆うように形成する操作に関する。
ってこれらの半導体層部分の内の一つの部分が所望の電極と確実に接触するからである。この場合、これらの半導体層は共に、上に記載した半導体溶液を塗布して堆積させることが好ましく、この操作によって2つの層が更に混合することができるようにすることが好ましい。上に引用した印刷プロセスの内の一つのプロセス、又は別のコーティングプロセスを使用して半導体層を堆積させることが好ましい。
本発明の第1の実施形態は、複数のナノ構造化電極を備える有機太陽電池(OPV)を実現するものであり、これらのナノ構造化電極の内、少なくともナノ構造化電極に塗布する半導体層は上に記載したプロセスを使用して形成することができる。本発明の一の実施形態では、有機太陽電池の上部電極層は、これも上に記載した多層堆積法によって形成することができる。
した多層堆積法によって形成することができる。
Claims (15)
- ナノ構造化表面をコーティングするための方法、特に有機素子用の方法であって、
ナノ構造化表面をコーティングする第1の物質を作製する工程と、
前記第1の物質を溶媒に溶解する工程と、
ナノ構造化表面の第1のコーティングを、第1の溶解物質を前記ナノ構造化表面に塗布することにより形成する工程とを備える、コーティング方法。 - 前記第1の溶解物質は、ナノ構造化表面を前記第1の溶解物質から成る一様に薄く、かつ均質なウェット膜によって覆うように塗布される、請求項1記載のコーティング方法。
- ナノ構造化表面はナノ構造化電極である、請求項1又は請求項2記載のコーティング方法。
- 第1の溶解物質の粘度が、前記第1の溶解物質が前記ナノ構造化表面のポット構造に流れ込むことができるように調整される、請求項1〜3のいずれか一項に記載のコーティング方法。
- 溶媒は同時に印刷溶剤であり、かつ第1の溶解物質は印刷プロセスを使用して塗布される、請求項1〜4のいずれか一項に記載のコーティング方法。
- 前記印刷プロセスは、接触がほとんど生じない印刷プロセスである、請求項5記載のコーティング方法。
- 第1の物質は有機半導体物質である、請求項1〜6のいずれか一項に記載のコーティング方法。
- 第1のコーティングは半導体層である、請求項1〜7のいずれか一項に記載のコーティング方法。
- ナノ構造化表面の表面特性が少なくとも領域によって異なる、請求項1〜8のいずれか一項に記載のコーティング方法。
- ナノ構造化表面は領域によって異なる濡れ性を有する、請求項9記載のプロセス。
- 第2の物質を作製する工程と、
前記第2の物質を更に別の溶媒に溶解する工程と、
第2の溶解物質を前記第1のコーティングに塗布することによって、第1のコーティングの上に第2のコーティングを形成する工程とをさらに備える、請求項1〜10のいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記更に別の溶媒は、第1のコーティング及び第2のコーティングが少なくとも部分的に混合することができるように選択される、請求項11記載のプロセス。
- 第2の物質は有機半導体物質、導電物質、又はナノ粒子物質である、請求項10又は請求項11記載のプロセス。
- 前記第2のコーティングは印刷プロセスを使用して塗布される、請求項10〜12のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第2のコーティングは半導体層又は電極層である、請求項10〜13のいずれか一項に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1020040367922 | 2004-07-29 | ||
DE102004036792 | 2004-07-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006148056A true JP2006148056A (ja) | 2006-06-08 |
JP4837326B2 JP4837326B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=35148808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005219415A Expired - Fee Related JP4837326B2 (ja) | 2004-07-29 | 2005-07-28 | ナノ構造化電極 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7413997B2 (ja) |
EP (1) | EP1622212B1 (ja) |
JP (1) | JP4837326B2 (ja) |
AT (1) | ATE465521T1 (ja) |
DE (1) | DE602005020717D1 (ja) |
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- 2005-07-13 EP EP05015214A patent/EP1622212B1/en not_active Not-in-force
- 2005-07-13 DE DE602005020717T patent/DE602005020717D1/de active Active
- 2005-07-13 AT AT05015214T patent/ATE465521T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-07-19 US US11/184,463 patent/US7413997B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-28 JP JP2005219415A patent/JP4837326B2/ja not_active Expired - Fee Related
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DE602005020717D1 (de) | 2010-06-02 |
JP4837326B2 (ja) | 2011-12-14 |
EP1622212B1 (en) | 2010-04-21 |
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A621 | Written request for application examination |
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A601 | Written request for extension of time |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |