KR20050070479A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체층을 저온에서 형성함으로써 플라스틱 기판을 사용 가능하게 하는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법은 하부기판 상에 데이터 배선 및 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선 및 화소전극의 소정부위에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 상기 데이터 배선과 수직하도록 게이트 배선을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 하부기판에 대향하도록 상부기판을 합착하는 단계와, 상기 상,하부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same}
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 유기 TFT를 포함하는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상, 액정표시소자는 박막트랜지스터 어레이 기판(TFT Array Substrate)과 이에 대향하는 대향기판과 상기 두 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되며, 상기 어레이 기판은 이미지 표시용 디스플레이에서 스위치 소자로 사용되는 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor)를 포함한다.
상기 박막트랜지스터가 가장 일반적으로 응용되는 분야로는 랩탑 컴퓨터의 디스플레이인 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(AMLCD)가 있다.
액티브 매트릭스 디스플레이의 경우, 박막트랜지스터는 수직 교차되어 단위 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성되어 상기 단위 화소영역에 대해 전류를 온(on) 또는 오프(off)로 스위칭하는 역할을 하는데, 보다 구체적으로, 온 상태인 경우에는 전류가 흘러 특정 단위 화소영역과 관련된 커패시터를 원하는 전압까지 충전(charge)시키고, 오프 상태인 경우에는 단위 화소영역이 다음에 어드레싱(addressing)될 때까지 충전 상태를 유지하도록 한다.
이 때, 전압 레벨은 단위 화소영역에 상응하는 액정을 통하여 투과되는 광량을 결정하여 그레이 레벨(gray level)을 결정한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 액정표시소자를 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 TFT 기판의 공정 평면도 및 공정 단면도이고, 도 2는 종래 기술에 의한 액정표시소자의 단면도이다.
먼저, 도 1a에서와 같이, 포토식각기술을 이용하여 하부기판(11) 상에 복수개의 게이트 배선(12) 및 게이트 전극(12a)을 형성한다.
상기 포토식각기술은 다음과 같이 진행된다.
즉, 내열성이 우수하고 투명한 유리기판 상에 저항이 낮은 금속을 고온에서 증착하고 그 위에 포토레지스트(photoresist)를 도포한 후, 상기 포토레지스트 상부에 패턴된 마스크를 위치시켜 빛을 선택적으로 조사함으로써 마스크의 패턴과 동일한 패턴을 상기 포토레지스트 상에 형성시킨다.
다음, 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분의 포토레지스트를 제거하여 패터닝하고, 상기 포토레지스트가 없는 부분의 금속을 식각하여 원하는 패턴을 얻는 것이다.
참고로, 식각 공정에는 플라즈마를 이용하는 건식 식각과 화학용액을 이용하는 습식 식각이 있다.
다음, 상기 게이트 배선(12)을 포함한 전면에 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기물질을 고온에서 증착하여 게이트 절연막(13)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트 전극(12a)에 오버랩되도록 상기 게이트 절연막(13) 상에 섬(island) 모양의 반도체층(14)을 형성한다.
이 때, 상기 반도체층(14)은 비정질 실리콘(a-Si:H)을 고온에서 증착하여 포토식각기술로서 패터닝한다.
계속해서, 도 1b에서와 같이, 상기 반도체층(14)을 포함한 전면에 금속을 증착하고 포토식각기술로 패터닝하여 데이터 배선층을 형성한다.
상기 데이터 배선층은 상기 게이트 배선(12)과 교차하여 단위 화소영역을 정의하는 데이터 배선(15)과, 상기 반도체층(14)의 가장자리에 오버랩되는 소스 전극(15a) 및 드레인 전극(15b)을 포함한다.
이 때, 상기 게이트 배선(12), 게이트 전극(12a), 데이터 배선(15) 및 소스/드레인 전극(15a, 15b)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 등의 저저항 금속 물질을 사용한다.
상기에서와 같이 적층된 게이트전극(12a), 게이트 절연막(13), 반도체층(14) 및 소스/드레인 전극(15a, 15b)은 박막트랜지스터를 이룬다.
다음, 도 1c에서와 같이, 상기 데이터 배선(15)을 포함한 전면에 BCB 등의 유기절연물질을 도포하여 보호막(16)을 형성하고, 상기 보호막(16)의 일부를 제거하여 상기 드레인 전극(15b)이 노출되는 콘택홀을 형성한다.
다음, 상기 보호막(16)을 포함한 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zin Oxie)와 같은 투명도전물질을 증착하고 포토식각기술로서 패터닝하여 화소영역에 상기 드레인 전극(15b)에 콘택되는 화소전극(17)을 형성함으로써 TFT 기판을 완성한다.
박막트랜지스터(TFT)가 형성된 하부기판(11)은 도 2에서와 같이, 대향되는 기판인 상부기판(21)에 합착되는데, 상기 상부기판(21)에는 색상 구현을 위해 각 화소영역에 형성된 R,G,B의 컬러필터층(23)과, 상기 화소영역을 정의한 부분에서 빛샘을 차단하는 블랙 매트릭스층(22)과, 상기 화소전극에 대향하는 공통전극(24)이 구비된다.
이 때, 상기 상부기판(21)도 하부기판(11)과 마찬가지로 내열성이 우수하고 투명한 재질의 유리 기판으로 한다. 그 이유는 패턴을 형성하는 공정이 고온에서 이루어지기 때문이다.
상기와 같이 합착된 상,하부 기판(21,11) 사이에는 기판 사이의 셀 갭을 유지하기 위해 희망하는 구경을 가진 플라스틱 볼(plastic ball)이나 실리카(silica) 구와 같은 볼 스페이서(ball spacer)(도시하지 않음)를 균일하게 산포하고 그리고, 액정의 누출을 방지하고 상기 두 기판을 접착하기 위해 액티브 영역 외부에 씨일제(sealant)(도시하지 않음)를 빈틈없이 인쇄하여 대향 합착시킨다.
이 때, 소정의 패턴이 형성된 스크린 마스크(screen mask)를 이용하여 씨일제를 인쇄하며, 이후, 액정이 주입될 액정주입구에는 씨일제를 인쇄하지 않는다.
마지막으로, 상기 셀 내부를 진공화한 후 모세관 현상과 대기압 차를 이용하여 두 기판 사이에 액정을 주입하여 액정층(31)을 형성하고 액정주입구를 봉지함으로써 액정표시소자를 완성한다.
그러나, 상기와 같이 액정표시소자를 형성하기 위해서는 약 250-400 ℃ 사이의 공정 처리 온도가 요구된다.
예를 들어, 게이트 절연막(13) 및 반도체층(14)은 통상 플라즈마 강화형 화학 증기 증착(PECVD:plasma enhanced chemical vapor depostion) 방법에 의해 증착되는데, 이 경우 증착 온도가 약 250 ℃를 초과한다. 이러한, 고온 공정을 견디기 위해 내열성이 우수한 유리를 기판으로 사용하고는 있는데, 무겁고 깨지기 쉬워 공정이 까다롭고 또한, 이동성(mobility)이 낮다는 단점이 있다.
이러한 문제점을 극복하고자 무게가 가볍고 충격에 잘 견디며 유연성을 큰 디스플레이를 만들기 위해 플렉시블(flexible)한 기판에 대한 연구가 활발한데, 최근 유리 기판 대신에 플라스틱 기판으로 대체하고 있는 추세이다.
그러나, 플라스틱 기판은 통상 유리의 10 배에 해당하는 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion: CTE)를 가지기 때문에, 약 150℃ 이하의 저온에서만 공정이 이루어져야 한다.
그러기 위해서는 배선층, 반도체층, 각종 절연막이 저온 공정에 적합한 유기물질로 형성하여야 하는 것이 필수적이다.
또한, 종래 기술에 의한 액정표시소자는 게이트 배선층, 반도체층, 데이터 배선층, 보호막의 콘택홀, 화소전극, 블랙 매트릭스층, 컬러필터층을 형성하기 위해서 총 7번의 마스크를 사용하였는데, 이와 같이 마스크의 사용횟수가 많아지면 공정이 복잡해지고 공정 시간 및 공정 비용이 많이 소요되므로 공정효율이 크게 떨어진다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 반도체층을 저온공정에 형성함으로써 플라스틱 기판을 사용하는데 적합하고 또한, 저마스크 기술로 유기 TFT를 형성함으로써 공정을 간소화하고 공정 단가를 절감하는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자는 하부기판 상에 형성된 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 가장자리에 오버랩되는 섬모양의 반도체층과, 상기 반도체층을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 배선 및 게이트 전극과, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 형성된 보호막과, 상기 하부기판에 대향하여 그 사이에 액정층이 구비되는 상부기판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 액정표시소자의 제조방법은 하부기판 상에 데이터 배선 및 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선 및 화소전극의 소정부위에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 상기 데이터 배선과 수직하도록 게이트 배선을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 하부기판에 대향하도록 상부기판을 합착하는 단계와, 상기 상,하부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또 다른 실시예에 의한 본 발명의 액정표시소자의 제조방법은 기판 상에 데이터 배선 및 화소전극을 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선 및 화소전극 패턴 사이에 삽입 절연막을 채우는 단계와, 상기 데이터 배선 및 화소전극의 소정부위에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 상기 데이터 배선과 수직하도록 게이트 배선을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 하부기판에 대향하도록 상부기판을 합착하는 단계와, 상기 상,하부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기의 액정 표시소자는 TFT기판과, 상기 TFT기판에 대향하는 대향기판과, 상기 TFT기판과 대향기판과의 사이에 형성되는 고분자 액정 복합체층으로 이루어지며, 상기 TFT기판의 유기 TFT를 저온에서 형성함으로써 TFT기판 또는 대향기판 중 어느 하나를 플라스틱 기판 또는 필름으로 하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 TFT기판에는 영상신호를 전달하는 데이터 배선과, 주사신호를 전달하는 게이트 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성되어 소스전극, 드레인 전극, 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극으로 적층되는 유기 박막트랜지스터와, 상기 유기 박막트랜지스터에 전기적으로 연결된 화소전극과, 상기 게이트 배선과 반도체층을 절연하는 게이트 절연막과, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 형성되어 소자를 보호하는 보호막이 구비된다.
이 때, 상기 박막트랜지스터의 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극은 저온 공정 처리가 가능한 유기물로 형성되고, 또한, 인젝트-프린팅 방법 또는 스크린 마스크를 이용한 코팅 방법으로 형성가능 하므로 액정표시소자의 제작공정에서의 마스크의 사용을 절감시킬 수 있다.
다만, 상기 반도체층이 유기물로 형성되므로 ITO로 형성되는 소스 전극 및 데이터 전극과의 접착력이 떨어질 수 있는데, 이러한 문제점을 보완하고자, 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극을 형성한 후 그 표면에 플라즈마 처리를 하거나 또는 반도체층과 접촉특성이 우수한 유기물질층을 더 형성하여 접촉특성을 개선하는 것을 특징으로 한다.
상기 플라즈마 처리시, O2 또는 CF4를 적절히 배합하여 사용함으로써 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극의 친수성 또는 소수성 조건을 제어한다.
한편, 상기 TFT 기판 또는 대향기판 중 적어도 어느 하나는 플렉서블한 기판 일예로, 플라스틱 기판 또는 필름으로 한다.
상기 플라스틱 기판 및 필름은 투명한 것으로 한다.
그리고, 상기 고분자 액정층은 네마틱 액정을 폴리비닐알코올 등으로 마이크로 캅셀화한 NCAP(Nematic Curviliner Aligned Phase)와, 거의 구형 또는 회전 타원체 형상의 액정방울을 고분자 매트릭스 중에 서로 독립적으로 분산시킨 PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)와, 고분자 수지가 액정의 연속상 중에 3차원 그물 모양으로 넓은 구조를 가지는 PNLC(Polymer Network Liquid Crystal) 등이 채용 가능하며, 이러한 고분자 액정층이 구비된 액정표시소자를 통상, 고분자 분산형 액정표시소자라 한다.
이러한 고분자 분산형 액정표시소자는 액정과 고분자 화합물로 이루어지는 복합체의 광산란 효과를 이용한 표시방식으로, 기존의 트위스트 네마틱(TN) 액정표시소자와 상이하고, 직선편광을 얻기 위한 편광자를 사용하지 않고 액정을 배향하기 위한 러빙 공정도 불필요하다는 장점이 있다.
이와같이, 광의 이용효율이 높기 때문에 다음 세대의 액정 표시소자로서 주목되고, 활발하게 연구개발이 이루어지고 있다.
이하, 첨부된 도면 및 실시예를 통해 본 발명에 의한 액정표시소자 및 그 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.
제 1 실시예
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 TFT 기판의 공정 평면도 및 공정 단면도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정표시소자는, 도 3c 및 도 4에 도시된 바와 같이, 하부기판(111) 상면에 동일층으로 형성된 데이터 배선(115), 소스전극(115a), 드레인 전극(115b) 및 화소전극(117)과, 상기 소스전극(115a) 및 드레인 전극(115b)의 가장자리에 오버랩되는 섬모양의 반도체층(114)과, 상기 반도체층(114)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(113)과, 상기 게이트 절연막(113) 상에 형성된 게이트 배선(112) 및 게이트 전극(115a)과, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 형성된 보호막(116)과, 상기 하부기판(111)에 대향하는 상부기판(121)과, 상기 두 기판 사이에 액정 고분자 복합체를 사용하여 형성된 액정층(131)을 포함하여 구성된다.
이 때, 상기 반도체층(114)은 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer) 또는 펜타센(Pentacene)의 유기물로 형성되고, 상기 게이트 절연막은 BCB, 아크릴계 물질과 같은 유기물로 형성되고, 상기 게이트 배선 및 게이트 전극(115a)은 유기 고분자계 물질인 PEDOT로 형성되며, 상기 보호막(116)도 BCB, 아크릴계 물질과 같은 유기물로 형성된다.
따라서, 상기 게이트 배선(112) 및 데이터 배선(115)이 서로 수직교차하여 정의된 단위 화소내에는, 상기 소스전극(115a), 드레인 전극(115b), 반도체층(114), 게이트 절연막(113) 및 게이트 전극(115a)의 적층막으로 이루어진 유기 TFT가 형성되는데, 상기 유기 TFT의 반도체층(114), 게이트 절연막(113) 및 게이트 전극(115a)은 유기물로 형성된다.
이 때, 상기 반도체층(114)은 유기물로 형성되므로, ITO로 형성된 상기 소스전극(115a) 및 드레인 전극(115b)에 상기 반도체층(114)이 잘 부착되도록 하기 위해 상기 소스전극(115a) 및 드레인 전극(115b) 표면에 친수성 플라즈마 처리를 해준다.
그리고, 상기 소스전극(115a) 및 드레인 전극(115b) 표면의 친수성 처리시, 상기 데이터 배선(115) 및 화소전극(117)에도 친수성 처리되므로 유기물인 게이트 절연막(113)도 잘 부착된다.
상기 액정표시소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 3a에서와 같이, 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어진 하부기판(111) 상에 투명한 도전물질 ITO를 진공 증착하고, 포토 레지스트(Photo resist)(도시하지 않음)를 차례로 도포한다.
이후, 상기 포토 레지스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 마스크를 씌워서 광선, 일반적으로 UV 또는 x-선 파장에 노출시켜 노광시킨 뒤, 현상하여 포토레지스트를 패터닝한다.
이어, 베이크(bake), 이온 주입 및 UV 경화 등으로 포토 레지스트를 추가 처리하면 내용해성이 대단히 크고 가교 결합된 포토레지스트 중합체 재료가 얻어진다.
다음, 패터닝된 포토 레지스트를 마스크로 이용하고 노출된 ITO를 선택적으로 식각하여 데이터 배선(115), 소스전극(115a), 드레인 전극(115b) 및 화소전극(117)을 동시에 형성한다.
이 때, 상기 데이터 배선(115)과 소스전극(115a)을 일체형으로 형성되고, 상기 드레인 전극(115b)과 화소전극(117)이 일체형으로 형성된다.
이후, ITO 재질의 데이터 배선(115), 소스전극(115a), 드레인 전극(115b) 및 화소전극(117)의 표면에 플라즈마 처리하여 ITO가 유기물에 친수성을 갖도록 한다.
이 때, 플라즈마는 CF4 또는 O2를 적정비율로 혼합된 가스를 이용하는데, O2양을 많이 하면 ITO가 유기물에 잘 달라붙는 친수성을 가지게 되고 CF4양을 많이 하면 ITO가 유기물에 덜 달라붙는 소수성을 가지게 되므로, O2양을 많이 하여 ITO가 친수성을 가지도록 한다.
이와같이, ITO 표면에 플라즈마 처리를 하게 되면 첫째, 플라즈마 처리에 의해 물질의 일함수(work function)가 달라져 유기물과의 접촉특성을 제어할 수 있고 둘째, ITO 표면을 클리닝(cleaning)하는 효과를 볼 수 있으며 셋째, ITO 표면의 화학결합이 끊어져 화학결합을 위한 표면적을 넓힐 수 있다.
다음, 도 3b에서와 같이, 메탈 마스크(metal mask)와 같은 스크린 마스크를 위치시켜 코팅방법으로 상기 소스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b)의 가장자리에 오버랩되도록 반도체층(114)을 형성한다. 상기 코팅 방법 이외에 인젝트-프린팅 방법(injet-printing method)을 사용하여도 된다.
이 때, 상기 소스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b)이 플라즈마 표면처리에 의해 친수성으로 바뀌었으므로 반도체층(114)이 소스/드레인 전극(115a, 115b)에 잘 달라붙게 된다.
이와같이 스크린 마스크를 이용한 코팅방법 또는 인젝트-프린팅 방법으로 반도체층(114)을 형성함으로써, 마스크를 포함하는 포토식각기술을 이용하지 않아도 우수한 접촉 특성의 반도체층을 얻을 수 있고, 저온에서의 공정이 가능해진다.
여기서, 상기 스크린 마스크는 반도체층(114) 패턴대로 오픈되어 있는 것으로 하며, 상기 반도체층(114)은 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer) 또는 펜타센(Pentacene)과 같은 유기 물질을 이용하여 형성한다.
계속해서, 도 3c에서와 같이, 상기 반도체층(114)을 포함한 전면에 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질과 같은 유기물을 저온에서 증착하여 게이트 절연막(113)을 형성한다.
다음, 상기 게이트 절연막(113) 상에 메탈 마스크와 같은 스크린 마스크를 위치시키고 도전성있는 유기 고분자계 물질인 PEDOT(Polyethylene-dioxythiophene)를 코팅방법으로 도포하거나 또는 인젝트-프린팅 방법으로 인쇄하여 게이트 배선(112) 및 게이트 전극(112a)을 형성한다.
여기서, 상기 ITO인 소스/드레인 전극(115a, 115b), LCPBC 또는 펜타센인 반도체층(114), 유기 절연 물질인 게이트 절연막(113), 유기 고분자계 물질인 게이트 전극(112a)의 적층막이 유기 TFT를 이룬다.
계속하여, 상기 게이트 배선(112)을 포함한 전면에 BCB, 아크릴계 물질과 같은 유기물을 증착하여 상기 보호막(116)을 형성한다. 이로써 스위칭소자로서의 유기 TFT가 형성된 TFT기판이 완성된다.
이후, 도 4에서와 같이, 유기 TFT가 형성된 하부기판(111)이나 투명한 도전물질 ITO재질의 공통전극(124)이 형성된 상부기판(121) 중 어느 한 기판에 액정주입구를 뺀 프레임 모양으로 시일재(도시하지 않음)를 형성한 뒤, 상기 상,하부 기판(121,111)을 대향합착한다.
이 때, 상기 공통전극(124)은 상부기판(121)의 전면에 일체형으로 형성되어 하부기판(111)의 화소전극(117)에 대향된다.
그리고, 상기 두 기판 사이에 고분자(polymer)에 액정방울(Droplets)(132)이 산재된 PDLC층(131)을 형성하고 액정주입구를 밀봉함으로써 액정표시소자를 완성한다.
상기 PDLC층(131) 이외에 NCAP, PNLC 등의 고분자 분산형 액정도 가능하다.
한편, 상기 상부기판(121)은 플렉서블한 특성의 플라스틱 기판 또는 필름으로 한다.
이와같이 형성된 액정표시소자는 ITO에 전압이 인가되지 않은 상태에서는 고분자에 불연속적으로 분산 배치된 액정분자의 방향자가 임의의 방향성을 갖게 되므로 액정층에 입사되는 빛이 강하게 산란되며, ITO에 전압이 인가되지 않은 상태에서는 액정 분자의 방향자가 전기장과 일치되는 방향으로 정렬을 하게 되어 빛이 투과하게 된다.
이상에서와 같이, 본 발명에 의한 액정표시소자는 데이터 배선 및 화소전극을 패터닝할 때에만 마스크를 사용하므로 저마스크 기술로서 유용하다.
제 2 실시예
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 TFT 기판의 공정 평면도 및 공정 단면도이고, 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도이다.
본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시소자는, 도 5c 및 도 6에 도시된 바와 같이, 하부기판(211) 상면에 동일층으로 형성되어 그 표면에 소수성 처리가 된 데이터 배선(215), 소스전극(215a), 드레인 전극(215b) 및 화소전극(217)과, 상기 데이터 배선(215), 소스전극(215a), 드레인 전극(215b) 및 화소전극(217) 사이의 공간에 충진된 유기물인 삽입절연막(218)과, 상기 소스전극(215a) 및 드레인 전극(215b)의 가장자리에 오버랩되는 섬모양의 반도체층(214)과, 상기 반도체층(214)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(213)과, 상기 게이트 절연막(213) 상에 형성된 게이트 배선(212) 및 게이트 전극(215a)과, 상기 게이트 배선(212)을 포함한 전면에 형성된 보호막(216)과, 상기 하부기판(211)에 대향하는 상부기판(221)과, 상기 두 기판 사이에 액정 고분자 복합체를 사용하여 형성된 액정층(231)을 포함하여 구성된다.
이 때, 상기 반도체층(214)은 LCPBC 또는 펜타센의 유기물로 형성되고, 상기 게이트 절연막(213), 보호막(216)은 BCB, 아크릴계 물질과 같은 유기물로 형성되며, 상기 게이트 배선 및 게이트 전극(215a)은 유기 고분자계 물질인 PEDOT로 형성되는바, 상기 소스전극(215a), 드레인 전극(215b), 반도체층(214), 게이트 절연막(213) 및 게이트 전극(215a)의 적층막은 유기 TFT가 된다.
이 때, 상기 반도체층(214)은 유기물로 형성되므로, ITO로 형성된 상기 소스전극(215a) 및 드레인 전극(215b)에는 잘 부착되지 않는다. 다만, 소스전극(215a) 및 드레인 전극(215b) 사이에 형성된 유기물인 삽입절연막(218)에 잘 부착되므로 반도체층(214) 형성이 용이해진다.
그리고, 상기 데이터 배선(215), 소스전극(215a), 드레인 전극(215b) 및 화소전극(217) 표면에 소수성 처리가 되어 있어서, 상기 삽입절연막(218) 도포시 소스전극(215a) 및 드레인 전극(215b) 표면에 잔류물이 남지 않게 되므로 반도체층(214)과의 접촉특성을 저하시키지 않게 된다.
상기 액정표시소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 5a에서와 같이, 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어진 하부기판(211) 상에 투명한 도전물질 ITO를 진공 증착하고, 포토 레지스트(Photo resist)(도시하지 않음)를 차례로 도포한다.
이후, 상기 포토 레지스트 상부에 소정의 패턴이 형성된 마스크를 씌워서 노광시킨 뒤, 현상하여 포토레지스트를 패터닝한다.
다음, 패터닝된 포토 레지스트를 마스크로 이용하고 노출된 ITO를 선택적으로 식각하여 데이터 배선(215), 소스전극(215a), 드레인 전극(215b) 및 화소전극(217)을 동시에 형성한다.
이 때, 상기 데이터 배선(215)과 소스전극(215a)을 일체형으로 형성하고, 상기 드레인 전극(215b)과 화소전극(217)이 일체형으로 형성한다.
이후, ITO 재질의 데이터 배선(215), 소스전극(215a), 드레인 전극(215b) 및 화소전극(217)의 표면에 플라즈마 처리하여 ITO가 유기물에 소수성을 갖도록 한다.
이 때, 플라즈마는 CF4 또는 O2를 적정비율로 혼합된 가스를 이용하는데, CF4양을 많이 하면 ITO가 유기물에 덜 달라붙는 소수성을 가지게 된다.
계속해서, 도 5b에서와 같이, BCB 또는 아크릴계 물질 등의 고분자계 유기물질을 스핀 코팅(spin coating) 또는 인젝트-프린팅 방법을 이용하여 삽입 절연막(218)을 형성한다.
이 때, 상기 삽입 절연막(218)은 드레인 배선층과 화소전극 간극 사이에 채워지도록 한다. ITO 재질의 데이터 배선(215), 소스전극(215a), 드레인 전극(215b) 및 화소전극(217)이 소수성 조건을 가지므로 유기물인 삽입 절연막(218)이 그 표면에 달라붙지 않게 된다.
다음, 스크린 마스크를 이용한 프린팅 방법으로 상기 소스 전극(215a) 및 드레인 전극(215b)의 가장자리에 오버랩되도록 섬 모양의 반도체층(214)을 형성한다.
이와같이 프린팅 방법으로 반도체층(214)을 형성함으로써, 마스크를 포함하는 포토식각기술을 이용하지 않아도 우수한 접촉 특성의 반도체층을 얻을 수 있고, 저온에서의 공정이 가능해진다. 여기서, 상기 스크린 마스크는 반도체층(214) 패턴대로 오픈되어 있는 것으로 한다.
또한, 상기 반도체층(214)은 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer) 또는 펜타센(Pentacene)과 같은 유기물로 형성하므로 유기물인 상기 삽입 절연막(218)에 잘 달라붙는다.
계속해서, 도 5c에서와 같이, 상기 반도체층(214)을 포함한 전면에 BCB, 아크릴계 물질과 같은 유기물을 저온에서 증착하여 게이트 절연막(213)을 형성한다.
다음, 상기 게이트 절연막(213) 상에 스크린 마스크를 이용한 코팅 방법 또는 인젝트-프린팅 방법으로 도전성 있는 유기 고분자계 물질인 PEDOT를 인쇄하여 게이트 배선(212) 및 게이트 전극(212a)을 형성한다.
여기서, 상기 소스/드레인 전극(215a, 215b), 반도체층(214), 게이트 절연막(213), 게이트 전극(212a)의 적층막이 유기 TFT를 이룬다.
계속하여, 상기 게이트 배선(212)을 포함한 전면에 BCB, 아크릴계 물질과 같은 유기물을 증착하여 상기 보호막(216)을 형성한다.
이로써, 스위칭소자인 유기 TFT가 형성된 TFT기판이 완성된다.
이후, 도 6에서와 같이, 유기 TFT가 형성된 하부기판(211)이나 투명한 도전물질 ITO재질의 공통전극(224)이 형성된 상부기판(221) 중 어느 한 기판에 시일재(도시하지 않음)를 형성한 뒤, 대향합착한다.
그리고, 상기 두 기판 사이에 고분자에 액정방울(232)이 산재된 PDLC층(231)을 형성하여 액정표시소자를 완성한다.
액정층으로 상기와 같은 PDLC층 이외에 다른 액정 고분자 복합체를 사용하여도 된다.
여기서, 상기 상부기판(221)은 플렉서블한 특성의 플라스틱 기판 또는 필름으로 한다.
이상에서와 같이, 본 발명에 의한 액정표시소자는 데이터 배선 및 화소전극을 패터닝할 때에만 마스크를 사용하므로 저마스크 기술로서 유용하다.
제 3 실시예
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 TFT 기판의 공정 평면도 및 공정 단면도이고, 도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도이다.
본 발명의 제 3 실시예에 의한 액정표시소자는, 도 7c 및 도 8에 도시된 바와 같이, 하부기판(311) 전면에 형성된 버퍼층(318), 상기 버퍼층(318) 상면에 동일층으로 형성된 데이터 배선(315), 소스전극(315a), 드레인 전극(315b) 및 화소전극(317)과, 상기 소스전극(315a) 및 드레인 전극(315b)의 가장자리에 오버랩되는 섬모양의 반도체층(314)과, 상기 반도체층(314)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(313)과, 상기 게이트 절연막(313) 상에 형성된 게이트 배선(312) 및 게이트 전극(315a)과, 상기 게이트 배선(313)을 포함한 전면에 형성된 보호막(316)과, 상기 하부기판(311)에 대향하는 상부기판(321)과, 상기 두 기판 사이에 액정 고분자 복합체를 사용하여 형성된 액정층(331)을 포함하여 구성된다.
이 때, 상기 반도체층(314)은 LCPBC 또는 펜타센의 유기물로 형성되고, 상기 게이트 절연막(313), 보호막(316)은 BCB, 아크릴계 물질과 같은 유기물로 형성되며, 상기 게이트 배선 및 게이트 전극(315a)은 유기 고분자계 물질인 PEDOT로 형성되는바, 상기 소스전극(315a), 드레인 전극(315b), 반도체층(314), 게이트 절연막(313) 및 게이트 전극(315a)의 적층막은 유기 TFT가 된다.
이 때, 상기 반도체층(314) 및 게이트 절연막(313)은 유기물로 형성되므로, ITO로 형성된 상기 데이터 배선(315), 소스전극(315a), 드레인 전극(315b) 및 화소전극(317) 표면에 친수성 플라즈마 처리를 하여 상기 반도체층(314) 및 게이트 절연막(313)이 잘 부착되도록 한다.
그리고, 상기 버퍼층은 SiO2의 무기물 또는 유기물로 형성될 수 있는데, 상기 버퍼층이 무기물인 경우, 상기 데이터 배선(315), 소스전극(315a), 드레인 전극(315b) 및 화소전극(317) 표면에 친수성 플라즈마 처리할 때, 버퍼층(318)에도 동시에 해주어 유기물인 반도체층(314)과의 접촉특성을 개선시켜준다.
상기 액정표시소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 7a에서와 같이, 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어진 하부기판(311) 전면에 버퍼층(318)을 형성한다.
상기 버퍼층(318)은 이후의 패터닝 공정으로부터 기판을 보호하고 또한, 이후 형성될 반도체층과 접촉특성의 개선을 위한 것으로서, 실리콘 이산화물(SiO2)과 같은 무기물질 또는 유기물질을 증착하여 형성한다.
다음, 상기 버퍼층(318) 상에 투명한 도전물질 ITO를 진공 증착하고, 마스크를 포함하는 포토식각기술로서 패터닝하여 데이터 배선(315), 소스전극(315a), 드레인 전극(315b) 및 화소전극(317)을 동시에 형성한다.
이 때, 상기 데이터 배선(315)과 소스전극(315a)을 일체형으로 형성하고, 상기 드레인 전극(315b)과 화소전극(317)을 일체형으로 형성한다.
이후, 하부기판(311)에 플라즈마 처리하여 무기물질인 버퍼층(318), 데이터 배선(315), 소스전극(315a), 드레인 전극(315b) 및 화소전극(317)이 유기물에 친수성을 갖도록 한다.
이 때, 플라즈마는 CF4 또는 O2를 적정비율로 혼합된 가스를 이용하는데, O2양을 많이 하면 ITO가 유기물에 매우 잘 달라붙는 친수성을 가지게 되고 CF4양을 많이 하면 ITO가 유기물에 덜 달라붙는 소수성을 가지게 된다.
그리고, O2양을 많이 하면 SiO2인 버퍼층이 유기물에 잘 달라붙는 친수성을 가지게 되고 CF4양을 많이 하면 유기물에 달라붙지 않는 소수성을 가지게 된다.
다음, 도 7b에서와 같이, 스크린 마스크를 이용한 코팅방법 또는 인젝트-프린팅 방법으로 상기 소스 전극(315a) 및 드레인 전극(315b)의 가장자리에 오버랩되도록 반도체층(314)을 형성한다.
이 때, 상기 반도체층(314)은 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer) 또는 펜타센(Pentacene)으로 형성하며, 상기 버퍼층(318), 소스 전극(315b) 및 드레인 전극(315c)이 플라즈마 표면처리에 의해 친수성으로 바뀌므로 유기물질인 반도체층(314)의 부착성이 높아진다.
이와같이 인젝트-프린팅 방법으로 반도체층(314), 형성함으로써, 마스크를 포함하는 포토식각기술을 이용하지 않아도 우수한 접촉 특성의 반도체층을 얻을 수 있고, 저온에서의 공정이 가능해진다.
계속해서, 도 7c에서와 같이, 상기 반도체층(314)을 포함한 전면에 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질과 같은 유기물을 저온에서 증착하여 게이트 절연막(313)을 형성한다.
다음, 상기 게이트 절연막(313) 상에 메탈 마스크와 같은 스크린 마스크를 위치시키고 도전성 있는 유기 고분자계 물질인 PEDOT를 코팅하거나 또는 프린팅 방법으로 인쇄하여 게이트 배선(312) 및 게이트 전극(312a)을 형성한다.
여기서, 소스/드레인 전극(315a, 315b), 반도체층(314), 게이트 절연막(313), 게이트 전극(312a)의 적층막이 유기 TFT를 이룬다.
계속하여, 상기 게이트 배선(312)을 포함한 전면에 BCB, 아크릴계 물질과 같은 유기물을 증착하여 상기 보호막(316)을 형성한다. 이로써 스위칭소자로서의 유기 TFT가 형성된 TFT기판이 완성된다.
이후, 도 8에서와 같이, 유기 TFT가 형성된 하부기판(311)이나 투명한 도전물질 ITO재질의 공통전극(324)이 형성된 상부기판(321) 중 어느 한 기판에 시일재(도시하지 않음)를 형성한 뒤, 상기 상,하부 기판(321,311)을 대향합착한다.
그리고, 상기 두 기판 사이에 고분자에 액정방울(332)이 산재된 PDLC층(331)을 형성하고 액정주입구를 밀봉함으로써 액정표시소자를 완성한다.
여기서, 상기 하부기판(311) 또는 상부기판(321)은 투명한 것으로 하며 유리 기판 이외에, 플렉서블한 특성의 플라스틱 기판 또는 필름으로 형성하여도 무관하다.
이상에서와 같이, 본 발명에 의한 액정표시소자는 데이터 배선 및 화소전극을 패터닝할 때에만 마스크를 사용하므로 저마스크 기술로서 유용하다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 데이터 배선 및 화소전극을 패터닝할 때에만 포토시각기술을 사용하므로 마스크의 사용 횟수를 줄여 공정 단가를 낮추고 공정 시간을 줄일 수 있다. 즉, 본 발명에 의한 액정표시소자는 한 번의 마스크로 제작가능하므로 저마스크 기술로 유용하다.
둘째, ITO 표면에 플라즈마 처리를 함으로써, 플라즈마 처리에 의해 물질의 일함수(work function)가 달라져 유기물과의 접촉특성을 제어할 수 있고, ITO 표면을 클리닝(cleaning)하는 효과를 볼 수 있으며 또한, ITO 표면의 화학결합이 끊어져 화학결합을 위한 표면적을 넓힐 수 있다.
셋째, 반도체층 및 게이트 배선층을 인젝트-프린팅 방법 또는 메탈 마스크를 이용한 코팅 방법으로 형성함으로써 공정이 보다 쉽게 이루어지고 생산성을 향상시킬 수 있다.
넷째, 액정물질로 PDLC를 사용함으로써 편광판을 더 구비하지 않아도 되고 또한 러빙공정도 수행하지 않아도 되므로 공정단가가 낮아진다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 TFT 기판의 공정 평면도 및 공정 단면도.
도 2는 종래 기술에 의한 액정표시소자의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 TFT 기판의 공정 평면도 및 공정 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 TFT 기판의 공정 평면도 및 공정 단면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 TFT 기판의 공정 평면도 및 공정 단면도.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 의한 액정표시소자의 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
111 : 하부기판 112 : 게이트 배선
112a : 게이트 전극 113 : 게이트 절연막
114 : 반도체층 115 : 데이터 배선
115a : 소스 전극 115b : 드레인 전극
116 : 보호막 117 : 화소전극
121 : 상부기판 124 : 공통전극
131 : PDLC층 132 : 액정방울
218 : 삽입 절연막 318 : 버퍼층

Claims (34)

  1. 하부기판 상에 형성된 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극과,
    상기 소스 전극 및 드레인 전극의 가장자리에 오버랩되는 섬모양의 반도체층과,
    상기 반도체층을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과,
    상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 배선 및 게이트 전극과,
    상기 게이트 배선을 포함한 전면에 형성된 보호막과,
    상기 하부기판에 대향하여 그 사이에 액정층이 구비되는 상부기판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극은 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극은 유기물에 친수성을 가지도록 플라즈마 처리된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 하부기판 전면에 버퍼층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 버퍼층은 무기물 또는 유기물인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 버퍼층이 무기물인 경우,
    상기 버퍼층, 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극은 유기물에 친수성을 가지도록 플라즈마 처리되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극은 유기물에 소수성을 가지도록 플라즈마 처리된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 데이터 배선, 소스전극, 드레인 전극 및 화소전극 사이에 유기물이 충진되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 소스/드레인 전극, 반도체층, 게이트 절연막 및 게이트 전극의 적층막이 유기 TFT를 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 반도체층, 게이트 절연막 및 게이트 전극은 유기물로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  11. 하부기판 상에 데이터 배선 및 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선 및 화소전극의 소정부위에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막 상에 상기 데이터 배선과 수직하도록 게이트 배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 하부기판에 대향하도록 상부기판을 합착하는 단계;
    상기 상,하부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 데이터 배선 및 화소전극을 친수성 조건으로 제어하기 위해 상기 데이터 배선 및 화소전극 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리시, O2 또는 CF4를 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 하부기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 버퍼층으로 무기물질 또는 유기물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 버퍼층으로 SiO2를 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  17. 기판 상에 데이터 배선 및 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선 및 화소전극 패턴 사이에 삽입 절연막을 채우는 단계;
    상기 데이터 배선 및 화소전극의 소정부위에 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 반도체층을 포함한 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막 상에 상기 데이터 배선과 수직하도록 게이트 배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 하부기판에 대향하도록 상부기판을 합착하는 단계;
    상기 상,하부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 데이터 배선 및 화소전극을 소수성 조건으로 제어하기 위해서, 상기 데이터 배선 및 화소전극 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 플라즈마 처리시, O2 또는 CF4를 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 삽입 절연막으로 유기 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  21. 제 17 항에 있어서, 상기 삽입 절연막으로 BCB 또는 아크릴계 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  22. 제 17 항에 있어서, 상기 삽입 절연막은 스핀 코팅(spin coating) 방법 또는 프린팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  23. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 반도체층으로 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer) 또는 펜타센(Pentacene)을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  24. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 반도체층은 프린팅 방법 또는 스크린 마스크를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  25. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 상,하부 기판은 유리기판, 플라스틱 기판 또는 필름인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  26. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 데이터 배선 및 화소전극은 투명도전물질로 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  27. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 투명도전물질로 ITO 또는 IZO를 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  28. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 액정층은 PDLC층으로 하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  29. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 게이트 절연막으로 유기물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  30. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 유기물질로 BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴계 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  31. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 게이트 배선은 PEDOT(Polyethylene-dioxythiophene)를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  32. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 게이트 배선은 프린팅 방법 또는 스크린 마스크를 이용한 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  33. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 데이터 배선은 박막트랜지스터의 소스 전극과 일체로 형성하고, 상기 화소전극은 박막트랜지스터의 드레인 전극과 일체로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  34. 제 11 항 또는 제 17 항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 소스/드레인 전극에 오버랩되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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