WO2015096292A1 - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及其制造方法、显示装置。所述阵列基板包括衬底基板（1）、OLED器件以及TFT结构，所述OLED器件设置在所述衬底基板（1）的一侧，且所述TFT结构设置在所述衬底基板（1）的另一侧；所述衬底基板（1）上设有通孔，通孔内设置有导电桥（2）,所述OLED器件与所述TFT结构通过所述导电桥（2）连接。所述阵列基板能够避免TFT结构对OLED器件的电气干扰，从而能够对OLED器件进行精确驱动；并能在衬底基板（1）表面直接形成OLED器件，相对于惯常OLED显示装置省略了对像素电极的表面处理工艺，加快了制造过程，降低了加工成本；所述OLED器件的阳电极（12）和阴电极（9）均为透明材料，使阵列基板能够双面发光，实现了阵列基板双面显示的功能。

Description

阵列基板及其制造方法、 显示装置 技术领域
本发明的实施例涉及显示技术领域， 尤其涉及一种阵列基板及其制造方 法、 显示装置。 背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode , 有机发光二极管）显示器与 CRT(Cathode Ray Tube , 阴极射线管）显示器或 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更 薄的外观设计、 更宽的可视视角、 更快的响应速度以及更低的功耗等特点， 因此 OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。
OLED器件是一种自发光器件， 通常包括阴电极、 与阴电极相对设置的 阳电极以及设置于阴电极与阳电极之间的有机发光层。在 OLED器件工作时， 将电压施加到阴电极和阳电极上以在设置于阴电极和阳电极之间的有机发光 层两端形成电场，从而使得电子和空穴能够在有机发光层中彼此复合而发光。 可以通过具有电路单元的阵列基板控制施加在像素电极上的电压， 从而控制 OLED显示装置的显示效果。
在惯常技术中， OLED 显示装置包括 OLED 器件和 TFT(Thin Film
Transistor, 薄膜晶体管)阵列基板。 OLED器件有机发光层设置在 TFT阵列 基板的像素电极表面。所述的像素电极可用作 OLED器件的阴电极或阳电极。 受 TFT结构中的电容及电流磁场影响， 发光层的发光效果较差。 而且， 由于 TFT结构的像素电极表面粗糙， 在涂覆发光层前， 还需要对像素电极的衬底 进行表面处理， 使加工工艺较为复杂并增加了生产成本。 发明内容
针对上述问题， 本发明实施例的一个目的是提供一种 OLED器件发光效 果不受 TFT结构电气干扰的阵列基板及其制造方法、 显示装置。 该阵列基板 的制造方法能够提高生产效率并降低生产成本。 本发明的实施例提供了如下技术方案来实现本发明申请的技术目的： 一 种阵列基板， 包括衬底基板、 OLED器件以及 TFT结构， 所述 OLED器件设 置在所述衬底基板的一侧， 且所述 TFT结构设置在所述衬底基板的另一侧； 所述 OLED器件与所述 TFT结构连接。
根据本发明的一个实施例， 所述衬底基板中形成有通孔， 所述通孔中设 置有导电桥， 所述 OLED器件通过所述导电桥与所述 TFT结构连接。
进一步地， 所述阵列基板还包括导电桥延伸部， 所述导电桥延伸部位于 的衬底基板的所述 TFT 结构一侧， 所述导电桥延伸部与所述导电桥一体形 成；所述 TFT结构通过所述导电桥及所述导电桥延伸部与所述 OLED器件连 接。
根据本发明的一个实施例， 所述导电桥的材质为有机导电树脂。
根据本发明的一个实施例， 所述 TFT结构包括阻挡层及阻挡层过孔， 所 述阻挡层和所述阻挡层过孔设置在设有所述导电桥延伸部的所述衬底基板 上，所述 TFT结构还包括在所述阻挡层上沿远离衬底基板方向依次形成的源 极和漏极、 半导体层、 栅绝缘层、 栅极和钝化层， 所述漏极穿过所述阻挡层 过孔与所述导电桥延伸部电连接。
根据本发明的一个实施例， 所述 OLED器件包括阳电极、 发光片和阴电 根据本发明的一个实施例， 所述阳电极和阴电极均釆用透明导电材料制 成。
进一步地， 所述发光片设置在所述阳电极和所述阴电极之间， 沿竖直于 所述衬底基板的方向上不与所述源极、 漏极和栅极重叠。
根据本发明的另一个方面， 提供了一种阵列基板的制造方法， 包括以下 步骤：
在衬底基板上形成贯穿所述衬底基板的通孔并在所述通孔内形成导电 桥；
在所述衬底基板的一侧形成 TFT结构；
在所述衬底基板的另一侧形成 OLED器件，并将所述 OLED器件与所述 TFT结构通过所述导电桥连接。
根据本发明的一个实施例， 所述方法还包括： 在所述衬底基板的设有所述 TFT结构的一侧上形成导电桥延伸部，所述 导电桥延伸部与所述导电桥一体形成。
根据本发明的一个实施例， 所述步骤 "在所述衬底基板一侧形成 TFT结 构" 包括以下步骤：
在衬底基板的设置有导电桥延伸部的一侧表面上形成阻挡层， 并在该阻 挡层内形成过孔；
在所述阻挡层上形成源极和漏极， 所述漏极通过所述过孔与所述导电桥 延伸部电连接； 以及
在所述源极和所述漏极之上依次形成半导体层、 栅绝缘层、 栅极和钝化 层。
根据本发明的一个实施例， 所述步骤 "在衬底基板上形成贯穿所述基板 两侧表面的通孔" 包括以下步骤：
在所述衬底基板的两侧表面分别依次进行光刻胶涂覆、曝光、显影操作， 从而在所述衬底基板两侧表面上分别形成光刻胶层， 在光刻胶层的相应位置 处具有尺寸相同的孔状图样；
对所述衬底基板进行刻蚀， 并去除光刻胶， 形成垂直于该衬底基板表面 方向的通
根据本发明的一个实施例， 在所述步骤 "对所述衬底基板进行刻蚀" 之 前， 所述方法还包括以下步骤：
在所述衬底基板表面添加氢氟酸溶液，然后再对所述衬底基板进行刻蚀。 根据本发明的一个实施例， 所述步骤 "在衬底基板上形成贯穿所述衬底 基板的通孔" 包括以下步骤：
通过激光打孔的方式在所述衬底基板上形成贯穿该衬底基板的通孔。 根据本发明的一个实施例， 所述步骤 "在所述衬底基板的另一侧形成 OLED器件， 并使所述 OLED器件与所述 TFT结构通过所述通孔连接" 包括 以下步骤：
在所述衬底基板表面上形成阴电极， 并将所述阴电极通过所述导电桥与 所述 TFT结构相连接， 再在所述阴电极上依次形成发光片和阳电极；
或者， 在所述衬底基板表面形成阳电极， 并将所述阳电极通过所述导电 桥与所述 TFT结构相连接， 再在所述阳电极上依次形成发光片和阴电极。 根据本发明申请的再一个方面， 提供了一种显示装置， 包括如上所述的 阵列基板。
与惯常技术和产品相比， 本发明的实施例有如下优点：
1、 本发明的实施例通过在衬底基板上设置通孔， 使 OLED器件和 TFT 结构分别设置在所述衬底基板的两侧， 并穿过通孔相连接； 所述衬底基板隔 离 OLED器件和 TFT结构， 并且增大 OLED器件和 TFT结构之间的距离， 使 TFT结构对 OLED器件的电气干扰变小， 确保 TFT结构能够对 OLED器 件进行精确地驱动。
2、 本发明实施例通过在衬底基板表面直接形成 OLED器件， 相对于惯 常 OLED显示装置， 省略了对像素电极的表面处理工艺， 加快了制造过程， 降低了加工成本。
3、 本发明实施例提供的 OLED器件的阳电极和阴电极均由透明材料制 成， 使阵列基板能够双面发光， 实现了阵列基板双面显示的功能。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例， 而非对本发明的限制。
图 1是本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图 2是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法过程中的器件结构示意 图一；
图 3是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法过程中的器件结构示意 图二；
图 4是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法过程中的器件结构示意 图三；
图 5是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法过程中的器件结构示意 图四；
图 6是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法过程中的器件结构示意 图五；
图 7是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法过程中的器件结构示意 图六；
图 8是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法过程中的器件结构示意 图七；
图 9是本发明实施例提供的阵列基板的制造方法过程中的器件结构示意 图八。 具体实施方式
为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的附图， 对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
如图 1所示， 本发明的一个实施例提供了一种阵列基板， 该阵列基板包 括衬底基板 1、 OLED器件以及 TFT结构， 所述 OLED器件设置在所述衬底 基板 1的一侧， 且所述 TFT结构设置在所述衬底基板 1的另一侧； 所述衬底 基板 1上设有通孔， 该通孔内设置有导电桥 2， 所述 OLED器件与所述 TFT 结构通过所述导电桥 2连接。所述 OLED器件包括依次排列的阳电极 12、发 光片 11、 绝缘层 10和阴电极 9; 其中， 所述阳电极 11通过所述导电桥与所 述 TFT结构连接； 发光片 11包括空穴注入层、 空穴传输层、 有机发光层、 电子传输层、 电子注入层。 当然， OLED器件中的阴电极和阳电极的位置可 以互换， 且阴电极通过所述导电桥与所述 TFT结构连接。
衬底基板 1隔离 OLED器件和 TFT， 并且增大了 OLED器件和 TFT结 构之间的距离， 使 TFT结构对 OLED器件的电气干扰变小， 确保 TFT结构 能够对 OLED器件进行精确驱动。
进一步， 所述阵列基板还包括导电桥延伸部 2a， 所述导电桥延伸部 2a 设置在衬底基板 1的设有所述 TFT结构的一侧上， 所述导电桥延伸部 2a与 所述导电桥 2—体形成； 所述 TFT结构通过所述导电桥 2及导电桥延伸部 2a与所述 OLED器件连接。
在该实施例中， 所述导电桥 2的材质为有机导电树脂。
如图 1所示， 所述 TFT结构包括阻挡层 3及阻挡层过孔， 所述阻挡层 3 及阻挡层过孔设置在衬底基板 1的设有所述导电桥延伸部 2a的一侧上，所述 TFT结构还包括在所述阻挡层 3上沿远离衬底基板 1的方向上依次形成的源 极 402和漏极 401、 半导体层 5、 栅绝缘层 6、 栅极 7和钝化层 8， 所述 TFT 结构的漏极 401穿过所述阻挡层 3中的过孔与所述导电桥延伸部 2a电连接。
需要说明的是，本发明实施例中，是以顶栅式 TFT结构为例进行的说明， 但本发明的实施例不限于此。 除了顶栅式 TFT结构之外， 其他方式的 TFT 结构， 如低栅式或者侧栅式 TFT 结构均可以适用于本发明实施例提供的方 案。 只要将 TFT 结构的漏极的信号通过基板通孔传输到基板的另一侧的 OLED器件即可。具体的 TFT结构可以根据不同的实施方式具有多种不同的 结构， 在这里就不——列举。
所述半导体层 5的材质可选用非晶硅、 低温多晶硅或氧化物半导体等材 料。 在本实施例中， 所述半导体层 5的材质可选为 IGZO， ITZO等材料。
进一步， 在 OLED器件中， 所述阳电极 12和阴电极 9均釆用透明导电 材料制成， 如 ITO， ΙΖΟ等材料， 能够使 OLED器件双面发光。 进一步， 所 述衬底基板 1选用透明材料； 所述阻挡层 3和栅绝缘层 6的材质通常釆用氮 化硅， 也可以是氧化硅和氮氧化硅或者有机树脂等。 如图 1所示， 所述发光 片 11设置在沿竖直于衬底基板 1的表面方向上不与所述源极 401、 漏极 402 和栅极 7重叠的位置， 发光片 11发出的光可透过基板 1、 阻挡层 8、 栅绝缘 层 6和钝化层 8， 因而， 阵列基板能够双面发光， 实现了阵列基板双面显示 的功能。所述发光片 11中的有机发光层釆用电场致光片 EL。 电场致光片 EL ( electro luminescent, EL )是一种由电能转为光能的装置， 因其在工作过程 中不会产生热量， 具有轻薄如纸， 安装简便， 可随意拆装， 重复使用性高， 低碳、 节能、 环保， 再加上独具的新颖、 时尚、 动感效果。
如图 1所示，所述 OLED器件包括由上至下依次排列的阳电极 12、发光 片 11和阴电极 9; 所述阴电极 9通过所述导电桥 2与所述 TFT结构的漏极 401相连接。
或者， 所述 OLED器件包括由上至下依次排列的阴电极、 发光片和阳电 本发明实施例通过在衬底基板上设置通孔， 该通孔内设置有导电桥， 使 OLED器件和 TFT结构分别设置在衬底基板两侧， 并穿过导电桥相连接； 衬 底基板隔离 OLED器件和 TFT结构， 并且增大了 OLED器件和 TFT结构之 间的距离， 使 TFT结构对 OLED器件的电气干扰变小， 确保 TFT结构能够 对 OLED器件进行精确驱动。 另夕卜， 本发明实施例提供的 OLED器件的阳电 极和阴电极均为透明材料， 使阵列基板能够双面发光， 实现了阵列基板双面 显示的功能。
本发明的另一实施例还提供一种阵列基板的制造方法， 包括以下步骤： 在衬底基板上形成贯穿所述衬底基板的通孔， 该通孔内设置有导电桥； 在所述衬底基板的一侧形成 TFT结构；
在所述衬底基板的另一侧形成 OLED器件，并将所述 OLED器件与所述 TFT结构通过所述导电桥连接。
本发明实施例中的阵列基板的制造可以通过构图工艺完成， 所谓构图工 艺指的是， 成膜、 光刻胶涂覆、 曝光、 显影、 刻蚀等部分或者全部步骤。
下面通过图 2-图 9对阵列基板的制造步骤进行详细的说明。
本发明提供的阵列基板的制造方法包括：
步骤 S1: 在衬底基板上形成贯穿所述衬底基板的通孔， 并在该通孔内形 成导电桥。
在衬底基板 1的两侧表面可分别进行 PR光刻胶涂覆， 曝光、 显影， 如 图 2所示， 使所述衬底基板 1两侧表面形成具有位置对应且尺寸相同的孔状 图样的光刻胶层； 然后对所述衬底基板 1进行刻蚀， 并去除光刻胶层， 如图 3所示， 形成在垂直于衬底基板表面方向上设置的通孔 la。
进一步， 如果在所述衬底基板 1表面添加氢氟酸 HF溶液， 然后再对所 述衬底基板 1进行刻蚀， 这样可轻松钻孔， 加快生产进程。
此外， 本步骤中， 也可通过激光打孔的方式在所述衬底基板上形成贯穿 该于底基板的通孔。
之后， 清洗衬底基板 1， 在衬底基板 1的通孔内形成有机导电树脂材料， 如图 4所示，并将衬底基板 1通孔 la内部也沉积有机导电树脂材料，并形成 导电桥 2。
步骤 S2: 如图 4所示， 在所述衬底基板 1一侧形成导电桥延伸部 2a， 所 述导电桥延伸部 2a与所述导电桥 2一体形成。
在衬底基板 1一侧沉积有机导电树脂材料， 该有机导电树脂为半流体， 沉积在基板上的有机导电树脂流入到通孔 la内， 填充该通孔 la， 形成导电 桥 2。 在沉积有机导电树脂的衬底基板上进行构图工艺， 形成导电桥延伸部 2a。
步骤 S3: 在设有所述导电桥延伸部 2a的衬底基板 1表面形成与该导电 桥延伸部 2a电连接的 TFT结构。
在衬底基板 1的设置有导电桥延伸部 2a的表面上形成阻挡层 3， 并在该 阻挡层 3内形成过孔； 之后， 在该阻挡层 3上形成源极 402和漏极 401， 并 成半导体层 5、 栅绝缘层 6、 栅极 7以及钝化层 8， 得到 TFT结构。
上述步骤 S3可通过以下方法实现： 如图 5所示， 釆用溅射方法或 CVD 方法在导电桥表面沉积厚度为 50nm的 Si02层， 或者旋涂方法旋涂沉积有机 树脂材料并光刻、 固化得到厚度为 2um的阻挡层 3。 然后， 通过构图工艺， 在阻挡层 3内形成过孔结构， 并在过孔的上部对应位置通过釆用溅射方法沉 积厚度为 200nm的金属层， 该金属层通常可以釆用钼、 铝、 钼钨合金、 铬或 铜等金属， 也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。 本实施例中釆用由 Mo和 Ti组成的双层金属层， 通过构图工艺， 形成源极 402和漏极 401。 该 漏极 401形成在对应过孔的上方， 并且与导电桥延伸部 2a电连接。
进一步， 如图 6所示， 釆用溅射方法沉积厚度为 50nm的 IGZO薄膜层， 在 400°C纯氧环境下退火 lh， 通过构图工艺， 形成半导体层 5。 进一步， 釆 用 CVD方法在 390 °C下沉积厚度为 120nm的 Si02和 SiNx作为栅绝缘层 6。 然后， 如图 7所示， 用溅射方法沉积厚度为 200nm的金属， 该金属材料通常 可以釆用钼、 铝、 钼钨合金、 铬或铜等金属， 也可以使用上述几种材料薄膜 的组合结构， 本实施例优选釆用金属铬， 通过构图工艺形成栅极 7， 并在栅 极 7外部形成 PVX材质的钝化层 8。 至此， 形成所述阵列基板的 TFT结构。
步骤 S4: 在所述衬底基板的另一侧形成 OLED器件， 并将所述 OLED 器件与所述通孔内的导电桥连接， 得到阵列基板。
本步骤中， 在衬底基板 1表面直接形成 OLED器件， 相对于惯常 OLED 显示装置， 省略了对像素电极表面的处理工艺， 加快了制造过程， 降低了加 工成本。
如下执行该步骤 S4: 如图 8所示， 在所述衬底基板表面形成阴电极 9， 并将所述阴电极 9通过所述导电桥 2与导电桥延伸部 2a与所述 TFT结构的 漏极 401相连接，如图 9所述，在阴电极 9上再依次形成发光片 11和阳电极 12。 其中， 阴电极 9和阳电极 12均使用透明导电材料制成。
或者， 在所述衬底基板表面形成阳电极， 并将所述阳电极通过所述导电 桥与所述 TFT结构的漏极相连接，然后在所述阳电极上依次形成发光片和阴 电极。
如图 8所示，在衬底基板 1的与所述 TFT结构相对的另一侧面上形成阴 电极 9， 并将阴电极 9与所述衬底基板的通孔中的导电桥 2相连。 由于衬底 基板 1表面本身就具有平坦化结构， 该方法省略了对像素电极表面处理的工 艺， 降低了生产难度， 节约了生产成本。 如图 9所示， 再在阴电极 9上形成 绝缘层 10， 然后在绝缘层 10上进行曝光、 显影、 刻蚀， 在衬底基板 1上的 与 TFT结构不对应的部分形成一开口部， 将部分阴电极暴露， 在该开口部上 形成发光片 11， 可将发光片 11设置在不与所述 TFT结构中的源极 402和漏 极 401及栅极 7对应的位置处，这样能够使发光片 11发出的光能够在垂直于 衬底基板的两个方向上射出， 使所述阵列基板具有双面显示的功能。 在形成 有发光片 11的绝缘层上， 形成阳电极 12， 最终形成如图 1所示的阵列基板 结构。
本实施例除了具有上一实施例具有的有益效果之外， 还可以在衬底基板 表面上直接形成 OLED器件，相对于惯常 OLED显示装置，省略了对像素电 极的表面处理工艺， 加快了制造过程， 降低了加工成本。
本发明的又一实施例还提供了一种显示装置， 例如手机、 平板电脑、 显 示器、 电视等， 其包括上文所述的阵列基板。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式， 而非用于限制本发明的保护范 围， 本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims

权利要求书
1. 一种阵列基板， 包括衬底基板、 OLED器件以及 TFT结构， 其中， 所述 OLED器件设置在所述衬底基板的一侧，且所述 TFT结构设置在所述衬 底基板的另一侧； 所述 OLED器件与所述 TFT结构连接。
2. 根据权利要求 1所述的阵列基板， 其中， 所述衬底基板中设有通孔， 所述通孔内设置有导电桥，所述 OLED器件与所述 TFT结构通过所述导电桥 连接。
3. 根据权利要求 2所述的阵列基板， 其还包括导电桥延伸部， 所述导电 桥延伸部设置在所述衬底基板的设有所述 TFT 结构的一侧并与所述导电桥 一体形成； 所述 TFT结构通过所述导电桥延伸部及所述导电桥与所述 OLED 器件连接。
4. 根据权利要求 3所述的阵列基板， 其中， 所述 OLED器件包括阳电 极、发光片和阴电极； 所述阳电极或阴电极通过所述导电桥与所述 TFT结构 连接。
5. 根据权利要求 4所述的阵列基板， 其中， 所述发光片设置在所述阳电 极和所述阴电极之间，且在沿垂直于所述衬底基板的方向上不与所述 TFT结 构重叠。
6. 根据权利要求 4或 5所述的阵列基板， 其中， 所述阳电极和阴电极均 由透明导电材料制成。
7. 根据权利要求 3至 6中任何一项所述的阵列基板， 其中， 所述 TFT 结构包括阻挡层及阻挡层过孔， 所述阻挡层及阻挡层过孔设置在设有所述导 电桥延伸部的衬底基板上，所述 TFT结构还包括在所述阻挡层上沿远离衬底 基板方向依次形成的源极 /漏极、 半导体层、 栅绝缘层、 栅极和钝化层， 所述
8. 根据权利要求 2至 7中任何一项所述的阵列基板， 其中， 所述导电桥 的材质为有机导电树脂。
9. 一种制造阵列基板的方法， 其包括以下步骤：
在衬底基板上形成贯穿所述衬底基板的通孔，并在该通孔内形成导电桥； 在所述衬底基板的一侧形成 TFT结构； 在所述衬底基板的另一侧形成 OLED器件，并将所述 OLED器件与所述 TFT结构通过所述导电桥连接。
10. 根据权利要求 9所述的方法， 其还包括：
在所述 TFT结构一侧的衬底基板上形成导电桥延伸部，所述导电桥延伸 部与所述导电桥一体形成。
11. 根据权利要求 9或 10所述的方法， 其中， 所述在所述衬底基板的一 侧形成 TFT结构包括：
在设置有导电桥延伸部衬底基板表面形成阻挡层， 并在该阻挡层内形成 过孔；
形成源极和漏极， 并将所述漏极通过所述过孔与所述导电桥延伸部电连 接；
依次形成半导体层、 栅绝缘层、 栅极和钝化层。
12. 根据权利要求 9至 11中任何一项所述的方法， 其中， 所述在衬底基 板上形成贯穿所述衬底基板的通孔包括：
在衬底基板的两侧表面分别依次进行光刻胶涂覆、 曝光、 显影操作， 从 而使所述衬底基板两侧表面分别形成光刻胶层， 所述光刻胶层在相应位置处 具有尺寸相同的孔状图样；
对所述衬底基板进行刻蚀， 并去除光刻胶， 形成垂直于该衬底基板表面 方向的通
13. 根据权利要求 12所述的方法， 其中， 在对所述衬底基板进行刻蚀之 前， 所述方法还包括：
在所述衬底基板表面添加氢氟酸溶液，然后再对所述衬底基板进行刻蚀。
14. 根据权利要求 9至 13中任何一项所述的方法， 其中， 所述在衬底基 板上形成贯穿所述衬底基板的通孔包括：
通过激光打孔的方式在所述衬底基板上形成贯穿该衬底基板的通孔。
15. 根据权利要求 9至 14中任何一项所述的方法， 其中， 所述在所述衬 底基板的另一侧形成 OLED器件， 并使所述 OLED器件与所述 TFT结构通 过所述导电桥连接包括：
在所述衬底基板表面形成阴电极， 并将所述阴电极通过所述通孔与所述 TFT结构相连接， 再依次形成发光片和阳电极； 或者， 在所述衬底基板表面形成阳电极， 并将所述阳电极通过所述通孔 与所述 TFT结构相连接， 再依次形成发光片和阴电极；
其中， 所述发光片的位置在垂直于所述衬底基板的方向上不与所述 TFT 结构重叠。
16. 一种显示装置， 其包括如权利要求 1至 8任一项所述的阵列基板。
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