CN101616518A - 有机电致发光装置 - Google Patents

有机电致发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101616518A
CN101616518A CN200810125784A CN200810125784A CN101616518A CN 101616518 A CN101616518 A CN 101616518A CN 200810125784 A CN200810125784 A CN 200810125784A CN 200810125784 A CN200810125784 A CN 200810125784A CN 101616518 A CN101616518 A CN 101616518A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic
electroluminescent device
organnic electroluminescent
light
look conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN200810125784A
Other languages
English (en)
Inventor
谢添寿
林晋声
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority to CN200810125784A priority Critical patent/CN101616518A/zh
Publication of CN101616518A publication Critical patent/CN101616518A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一有机电致发光装置,其中该电致发光装置包含一基底,具有一上表面及下表面;一下电极,形成于该基底的上表面;一有机发光单元,形成于该下电极之上;一上电极,形成于该有机发光单元之上;以及一有机色转换膜层,形成于该基底的下表面或该上电极之上,其中该有机色转换膜层包含一高固有量子效率的有机材料。

Description

有机电致发光装置
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光装置,特别是涉及一种具有有机色转换膜层的有机电致发光装置。
背景技术
为进一步符合市场对平面显示面板的需求,有机电致发光显示器(Organiclight emitting diode)被业界所研发出来,以期取代传统的液晶显示器。与液晶显示器不同,有机电致发光显示器所包含的有机发光二极管像素阵列具有自发光的特性,因此不需外加背光源。且其具有面发光的特征、高发光效率、广视角以及低驱动电压等优点,符合下一世代平面显示器的需求。
此外,一般预估有机电致发光元件的发光效率提升至100Lm/W以上,且演色性高于80以上时,即有机会取代一般照明光源。因此有机电致发光装置元件在效率与演色性的提升,将是有机电致发光元件在固态照明领域的重要课题。
近几年来虽然有机电致发光元件的寿命及效率有显著的提升,但是当白光有机电致发光装置的演色性大于80时,白光有机电致发光装置的效率一般都是低于20Lm/W。换句话说,当白光有机电致发光装置效率高于20Lm/W时,白光有机电致发光装置的演色性一般都是低于70以下。虽然磷光发光材料具有可以利用三重激发子能量的优势,因此以磷光发光材料制作白光有机电致发光装置元件,毫无疑问的可以提升元件的发光效率。然而为了达到高演色性,白光有机电致发光装置元件必须具有红、绿、蓝三波段光谱,在激发子能量分散的情况下,白光有机电致发光装置元件的效率提升不易。另外,以荧光发光材料加上磷光发光材料制作的白光有机电致发光装置元件,是利用主体(Host)被激发时,会产生25%单重激发子与75%三重激发子,然后将25%单重激发子能量传给荧光的蓝光材料,而75%三重激发子能量传给磷光的绿光及红光材料,由于主体的激发子有机会能够100%被运用,因而有可能达到100%的内部量子效率。
同样地为了达到高演色性,白光有机电致发光装置元件必须具有红、绿、蓝三波段光谱,在激发子能量分散的情况下,白光有机电致发光装置元件的效率不易提升。综合上述,若采用双波段白光有机电致发光装置元件则较容易获取高效率,但是演色性会相对的较差;若是采用三波段白光有机电致发光装置元件则较容易获高演色性,但是元件效率会相对的降低。
通用电子公司(General Electrical Company)提出使用利用蓝光与红光(或是蓝光与绿光)向下(bottom emission)穿过已涂上无机荧光粉的高分子聚合物膜层而获白光的光源。然而,由于无机荧光粉必须先均匀混在高分子聚合物溶液中,再涂布在玻璃表面,最后形成色转换膜层,因此在工艺上如同上述会较为繁琐与耗时。
此外,出光兴产(Idemistu Kosan)提出利用蓝色发光层所发出的蓝光通过色转换数组转换成红、绿、蓝色彩,但因转换材料易吸收相邻像素的光线而重新发光,造成严重的对比问题。
发明内容
本发明的所要解决的技术问题在于提供一种有机电致发光装置,利用有机的色转换材料作为提高有机电致发光装置演色性的光学元件,利用色转换材料吸收电致发光的短波长能量,将其转换成长波长光源,即可轻易改变原本有机电致发光元件光源频谱的分布范围与强度,在不降低有机电致发光元件原本的效率,并且无须增加驱动电力,就能提高演色性10%以上。
为了实现上述目的,根据本发明一较佳实施例,本发明提供一种有机电致发光装置,该有机电致发光装置包含一基底,具有一上表面及下表面;一下电极,形成于该基底的上表面;一有机发光单元,形成于该下电极之上;一上电极,形成于该有机发光单元之上;以及,一有机色转换膜层,形成于该基底的下表面或该上电极之上、或同时形成该基底的下表面及该上电极之上,其中该有机色转换膜层包含一高固有量子效率的有机材料,其中该高固有量子效率的有机材料其定义为在10-5M摩尔浓度的状况下能显现出超过70%量子效率。
而根据本发明其它较佳实施例,本发明所述的有机电致发光装置可为下发光、上发光、或双面发光的有机电致发光装置。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例所述的向下发光的有机电致发光装置的剖面结构图;
图2为本发明一较佳实施例所述的向上发光的有机电致发光装置的剖面结构图;
图3为本发明一较佳实施例所述的双面发光的有机电致发光装置的剖面结构图;
图4为本发明比较实施例1与实施例1所述的有机电致发光装置其强度与波长关系图;
图5为本发明比较实施例2与实施例2所述的有机电致发光装置其强度与波长关系图。
【主要元件符号说明】
10~向下发光有机电致发光装置;
11~上表面;
12~基板;
13~下表面;
14~下电极;
16~空穴注入层;
18~空穴传输层;
20~发光层;
22~电子传输层;
24~电子注入层;
26~有机发光单元;
28~上电极;
30~有机色转换膜层;
32~透明封装盖或阻障层;
50~向上发光有机电致发光装置;
100~双面发光有机电致发光装置。
具体实施方式
本发明采用有机色转换材料作为提高有机电致发光装置(尤其是双波段白光有机电致发光装置)的演色性,在向上发光型有机电致发光装置元件上,可在蒸镀完透明阴极电极材料后,直接蒸镀上有机色转换层材料;而在向下发光型有机电致发光装置元件上,可在元件封装完后于ITO玻璃的另一侧蒸镀上有机色转换层材料,利用色转换材料能够吸收电致发光的短波长能量,而将其转换成长波长光源,即可轻易改变原本双波段白光有机电致发光装置元件光源频谱的分布范围与强度,进而提升白光有机电致发光装置元件的演色性。值得注意的是,本发明所述的有机色转换膜层不需混掺高分子材料,可直接使用蒸镀方式成膜,大幅增加实用性。
请参照图1,显示本发明所述的一向下发光的有机电致发光装置10的剖面结构示意图,包括一基底12,该基底包含一上表面11及一下表面13。该基底为透明基板,例如玻璃、或是塑料基板。接着,一下电极14作为阳极形于该基板12的上表面11。该下电极14为透明电极、半透明金属电极或是复合电极,其材料可例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)、氧化锌(ZnO)或其结合,而其形成方式可为热蒸镀、溅射或电浆强化式化学气相沉积方式。
接着,一有机发光单元26形成于该阳极14之上。该有机发光单元26至少包含一发光层20(light emitting layer),且还可包含一空穴注入层16、一空穴传输层18、一电子传输层22、及一电子注入层24。该有机发光单元26的各膜层可分别为小分子有机电致发光材料或高分子有机电致发光材料,若为小分子有机发光二极管材料,可利用真空蒸镀方式形成有机发光二极管材料层;若为高分子有机发光二极管材料,则可使用旋转涂布、喷墨或网版印刷等方式形成有机发光二极管材料层。此外,该发光层26可包含一有机电致发光材料及一掺杂物(dopant),熟悉本技术的人员可视所使用的有机电致发光材料及所需的元件特性而改变所搭配的掺杂物的掺杂量。因此,掺杂物的掺杂量的多寡非关本发明的特征,非为限制本发明范围的依据。该有机电致发光材料可为荧光(fluorescence)发光材料。而在本发明的某些较佳实施例中,该有机电致发光材料也可为磷光(phosphorescence)发光材料。该有机发光单元26所发出的光色,必需能激发后续形成的该有机色转换膜层发出的对应的光,并与其混合成白光。
接着,形成一上电极作为阴极28形成于该有机发光单元26上(例如该电子注入层24之上),可为可注入电子于该有机发光单元的材料(经由该电子注入层24),例如为低功函数的材料,像是包含锂、镁、铜、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、上述金属所形成的叠层或上述金属所形成的合金,形成方法可例如为溅镀、电子束蒸镀、热蒸镀、或是化学气相沉积。
最后,在该基底12的下表面13(相对于上述结构的相反侧)形成一有机色转换膜层30。其中,该有机色转换膜层30包含至少一种高固有量子效率的有机材料或其叠层。该高固有量子效率的有机材料其定义为在10-5M摩尔浓度(溶于可溶解的有机溶剂内)的状况下显现出超过70%量子效率,举例来说,像是现有用来作为有机电致发光二极管的发光层掺杂材料(载流子俘获(carriertrapping)型掺杂材料或能量转移(energy transfer)型掺杂材料。在本发明的较佳实施例中,该有机色转换膜层30可为Rubrene(tetraphenylnaphthacene)、Coumarin 6(3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin)、C545t(2,3,6,7-Tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H,5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin)、DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran)、DCM2([2-methyl-6-[2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl]ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene)propane-dinitrile)、其任意的混合、或其任意的叠层。该有机色转换膜层30材料的选择,主要依据该有机发光单元26发出的光。该有机色转换膜层30可吸收该有机发光单元26发出的光,并激发出对应的光,并两相混合构成白光。值得注意的是,本发明所述的有机色转换膜层不包含高分子材料,可直接使用蒸镀方式成膜(该有机色转换膜层不包含不能使用蒸镀方式成膜的材料),因此不需通过混掺高分子材料来固料或成膜,除了大幅增加实用性外,也可避免所发出的光被高分子吸收,降低发光效率。
请参照图2,显示本发明所述的一向上发光的有机电致发光装置50的剖面结构示意图,包括一基底12,该基底包含一上表面11及一下表面13。该基底为透明基板,例如玻璃、或是塑料基板。接着,一下电极14作为阳极形于该基板12的上表面11。该下电极14的材料可例如为包含锂、镁、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、铜、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)、氧化锌(ZnO)、或其所形成的叠层或其结合,而其形成方式可为热蒸镀、溅射或电浆强化式化学气相沉积方式。
接着,一有机发光单元26形成于该下电极14之上。该有机发光单元26至少包含一发光层20(light emitting layer),且还可包含一空穴注入层16、一空穴传输层18、一电子传输层22、及一电子注入层24。该有机发光单元26的各膜层可分别为小分子有机电致发光材料或高分子有机电致发光材料,若为小分子有机发光二极管材料,可利用真空蒸镀方式形成有机发光二极管材料层;若为高分子有机发光二极管材料,则可使用旋转涂布、喷墨或网版印刷等方式形成有机发光二极管材料层。此外,该发光层26可包含一有机电致发光材料及一掺杂物(dopant),熟悉本技术的人员可视所使用的有机电致发光材料及所需的元件特性而改变所搭配的掺杂物的掺杂量。因此,掺杂物的掺杂量的多寡非关本发明的特征,非为限制本发明范围的依据。该有机电致发光材料可为荧光(fluorescence)发光材料。而在本发明的某些较佳实施例中,该有机电致发光材料也可为磷光(phosphorescence)发光材料。该有机发光单元26所发出的光色,必需能激发后续形成的该有机色转换膜层发出的对应的光,并与其混合成白光。
接着,形成一上电极28作为阴极形成于该有机发光单元26上(例如该电子注入层24之上),为一透明或半透明电极,包含锂、镁、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、铜、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)、氧化锌(ZnO)、或其所形成的叠层,形成方法可例如为溅镀、电子束蒸镀、热蒸镀、或是化学气相沉积。
接着,于该上电极28之上形成一有机色转换膜层30。其中,该有机色转换膜层30包含至少一种高固有量子效率的有机材料或其叠层。该高固有量子效率的有机材料其定义为在10-5M摩尔浓度的状况下显现出超过70%量子效率,举例来说,像是现有用来作为有机电致发光二极管的发光层掺杂材料(载流子俘获(carrier trapping)型掺杂材料或能量传移(energy transfer)型掺杂材料。该有机色转换膜层的膜厚介于1至100nm。在本发明的较佳实施例中,该有机色转换膜层30可为Rubrene(tetraphenylnaphthacene)、Coumarin 6(3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin)、C545t(2,3,6,7-Tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H,5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin)、DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran)、DCM2([2-methyl-6-[2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl]ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene)propane-dinitrile)、其任意的混合、或其任意的叠层。该有机色转换膜层30材料的选择,主要依据该有机发光单元26发出的光。该有机色转换膜层30可吸收该有机发光单元26发出的光,并激发出对应的光,并两相混合构成白光。
最后,利用一透明封装盖(或一透明的阻障层)32于该有机色转换膜层30之上,用以保护及封装上述结构。
请参照图3,显示本发明所述的一双面发光的有机电致发光装置100的剖面结构示意图,包括一基底12,该基底包含一上表面11及一下表面13。该基底为透明基板,例如玻璃、或是塑料基板。接着,一下电极14作为阳极形于该基板12的上表面11。该下电极14为透明电极、半透明金属电极或是复合电极,其材料可例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)、氧化锌(ZnO)或其结合,而其形成方式可为热蒸镀、溅射或等离子体强化式化学气相沉积方式。
接着,一有机发光单元26形成于该阳极14之上。该有机发光单元26至少包含一发光层20(light emitting layer),且还可包含一空穴注入层16、一空穴传输层18、一电子传输层22、及一电子注入层24。该有机发光单元26的各膜层可分别为小分子有机电致发光材料或高分子有机电致发光材料,若为小分子有机发光二极管材料,可利用真空蒸镀方式形成有机发光二极管材料层;若为高分子有机发光二极管材料,则可使用旋转涂布、喷墨或网版印刷等方式形成有机发光二极管材料层。此外,该发光层26可包含一有机电致发光材料及一掺杂物(dopant),熟悉本技术的人员可视所使用的有机电致发光材料及所需的元件特性而改变所搭配的掺杂物的掺杂量。因此,掺杂物的掺杂量的多寡非关本发明的特征,非为限制本发明范围的依据。该有机电致发光材料可为荧光(fluorescence)发光材料。而在本发明的某些较佳实施例中,该有机电致发光材料也可为磷光(phosphorescence)发光材料。该有机发光单元26所发出的光色,必需能激发后续形成的该有机色转换膜层发出的对应的光,并与其混合成白光。
接着,形成一上电极作为阴极28形成于该有机发光单元26上(例如该电子注入层24之上),为一透明或半透明电极,包含锂、镁、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、铜、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)、氧化锌(ZnO)、或其所形成的叠层,形成方法可例如为溅镀、电子束蒸镀、热蒸镀、或是化学气相沉积。
接着,在该上电极28之上以及该基底12的下表面13(相对于上述结构的相反侧)各形成一有机色转换膜层30。其中,该有机色转换膜层30包含至少一种高固有量子效率的有机材料或其叠层。该高固有量子效率的有机材料其定义为在10-5M摩尔浓度的状况下显现出超过70%量子效率,举例来说,像是现有用来作为有机电致发光二极管的发光层掺杂材料(载流子俘获(carrier trapping)型掺杂材料或能量转移(energy transfer)型掺杂材料。在本发明的较佳实施例中,该有机色转换膜层30可为Rubrene(tetraphenylnaphthacene)、Coumarin6(3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin)、C545t(2,3,6,7-Tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H,5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin)、DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-etramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran)、DCM2([2-methyl-6-[2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl]ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene)propane-dinitrile)、其任意的混合、或其任意的叠层。该有机色转换膜层30材料的选择,主要依据该有机发光单元26发出的光。该有机色转换膜层30可吸收该有机发光单元26发出的光,并激发出对应的光,并两相混合构成白光。该两有机色转换膜层30其材料可视需要选用,可为相同或不同的材料或叠层。
最后,利用一透明封装盖(或一透明的阻障层)32于上电极28之上的该有机色转换膜层30之上,用以保护及封装上述结构。
以下通过下列实施例及比较实施例来说明本发明所述具有有机色转换膜层的有机电致发光装置,用以进一步阐明本发明的技术特征。
有机电致发光二极管的制备
比较实施例1:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡将已制作图样的ITO玻璃基底洗净。以氮气将基材吹干,然后UV-OZONE 30分钟,接着于10-6torr的压力下依序沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层(1)及(2)、空穴阻挡层、电子传输层、透明电极(1)及(2)于该基底上,封装后获得该电致发光装置(1)。以下列出各层的材料及厚度。
阳极:厚度为150nm,材料为氧化铟锡(ITO)。
空穴注入层:厚度为10nm,材料为CuPc(copper phthalocyanine)。
空穴传输层:厚度为40nm,材料为NPB(N,N′-di-1-naphthyl-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)。
发光层(1):厚度为70nm,材料为CzSi(9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)掺杂Firpic(Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium),CzSi与Firpic膜厚比率为100∶8。
发光层(2):厚度为30nm,材料为CzSi(9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)掺杂PO-01(thieno-pyridine frameworkorgano-iridium complexes),CzSi与PO-01膜厚比率为100∶8。
空穴阻挡层:厚度为30nm,材料为Bphen。
电子传输层:厚度为20nm,材料为Bphen掺杂Cs2CO3(Cesium Carbonate)。
透明电极(1):厚度为3nm,材料为Al。
透明电极(2):厚度为20nm,材料为Ag。
接着,以PR650及Minolta LS110测量该电致发光装置(1)的光学特性。请参照图4,显示该电致发光装置(1)的强度与发光波长的关系。
实施例1:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡将已制作图样的ITO玻璃基底洗净。以氮气将基材吹干,然后UV-OZONE 30分钟,接着于10-6torr的压力下依序沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层(1)及(2)、空穴阻挡层、电子传输层、透明电极、有机色转换膜层于该基底上,封装后获得该电致发光装置(2)。以下列出各层的材料及厚度。
阳极:厚度为150nm,材料为氧化铟锡(ITO)。
空穴注入层:厚度为10nm,材料为CuPc(copper phthalocyanine)。
空穴传输层:厚度为40nm,材料为NPB(N,N′-di-1-naphthyl-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)。
发光层(1):厚度为70nm,材料为CzSi(9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)掺杂Firpic(Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium),CzSi与Firpic膜厚比率为100∶8。
发光层(2):厚度为30nm,材料为CzSi(9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)掺杂PO-01(thieno-pyridine frameworkorgano-iridium complexes),CzSi与PO-01膜厚比率为100∶8。
空穴阻挡层:厚度为30nm,材料为Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)。
电子传输层:厚度为20nm,材料为Bphen掺杂Cs2CO3(Cesium Carbonate)。
透明电极(1):厚度为3nm,材料为Al。
透明电极(2):厚度为20nm,材料为Ag。
有机色转换膜层:由C545t(2,3,6,7-Tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H,5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin)10nm与DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran)20nm所构成。
接着,以PR650及Minolta LS110测量该电致发光装置(2)的光学特性。请参照图4,显示该电致发光装置(2)的强度与发光波长的关系。与比较施例1所得的电致发光装置(1)所得的强度与发光波长的关系图相比,可明显发现位在波长600nm以上的峰明显增强,且其演色性则从65增加到74,演色性提升14%。
比较实施例2:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡将已制作图样的ITO玻璃基底洗净。以氮气将基材吹干,然后UV-OZONE 30分钟,接着于10-6torr的压力下依序沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层(1)及(2)、空穴阻挡层、电子传输层、金属电极于该基底上,封装后获得该电致发光装置(3)。以下列出各层的材料及厚度。
阳极:厚度为150nm,材料为氧化铟锡(ITO)。
空穴注入层:厚度为10nm,材料为CuPc(copper phthalocyanine)。
空穴传输层:厚度为40nm,材料为NPB(N,N′-di-1-naphthyl-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)。
发光层(1):厚度为70nm,材料为CzSi(9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)掺杂Firpic(Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium),CzSi与Firpic膜厚比率为100∶8。
发光层(2):厚度为30nm,材料为CzSi(9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)掺杂PO-01(thieno-pyridine frameworkorgano-iridium complexes),CzSi与PO-01膜厚比率为100∶8。
空穴阻挡层:厚度为30nm,材料为Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)。
电子传输层:厚度为20nm,材料为Bphen掺杂Cs2CO3(Cesium Carbonate)。
金属电极:厚度为100nm,材料为Al。
接着,以PR650及Minolta LS110测量该电致发光装置(3)的光学特性。请参照图5,显示该电致发光装置(3)的强度与发光波长的关系。
实施例2:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡将已制作图样的ITO玻璃基底洗净。以氮气将基材吹干,然后UV-OZONE 30分钟,接着于10-6torr的压力下依序沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层(1)及(2)、空穴阻挡层、电子传输层、金属电极于该基底上,封装后获致该电致发光装置(4),接着于10-6torr的压力下,在ITO玻璃基底的下表面(相对于上述结构的相反侧)形成一有机色转换膜层。以下系列出各层的材料及厚度。
阳极:厚度为150nm,材料为氧化铟锡(ITO)。
空穴注入层:厚度为10nm,材料为CuPc(copper phthalocyanine)。
空穴传输层:厚度为40nm,材料为NPB(N,N′-di-1-naphthyl-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)。
发光层(1):厚度为70nm,材料为CzSi(9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)掺杂Firpic(Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium),CzSi与Firpic膜厚比率为100∶8。
发光层(2):厚度为30nm,材料为CzSi(9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole)掺杂PO-01(thieno-pyridine frameworkorgano-iridium complexes),CzSi与PO-01膜厚比率为100∶8。
空穴阻挡层:厚度为30nm,材料为Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)。
电子传递层:厚度为20nm,材料为Bphen掺杂Cs2CO3(Cesium Carbonate)。
金属电极:厚度为100nm,材料为Al。
有机色转换膜层:由C545t(2,3,6,7-Tetrahydro-1,1,7,7,-
tetramethyl-1H,5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,
1gh]coumarin)10nm与DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-
butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin 4-yl-vinyl)-4H-pyran)20nm所构成。
接着,以PR650及Minolta LS110测量该电致发光装置(4)的光学特性。请参照图5,显示该电致发光装置(4)的强度与发光波长的关系。与比较施例2所得的电致发光装置(3)所得之强度与发光波长的关系图相比,可明显发现位在波长600nm以上的峰明显增强,且其演色性则从66增加到76,演色性提升15%。
当然,本发明还可有其他多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变型,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (24)

1、一种有机电致发光装置,其特征在于,包含:
一基底,具有一上表面及下表面;
一下电极,形成于该基底的上表面;
一有机发光单元,形成于该下电极之上;
一上电极,形成于该有机发光单元之上;以及
一有机色转换膜层,形成于该基底的下表面、或该上电极之上、或同时形成该基底的下表面及该上电极之上,
其中该有机色转换膜层包含一高固有量子效率的有机材料,其中该高固有量子效率的有机材料其定义为在10-5M摩尔浓度的状况下显现出超过70%量子效率。
2、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机色转换膜层不包含高分子材料。
3、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机色转换膜层以蒸镀方式形成。
4、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机色转换膜层不包含不能使用蒸镀方式成膜的材料。
5、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机色转换膜层的膜厚介于1至100nm。
6、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该高固有量子效率的有机材料为载流子俘获型掺杂材料。
7、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该高固有量子效率的有机材料为能量转移型掺杂材料。
8、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该高固有量子效率的有机材料为Rubrene(tetraphenylnaphthacene)、Coumarin 6(3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin)、C545t(2,3,6,7-Tetrahydro-1,1,7,7,-tetramethyl-1H,5H,11H-10-(2-benzothiazolyl)quinolizino-[9,9a,1gh]coumarin)、DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran)、DCM2([2-methyl-6-[2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl]ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene)propane-dinitrile)、上述材料的混合、或上述材料的叠层。
9、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该基板为玻璃、或是塑料基板。
10、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机发光单元包含小分子有机电致发光材料、高分子有机电致发光材料、或是其叠层。
11、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,当提供一驱动电压给该有机电致发光装置时,其中该有机发光单元所发出的光及透过该有机色转换膜层所发出的光,混合成白光。
12、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机电致发光装置为一下发光有机电致发光装置。
13、根据权利要求12所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机色转换膜层形成于该基底的下表面。
14、根据权利要求12所述的有机电致发光装置,其特征在于,该下电极为一透明电极,包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌铝氧化物或是氧化锌。
15、根据权利要求12所述的有机电致发光装置,其特征在于,该下电极包含锂、镁、铜、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、上述金属所形成的叠层、或上述金属所形成的合金。
16、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机电致发光装置为一上发光有机电致发光装置。
17、根据权利要求16所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机色转换膜层形成于该上电极之上。
18、根据权利要求16所述的有机电致发光装置,其特征在于,还包含一透明封装盖或一透明的阻障层于该有机色转换膜层之上。
19、根据权利要求16所述的有机电致发光装置,其特征在于,该上电极为一透明电极,包含锂、镁、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、铜、铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌铝氧化物、氧化锌、或其所形成的叠层。
20、根据权利要求16所述的有机电致发光装置,其特征在于,该下电极包含锂、镁、铜、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、上述金属所形成的叠层、或上述金属所形成的合金。
21、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,该有机电致发光装置为一双面发光有机电致发光装置。
22、根据权利要求21所述的有机电致发光装置,其特征在于,该双面发光有机电致发光装置具有两层色转换膜层,一层形成于该基底的下表面之上,另一层形成于该上电极之上。
23、根据权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,还包含一透明封装盖或一透明的阻障层于该形成于该上电极之上的有机色转换膜层上。
24、根据权利要求21所述的有机电致发光装置,其特征在于,该上电极及下电极皆为透明电极。
CN200810125784A 2008-06-25 2008-06-25 有机电致发光装置 Pending CN101616518A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810125784A CN101616518A (zh) 2008-06-25 2008-06-25 有机电致发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810125784A CN101616518A (zh) 2008-06-25 2008-06-25 有机电致发光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101616518A true CN101616518A (zh) 2009-12-30

Family

ID=41495817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810125784A Pending CN101616518A (zh) 2008-06-25 2008-06-25 有机电致发光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101616518A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709484A (zh) * 2012-06-03 2012-10-03 南京师范大学 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
CN103715228A (zh) * 2013-12-26 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709484A (zh) * 2012-06-03 2012-10-03 南京师范大学 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
CN103715228A (zh) * 2013-12-26 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN103715228B (zh) * 2013-12-26 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US10164217B2 (en) 2013-12-26 2018-12-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of manufacturing array substrate having OLED connected to TFT substrate with a conductive bridge

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kalyani et al. Novel materials for fabrication and encapsulation of OLEDs
CN102239580B (zh) 发射辐射的装置
CN101237731A (zh) 有机电致发光器件
CN103413895A (zh) 有机发光二极管元件
CN102651454B (zh) 一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法
CN102484921A (zh) 有机电致发光元件
KR20100073417A (ko) 유기전계발광소자
CN102891262A (zh) 叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN103872068B (zh) 一种可变色发光元件、像素结构及显示装置
Lu et al. Solution-processable tandem solid-state light-emitting electrochemical cells
CN107331782B (zh) 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN109802047A (zh) 一种基于红外波段的有机发光器件及其制备方法
CN203085547U (zh) 一种可变色发光元件、像素结构及显示装置
CN107195793A (zh) 一种白光有机电致发光器件和相应的显示面板
CN105070845A (zh) 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN106008574B (zh) 一种用作有机电致磷光器件主体材料和热致延迟荧光材料的多功能化三芳基硼衍生物
CN102931357A (zh) 双发射层半球壳状有机电致发光器件及其制备方法
KR101777124B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
CN101616518A (zh) 有机电致发光装置
CN109768178B (zh) 有机电致发光器件、显示基板、显示装置
KR100862068B1 (ko) 단일 청색 호스트에 선택적 도핑 기법을 적용한 백색유기발광소자
CN107026242B (zh) 一种深蓝光有机铱(ⅲ)配合物oled器件
CN112467058B (zh) 一种三元激基复合物复合材料主体及其oled器件制备
CN101989646B (zh) 一种柔性无源有机电致发光器件及其制备方法
CN100364139C (zh) 红光稀土有机配合物电致发光器件的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20091230