CN105070845A - 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 - Google Patents
一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105070845A CN105070845A CN201510425486.8A CN201510425486A CN105070845A CN 105070845 A CN105070845 A CN 105070845A CN 201510425486 A CN201510425486 A CN 201510425486A CN 105070845 A CN105070845 A CN 105070845A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- organic electroluminescence
- hole transmission
- electroluminescence device
- interface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 91
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 118
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 96
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 22
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 19
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 15
- -1 12-tetraphenyl Chemical group 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 150000005360 2-phenylpyridines Chemical class 0.000 claims description 6
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 4
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 claims description 3
- VOIVTTPPKHORBL-UHFFFAOYSA-N 1-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 VOIVTTPPKHORBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HSEVUSRQUCWDNF-UHFFFAOYSA-N NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)CN)C=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical class NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)CN)C=C1)C1=CC=CC=C1 HSEVUSRQUCWDNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 claims description 3
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 claims description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000035126 Facies Diseases 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够提高有机电致发光器件的发光效率。本发明公开的有机电致发光器件包括空穴传输层和发光层,以及位于所述空穴传输层和所述发光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDevice,简称OLED)是一种利用电激发荧光体或磷光体有机化合物来发光的器件。有机电致发光器件因其具有自发光、全固态、宽视角、响应快等诸多优点,在显示领域中有着巨大的应用前景。
在已有的有机电致发光器件中,有机电致发光器件通常包括依次层叠设置的基板、底电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和顶电极;其中,空穴传输层的材料为溶液型材料,即空穴传输层通过溶液制程的方式形成;发光层的材料为蒸镀型材料,即发光层通过真空蒸镀的方式形成。
然而,本申请发明人在研发过程中发现,能够用于通过溶液制程的方式形成空穴传输层的材料的能级和发光层的能级匹配性较差,使得空穴传输层中的空穴载流子较难进入发光层中,从而导致有机电致发光器件的发光效率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件,用于提高有机电致发光器件的发光效率。
为了实现上述目的,本发明的实施例提供如下技术方案:
一种有机电致发光器件,包括空穴传输层和发光层,有机电致发光器件还包括位于所述空穴传输层和所述发光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。
进一步的,所述空穴传输层的材料包括溶液型材料,所述发光层的材料包括蒸镀型材料,所述界面修饰层的具有空穴传输能力的材料包括的蒸镀型材料。
具体地,所述界面修饰层的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(2-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,4,4-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺],或,N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺。
具体地,所述空穴传输层的材料包括:聚3,4-乙撑二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物,或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯;
所述发光层的材料包括用于发蓝光的发光层、用于发红光的发光层或用于发绿光的发光层;
其中,
所述用于发蓝光的发光层的主体材料包括:3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽,或,9,10-双(1-萘基)蒽,或,4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯,或,1,3,6,8-四(苯)芘,或,9,9'-螺二芴,或,4,4’-二(9-咔唑)联苯,或,3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯;
所述用于发蓝光的发光层的客体材料包括:2,5,8,11-四叔丁基苝,或,4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯,或,4,4'-[1,4-亚苯基二-(1E)-2,1-乙烯二基]二[N,N-二苯基苯胺];
所述用于发蓝光的发光层中主体材料的百分比为99~93%,客体材料的百分比为1~7%。
所述用于发红光的发光层的材料包括:4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)。
所述用于发绿光的发光层的材料包括:1,3,5-三(溴甲基)苯掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三(2-苯基吡啶)合铱,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三(2-苯基吡啶)合铱。
进一步地,所述有机电致发光器件还包括:空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的一层或多层。
进一步地,所述界面修饰层的厚度为0.5-5nm。
具体地,所述界面修饰层的厚度为1nm。
进一步地,所述有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极反射光线,所述底电极透射光线。
进一步地,所述有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极透射光线,所述底电极反射光线。
本发明的实施例提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件包括空穴传输层和发光层,以及位于空穴传输层和发光层之间的界面修饰层,由于界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间,从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴载流子容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
此外,本发明的实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括以上任一项所述的有机电致发光器件。
此外,本发明的实施例还提供了一种有机电致发光器件的制作方法,采用如下技术方案:
一种有机电致发光器件的制作方法包括:提供基板,并形成空穴传输层;
在所述空穴传输层远离所述基板的一侧形成界面修饰层;
在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧形成发光层;
其中,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。
进一步地,所述形成空穴传输层的步骤包括:
通过涂布的方式,在所述基板上形成一层具有空穴传输能力的材料,烘干后形成所述空穴传输层;
所述在所述空穴传输层远离所述基板的一侧形成界面修饰层的步骤包括:
在所述空穴传输层远离所述基板的一侧上,通过真空蒸镀的方式,形成所述界面修饰层;
所述在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧形成发光层的步骤包括:
在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成所述发光层。
具体地,通过真空蒸镀的方式,形成所述界面修饰层时,蒸发速率为0.01~0.1nm/s。
本发明提供了一种有机电致发光器件的制作方法,该制作方法包括:提供基板,并形成空穴传输层;在形成的空穴传输层远离所述基板的一侧,形成界面修饰层;在形成的界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧,形成发光层,由于界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间,从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴载流子容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的第一种有机电致发光器件的结构示意图;
图2为本发明实施例中的第二种有机电致发光器件的结构示意图;
图3为本发明实施例中的有机电致发光器件的制作流程图。
附图标记说明:
1—空穴传输层;2—界面修饰层;3—发光层;
4—基板;5—底电极;6—空穴注入层;
7—电子传输层;8—电子注入层;9—顶电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例提供了一种有机电致发光器件,具体地,如图1所示,该有机电致发光器件包括空穴传输层1、发光层3以及位于空穴传输层1和发光层3之间的界面修饰层2,界面修饰层2的材料为具有空穴传输能力的材料,即界面修饰层2能够传输空穴载流子,且界面修饰层2的能级介于空穴传输层1的能级和发光层3的能级之间,从而使得界面修饰层2与空穴传输层1和发光层3之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层1中的空穴载流子容易进入发光层3中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
本发明实施例中,空穴传输层1的材料包括溶液型材料,即空穴传输层1通过溶液制程的方式形成,发光层3的材料包括蒸镀型材料,即发光层3通过真空蒸镀的方式形成,由于空穴传输层1通过溶液制程的方式形成,从而使得空穴传输层1的表面较粗糙,为了改善接触界面的粗糙度,从而进一步提高有机电致发光器件的发光效率,本发明实施例中优选界面修饰层2的具有空穴传输能力的材料包括蒸镀型材料,即界面修饰层2为通过对具有空穴传输能力的材料进行真空蒸镀形成的。
示例性地,界面修饰层2的材料包括:N,N'-二苯基-N,N'-二(2-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,4,4-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺],或,N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺。需要说明的是,本发明中,“或”前边为一种材料,“或”后边为另一种材料。
空穴传输层1的材料包括:聚3,4-乙撑二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物,或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯。
发光层3的材料包括用于发蓝光的发光层、用于发红光的发光层或用于发绿光的发光层。
其中,用于发蓝光的发光层3的主体材料包括:3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽,或,9,10-双(1-萘基)蒽,或,4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯,或,1,3,6,8-四(苯)芘,或,9,9'-螺二芴,或,4,4’-二(9-咔唑)联苯,或,3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯;
所述用于发蓝光的发光层3的客体材料包括:2,5,8,11-四叔丁基苝,或,4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯,或,4,4'-[1,4-亚苯基二-(1E)-2,1-乙烯二基]二[N,N-二苯基苯胺];
其中,用于发蓝光的发光层3中主体材料的百分比为93~99%,客体材料的百分比为1~7%。
用于发红光的发光层3的材料包括:4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)。
用于发绿光的发光层3的材料包括:1,3,5-三(溴甲基)苯掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三(2-苯基吡啶)合铱,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三(2-苯基吡啶)合铱。
本实施例中所述有机电致发光器件还包括空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。有机电致发光器件工作时,电子通过顶电极或底电极注入电子传输层、再由电子传输层进入发光层3;空穴载流子通过空穴注入层、空穴传输层、界面修饰层2进入发光层3。电子和空穴载流子驱动发光层3发光。
为了使空穴传输层1中的空穴载流子容易穿过界面修饰层2进入发光层3中,界面修饰层2的厚度应较小,本发明实施例中界面修饰层2的厚度为0.5-5nm。进一步地,界面修饰层2的厚度优选为1nm,从而能够在使得空穴传输层1中的空穴容易穿过界面修饰层2进入发光层3中的同时,起到改善接触界面粗糙度的作用。
本发明实施例中所述的有机电致发光器件可以为底发射有机电致发光器件或者顶发射有机电致发光器件。为了便于本领域技术人员理解,下面结合图1、图2对底发射有机电致发光器件和顶发射有机电致发光器件进行详细描述。
当有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件时,如图1所示,该有机电致发光器件还包括设置于发光层3远离界面修饰层2一侧的顶电极9,以及设置于空穴传输层1远离界面修饰层2一侧的底电极5和基板4,其中,顶电极9反射光线,底电极5透射光线,光线从底电极5射出有机电致发光器件。
进一步地,为了提高有机电致发光器件的发光效率,如图1所示,本发明实施例中的有机电致发光器件还包括空穴注入层6、电子传输层7和电子注入层8,具体地,基板4、底电极5、空穴注入层6、空穴传输层1、界面修饰层2、发光层3、电子传输层7、电子注入层8和顶电极9依次层叠设置。
示例性地,形成空穴传输层1的材料如上所述,空穴传输层1的厚度为20nm。
形成界面修饰层2的材料如上所述,界面修饰层2的厚度为1nm。
用于形成发蓝光的发光层3的材料如上所述,发光层3的厚度为20nm。
基板4为透明的玻璃基板。
底电极5的材料包括氧化铟锡,具体地,底电极5为位于基板4上的氧化铟锡薄膜,氧化铟锡薄膜的面电阻小于30Ω/□,氧化铟锡薄膜的厚度为70nm。顶电极9的材料为铝(Al),顶电极9的厚度为120nm。
形成空穴注入层6的材料为:聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS),或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯,空穴注入层6的厚度为25nm。
形成电子传输层7的材料为:4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲,或,2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉,或,4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(Bphen),或,2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲,或,8-羟基喹啉铝,或,8-羟基喹啉-锂,电子传输层7的厚度为20nm。
形成电子注入层8的材料为:氟化锂(LiF),或,8-羟基喹啉-锂,电子注入层8的厚度为1nm。
该有机电致发光器件的发光面积为2mm×2mm。
当有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件时,如图2所示,该有机电致发光器件还包括设置于发光层3远离界面修饰层2一侧的顶电极9,以及设置于空穴传输层1远离界面修饰层2一侧的底电极5和基板4,其中,顶电极9透射光线,底电极5反射光线,光线从顶电极9射出有机电致发光器件。示例性地,底电极5可以只包括一层膜层,该膜层在导电的同时反射光线,底电极5也可以包括两层膜层,其中一层膜层导电,另一层膜层反射光线,该反射光线的膜层靠近基板4设置。
进一步地,为了提高有机电致发光器件的发光效率,如图2所示,本发明实施例中的有机电致发光器件还包括空穴注入层6、电子传输层7和电子注入层8,具体地,基板4、底电极5、空穴注入层6、空穴传输层1、界面修饰层2、发光层3、电子传输层7、电子注入层8和顶电极9依次层叠设置。
需要说明的是,图2所示的顶发射有机电致发光器件中的空穴传输层1、界面修饰层2、发光层3、基板4、空穴注入层6、电子传输层7、电子注入层8的材料和厚度可以与图1所示的底发射有机电致发光器件相同,本发明实施例不再一一赘述。图2所示的顶发射有机电致发光器件中的顶电极9为透明的氧化铟锌薄膜,底电极5包括两层膜层,一层膜层为导电的氧化铟锡(ITO)薄膜,另一层膜层为银(Ag)或铝(Al)等形成的反射光线的膜层。进一步地,为了便于本领域技术人员更直观的认识本发明实施例中所述的有机电致发光器件的优势,本发明实施例提供了一组本发明实施例中的有机电致发光器件(简称器件A)与现有技术中的有机电致发光器件(简称器件B),在发光亮度为1000nits时测试所得的发光效率的对比数据,具体见表1。其中,器件A为图1所示的有机电致发光器件,器件B与器件A的区别仅在于未设置有厚度为1nm的界面修饰层2。
表1
器件名称 | 电压(V) | 电流效率(Cd/A) | 外部量子效率(%) |
器件A | 3.3 | 3.4 | 4.3 |
器件B | 3.3 | 4.6 | 6.1 |
由表1中数据可知,本发明实施例中的有机电致发光器件的发光效率明显高于现有技术中的有机电致发光器件。
本发明提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件包括空穴传输层和发光层,以及位于空穴传输层和发光层之间的界面修饰层,由于界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间,从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴载流子容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
此外,本发明还提供了一种显示装置,该显示装置包括以上任一项有机电致发光器件。该显示装置包括:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置中的有机电致发光器件的优势与上述实施例中的有机电致发光器件的优势相同,本发明实施例不再赘述。由于该有机电致发光器件具有如上优势,从而使得包括该有机电致发光器件的显示装置的发光效率较高。
实施例二
此外,本发明实施例提供了一种用于制作实施例一中所述的有机电致发光器件的制作方法,具体地,如图3所示,该有机电致发光器件的制作方法包括:
步骤S301、提供基板,并形成空穴传输层。
步骤S302、在空穴传输层远离基板的一侧形成界面修饰层。
步骤S303、在界面修饰层远离空穴传输层的一侧形成发光层。
其中,界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间。
由于采用上述方法制作的机电致发光器件包括位于空穴传输层和发光层之间的界面修饰层,且界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间,从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴载流子容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
可选地,上述形成空穴传输层的步骤包括:通过涂布的方式,在基板上形成一层具有空穴传输能力的材料,烘干后形成空穴传输层。
示例性地,在基板上形成空穴传输层之前,需要对基板进行前期处理,示例性地,该前期处理包括:
首先,对带有氧化铟锡薄膜的透明的玻璃基板进行光刻,以在基板上形成底电极的图案;然后,将基板依次在去离子水、丙酮和无水乙醇中超声清洗,用氮气(N2)吹干,并对基板进行氧气(O2)等离子体处理,以清洁基板表面,并改变氧化铟锡的功函数,使空穴更好注入至空穴传输层,提高有机电致发光器件的发光效率;最后,将基板放置于旋涂机上,涂布一层用于形成空穴注入层的材料,烘干后形成空穴注入层。
上述前期处理结束后,将基板放置于旋涂机上,涂布一层用于形成空穴传输层的材料,烘干后形成空穴传输层。
进一步地,在空穴传输层远离基板的一侧形成界面修饰层的步骤包括:在空穴传输层远离基板的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成界面修饰层。
示例性地,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成界面修饰层。
为了避免蒸镀时间过长,且能够使形成的界面修饰层的粗糙度较小,本发明实施例中优选,通过真空蒸镀的方式,形成界面修饰层时,蒸发速率为0.01-0.1nm/s,进一步优选为0.05nm/s。
进一步地,在界面修饰层远离空穴传输层的一侧形成发光层的步骤包括:在形成了界面修饰层远离空穴传输层的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成发光层。
示例性地,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成发光层。
进一步地,本发明实施例中的有机电致发光器件的制作方法还包括:
在形成发光层后,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成电子传输层。
在形成电子传输层后,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成电子注入层。
在形成电子注入层后,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成顶电极。
需要说明的是,在上述真空蒸镀过程中,只有真空蒸镀铝(Al)以形成顶电极时采用金属掩膜板,真空蒸镀形成其他膜层时均使用开口掩膜板即可,从而使得该有机电致发光器件的制作成本较低。此外,在上述真空蒸镀过程中,真空蒸镀铝(Al)以形成顶电极时的蒸发速率为0.5nm/s,真空蒸镀形成界面修饰层时的蒸发速率为0.01~0.1nm/s,真空蒸镀形成其他膜层时的蒸发速率均为0.1nm/s。
本发明提供了一种有机电致发光器件的制作方法,该制作方法包括:提供基板,并形成空穴传输层;在形成的空穴传输层远离基板的一侧,形成界面修饰层;在形成的界面修饰层远离空穴传输层的一侧,形成发光层。由于形成界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间。从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (16)
1.一种有机电致发光器件,包括空穴传输层和发光层,其特征在于,还包括位于所述空穴传输层和所述发光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材料包括溶液型材料,所述发光层的材料包括蒸镀型材料,所述界面修饰层的具有空穴传输能力的材料包括蒸镀型材料。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述界面修饰层的材料包括:N,N'-二苯基-N,N'-二(2-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,4,4-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺],或,N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材料包括:聚3,4-乙撑二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物,或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯;
所述发光层的材料包括用于发蓝光的发光层、用于发红光的发光层或用于发绿光的发光层。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述用于发蓝光的发光层的主体材料包括:3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽,或,9,10-双(1-萘基)蒽,或,4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯,或,1,3,6,8-四(苯)芘,或,9,9'-螺二芴,或,4,4’-二(9-咔唑)联苯,或,3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯;
所述用于发蓝光的发光层的客体材料包括:2,5,8,11-四叔丁基苝,或,4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯,或,4,4'-[1,4-亚苯基二-(1E)-2,1-乙烯二基]二[N,N-二苯基苯胺];
所述用于发蓝光的发光层中主体材料的百分比为93~99%,客体材料的百分比为1~7%。
6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述用于发红光的发光层的材料包括:4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)。
7.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述用于发绿光的发光层的材料包括:1,3,5-三(溴甲基)苯掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三(2-苯基吡啶)合铱,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三(2-苯基吡啶)合铱。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,还包括:空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的一层或多层。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述界面修饰层的厚度为0.5-5nm。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述界面修饰层的厚度为1nm。
11.根据权利要求1-10任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极反射光线,所述底电极透射光线。
12.根据权利要求1-10任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极透射光线,所述底电极反射光线。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-12任一项所述的有机电致发光器件。
14.一种有机电致发光器件的制作方法,其特征在于,包括:提供基板,并形成空穴传输层;
在所述空穴传输层远离所述基板的一侧形成界面修饰层;
在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧形成发光层;
其中,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。
15.根据权利要求14所述的有机电致发光器件的制作方法,其特征在于,
所述形成空穴传输层的步骤包括:
通过涂布的方式,在所述基板上形成一层具有空穴传输能力的材料,烘干后形成所述空穴传输层;
所述在所述空穴传输层远离所述基板的一侧形成界面修饰层的步骤包括:
在所述空穴传输层远离所述基板的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成所述界面修饰层;
所述在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧形成发光层的步骤包括:
在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成所述发光层。
16.根据权利要求15所述的有机电致发光器件的制作方法,其特征在于,
通过真空蒸镀的方式,形成所述界面修饰层时,蒸发速率为0.01~0.1nm/s。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510425486.8A CN105070845B (zh) | 2015-07-17 | 2015-07-17 | 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
US15/107,087 US20170207407A1 (en) | 2015-07-17 | 2016-02-22 | Organic light emitting apparatus, display device having the same, and fabricating method thereof |
PCT/CN2016/074217 WO2017012341A1 (en) | 2015-07-17 | 2016-02-22 | Organic light emitting apparatus, display device having the same, and fabricating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510425486.8A CN105070845B (zh) | 2015-07-17 | 2015-07-17 | 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105070845A true CN105070845A (zh) | 2015-11-18 |
CN105070845B CN105070845B (zh) | 2017-12-26 |
Family
ID=54500167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510425486.8A Active CN105070845B (zh) | 2015-07-17 | 2015-07-17 | 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170207407A1 (zh) |
CN (1) | CN105070845B (zh) |
WO (1) | WO2017012341A1 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017012341A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting apparatus, display device having the same, and fabricating method thereof |
CN109473559A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
CN114883506A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-08-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置 |
US11706935B2 (en) | 2018-05-11 | 2023-07-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Electroluminescent device comprising a target film comprising a small molecular layer and a large molecular layer and method for fabricating the same, display panel and display device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019121734A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | 株式会社Joled | 半導体装置および表示装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1398146A (zh) * | 2002-08-13 | 2003-02-19 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
US6861163B2 (en) * | 2002-10-16 | 2005-03-01 | National Tsing Hua University | Aromatic compounds and organic light emitting diodes |
JP2005310637A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 有機el素子 |
CN1839493A (zh) * | 2003-08-20 | 2006-09-27 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改进掺杂的白光发射装置 |
CN101094543A (zh) * | 2007-07-19 | 2007-12-26 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 顶发射结构彩色有机电致发光器件及其制备方法 |
CN102088062A (zh) * | 2010-12-21 | 2011-06-08 | 上海大学 | 具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制造方法 |
CN103311446A (zh) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法 |
CN103548168A (zh) * | 2011-06-30 | 2014-01-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 顶发射有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104167496A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-26 | 上海和辉光电有限公司 | 倒置式顶发射器件及其制备方法 |
CN104377315A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-02-25 | 南京邮电大学 | 一种白光oled器件及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008024380A2 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic devices |
US20090002059A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Kwang Tatt Loo | Rail to rail full complementary CMOS isolation gate |
KR101184434B1 (ko) * | 2010-12-15 | 2012-09-20 | 한국과학기술연구원 | 색변환 발광시트 및 이의 제조 방법 |
KR101908384B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2018-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 |
US9493613B2 (en) * | 2011-07-04 | 2016-11-15 | Cambridge Display Technology, Ltd. | Organic light emitting composition, device and method |
KR102235596B1 (ko) * | 2013-12-12 | 2021-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR101892234B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2018-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
KR102463735B1 (ko) * | 2015-06-22 | 2022-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN105070845B (zh) * | 2015-07-17 | 2017-12-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
-
2015
- 2015-07-17 CN CN201510425486.8A patent/CN105070845B/zh active Active
-
2016
- 2016-02-22 WO PCT/CN2016/074217 patent/WO2017012341A1/en active Application Filing
- 2016-02-22 US US15/107,087 patent/US20170207407A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1398146A (zh) * | 2002-08-13 | 2003-02-19 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
US6861163B2 (en) * | 2002-10-16 | 2005-03-01 | National Tsing Hua University | Aromatic compounds and organic light emitting diodes |
CN1839493A (zh) * | 2003-08-20 | 2006-09-27 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改进掺杂的白光发射装置 |
JP2005310637A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 有機el素子 |
CN101094543A (zh) * | 2007-07-19 | 2007-12-26 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 顶发射结构彩色有机电致发光器件及其制备方法 |
CN102088062A (zh) * | 2010-12-21 | 2011-06-08 | 上海大学 | 具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制造方法 |
CN103548168A (zh) * | 2011-06-30 | 2014-01-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 顶发射有机电致发光器件及其制备方法 |
CN103311446A (zh) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104167496A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-26 | 上海和辉光电有限公司 | 倒置式顶发射器件及其制备方法 |
CN104377315A (zh) * | 2014-11-07 | 2015-02-25 | 南京邮电大学 | 一种白光oled器件及其制备方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017012341A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting apparatus, display device having the same, and fabricating method thereof |
US11706935B2 (en) | 2018-05-11 | 2023-07-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Electroluminescent device comprising a target film comprising a small molecular layer and a large molecular layer and method for fabricating the same, display panel and display device |
CN109473559A (zh) * | 2018-10-19 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
WO2020078099A1 (zh) * | 2018-10-19 | 2020-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
US11121340B2 (en) | 2018-10-19 | 2021-09-14 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Electroluminescent device, manufacturing method thereof, and display apparatus |
US11690240B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-06-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Electroluminescent device, manufacturing method thereof, and display apparatus |
CN114883506A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-08-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105070845B (zh) | 2017-12-26 |
WO2017012341A1 (en) | 2017-01-26 |
US20170207407A1 (en) | 2017-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104377309B (zh) | 一种低压有机电致蓝光发光器件及其制备方法 | |
CN109585668B (zh) | Oled显示器件、显示面板、oled显示器件的制备方法 | |
CN104241540A (zh) | 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 | |
CN102694131A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置 | |
CN105070845A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 | |
CN105514291A (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
CN102315390B (zh) | 电致发光器件及其制备方法 | |
US20230354636A1 (en) | Organic light emitting diode, manufacturing method thereof, display substrate and display apparatus | |
US10566565B2 (en) | Organic light emitting device and method of fabricating the same, and display device | |
CN106531897B (zh) | 一种基于激基复合物的有机电致发光器件及其制备方法 | |
US9755162B2 (en) | Organic light emitting device and display device | |
KR20110027484A (ko) | 유기전계발광소자 | |
CN104600202A (zh) | 倒置oled器件结构 | |
EP2787553A1 (en) | Doped organic electroluminescent device and method for preparing same | |
CN105374949A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
US8384073B2 (en) | System for displaying images | |
US20140332788A1 (en) | Polymeric electroluminescent device and method for preparing same | |
CN108666430A (zh) | 一种高性能有机电致发光器件 | |
CN110504376A (zh) | 一种双发光层红光有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN105405985B (zh) | 一种oled屏体及其制备方法 | |
CN104183713A (zh) | 顶发射有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN207038557U (zh) | 一种高性能有机电致发光器件 | |
CN105185916A (zh) | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 | |
KR102384191B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
CN103500802A (zh) | 有机电致发光器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant |