CN105070845B - 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105070845B
CN105070845B CN201510425486.8A CN201510425486A CN105070845B CN 105070845 B CN105070845 B CN 105070845B CN 201510425486 A CN201510425486 A CN 201510425486A CN 105070845 B CN105070845 B CN 105070845B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
interface
organic electroluminescence
electroluminescence device
hole transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510425486.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105070845A (zh
Inventor
廖金龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510425486.8A priority Critical patent/CN105070845B/zh
Publication of CN105070845A publication Critical patent/CN105070845A/zh
Priority to US15/107,087 priority patent/US20170207407A1/en
Priority to PCT/CN2016/074217 priority patent/WO2017012341A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN105070845B publication Critical patent/CN105070845B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • H10K50/156Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/826Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115Polyfluorene; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/623Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够提高有机电致发光器件的发光效率。本发明公开的有机电致发光器件包括空穴传输层和发光层,以及位于所述空穴传输层和所述发光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。

Description

一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Device,简称OLED)是一种利用电激发荧光体或磷光体有机化合物来发光的器件。有机电致发光器件因其具有自发光、全固态、宽视角、响应快等诸多优点,在显示领域中有着巨大的应用前景。
在已有的有机电致发光器件中,有机电致发光器件通常包括依次层叠设置的基板、底电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和顶电极;其中,空穴传输层的材料为溶液型材料,即空穴传输层通过溶液制程的方式形成;发光层的材料为蒸镀型材料,即发光层通过真空蒸镀的方式形成。
然而,本申请发明人在研发过程中发现,能够用于通过溶液制程的方式形成空穴传输层的材料的能级和发光层的能级匹配性较差,使得空穴传输层中的空穴载流子较难进入发光层中,从而导致有机电致发光器件的发光效率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件,用于提高有机电致发光器件的发光效率。
为了实现上述目的,本发明的实施例提供如下技术方案:
一种有机电致发光器件,包括空穴传输层和发光层,有机电致发光器件还包括位于所述空穴传输层和所述发光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。
进一步的,所述空穴传输层的材料包括溶液型材料,所述发光层的材料包括蒸镀型材料,所述界面修饰层的具有空穴传输能力的材料包括的蒸镀型材料。
具体地,所述界面修饰层的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(2-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,4,4-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺],或,N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺。
具体地,所述空穴传输层的材料包括:聚3,4-乙撑二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物,或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯;
所述发光层的材料包括用于发蓝光的发光层、用于发红光的发光层或用于发绿光的发光层;
其中,
所述用于发蓝光的发光层的主体材料包括:3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽,或,9,10-双(1-萘基)蒽,或,4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯,或,1,3,6,8-四(苯)芘,或,9,9'-螺二芴,或,4,4’-二(9-咔唑)联苯,或,3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯;
所述用于发蓝光的发光层的客体材料包括:2,5,8,11-四叔丁基苝,或,4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯,或,4,4'-[1,4-亚苯基二-(1E)-2,1-乙烯二基]二[N,N-二苯基苯胺];
所述用于发蓝光的发光层中主体材料的百分比为99~93%,客体材料的百分比为1~7%。
所述用于发红光的发光层的材料包括:4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)。
所述用于发绿光的发光层的材料包括:1,3,5-三(溴甲基)苯掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三(2-苯基吡啶)合铱,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三(2-苯基吡啶)合铱。
进一步地,所述有机电致发光器件还包括:空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的一层或多层。
进一步地,所述界面修饰层的厚度为0.5-5nm。
具体地,所述界面修饰层的厚度为1nm。
进一步地,所述有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极反射光线,所述底电极透射光线。
进一步地,所述有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极透射光线,所述底电极反射光线。
本发明的实施例提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件包括空穴传输层和发光层,以及位于空穴传输层和发光层之间的界面修饰层,由于界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间,从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴载流子容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
此外,本发明的实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括以上任一项所述的有机电致发光器件。
此外,本发明的实施例还提供了一种有机电致发光器件的制作方法,采用如下技术方案:
一种有机电致发光器件的制作方法包括:提供基板,并形成空穴传输层;
在所述空穴传输层远离所述基板的一侧形成界面修饰层;
在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧形成发光层;
其中,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间。
进一步地,所述形成空穴传输层的步骤包括:
通过涂布的方式,在所述基板上形成一层具有空穴传输能力的材料,烘干后形成所述空穴传输层;
所述在所述空穴传输层远离所述基板的一侧形成界面修饰层的步骤包括:
在所述空穴传输层远离所述基板的一侧上,通过真空蒸镀的方式,形成所述界面修饰层;
所述在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧形成发光层的步骤包括:
在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成所述发光层。
具体地,通过真空蒸镀的方式,形成所述界面修饰层时,蒸发速率为0.01~0.1nm/s。
本发明提供了一种有机电致发光器件的制作方法,该制作方法包括:提供基板,并形成空穴传输层;在形成的空穴传输层远离所述基板的一侧,形成界面修饰层;在形成的界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧,形成发光层,由于界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间,从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴载流子容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的第一种有机电致发光器件的结构示意图;
图2为本发明实施例中的第二种有机电致发光器件的结构示意图;
图3为本发明实施例中的有机电致发光器件的制作流程图。
附图标记说明:
1—空穴传输层; 2—界面修饰层; 3—发光层;
4—基板; 5—底电极; 6—空穴注入层;
7—电子传输层; 8—电子注入层; 9—顶电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例提供了一种有机电致发光器件,具体地,如图1所示,该有机电致发光器件包括空穴传输层1、发光层3以及位于空穴传输层1和发光层3之间的界面修饰层2,界面修饰层2的材料为具有空穴传输能力的材料,即界面修饰层2能够传输空穴载流子,且界面修饰层2的能级介于空穴传输层1的能级和发光层3的能级之间,从而使得界面修饰层2与空穴传输层1和发光层3之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层1中的空穴载流子容易进入发光层3中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
本发明实施例中,空穴传输层1的材料包括溶液型材料,即空穴传输层1通过溶液制程的方式形成,发光层3的材料包括蒸镀型材料,即发光层3通过真空蒸镀的方式形成,由于空穴传输层1通过溶液制程的方式形成,从而使得空穴传输层1的表面较粗糙,为了改善接触界面的粗糙度,从而进一步提高有机电致发光器件的发光效率,本发明实施例中优选界面修饰层2的具有空穴传输能力的材料包括蒸镀型材料,即界面修饰层2为通过对具有空穴传输能力的材料进行真空蒸镀形成的。
示例性地,界面修饰层2的材料包括:N,N'-二苯基-N,N'-二(2-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,或,4,4-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺],或,N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺。需要说明的是,本发明中,“或”前边为一种材料,“或”后边为另一种材料。
空穴传输层1的材料包括:聚3,4-乙撑二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物,或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯。
发光层3的材料包括用于发蓝光的发光层、用于发红光的发光层或用于发绿光的发光层。
其中,用于发蓝光的发光层3的主体材料包括:3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽,或,9,10-双(1-萘基)蒽,或,4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯,或,1,3,6,8-四(苯)芘,或,9,9'-螺二芴,或,4,4’-二(9-咔唑)联苯,或,3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯;
所述用于发蓝光的发光层3的客体材料包括:2,5,8,11-四叔丁基苝,或,4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯,或,4,4'-[1,4-亚苯基二-(1E)-2,1-乙烯二基]二[N,N-二苯基苯胺];
其中,用于发蓝光的发光层3中主体材料的百分比为93~99%,客体材料的百分比为1~7%。
用于发红光的发光层3的材料包括:4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)。
用于发绿光的发光层3的材料包括:1,3,5-三(溴甲基)苯掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三(2-苯基吡啶)合铱,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三(2-苯基吡啶)合铱。
本实施例中所述有机电致发光器件还包括空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层。有机电致发光器件工作时,电子通过顶电极或底电极注入电子传输层、再由电子传输层进入发光层3;空穴载流子通过空穴注入层、空穴传输层、界面修饰层2进入发光层3。电子和空穴载流子驱动发光层3发光。
为了使空穴传输层1中的空穴载流子容易穿过界面修饰层2进入发光层3中,界面修饰层2的厚度应较小,本发明实施例中界面修饰层2的厚度为0.5-5nm。进一步地,界面修饰层2的厚度优选为1nm,从而能够在使得空穴传输层1中的空穴容易穿过界面修饰层2进入发光层3中的同时,起到改善接触界面粗糙度的作用。
本发明实施例中所述的有机电致发光器件可以为底发射有机电致发光器件或者顶发射有机电致发光器件。为了便于本领域技术人员理解,下面结合图1、图2对底发射有机电致发光器件和顶发射有机电致发光器件进行详细描述。
当有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件时,如图1所示,该有机电致发光器件还包括设置于发光层3远离界面修饰层2一侧的顶电极9,以及设置于空穴传输层1远离界面修饰层2一侧的底电极5和基板4,其中,顶电极9反射光线,底电极5透射光线,光线从底电极5射出有机电致发光器件。
进一步地,为了提高有机电致发光器件的发光效率,如图1所示,本发明实施例中的有机电致发光器件还包括空穴注入层6、电子传输层7和电子注入层8,具体地,基板4、底电极5、空穴注入层6、空穴传输层1、界面修饰层2、发光层3、电子传输层7、电子注入层8和顶电极9依次层叠设置。
示例性地,形成空穴传输层1的材料如上所述,空穴传输层1的厚度为20nm。
形成界面修饰层2的材料如上所述,界面修饰层2的厚度为1nm。
用于形成发蓝光的发光层3的材料如上所述,发光层3的厚度为20nm。
基板4为透明的玻璃基板。
底电极5的材料包括氧化铟锡,具体地,底电极5为位于基板4上的氧化铟锡薄膜,氧化铟锡薄膜的面电阻小于30Ω/□,氧化铟锡薄膜的厚度为70nm。顶电极9的材料为铝(Al),顶电极9的厚度为120nm。
形成空穴注入层6的材料为:聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS),或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯,空穴注入层6的厚度为25nm。
形成电子传输层7的材料为:4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲,或,2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉,或,4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(Bphen),或,2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲,或,8-羟基喹啉铝,或,8-羟基喹啉-锂,电子传输层7的厚度为20nm。
形成电子注入层8的材料为:氟化锂(LiF),或,8-羟基喹啉-锂,电子注入层8的厚度为1nm。
该有机电致发光器件的发光面积为2mm×2mm。
当有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件时,如图2所示,该有机电致发光器件还包括设置于发光层3远离界面修饰层2一侧的顶电极9,以及设置于空穴传输层1远离界面修饰层2一侧的底电极5和基板4,其中,顶电极9透射光线,底电极5反射光线,光线从顶电极9射出有机电致发光器件。示例性地,底电极5可以只包括一层膜层,该膜层在导电的同时反射光线,底电极5也可以包括两层膜层,其中一层膜层导电,另一层膜层反射光线,该反射光线的膜层靠近基板4设置。
进一步地,为了提高有机电致发光器件的发光效率,如图2所示,本发明实施例中的有机电致发光器件还包括空穴注入层6、电子传输层7和电子注入层8,具体地,基板4、底电极5、空穴注入层6、空穴传输层1、界面修饰层2、发光层3、电子传输层7、电子注入层8和顶电极9依次层叠设置。
需要说明的是,图2所示的顶发射有机电致发光器件中的空穴传输层1、界面修饰层2、发光层3、基板4、空穴注入层6、电子传输层7、电子注入层8的材料和厚度可以与图1所示的底发射有机电致发光器件相同,本发明实施例不再一一赘述。图2所示的顶发射有机电致发光器件中的顶电极9为透明的氧化铟锌薄膜,底电极5包括两层膜层,一层膜层为导电的氧化铟锡(ITO)薄膜,另一层膜层为银(Ag)或铝(Al)等形成的反射光线的膜层。进一步地,为了便于本领域技术人员更直观的认识本发明实施例中所述的有机电致发光器件的优势,本发明实施例提供了一组本发明实施例中的有机电致发光器件(简称器件A)与现有技术中的有机电致发光器件(简称器件B),在发光亮度为1000nits时测试所得的发光效率的对比数据,具体见表1。其中,器件A为图1所示的有机电致发光器件,器件B与器件A的区别仅在于未设置有厚度为1nm的界面修饰层2。
表1
器件名称 电压(V) 电流效率(Cd/A) 外部量子效率(%)
器件A 3.3 3.4 4.3
器件B 3.3 4.6 6.1
由表1中数据可知,本发明实施例中的有机电致发光器件的发光效率明显高于现有技术中的有机电致发光器件。
本发明提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件包括空穴传输层和发光层,以及位于空穴传输层和发光层之间的界面修饰层,由于界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间,从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴载流子容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
此外,本发明还提供了一种显示装置,该显示装置包括以上任一项有机电致发光器件。该显示装置包括:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置中的有机电致发光器件的优势与上述实施例中的有机电致发光器件的优势相同,本发明实施例不再赘述。由于该有机电致发光器件具有如上优势,从而使得包括该有机电致发光器件的显示装置的发光效率较高。
实施例二
此外,本发明实施例提供了一种用于制作实施例一中所述的有机电致发光器件的制作方法,具体地,如图3所示,该有机电致发光器件的制作方法包括:
步骤S301、提供基板,并形成空穴传输层。
步骤S302、在空穴传输层远离基板的一侧形成界面修饰层。
步骤S303、在界面修饰层远离空穴传输层的一侧形成发光层。
其中,界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间。
由于采用上述方法制作的机电致发光器件包括位于空穴传输层和发光层之间的界面修饰层,且界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间,从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴载流子容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
可选地,上述形成空穴传输层的步骤包括:通过涂布的方式,在基板上形成一层具有空穴传输能力的材料,烘干后形成空穴传输层。
示例性地,在基板上形成空穴传输层之前,需要对基板进行前期处理,示例性地,该前期处理包括:
首先,对带有氧化铟锡薄膜的透明的玻璃基板进行光刻,以在基板上形成底电极的图案;然后,将基板依次在去离子水、丙酮和无水乙醇中超声清洗,用氮气(N2)吹干,并对基板进行氧气(O2)等离子体处理,以清洁基板表面,并改变氧化铟锡的功函数,使空穴更好注入至空穴传输层,提高有机电致发光器件的发光效率;最后,将基板放置于旋涂机上,涂布一层用于形成空穴注入层的材料,烘干后形成空穴注入层。
上述前期处理结束后,将基板放置于旋涂机上,涂布一层用于形成空穴传输层的材料,烘干后形成空穴传输层。
进一步地,在空穴传输层远离基板的一侧形成界面修饰层的步骤包括:在空穴传输层远离基板的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成界面修饰层。
示例性地,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成界面修饰层。
为了避免蒸镀时间过长,且能够使形成的界面修饰层的粗糙度较小,本发明实施例中优选,通过真空蒸镀的方式,形成界面修饰层时,蒸发速率为0.01-0.1nm/s,进一步优选为0.05nm/s。
进一步地,在界面修饰层远离空穴传输层的一侧形成发光层的步骤包括:在形成了界面修饰层远离空穴传输层的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成发光层。
示例性地,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成发光层。
进一步地,本发明实施例中的有机电致发光器件的制作方法还包括:
在形成发光层后,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成电子传输层。
在形成电子传输层后,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成电子注入层。
在形成电子注入层后,将基板放置于蒸镀腔室中,待蒸镀腔室的真空度低于5×10-4Pa后,通过真空蒸镀的方式形成顶电极。
需要说明的是,在上述真空蒸镀过程中,只有真空蒸镀铝(Al)以形成顶电极时采用金属掩膜板,真空蒸镀形成其他膜层时均使用开口掩膜板即可,从而使得该有机电致发光器件的制作成本较低。此外,在上述真空蒸镀过程中,真空蒸镀铝(Al)以形成顶电极时的蒸发速率为0.5nm/s,真空蒸镀形成界面修饰层时的蒸发速率为0.01~0.1nm/s,真空蒸镀形成其他膜层时的蒸发速率均为0.1nm/s。
本发明提供了一种有机电致发光器件的制作方法,该制作方法包括:提供基板,并形成空穴传输层;在形成的空穴传输层远离基板的一侧,形成界面修饰层;在形成的界面修饰层远离空穴传输层的一侧,形成发光层。由于形成界面修饰层的材料为具有空穴传输能力的材料,且界面修饰层的能级介于空穴传输层的能级和发光层的能级之间。从而使得界面修饰层与空穴传输层和发光层之间的能级匹配度均较好,从而使得空穴传输层中的空穴容易进入发光层中,进而能够有效提高有机电致发光器件的发光效率。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种有机电致发光器件,包括空穴传输层和发光层,其特征在于,还包括位于所述空穴传输层和所述发光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间;
所述空穴传输层的材料包括溶液型材料,所述发光层的材料包括蒸镀型材料,所述界面修饰层的具有空穴传输能力的材料包括蒸镀型材料;
所述界面修饰层的材料包括:4,4-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺],或,N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材料包括:聚3,4-乙撑二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐的混合物,或,聚噻吩,或,聚苯胺,或,聚吡咯;
所述发光层的材料包括用于发蓝光的发光层、用于发红光的发光层或用于发绿光的发光层。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述用于发蓝光的发光层的主体材料包括:3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽,或,9,10-双(1-萘基)蒽,或,4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯,或,1,3,6,8-四(苯)芘,或,9,9'-螺二芴,或,4,4’-二(9-咔唑)联苯,或,3,3’-二(N-咔唑基)-1,1’-联苯;
所述用于发蓝光的发光层的客体材料包括:2,5,8,11-四叔丁基苝,或,4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯,或,4,4'-[1,4-亚苯基二-(1E)-2,1-乙烯二基]二[N,N-二苯基苯胺];
所述用于发蓝光的发光层中主体材料的百分比为93~99%,客体材料的百分比为1~7%。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述用于发红光的发光层的材料包括:4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III),或,聚9,9-二辛基芴高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂5,6,11,12-四苯基并四苯,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(III)。
5.根据权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述用于发绿光的发光层的材料包括:1,3,5-三(溴甲基)苯掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂三(2-苯基吡啶)合铱,或,聚芴-alt-咔唑高分子掺杂N,N'-二甲基喹吖啶酮,或,聚乙烯基吡咯烷酮掺杂三(2-苯基吡啶)合铱。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,还包括:空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的一层或多层。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述界面修饰层的厚度为0.5-5nm。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述界面修饰层的厚度为1nm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件为底发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极反射光线,所述底电极透射光线。
10.根据权利要求1-8任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件,所述有机电致发光器件还包括设置于所述发光层远离所述界面修饰层一侧的顶电极,以及设置于所述空穴传输层远离所述界面修饰层一侧的底电极和基板,所述顶电极透射光线,所述底电极反射光线。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的有机电致发光器件。
12.一种有机电致发光器件的制作方法,其特征在于,包括:提供基板,并形成空穴传输层;
在所述空穴传输层远离所述基板的一侧形成界面修饰层;
在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧形成发光层;
其中,所述界面修饰层的材料包括具有空穴传输能力的材料,且所述界面修饰层的能级介于所述空穴传输层的能级和所述发光层的能级之间;
所述形成空穴传输层的步骤包括:
通过涂布的方式,在所述基板上形成一层具有空穴传输能力的材料,烘干后形成所述空穴传输层;
所述在所述空穴传输层远离所述基板的一侧形成界面修饰层的步骤包括:
在所述空穴传输层远离所述基板的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成所述界面修饰层;
所述在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧形成发光层的步骤包括:
在所述界面修饰层远离所述空穴传输层的一侧,通过真空蒸镀的方式,形成所述发光层;
所述界面修饰层的材料包括:4,4-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺],或,N,N'-二苯基-N,N'-双(4-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件的制作方法,其特征在于,
通过真空蒸镀的方式,形成所述界面修饰层时,蒸发速率为0.01~0.1nm/s。
CN201510425486.8A 2015-07-17 2015-07-17 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 Active CN105070845B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510425486.8A CN105070845B (zh) 2015-07-17 2015-07-17 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
US15/107,087 US20170207407A1 (en) 2015-07-17 2016-02-22 Organic light emitting apparatus, display device having the same, and fabricating method thereof
PCT/CN2016/074217 WO2017012341A1 (en) 2015-07-17 2016-02-22 Organic light emitting apparatus, display device having the same, and fabricating method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510425486.8A CN105070845B (zh) 2015-07-17 2015-07-17 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105070845A CN105070845A (zh) 2015-11-18
CN105070845B true CN105070845B (zh) 2017-12-26

Family

ID=54500167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510425486.8A Active CN105070845B (zh) 2015-07-17 2015-07-17 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170207407A1 (zh)
CN (1) CN105070845B (zh)
WO (1) WO2017012341A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108649131A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070845B (zh) * 2015-07-17 2017-12-26 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
JP2019121734A (ja) * 2018-01-10 2019-07-22 株式会社Joled 半導体装置および表示装置
CN109473559B (zh) 2018-10-19 2020-07-24 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN114883506A (zh) * 2022-05-06 2022-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1398146A (zh) * 2002-08-13 2003-02-19 清华大学 一种有机电致发光器件

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW593624B (en) * 2002-10-16 2004-06-21 Univ Tsinghua Aromatic compounds and organic LED
US6875524B2 (en) * 2003-08-20 2005-04-05 Eastman Kodak Company White light-emitting device with improved doping
JP2005310637A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 有機el素子
WO2008024380A2 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic devices
US20090002059A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Kwang Tatt Loo Rail to rail full complementary CMOS isolation gate
CN100521847C (zh) * 2007-07-19 2009-07-29 中国科学院长春应用化学研究所 顶发射结构彩色有机电致发光器件及其制备方法
KR101184434B1 (ko) * 2010-12-15 2012-09-20 한국과학기술연구원 색변환 발광시트 및 이의 제조 방법
CN102088062A (zh) * 2010-12-21 2011-06-08 上海大学 具有复合空穴传输层的有机电致发光器件及其制造方法
KR101908384B1 (ko) * 2011-06-17 2018-10-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
JP2014519206A (ja) * 2011-06-30 2014-08-07 オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法。
US9562136B2 (en) * 2011-07-04 2017-02-07 Cambridge Display Technology, Ltd. Polymers, monomers and methods of forming polymers
CN103311446A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 海洋王照明科技股份有限公司 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法
KR102235596B1 (ko) * 2013-12-12 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN104167496B (zh) * 2014-08-01 2018-02-23 上海和辉光电有限公司 倒置式顶发射器件及其制备方法
KR101892234B1 (ko) * 2014-10-31 2018-08-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN104377315B (zh) * 2014-11-07 2017-11-14 南京邮电大学 一种白光oled器件及其制备方法
KR102463735B1 (ko) * 2015-06-22 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN105070845B (zh) * 2015-07-17 2017-12-26 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1398146A (zh) * 2002-08-13 2003-02-19 清华大学 一种有机电致发光器件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108649131A (zh) * 2018-05-11 2018-10-12 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置
CN108649131B (zh) * 2018-05-11 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105070845A (zh) 2015-11-18
US20170207407A1 (en) 2017-07-20
WO2017012341A1 (en) 2017-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105070845B (zh) 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
KR102016068B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN106129263B (zh) Oled显示器件及其制作方法
CN104241540A (zh) 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
CN101901877A (zh) 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
CN109585668B (zh) Oled显示器件、显示面板、oled显示器件的制备方法
CN105514291A (zh) 一种有机电致发光器件
CN103730589A (zh) 顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN102315390B (zh) 电致发光器件及其制备方法
US10566565B2 (en) Organic light emitting device and method of fabricating the same, and display device
CN104393180A (zh) 一种有机发光二极管及其制备方法、显示基板、显示装置
CN106531897B (zh) 一种基于激基复合物的有机电致发光器件及其制备方法
CN104716264A (zh) 一种有机电致发光器件及应用该发光器件的显示装置
KR20110027484A (ko) 유기전계발광소자
US20160365528A1 (en) Organic light-emitting display device, production method thereof and display apparatus
CN104425737A (zh) 有机发光元件
CN101950794A (zh) 显示装置及其显示面板装置
CN103296215A (zh) 一种有机电致发光器件及显示装置
Raj et al. Simulation of multilayer energy efficient OLEDs for flexible electronics applications
CN104882545A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN108666430A (zh) 一种高性能有机电致发光器件
CN101989646B (zh) 一种柔性无源有机电致发光器件及其制备方法
CN104576954A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
JPWO2013161165A1 (ja) 有機el素子、およびそれを備える有機elパネル、有機el発光装置、有機el表示装置
CN110504376A (zh) 一种双发光层红光有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant