CN108231799B - 一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法 - Google Patents

一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法。该显示面板包括：位于栅极绝缘层和衬底基板之间的沟道、第一半导体层和第二半导体层，沟道、第一半导体层和第二半导体层同层设置，且第一半导体层与沟道的一端电连接，第二半导体层与沟道的另一端电连接，位于栅极绝缘层和衬底基板之间的多条数据线，数据线在衬底基板上的正投影与第一半导体层在衬底基板上的正投影相交叠，且数据线与第一半导体层直接电连接，在采用上述设计后，有利于减少显示面板的暗态漏光，从而可以提高显示面板的显示效果。

Description

一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法。
背景技术
显示面板包括两个偏光片，该两个偏光片的虑光方向互成90°，光线在穿过一个偏振片后，透过的光线均为沿同一方向振动的光线，在显示面板处于暗态画面时，该透过的光线不会射出显示面板，即该透过的光线均被另一个偏光片过滤掉。
在现有技术中，显示面板中的源极和半导体层位于不同层，因此源极和半导体层需要通过过孔相互电连接，以使半导体层与数据线相互电连接，进而使数据线信号可以通过该半导体层传输到像素电极上，在现有工艺中，该过孔处的金属在显示面板上的正投影的形状类似于圆形，光线在照射到该金属上时，部分光线的振动方向会发生偏振，由于存在上述原因，从而使得该透过的光线中的部分光想能够射出显示面板，进而导致显示面板出现暗态漏光的问题，影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制造方法，用于解决现有技术中导致的显示面板出现暗态漏光的问题。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括：
衬底基板；
位于衬底基板上呈阵列分布的多个开关单元；
每个所述开关单元包括：
位于所述衬底基板上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层和所述衬底基板之间的沟道、第一半导体层和第二半导体层，所述沟道、所述第一半导体层和所述第二半导体层同层设置，且所述第一半导体层与所述沟道的一端电连接，所述第二半导体层与所述沟道的另一端电连接；
位于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层；
沿所述多个开关单元的列方向延伸，沿所述多个开关单元的行方向排列的多条数据线，所述多条数据线与多列开关单元一一对应设置，所述数据线位于所述栅极绝缘层和所述衬底基板之间，所述数据线在所述衬底基板上的正投影与所述第一半导体层在所述衬底基板上的正投影相交叠，且所述数据线与所述第一半导体层直接电连接；
沿所述行方向延伸，沿所述列方向排列的多条扫描线，所述多条扫描线与多行开关单元一一对应设置，所述扫描线位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧，所述扫描线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述栅极绝缘层接触，其中，所述沟道在所述衬底基板上的正投影位于贯穿所述第一绝缘层的过孔在所述衬底基板上的正投影内。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
第三方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成沿所述多个开关单元的列方向延伸，沿所述多个开关单元的行方向排列的多条数据线；
在所述衬底基板上形成沟道、第一半导体层和第二半导体层，所述沟道、所述第一半导体层和所述第二半导体层同层形成，且所述第一半导体层与所述沟道的一端电连接，所述第二半导体层与所述沟道的另一端电连接，所述数据线在所述衬底基板上的正投影与所述第一半导体层在所述衬底基板上的正投影相交叠，且所述数据线与所述第一半导体层直接电连接；
在所述沟道、所述第一半导体层和所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；
形成贯穿所述第一绝缘层的过孔，所述沟道在所述衬底基板上的正投影位于贯穿所述第一绝缘层的过孔在所述衬底基板上的正投影内；
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧形成沿所述行方向延伸，沿所述列方向排列的多条扫描线，所述扫描线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述栅极绝缘层接触。
上述技术方案中的任一个技术方案具有如下有益效果：
在本发明实施例中，沟道、第一半导体层和第二半导体层位于栅极绝缘层和衬底基板之间，沟道、第一半导体层和第二半导体层同层设置，且第一半导体层与沟道的一端电连接，第二半导体层与沟道的另一端电连接，数据线位于栅极绝缘层和衬底基板之间，数据线在衬底基板上的正投影与第一半导体层在衬底基板上的正投影相交叠，且数据线与第一半导体层直接电连接，在采用上述设计后，数据线和第一半导体层都位于栅极绝缘层和衬底基板之间，因此数据线和第一半导体层可以无需通过过孔直接电连接，与现有技术相比，本发明实施例中，透过一个偏振片的光线不会在数据线和第一半导体层电连接的位置处发生偏转，从而使经过数据线和第一半导体层电连接的位置处光线能够被另一个偏振片过滤掉，从而有利于减少显示面板的暗态漏光，从而可以提高显示面板的显示效果；并且，在本发明实施例中，显示面板中的扫描线位于第一绝缘层远离衬底基板的一侧，且扫描线通过贯穿第一绝缘层的过孔与栅极绝缘层接触，在采用上述设计后，可以使扫描线与数据线相距较远，有利于降低扫描线和数据线之间的相互影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述XXX，但这些XXX不应限于这些术语。这些术语仅用来将XXX彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一XXX也可以被称为第二XXX，类似地，第二XXX也可以被称为第一XXX。
需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图，图3为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图1、图2和图3所示，显示面板包括：衬底基板4；位于衬底基板4上呈阵列分布的多个开关单元3；每个开关单元3包括：位于衬底基板4上的栅极绝缘层5；位于栅极绝缘层5和衬底基板4之间的沟道61、第一半导体层62和第二半导体层63，沟道61、第一半导体层62和第二半导体层63同层设置，且第一半导体层62与沟道61的一端电连接，第二半导体层63与沟道61的另一端电连接；位于栅极绝缘层5远离衬底基板4一侧的第一绝缘层7；沿多个开关单元3的列方向延伸，沿多个开关单元3的行方向排列的多条数据线1，多条数据线1与多列开关单元3一一对应设置，数据线1位于栅极绝缘层5和衬底基板4之间，数据线1在衬底基板4上的正投影与第一半导体层62在衬底基板4上的正投影相交叠，且数据线1与第一半导体层62直接电连接；沿行方向延伸，沿列方向排列的多条扫描线2，多条扫描线2与多行开关单元3一一对应设置，扫描线2位于第一绝缘层7远离衬底基板4一侧，扫描线2通过贯穿第一绝缘层7的过孔与栅极绝缘层5接触，其中，沟道61在衬底基板4上的正投影位于贯穿第一绝缘层7的过孔在衬底基板4上的正投影内。
具体的，如图1、图2和图3所示，扫描线2用于传输扫描信号，扫描线2位于第一绝缘层7远离衬底基板4的一侧，且扫描线2通过贯穿第一绝缘层7的过孔与栅极绝缘层5接触，由于沟道61和扫描线2之间设置有栅极绝缘层5，该栅极绝缘层5能够使扫描线2和沟道61之间相互绝缘，且能够使沟道61在扫描信号的作用下导通，由于第一半导体层62、沟道61和第二半导体层63相互电连接，数据线1和第一半导体层62电连接，在沟道61导通之后，数据线1上传输的数据信号能够通过第一半导体层62和沟道61传输至第二半导体层63，从而使数据信号通过第二半导体层63传输至显示面板中的像素电极(未示出)，进而使对应的子像素单元(未示出)发光。
如图2和图3所示，数据线1、第一半导体层62、沟道61和第二半导体层63都位于栅极绝缘层5和衬底基板4之间，且数据线1在衬底基板4上的正投影位于第一半导体层62在衬底基板4上的正投影之间，该数据线1可以位于第一半导体层62远离衬底基板4的一侧或者该数据线1可以位于第一半导体层62靠近衬底基板4的一侧，且数据线1与第一半导体层62直接电连接，在采用上述设计后，数据线1和第一半导体层62可以无需通过过孔直接电连接，与现有技术相比，本发明实施例中，透过一个偏振片的光线不会在数据线1和第一半导体层62电连接的位置处发生偏转，从而使经过数据线1和第一半导体层62电连接的位置处光线能够被另一个偏振片过滤掉，从而有利于减少显示面板的暗态漏光，进而可以提高显示面板的显示效果。
在现有技术中，显示面板中包括第一半导体层对应的过孔和第二半导体层对应过孔，对于高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)的显示面板，第一半导体层对应的过孔和第二半导体层对应过孔相距较近，使得第一半导体层对应的过孔和第二半导体层对应过孔之间的电容耦合加重，影响显示面板的正常工作，在本发明实施例中，由于数据线1和第一半导体层62可以无需通过过孔直接电连接，从而第一半导体层62没有对应的过孔，从而有利于降低高PPI显示面板中电容耦合加重的情况。
在现有技术中，扫描线位于栅极绝缘层和第一绝缘层之间，当数据线位于栅极绝缘层和衬底基板之间时，扫描线和数据线在衬底基板上的正投影相交叠的部分距离较近，使得数据线和扫描线之间相互干扰，在本发明实施例中，如图2和图3所示，将扫描线2设置在第一绝缘层7远离衬底基板4的一侧，且扫描线2通过贯穿第一绝缘层7的过孔与栅极绝缘层5接触，在采用上述设计后，沟道61既可以在扫描信号的作用下导通，又可以使扫描线2和数据线1在衬底基板4上的正投影相交叠的部分距离较远，有利于降低扫描线2和数据线1之间的相互影响。
同时，如图2和图3所示，由于沟道61为不透明的，因此光线不能从沟道61所在区域射出，所以在采用扫描线2通过贯穿第一绝缘层7的过孔与栅极绝缘层5接触的设计后，不会造成显示面板暗态漏光的现象。
可选地，如图2和图3所示，数据线1位于第一半导体层62靠近衬底基板4的一侧或者数据线1位于第一半导体层62远离衬底基板4的一侧。
具体的，如图2和图3所示，数据线1位于第一半导体层62远离衬底基板4一侧时，数据线1可以与第一半导体层62直接接触；数据线1位于第一半导体层62靠近衬底基板4一侧时，第一半导体层62覆盖在数据线1远离衬底基板4的一侧，数据线1也可以与第一半导体层62直接接触，从而使数据线1上传输的数据信号可以通过第一半导体层62、沟道61和第二半导体层63传输到对应的像素电极上，同时，在采用上述设计后，数据线1和第一半导体层62无需通过过孔电连接，与现有技术相比，本发明实施例中，透过一个偏振片的光线不会在数据线1和第一半导体层62电连接的位置处发生偏转，从而使经过数据线1和第一半导体层62电连接的位置处光线能够被另一个偏振片过滤掉，从而有利于减少显示面板的暗态漏光，进而可以提高显示面板的显示效果。
可选地，图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图4和图5所示，显示面板还包括：位于沟道61靠近衬底基板4一侧的缓冲层8；位于缓冲层8靠近衬底基板4一侧的遮光层9，沟道61在衬底基板4上的正投影位于遮光层9在衬底基板4上的正投影内。
具体的，如图4所示，缓冲层8起到平坦衬底基板4的作用，从而使沟道61与衬底基板4具有更好的接触性，遮光层9用于遮挡光线，使显示面板中位于遮光层9靠近衬底基板4一侧射出的光线不会照射到沟道61上，由于沟道61对光线比较敏感，当光线照射到沟道61上时，会影响沟道61的正常工作，因此在采用上述设计后，有利降低光线对沟道61的影响。
可选地，图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图6所示，数据线1位于缓冲层8靠近衬底基板4的一侧，数据线1与遮光层9同层设置，且材料相同；数据线1通过贯穿缓冲层8的过孔与第一半导体层62直接电连接，其中，贯穿缓冲层8的过孔在衬底基板4上的正投影位于第一半导体层62在衬底基板4上的正投影内。
具体的，如图6所示，当数据线1和遮光层9同层设置，且材料相同时，数据线1和遮光层9可以通过一道工艺制成，从而降低了显示面板的工艺复杂度，以及有利于降低面板面板的厚度，同时，由于第一半导体层62位于数据线1远离衬底基板4的一侧，在制作显示面板时，是按照远离衬底基板4的方向逐一制作膜层，因此该过孔中填充的是第一半导体层62对应的材料，由于第一半导体层62不是金属材料，因此该过孔中填充的材料不会使光线发生偏转，从而使经过数据线1和第一半导体层62电连接的位置处光线能够被另一个偏振片过滤掉，从而使数据线1和第一半导体层62电连接的位置处不会暗态漏光。
下面以图3为基础对本发明实施例进行说明，即数据线1位于第一半导体层62靠近衬底基板4的一侧。
可选地，图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图，图8为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图7和图8所示，显示面板还包括：位于扫描线2远离衬底基板4一侧的平坦化层10；位于平坦化层10远离衬底基板4一侧的多个像素电极11，多个像素电极11与多个开关单元3一一对应设置，像素电极11通过贯穿平坦化层10、第一绝缘层7和栅极绝缘层5的过孔与第二半导体层63藕接。
具体的，如图7和图8所示，平坦化层10起到平坦作用，使平坦化层10远离衬底基板4一侧的膜层中的结构具有良好的接触性，同时也能够起到与扫描线2绝缘的作用，其中，关于子像素单元的发光远离在上述有详细说明，在此不再详细赘述。
在现有技术中，开关包括漏极，漏极通过过孔与第二半导体层电连接，像素电极也需要通过过孔与该漏极电连接，因此在现有技术中需要通过两个过孔才可以使像素电极和第二半导体层电连接，工艺相对复杂，并且漏极与第二半导体层之间的过孔中填充的是漏极的材料，且漏极为金属材料，进而使得显示面板中漏极与第二半导体层电连接的位置处有暗态漏光，在本发明实施例中，如图7和图8所示，像素电极11与第二半导体层63可以通过一个过孔相互电连接，从而可以降低显示面板的工艺复杂度，并且由于像素电极11为透明材料制成，因此在该过孔中填充像素电极11对应的材料后，光线不会在该过孔处发生偏转，从而使经过该过孔的光线能够被另一个偏振片过滤掉，从而有利于减少显示面板的暗态漏光，从而可以提高显示面板的显示效果。
可选地，图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图9所示，显示面板还包括：多个金属导电部12，多个金属导电部12与多个开关单元3一一对应设置，金属导电部12位于第二半导体层63远离衬底基板4的一侧，金属导电部12在衬底基板4上的正投影与第二半导体层63在衬底基板4上的正投影相交叠，金属导电部12与第二半导体层63直接电连接，像素电极11通过贯穿平坦化层10、第一绝缘层7和栅极绝缘层5的过孔与金属导电部12电连接。
具体的，当过孔较深时，该过孔的工艺制作难度较大，并且在过孔内沉积材料时，容易使材料沉积的不均匀，从而导致两个通过该过孔电连接的结构接触性能较差，进而影响显示面板的正常显示，如图9所示，像素电极11通过过孔与金属导电部12电连接，金属导电部12与第二半导体层63电连接，在采用上述设计后，可以使得过孔的深度相对较短，从而有利于降低过孔的工艺制作难度，以及有利于提高沉积在过孔中的材料的均匀性，从而使得像素电极11和第二半导体层63之间的电连接更加稳定，进而有利于提高显示面板正常显示时的可靠性。
可选地，如图9所示，扫描线2和金属导电部12的材料包括钼。
具体的，由于钼具有良好的导电性，且钼不会使光线发生偏转，如图9所示，当扫描线2和金属导电部12有钼制成后，有利于减少显示面板的暗态漏光，进而可以提高显示面板的显示效果。
可选地，图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图10所示，显示面板还包括：液晶层13和彩膜基板14；其中，液晶层13位于衬底基板4和彩膜基板14之间。
具体的，如图10所示，在数据线1中的数据信号传导至像素电极11后，像素电极11与公共电极(未示出)之间形成电场，液晶层13中的液晶也电场的作用下发生旋转，从而使显示面板中的光线可以透过液晶层13照射到彩膜基板14上，光线在透过彩膜基板14后，可以使显示面板显示对应颜色的图像。
可选地，图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图，如图11所示，彩膜基板14包括：黑色矩阵15；黑色矩阵15包括：沿列方向延伸，沿行方向排列的多个第一黑色子矩阵151；沿行方向延伸，沿列方向排列的多个第二黑色子矩阵152；多个开关3在衬底基板4上的正投影位于第二黑色子矩阵152在衬底基板4上的正投影内。
具体的，如图11所示，在显示面板中，子像素单元16为最小的发光单元，为了降低相邻的子像素单元16之间光线的相互影响，在相邻的子像素单元16之间设置黑色矩阵15，该黑色矩阵15还用于遮挡扫描线2、数据线1和开关3等结构，避免上述结构对显示面板的正常显示造成影响，其中，位于两行子像素单元16之间的黑色矩阵15为第二黑色子矩阵152，位于两列子像素单元16之间的黑色矩阵15为第一黑色子矩阵151，由于两行子像素单元16之间的间隔大于两列子像素单元16之间的间隔，从而使得第二黑色子矩阵152的宽度大于第一黑色子矩阵151的宽度，因此在采用多个开关3在衬底基板4上的正投影位于第二黑色子矩阵152在衬底基板4上的正投影内的设置后，可以有利于提高对开关3的遮挡，从而进一步有利于降低显示面板的暗态漏光。
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图12所示，包括上述的显示面板100，其中，关于显示面板100的工作原理在上述有详细说明，在此不再详细赘述。
需要说明的是，本发明实施例中所涉及的显示装置可以包括但不限于个人计算机(Personal Computer，PC)、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、无线手持设备、平板电脑(Tablet Computer)、手机、MP3播放器、MP4播放器、智能手表、车载显示等。
图13为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法，如图13所示，该方法包括以下步骤：
1301、提供一衬底基板。
1302、在衬底基板上形成沿列方向延伸，沿行方向排列的多条数据线，以及在衬底基板上形成沟道、第一半导体层和第二半导体层，沟道、第一半导体层和第二半导体层同层形成。
其中，第一半导体层与沟道的一端电连接，第二半导体层与沟道的另一端电连接，数据线在衬底基板上的正投影与第一半导体层在衬底基板上的正投影相交叠，且数据线与第一半导体层直接电连接。
需要注意的是，在形成数据线、沟道、第一半导体层和第二半导体层时，可以按照远离衬底基板的方向依次形成，例如，当数据线更靠近衬底基板时，先形成数据线，然后在形成沟道、第一半导体层和第二半导体层，或者，当沟道、第一半导体层和第二半导体层更靠近衬底基板时，先形成沟道、第一半导体层和第二半导体层，然后在形成数据线，具体工艺根据实际需要进行设置，在此不作具体限定。
1303、在沟道、第一半导体层和第二半导体层远离衬底基板的一侧形成栅极绝缘层。
1304、在栅极绝缘层远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层。
1305、形成贯穿第一绝缘层的过孔。
其中，沟道在衬底基板上的正投影位于贯穿第一绝缘层的过孔在衬底基板上的正投影内。
1306、在第一绝缘层远离衬底基板一侧形成沿行方向延伸，沿列方向排列的多条扫描线。
其中，扫描线通过贯穿第一绝缘层的过孔与栅极绝缘层接触。
在采用上述方法后，可以形成如图2或图3所示的结构，关于图2和图3所示的结构在上述有详细说明，在此不再详细赘述，采用上述方法形成的显示面板从而有利于减少显示面板的暗态漏光，进而可以提高显示面板的显示效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底基板；
位于衬底基板上呈阵列分布的多个开关单元；
每个所述开关单元包括：
位于所述衬底基板上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层和所述衬底基板之间的沟道、第一半导体层和第二半导体层，所述沟道、所述第一半导体层和所述第二半导体层同层设置，且所述第一半导体层与所述沟道的一端电连接，所述第二半导体层与所述沟道的另一端电连接；
位于所述栅极绝缘层远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层；
沿所述多个开关单元的列方向延伸，沿所述多个开关单元的行方向排列的多条数据线，所述多条数据线与多列开关单元一一对应设置，所述数据线位于所述栅极绝缘层和所述衬底基板之间，所述数据线在所述衬底基板上的正投影与所述第一半导体层在所述衬底基板上的正投影相交叠，且所述数据线与所述第一半导体层直接电连接；
沿所述行方向延伸，沿所述列方向排列的多条扫描线，所述多条扫描线与多行开关单元一一对应设置，所述扫描线位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧，所述扫描线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述栅极绝缘层接触，其中，所述沟道在所述衬底基板上的正投影位于贯穿所述第一绝缘层的过孔在所述衬底基板上的正投影内；
所述数据线位于所述第一半导体层靠近所述衬底基板的一侧，所述第一半导体层覆盖在所述数据线远离所述衬底基板的一侧，所述数据线与所述第一半导体层直接接触；或者所述数据线位于所述第一半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述数据线与所述第一半导体层直接接触。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述沟道靠近所述衬底基板一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层靠近所述衬底基板一侧的遮光层，所述沟道在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述扫描线远离所述衬底基板一侧的平坦化层；
位于所述平坦化层远离所述衬底基板一侧的多个像素电极，所述多个像素电极与所述多个开关单元一一对应设置，所述像素电极通过贯穿所述平坦化层、所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层的过孔与所述第二半导体层藕接。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
多个金属导电部，所述多个金属导电部与所述多个开关单元一一对应设置，所述金属导电部位于所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述金属导电部在所述衬底基板上的正投影与所述第二半导体层在所述衬底基板上的正投影相交叠，所述金属导电部与所述第二半导体层直接电连接，所述像素电极通过贯穿所述平坦化层、所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层的过孔与所述金属导电部电连接。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述扫描线和所述金属导电部的材料包括钼。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
液晶层和彩膜基板；
其中，所述液晶层位于所述衬底基板和所述彩膜基板之间。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：
黑色矩阵；
所述黑色矩阵包括：
沿所述列方向延伸，沿所述行方向排列的多个第一黑色子矩阵；
沿所述行方向延伸，沿所述列方向排列的多个第二黑色子矩阵；
所述多个开关在所述衬底基板上的正投影位于所述第二黑色子矩阵在所述衬底基板上的正投影内。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的显示面板。
9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求1至7中任一项所述的显示面板，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成沿列方向延伸，沿行方向排列的多条数据线，以及在所述衬底基板上形成沟道、第一半导体层和第二半导体层，所述沟道、所述第一半导体层和所述第二半导体层同层形成，其中，所述第一半导体层与所述沟道的一端电连接，所述第二半导体层与所述沟道的另一端电连接，所述数据线在所述衬底基板上的正投影与所述第一半导体层在所述衬底基板上的正投影相交叠，且所述数据线与所述第一半导体层直接电连接，其中，所述数据线位于所述第一半导体层靠近所述衬底基板的一侧，所述第一半导体层覆盖在所述数据线远离所述衬底基板的一侧，所述数据线与所述第一半导体层直接接触；或者所述数据线位于所述第一半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述数据线与所述第一半导体层直接接触；
在所述沟道、所述第一半导体层和所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；
形成贯穿所述第一绝缘层的过孔，所述沟道在所述衬底基板上的正投影位于贯穿所述第一绝缘层的过孔在所述衬底基板上的正投影内；
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板一侧形成沿所述行方向延伸，沿所述列方向排列的多条扫描线，所述扫描线通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述栅极绝缘层接触。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100795801B1 (ko) * 2006-07-19 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 전기 영동 디스플레이 장치
JP2009047967A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
CN202025170U (zh) * 2011-04-22 2011-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏及显示装置
CN103715228B (zh) * 2013-12-26 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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一种宽视角和快速响应的连续视角可控液晶显示;侯柳强等;《液晶与显示》;20160715(第07期);661-666页 *

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