CN207489875U - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以减少制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度，同时减少了或避免了发光层发出的光照射到阵列基板中薄膜晶体管，从而提高了薄膜晶体管的光照稳定性，优化了显示面板的性能。本申请提供的阵列基板，包括：衬底基板、多个薄膜晶体管和电致发光结构，及位于薄膜晶体管和衬底基板之间的遮光结构；其中，薄膜晶体管包括：有源层，及位于有源层远离衬底基板一侧的源漏极层；电致发光结构包括：用于驱动像素单元的第一电极，以及与第一电极相对设置的第二电极；其中，第一电极与遮光结构或有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

传统显示面板的背板制作工艺需要13道掩膜(从衬底基板至像素定义层)，掩膜工序次数多；背板的光照稳定性差，背板中阵列基板上的薄膜晶体管容易受到底部和顶部的光源的光照，底部的光源为环境光及阵列基板内部的反射光，顶部的光源为背板中的阵列基板中的发光层的自身发光，背板的光照稳定性问题一直使得背板性能难以优化；目前，喷墨打印有机发光材料是技术研发的热点，如何提高该技术的稳定性也是很大的技术难点。

实用新型内容

本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以减少制作阵列基板中所需的掩膜(MASK)工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度，同时减少了或避免了发光层发出的光照射到阵列基板中薄膜晶体管，从而提高了薄膜晶体管的光照稳定性，优化了显示面板的性能。

本申请实施例提供的一种阵列基板，包括：

衬底基板、设置于所述衬底基板同侧的多个薄膜晶体管和电致发光结构，及位于所述薄膜晶体管和所述衬底基板之间的遮光结构；其中，

所述薄膜晶体管包括：位于所述遮光结构远离所述衬底基板一侧的有源层，及位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的源漏极层；

所述电致发光结构包括：用于驱动像素单元的第一电极，以及与所述第一电极相对设置的第二电极；

其中，所述第一电极与所述遮光结构或所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构。

本申请实施例提供的上述阵列基板，通过使用阵列基板中的遮光结构或薄膜晶体管中的有源层作为电致发光结构中的一个电极，减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度，同时通过使用阵列基板中的遮光结构或薄膜晶体管中的有源层作为电致发光结构中的一个电极，降低了电致发光结构中位于所述电极之上的发光层相对于衬底基板所处的位置，减少了或避免了发光层发出的光照射到阵列基板中薄膜晶体管，从而提高了薄膜晶体管的光照稳定性，优化了显示面板的性能。

进一步地，在具体实施时，在本申请实施例提供上述阵列基板中，所述电致发光结构还包括：位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；

其中，所述源漏极层在所述发光层的外围形成全包围结构。

本申请实施例提供的上述阵列基板，通过利用阵列基板上的薄膜晶体管中的源漏极层，在阵列基板上的电致发光结构中的发光层的外围形成全包围结构，使得源漏极层挡住发光层发出的光，并且将发光层发出的光反射回电致发光结构中，提高了电致发光结构的出光率的同时，避免发光层发出的光从侧向照射到薄膜晶体管上。

可选地，本申请实施例提供的上述阵列基板，所述源漏极层在平行于阵列基板的面上高于所述发光层。

本申请实施例提供的上述阵列基板，通过源漏极层在平行于阵列基板的面上高于所述发光层，在所述发光层外围形成全包围结构，使得发光层发出的光反射回电致发光结构，提高电致发光结构的出光率，同时避免发光层发出的光从侧向照射到薄膜晶体管上。

可选地，本申请实施例提供的上述阵列基板，当所述第一电极与所述遮光结构为通过同一掩膜版形成的同层结构时，所述遮光结构包括：位于所述衬底基板同侧的滤光片结构，以及位于所述滤光片结构远离所述衬底基板一侧的遮光层。

本申请实施例提供的上述阵列基板，通过设置滤光片结构和遮光层的双重遮光结构，进一步保护薄膜晶体管不被底光照射到；同时滤光片结构对自然光中的紫外线有吸收效果，减少了或避免了紫外线照射到薄膜晶体管。

可选地，本申请实施例提供的上述阵列基板，所述滤光片结构包括下列结构之一或组合：

位于所述衬底基板同侧的第一颜色滤光片；

位于所述第一颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第二颜色滤光片；

位于所述第二颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第三颜色滤光片。

可选地，本申请实施例提供的上述阵列基板，当所述第一电极与所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构时，所述遮光结构包括下列结构之一或组合：

位于所述衬底基板之上同侧的第一颜色滤光片；

位于所述第一颜色滤光片之上远离所述衬底基板一侧的第二颜色滤光片；

位于所述第二颜色滤光片之上远离所述衬底基板一侧的第三颜色滤光片。

本申请实施例提供的上述阵列基板，通过将滤光片作为遮光层使用，进一步减少了阵列基板所需的掩膜工序的次数。

可选地，本申请实施例提供的上述阵列基板，还包括：位于所述电致发光结构之下的第一颜色滤光片或第二颜色滤光片或第三颜色滤光片。

可选地，本申请实施例提供的上述阵列基板，所述薄膜晶体管还包括：位于所述源漏极层远离所述衬底基板一侧的，并且位于所述第一电极及第二电极之间的层结构，该层结构作为钝化层和像素界定层。

本申请实施例提供的上述阵列基板，通过将位于第一电极与第二电极之间的层结构作为钝化层和像素界定层使用，进一步减少了阵列基板所需的掩膜工序的次数。

相应地，本申请实施例提供一种显示面板，包括上述任一所述的阵列基板。

相应地，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之一；

图3为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图之二；

图4为现有技术与本申请实施例提供的阵列基板的发光位置对比示意图；

图5为本申请实施例提供的一种阵列基板的简化结构示意图(主视图)；

图6为本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；

图7为本申请实施例提供的一种阵列基板的薄膜晶体管的制作方法流程图；

图8为本申请实施例提供的一种阵列基板的电致发光结构的制作方法流程图；

图9为本申请实施例提供的一种阵列基板的实施例三的制作流程图；

图10为本申请实施例提供的一种阵列基板的实施例四的制作流程图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。

如图1所示，阵列基板包括衬底基板101，位于衬底基板101同侧的缓冲层105、位于缓冲层105远离衬底基板101一侧的层间绝缘层109、位于层间绝缘层109远离衬底基板101一侧的钝化层704、位于钝化层704远离衬底基板101一侧的有机层103、位于有机层103远离衬底基板101一侧的像素定义层706、设置于所述缓冲层105之间的遮光层707、位于遮光层104远离衬底基板101一侧的有源层106、位于有源层106远离衬底基板101一侧的栅极绝缘层107、位于栅极绝缘层107远离衬底基板101一侧的栅极层108、位于栅极层108远离衬底基板101一侧的源漏极层110，位于有机层103远离衬底基板101一侧的阳极层713、位于阳极层713远离衬底基板101一侧的发光层112、位于发光层112远离衬底基板701一侧的阴极层715、位于阳极层713与钝化层704之间的彩色滤光片712，彩色滤光片712可以是红色滤光片或绿色滤光片或蓝色滤光片；源漏极层110通过设置在层间绝缘层109中的过孔与有源层106相连；在源漏极层110还设置有信号线7111，信号线7111通过设置在层间绝缘层109、缓冲层105中的过孔7031与遮光层104相连；阳极层713通过设置在有机层103、钝化层704的过孔7051与源漏极层711相连；制作如图1 所示阵列基板时，需要13道掩膜工序，且发光层112发出的光容易照射到薄膜晶体管。

本申请实施例提供的一种阵列基板，如图2、图3所示，包括：

衬底基板101、设置于所述衬底基板101同侧的多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)150和电致发光结构160，及位于所述薄膜晶体管150靠近衬底基板101一侧的遮光结构170；其中，

所述薄膜晶体管150包括：位于所述遮光结构170远离衬底基板101一侧的有源层106、位于所述有源层106远离衬底基板101一侧的栅极绝缘层107、位于所述栅极绝缘层107远离衬底基板101一侧的栅极层108及位于所述栅极层108远离衬底基板101一侧的源漏极层110；其中，源漏极层110通过设置在层间绝缘层109中的过孔与有源层106相连；

所述电致发光结构包括：用于驱动像素单元的第一电极(图2中1041、图 3中1061)、与所述第一电极相对设置的第二电极113及位于第一电极及第二电极113之间的发光层112；其中，所述第一电极与所述遮光结构或所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构。

具体地，在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一电极例如可以为阳极，所述第二电极例如可以为阴极。

下面举例说明。

实施例一、

如图2所示，所述第一电极1041与所述遮光结构170中的遮光层104为通过同一掩膜版形成的同层结构，采用的材料也可以相同。

图2中所示阵列基板包括：衬底基板101、设置于所述衬底基板101同侧的多个TFT150和电致发光结构160、位于所述薄膜晶体管150靠近衬底基板 101一侧的遮光结构170、位于衬底基板101远离衬底基板101一侧的有机层 103、位于有机层103远离衬底基板101一侧的缓冲层105、位于缓冲层105 远离衬底基板101一侧的层间绝缘层109。

其中，所述薄膜晶体管150包括：位于所述遮光结构170远离衬底基板101 一侧的有源层106、位于所述有源层106远离衬底基板101一侧的栅极绝缘层 107、位于所述栅极绝缘层107远离衬底基板101一侧的栅极层108及位于所述栅极层108远离衬底基板101一侧的源漏极层110；其中，源漏极层110通过设置在层间绝缘层109中的过孔与有源层106相连。

所述电致发光结构160包括：用于驱动像素单元的第一电极1041、与所述第一电极1041相对设置的第二电极113及位于第一电极及第二电极113之间的发光层112。

其中，所述第一电极1041与所述遮光结构170中的遮光层104为通过同一掩膜版形成的同层结构，采用的材料也可以相同，通过使用与遮光结构170 中的遮光层104采用同一掩膜版同层制作的第一电极1041作为电致发光结构 160中的一个电极，省去了单独做一层电致发光结构160的电极的掩膜工序，减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度；同时，本申请实施例提供的上述阵列基板中，如图4所示，相比图1所示的结构，将原有的发光层112降低到了位置7142，降低了电致发光结构160中发光层相对于衬底基板101所处的位置，让发光层与遮光层相对于衬底基板而言几乎处于同一高度，减少了或避免了发光层112发出的光照射到阵列基板中薄膜晶体管150，从而提高了TFT 150的光照稳定性，优化了显示面板的性能。图2中504为TFT 150所在的TFT电路区域，506为电致发光结构160所在的发光区域。图4中其他附图标记与图1所表示的结构相同。

所述遮光结构170可以包括：位于衬底基板101远离衬底基板101一侧滤光片结构，以及位于有机层103远离衬底基板101一侧的遮光层104；其中，所述滤光片结构包括：位于衬底基板101同侧的第一颜色滤光片201，和/或位于所述第一颜色滤光片201之上的第二颜色滤光片202，和/或位于所述第二颜色滤光片202之上的第三颜色滤光片203，即所述遮光片结构可以是第一颜色滤光片201，第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203中的一个或任意组合，图2中所示为阵列基板中的遮光片结构包括三个滤光片：第一颜色滤光片201，第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203，图2所示结构仅为本申请实施例提供的显示面板的一种可选的实施方式，本不对本申请进行限定；

在显示面板工作的过程中，TFT 150会受到从衬底基板101底部入射的自然光的照射(图2中自底端穿过衬底基板101向靠近TFT 150方向入射的黑色箭头表示从底端入射的自然光)，光照会对TFT 150产生不良影响，通过在TFT 150靠近衬底基板101一侧设置至少一层滤光片，用以保护TFT 150不被底光入射到，再在所述滤光片结构远离衬底基板101一侧设置遮光层104，对TFT 150形成双重遮光保护，进一步保护TFT 150不被底光照射到，从而提高了TFT 150的光照稳定性，从而优化了显示面板的性能；同时滤光片结构对自然光中的紫外线有吸收效果，减少了或避免紫外线照射到TFT 150。

其中，所述电致发光结构160与衬底基板101之间设置有用于滤光的滤光片2011。

所述第一颜色滤光片201与所述滤光片2011为通过同一掩膜版形成的同层结构，采用的材料也可以相同；即所述滤光片2011可以为第一颜色滤光片 201或第二颜色滤光片202或第三颜色滤光片203，具体地可以根据所对应的发光层112所需颜色而定。

例如，所述第一颜色滤光片201、第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片 203分别为红色滤光片、绿色滤光片及蓝色滤光片，具体地，所述第一颜色滤光片201、第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203三者之间的上下设置的位置关系可以根据需要设置，在衬底基板101之上可以设置第一颜色滤光片 201、第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203中的任意一个或两个或三个滤光片作为遮光层使用，这里设置的第一颜色滤光片201，和/或第二颜色滤光片202，和/或第三颜色滤光片203，作为遮光结构遮挡从阵列基板底部入射的光照射到TFT 150，并不用于滤光，三者的上下设置的位置关系或设置多少层不影响遮光结构的性能，因此不做限定，可根据需要而定。

所述阵列基板还包括：位于第一电极1041与第二电极113之间、源漏极层110远离衬底基板101一侧的层结构111，所述层结构111的制作材料例如可以为氧化硅，由此起到了保护TFT 150的钝化层的作用；同时，层结构111 设置于第一电极1041及第二电极113之间，因此也可以起到像素界定层的作用，相比现有技术，将现有技术中需要两道掩膜工序形成的钝化层和像素界定层通过一层两用的方式以一道掩膜工序完成，进一步减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度。

进一步地，在具体实施时，图2中遮光层104和第一电极1041的制作材料例如可以为氧化铟锡(ITO)，用ITO作为遮光层的制作材料，在实现保护 TFT 105不受光照的同时，还能作为电致发光结构160的第一电极使用，以减少制作阵列基板所需的MASK工序的次数。

实施例二、

如图3所示，所述第一电极1061与所述有源层106为通过同一掩膜版形成的同层结构，采用的材料也可以相同。

图3中所示阵列基板包括：衬底基板101、设置于所述衬底基板101同侧的多个TFT150和电致发光结构260、位于所述薄膜晶体管150靠近衬底基板 101一侧的遮光结构270、位于衬底基板101远离衬底基板101一侧的缓冲层 105、位于缓冲层105远离衬底基板101一侧的层间绝缘层109。

其中，所述薄膜晶体管150包括：位于所述遮光结构270远离衬底基板101 一侧的有源层106、位于所述有源层106远离衬底基板101一侧的栅极绝缘层 107、位于所述栅极绝缘层107远离衬底基板101一侧的栅极层108及位于所述栅极层108远离衬底基板101一侧的源漏极层110；其中，源漏极层110通过设置在层间绝缘层109中的过孔与有源层106相连。

所述电致发光结构260包括：用于驱动像素单元的第一电极1061、与所述第一电极1061相对设置的第二电极113及位于第一电极及第二电极113之间的发光层112。

其中，所述第一电极1061与所述有源层106为通过同一掩膜版形成的同层结构，采用的材料也可以相同，通过使用与有源层106采用同一掩膜版同层制作的第一电极1061作为电致发光结构260中的一个电极，省去了单独做一层电致发光结构260的电极的掩膜工序，减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度；同时，本申请实施例提供的上述阵列基板中，如图4所示，相比图1所示的结构，将原有的发光层112降低到了位置7141，降低了电致发光结构260中发光层相对于衬底基板101所处的位置，让发光层与遮光层相对于衬底基板而言几乎处于同一高度，减少了或避免了发光层112发出的光照射到阵列基板中薄膜晶体管 150，从而提高了TFT 150的光照稳定性，优化了显示面板的性能。图3中504 为TFT 150所在的TFT电路区域，506为电致发光结构260所在的发光区域。图4中其他附图标记与图1所表示的结构相同。

所述遮光结构270可以包括：位于衬底基板101同侧的滤光片结构，所述滤光片结构包括：位于衬底基板101同侧的第一颜色滤光片201，和/或位于所述第一颜色滤光片201远离衬底基板101一侧的第二颜色滤光片202，和/或位于所述第二颜色滤光片202远离衬底基板101一侧的第三颜色滤光片203，即所述遮光片结构可以是第一颜色滤光片201，第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203中的一个或任意组合，图3中所示为阵列基板中的遮光片结构包括三个滤光片：第一颜色滤光片201，第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203，图3所示结构仅为本申请实施例提供的显示面板的一种可选的实施方式，本不对本申请进行限定；

在显示面板工作的过程中，TFT 150会受到从衬底基板101底部入射的自然光的照射(图3中自底端穿过衬底基板101向靠近TFT 150方向入射的黑色箭头表示从底端入射的自然光)，光照会对TFT 150产生不良影响，通过在TFT 150靠近衬底基板101一侧设置滤光片作为遮光层，用以保护TFT 150不被底光入射到，从而提高了TFT 150的光照稳定性，从而优化了显示面板的性能；同时滤光片结构对自然光中的紫外线有吸收效果，减少了或避免了紫外线照射到TFT 150。

其中，所述发光结构260与衬底基板101之间设置有用于滤光的滤光片 2011。

所述滤光片2011，为与所述第一颜色滤光片201或第二颜色滤光片202 或第三颜色滤光片203通过同一掩膜版形成的同层结构，采用的材料也可以相同；即所述滤光片2011可以为第一颜色滤光片201或第二颜色滤光片202或第三颜色滤光片203，具体地可以根据所对应的发光层112所需颜色而定；通过将第一颜色滤光片201或第二颜色滤光片202或第三颜色滤光片203与滤光片2011同层设置，作为遮光层使用，省去了在滤光片2011所在层之上再单独设置一层遮光层的掩膜工序，进一步减少了阵列基板所需的掩膜工序的次数。

需要说明的是，所述第一颜色滤光片201、第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203分别为红色滤光片、绿色滤光片及蓝色滤光片，具体地，所述第一颜色滤光片201、第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203三者之间的上下设置的位置关系可以根据需要设置，在衬底基板101之上可以设置第一颜色滤光片201、第二颜色滤光片202及第三颜色滤光片203中的任意一个或两个或三个滤光片作为遮光层使用，这里设置第一颜色滤光片201，和/或第二颜色滤光片202，和/或第三颜色滤光片203，作为遮光结构遮挡从阵列基板底部入射的光照射到TFT 150，并不用于滤光，三者的上下设置的位置关系或设置多少层不影响遮光结构的性能，因此不做限定，可根据需要而定。

所述阵列基板还包括：位于第一电极1061与第二电极113之间、源漏极层110远离衬底基板101一侧的层结构111，所述层结构111的制作材料例如可以为氧化硅，由此起到了保护TFT 150的钝化层的作用；同时，层结构111 设置于第一电极1061及第二电极113之间，因此也可以起到像素界定层的作用，相比现有技术，将现有技术中需要两道掩膜工序形成的钝化层和像素界定层通过一层两用的方式以一道掩膜工序完成，进一步减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度。进一步地，在具体实施时，如图2、图3所示，本申请实施例提供的上述阵列基板中，所述源漏极层110与所述第一电极(图2中1041、图3中1061) 电连接。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板上设置有多个像素单元(图2、图3中未示出)，每一个像素单元靠近衬底基板101一侧设置有如图2、图3所示的TFT150及电致发光结构(图2中的160，图3中的260)，其中504为TFT 150所在的TFT电路区域，506为电致发光结构所在的发光区域，如图5所示，图5为图2、3在垂直于阵列基板的方向上的主视图的简化示意图，其中，所述源漏极层110在所述发光层112的外围形成全包围结构，从而使得源漏极层110挡住发光层112发出的光，同时将发光层112发出的光反射回电致发光结构，提高电致发光结构的出光率，避免发光层112发出的光从侧向照射到TFT 150上，进一步保护了TFT 150不受到光照的影响，从而进一步提高了TFT 150的光照稳定性，优化了显示面板的性能。

进一步地，具体实施时，如图2、图3所示，本申请实施例提供的上述阵列基板，所述源漏极层110在平行于阵列基板的方向上可以高于所述发光层112，这样设置使得在所述发光层112的外围形成全包围结构的源漏极层110更加严实地遮挡住发光层112发出的光，同时将发光层112发出的光反射回电致发光结构中，从而提高了电致发光结构的出光率，保护了TFT 150不受到光照的影响。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板，所述层结构 111的制作材料例如可以为氧化硅，由于氧化硅是疏水材料，有利于在层结构 111上喷墨打印发光层的均匀性，当然，制作层结构111的制作材料不限于氧化硅，具体可根据需要设计，在此不做限定。

进一步地，具体实施时，如图2、图3所示，本申请实施例提供的上述阵列基板中有源层106的制作材料例如可以为铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板中缓冲层105 的制作材料例如可以为有机材料，使用高阻水、阻氧的有机材料层制作缓冲层 105，防止水、氧通过缓冲层对有源层106造成不良影响，从而防止了水、氧对TFT 150造成不良影响。

基于同一构思，本申请实施例还提供了一种显示面板，本申请实施例提供的上述阵列基板。该显示面板可以为有机电致发光面板(OLED)、自动矩阵有机电致发光面板(AMOLED)等适用于本申请提供的技术方案的显示面板。对于该显示面板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。该显示面板的实施可以参见上述封装结构的实施例，重复之处不再赘述。

基于同一构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括本申请实施例提供的上述显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。该显示装置的实施可以参见上述封装结构的实施例，重复之处不再赘述。

相应地，如图6所示，本申请实施例还提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括：

步骤901、制作衬底基板；

步骤902、制作位于所述衬底基板同侧的多个薄膜晶体管；

步骤903、制作位于所述衬底基板同侧的多个电致发光结构；

步骤904、制作位于所述薄膜晶体管和所述衬底基板之间的遮光结构；其中，

如图7所示，制作薄膜晶体管的步骤902包括：

步骤9021、在所述遮光结构远离所述衬底基板的一侧形成有源层的图案；

步骤9022、在所述有源层远离所述衬底基板的一侧形成源漏极层的图案。

如图8所示，制作电致发光结构的步骤903包括：

步骤9031、制作第一电极；

步骤9032、在所述第一电极远离所述衬底基板一侧形成发光层的图案；其中，所述源漏极层的图案环绕在所述发光层的图案的外围，形成全包围图案；

步骤9033、制作与第一电极相对设置第二电极；其中，所述第一电极与所述遮光结构或所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，所述源漏极层在平行于阵列基板的面上高于所述发光层。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，当所述第一电极与所述遮光结构为通过同一掩膜版形成的同层结构时，制作所述遮光结构包括：

制作位于所述衬底基板同侧的滤光片结构；

制作位于所述滤光片结构远离所述衬底基板一侧的遮光层。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，所述制作所述滤光片结构包括下列步骤之一或组合：

制作位于所述衬底基板同侧的第一颜色滤光片；

制作位于所述第一颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第二颜色滤光片；

制作位于所述第二颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第三颜色滤光片。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，制作所述遮光层的材料包括：氧化铟锡。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，当所述第一电极与所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构时，制作所述遮光结构包括下列步骤之一或组合：

制作位于所述衬底基板同侧的第一颜色滤光片；

制作位于所述第一颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第二颜色滤光片；

制作位于所述第二颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第三颜色滤光片。进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，该方法还包括：

制作位于所述电致发光结构之下的第一颜色滤光片或第二颜色滤光片或第三颜色滤光片。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，所述源漏极层与所述第一电极电连接。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，制作薄膜晶体管还包括：

制作位于所述源漏极层之上，并且位于所述第一电极及第二电极之间的层结构，该层结构作为钝化层和像素界定层。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，所述层结构的制作材料包括：氧化硅。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，制作所述层结构包括：对所述层结构进行等离子处理。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，制作所述有源层的材料包括：铟镓锌氧化物。

进一步地，具体实施时，本申请实施例提供的上述阵列基板的制作方法，该方法还包括：

制作位于所述遮光结构远离所述衬底基板一侧的的缓冲层；其中，制作所述缓冲层的材料包括：有机材料。

现有技术中，如图1所示，制作阵列基板时(从衬底基板101至像素定义层706)需要13道掩膜(MASK)工序(即对层结构进行图形化)，具体地，分别对如表1所示的层结构进行图形化：

表1

本申请实施例提供的上述阵列基板，通过使用阵列基板中的遮光结构或薄膜晶体管中的有源层作为电致发光结构中的一个电极，减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度，下面举例详细说明。

实施例三、

如图2所示，所述第一电极1041与所述遮光结构170中的遮光层104为通过同一掩膜版形成的同层结构。

具体地，参见图9，所示阵列基板的制作方法如下：

S1、对位于衬底基板101同侧的第一颜色滤光片201进行图形化(即进行 MASK工序)；

S2、对第二颜色滤光片202进行图形化，将第二滤光片202设置在第一颜色滤光片201远离衬底基板101的一侧；

S3、对第三颜色滤光片203进行图形化，将第三颜色滤光片203设置在第二颜色滤光片202远离衬底基板101的一侧；

S4、对完成步骤一～步骤三的阵列基板进行平坦化，即对有机层103进行图形化；

S5、用溅镀(sputter)或其他物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)方法在有机层103上沉积遮光层104，对遮光层104进行图形化，遮光层104 的制作材料可以采用氧化铟锡(ITO)，在作为遮光层的同时，可作为电致发光结构160中的第一电极1041，从而省去了单独图形化一层电极的一道MASK 工序，遮光层104的厚度可以在50～400纳米之间，例如可以为132纳米；

S6、利用等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)制备缓冲层105，对缓冲层105进行图形化，缓冲层105的厚度可以在100～500纳米之间，例如可以为300纳米。

S7、利用sputter沉积有源层106，对有源层106进行图形化，有源层106 的制作材料例如可以为IGZO，有源层106的厚度可以在10～100纳米之间，例如可以为40纳米；

S8、利用PECVD法制备栅极绝缘层107，栅极绝缘层107的制作材料例如可以为氧化硅，其厚度可以在100～500纳米之间，例如可以为150纳米；再在栅极绝缘层107上用sputter沉积由三层材料构成的栅极层108，这三层材料例如可以为位于最下层的钼铌(厚度约为30纳米)，位于中间层的铜(厚度约为420纳米)及位于最上层的钼铌(厚度约为30纳米)，采用自对准工艺对栅极绝缘层107和栅极层108进行图形化；

S9、利用PECVD法制备层间绝缘层109，层间绝缘层109的制作材料例如可以为氧化硅，其厚度可以在100～500纳米之间，例如可以为300纳米，对层间绝缘层109进行图形化，并在层间绝缘层109上刻蚀过孔，用于使源漏极层110与有源层106连接；

S10、采用sputter制备源漏极层110，厚度可以在50～400纳米之间，并根据所需图形进行光刻和刻蚀，例如在发光层112的外围形成全包围的结构，以遮挡并反射发光层112发出的光，将发光层112发出的光反射回电致发光结构 160，提高电致发光结构160的出光率，同时避免TFT 150受到发光112发出的光的侧面光照；

S11、利用PECVD法沉积层结构111，对层结构111进行图形化；层结构 111的厚度可以在200～400纳米之间，例如可以为300nm，一方面作为钝化层保护TFT 150，一方面作为像素定义层使得各电致发光结构160之间绝缘；层结构111的制作材料例如可以为氧化硅，利用氧化硅疏水的特性，有利于喷墨打印发光材料的均匀性；同时，在采用四氟甲烷及氧气对层结构111进行刻蚀后，可以进行等离子(plasma)处理，例如可以使用氧等离子体处理，plasma 处理使得第一电极层的ITO膜失去电子，从而提高了第一电极层的功函数，进一步提高了发光层的出光效率；

S12、采用喷墨打印的方式进行发光层112的制备；

S13、采用蒸镀的方式，在第二电极113之上沉积铝膜。

相较于现有技术，如下面的表2所示，本申请实施例一提供的阵列基板减少了两道MASK工序，通过使用遮光结构170中的遮光层1041作为电致发光结构160中的一个电极，省去了再单独做一层电致发光结构160的电极的掩膜工序，又通过将层结构111作为钝化层和像素定义层使用，将常规工艺中需要两道MASK工序完成的钝化层和像素定义层通过一道MASK工序实现，减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度。

表2

实施例四、

如图3所示，所述述第一电极1061与所述有源层106为通过同一掩膜版形成的同层结构。

具体地，参见图10，所示阵列基板的制作方法如下：

S211、对位于衬底基板101同侧的第一颜色滤光片201进行图形化(即进行MASK工序)，同时作为TFT 150的遮光层，省去了一道单独图形化遮光层的MASK工序；

S212、在第二颜色滤光片202所对应的出光区域对第二颜色滤光片202进行图形化；

S213、在第三颜色滤光片203所对应的出光区域对第三颜色滤光片203进行图形化；

S214、利用PEVCD法制备缓冲层105，缓冲层105的制作材料可采用高阻水、阻氧的有机材料，同时作为阵列基板中的有机层，从而省去了单独图形化一层有机层的一道MASK工序，对缓冲层105进行图形化；在同一掩膜版上，对有源层106进行沉积，有源层106的制作材料例如可以为IGZO，在作为有源层的同时，可作为电致发光结构260中的第一电极1061，从而省去了单独图形化一层电极的一道MASK工序；

S215、利用PECVD法制备栅极绝缘层107，栅极绝缘层107的制作材料例如可以为氧化硅，其厚度可以在100～500纳米之间，例如可以为150纳米；再在栅极绝缘层107上用sputter沉积由三层材料构成的栅极层108，这三层材料例如可以为位于最下层的钼铌(厚度约为30纳米)，位于中间层的铜(厚度约为420纳米)及位于最上层的钼铌(厚度约为30纳米)，采用自对准工艺对栅极绝缘层107和栅极层108进行图形化；

S216、利用PECVD法制备层间绝缘层109，层间绝缘层109的制作材料例如可以为氧化硅，其厚度可以在100～500纳米之间，例如可以为300纳米，对层间绝缘层109进行图形化，并在层间绝缘层上刻蚀过孔，用于使源漏极层110与有源层106连接；

S217、采用sputter制备源漏极层，厚度可以在50～400纳米之间，并根据所需图形进行光刻和刻蚀，例如在发光层112的外围形成全包围的结构，以遮挡并反射发光层112发出的光，将发光层112发出的光反射回电致发光结构260，同时避免TFT 150受到发光112发出的光的侧面光照；

S218、利用PECVD法沉积层结构111，对层结构111进行图形化；层结构111的厚度可以在200～400纳米之间，例如可以为300nm，一方面作为钝化层保护TFT 150，一方面作为像素定义层使得各电致发光结构260之间绝缘；层结构111的制作材料例如可以为氧化硅，利用氧化硅疏水的特性，有利于喷墨打印发光层的均匀性；同时，在采用四氟甲烷及氧气对层结构111进行刻蚀后，可以进行等离子(plasma)处理，例如可以使用氧等离子体处理，plasma 处理使得第一电极层的ITO膜失去电子，从而以提高了第一电极层的功函数，进一步提高了发光层的出光效率。

S219、采用喷墨打印的方式进行发光层112的制备；

S220、采用蒸镀的方式，在第二电极113之上沉积铝膜。

相较于现有技术，如下面的表3所示，本申请实施例一提供的阵列基板减少了五道MASK工序，用设置在衬底基板之上的第一颜色滤光片201、和/或第二颜色滤光片202、和/或第三颜色滤光片203作为遮光层使用，省去了一道再单独图形化一层结构作为遮光层的MASK工序；通过使用有源层1061作为电致发光结构260中的一个电极，省去了再单独做一层结构作为电致发光结构 260的电极的MASK工序；又通过将层结构111作为钝化层和像素定义层使用，将两道MASK工序合成一道MASK工序；同时将缓冲层105同时作为有机层使用，并在同一道MASK工序中图形化有源层106，从而省去了单独图形化一层有机层的一道MASK工序和一层图形化有源层的MASK工序；从而减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度。

表3

综上所述，本申请实施例公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及其制作工艺，通过使用阵列基板中的遮光结构或薄膜晶体管中的有源层作为电致发光结构中的一个电极，减少了制作阵列基板中所需的掩膜工序的次数，从而简化了阵列基板的制作工艺，减少了显示面板的厚度，同时通过使用阵列基板中的遮光结构或薄膜晶体管中的有源层作为电致发光结构中的一个电极，降低了电致发光结构中位于所述电极之上的发光层相对于衬底基板所处的位置，减少了或避免发光层发出的光照射到阵列基板中薄膜晶体管，从而提高了薄膜晶体管的光照稳定性，优化了显示面板的性能。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板、设置于所述衬底基板同侧的多个薄膜晶体管和电致发光结构，及位于所述薄膜晶体管和所述衬底基板之间的遮光结构；其中，

所述薄膜晶体管包括：位于所述遮光结构远离所述衬底基板一侧的有源层，及位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的源漏极层；

所述电致发光结构包括：用于驱动像素单元的第一电极，以及与所述第一电极相对设置的第二电极；

其中，所述第一电极与所述遮光结构或所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电致发光结构还包括：位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光层；

其中，所述源漏极层在所述发光层的外围形成全包围结构。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层在平行于阵列基板的面上高于所述发光层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当所述第一电极与所述遮光结构为通过同一掩膜版形成的同层结构时，所述遮光结构包括：位于所述衬底基板同侧的滤光片结构，以及位于所述滤光片结构远离所述衬底基板一侧的遮光层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述滤光片结构包括下列结构之一或组合：

位于所述衬底基板同侧的第一颜色滤光片；

位于所述第一颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第二颜色滤光片；

位于所述第二颜色滤光片远离所述衬底基板一侧的第三颜色滤光片。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当所述第一电极与所述有源层为通过同一掩膜版形成的同层结构时，所述遮光结构包括下列结构之一或组合：

位于所述衬底基板之上同侧的第一颜色滤光片；

位于所述第一颜色滤光片之上远离所述衬底基板一侧的第二颜色滤光片；

位于所述第二颜色滤光片之上远离所述衬底基板一侧的第三颜色滤光片。

7.根据权利要求4或6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述电致发光结构之下的第一颜色滤光片或第二颜色滤光片或第三颜色滤光片。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述源漏极层远离所述衬底基板一侧的，并且位于所述第一电极及第二电极之间的层结构，该层结构作为钝化层和像素界定层。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～8任一所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。