CN112838100A - 发光面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提出了一种发光面板及其制作方法，所述发光面板包括薄膜晶体管区和远离所述薄膜晶体管区的绑定区，所述薄膜晶体管区内设置有多个薄膜晶体管单元，所述绑定区内设置有至少一个第一端子，所述第一端子至少包括位于所述衬底上的第一电极。本申请通过将所述第一电极与薄膜晶体管单元中的第一金属层及第二金属层中至少一者同层设置，以使所述第一电极通过电连接构件与所述驱动电路层电连接，以及将第一电极、驱动电路层中的源漏极以及遮光金属在同一道工艺中形成，减少了制程工艺的蚀刻次数，简化了发光面板的工艺难度，提高了制程效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种发光面板及其制作方法。
背景技术
现有的发光二极管显示器件的背光模组通常包括驱动电路板及位于驱动电路板上的发光二极管，例如Micro LED或Mini LED，因此背光模组的结构设计在高分辨率产品尤为重要。
现有背光模组中的驱动电路板，制程复杂，其通常需要7道光罩才能完成驱动电路板的制备工艺；同时，在进行绑定端子的工艺时，需要用于遮挡半导体层的黑色遮光材料可能与绑定端子接触，导致黑色遮光材料在绑定端子残留，影响绑定端子与发光二极管的连接效果，降低了产品的良率。
发明内容
本申请提供一种发光面板及其制作方法，以解决现有发光二极管显示器件制程工艺复杂及良率低的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提出了一种发光面板，所述发光面板包括薄膜晶体管区和远离所述薄膜晶体管区的绑定区，所述薄膜晶体管区内设置有多个薄膜晶体管单元，任一所述薄膜晶体管单元包括衬底以及位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层至少包括位于所述衬底上的第一金属层及位于所述第一金属层上的第二金属层；
其中，所述绑定区内设置有至少一个第一端子，所述第一端子至少包括位于所述衬底上的第一电极，所述第一电极与所述第一金属层及所述第二金属层中至少一者同层设置，所述第一电极通过电连接构件与所述驱动电路层电连接。
在本申请的发光面板中，所述驱动电路层包括位于所述衬底上的遮光金属层、位于所述遮光金属层上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的有源层、位于所述有源层上的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的第三绝缘层，所述有源层包括与所述第二绝缘层对应的沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区远离所述绑定区设置，所述第二有源区靠近所述绑定区设置；
其中，所述第一电极与所述遮光金属层同层设置，所述第一电极通过所述电连接构件与所述第二有源区内的有源材料电连接。
在本申请的发光面板中，所述遮光金属层包括靠近所述绑定区的第一遮光构件和远离所述绑定区的第二遮光构件；
其中，所述第一遮光构件通过第一过孔与所述第一有源区内的有源材料电连接，所述第二遮光构件通过第二过孔与所述第二有源区内的有源材料电连接，所述电连接构件与所述第二有源区内的有源材料搭接设置，所述电连接构件通过第三过孔与所述第一电极电连接。
在本申请的发光面板中，所述第二遮光构件在所述衬底上的投影面积大于所述第一遮光构件在在所述衬底上的正投影面积。
在本申请的发光面板中，所述驱动电路层还包括与所述有源层同层设置的源漏极层，所述源漏极层包括源极端子和漏极端子，所述源极端子与所述第一有源层内的有源材料电连接，所述漏极端子与所述第二有源层内的有源材料电连接；
其中，所述电连接构件与所述漏极端子搭接设置；或者，所述漏极端子构成与所述第一电极电连接的电连接构件。
在本申请的发光面板中，所述绑定区内还设置有位于所述第一电极上的第二电极以及位于所述第二电极上的像素电极，所述第二电极与所述栅极层在同一道光罩工艺中形成。
在本申请的发光面板中，所述驱动电路层包括位于所述衬底上的栅极层、位于所述栅极层上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的有源层、位于所述有源层上的源漏极层，所述源漏极层包括远离所述绑定区的源极端子和靠近所述绑定区的漏极端子，所述漏极端子构成与所述第一电极电连接的电连接构件；
所述绑定区内设置有与所述栅极层同层设置的第一电极，所述第一电极通过第三过孔与所述漏极端子电连接。
本申请还提出了一种发光面板的制作方法，所述发光面板包括薄膜晶体管区和远离所述薄膜晶体管区的绑定区，所述发光面板的制作方法包括：
在衬底上形成第一遮光材料层，所述第一遮光材料层经图案化处理以形成所述发光面板的遮光金属层以及第一端子的第一电极；
在所述遮光金属层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成有源材料层，所述有源材料层经图案化处理形成包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一有源区和第二有源区的有源层；
在所述有源层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成栅极金属材料，所述栅极金属材料经图案化处理形成所述发光面板的栅极层以及连接所述第一电极与所述有源层的电连接构件；
在所述栅极层上形成第三绝缘层。
在本申请的发光面板的制作方法中，所述在衬底上形成第一遮光材料层，所述第一遮光材料层经图案化处理以形成所述发光面板的遮光金属层以及第一端子的第一电极的步骤，包括：
在所述衬底上形成所述第一遮光材料层；
所述第一遮光材料层经图案化处理形成包括靠近所述绑定区的第一遮光构件和远离所述绑定区的第二遮光构件的所述遮光金属层；以及
所述第一遮光材料层经图案化处理形成包括第一电极的第一端子，所述第一端子位于所述绑定区内。
在本申请的发光面板的制作方法中，所述在所述第一绝缘层上形成有源材料层，所述有源材料层经图案化处理形成包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一有源区和第二有源区的有源层的步骤，包括：
在所述第一绝缘层上形成有源材料层；
对所述有源材料层经图案化处理，使所述有源材料层经形成有源层；
其中，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一有源区和第二有源区，所述第一遮光构件通过第一过孔与所述第一有源区内的有源材料电连接，所述第二遮光构件通过第二过孔与所述第二有源区内的有源材料电连接。
有益效果：本申请通过将所述第一电极与薄膜晶体管单元中的第一金属层及第二金属层中至少一者同层设置，以使所述第一电极通过电连接构件与所述驱动电路层电连接，以及将第一电极、驱动电路层中的源漏极以及遮光金属在同一道工艺中形成，减少了制程工艺的蚀刻次数，简化了发光面板的工艺难度，提高了制程效率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请发光面板的第一种结构图；
图2为本申请发光面板的第二种结构图；
图3为本申请发光面板的第三种结构图；
图4为本申请发光面板的第四种结构图；
图5为本申请发光面板的第五种结构图；
图6为本申请发光面板的制作方法的步骤图；
图7A～7G为本申请发光面板的制作方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
现有发光面板中的驱动电路板，制程复杂，其通常需要7道光罩才能完成驱动电路板的制备工艺；同时，在进行绑定端子的工艺时，需要用于遮挡半导体层的黑色遮光材料可能与绑定端子接触，导致黑色遮光材料在绑定端子残留，影响绑定端子与发光二极管的连接效果，降低了产品的良率。
请参阅图1～图5，本申请提出了一种发光面板100，所述发光面板100包括薄膜晶体管区200和远离所述薄膜晶体管区200的绑定区300，所述薄膜晶体管区200内设置有多个薄膜晶体管单元，任一所述薄膜晶体管单元包括衬底10以及位于所述衬底10上的驱动电路层20，所述驱动电路层20至少包括位于所述衬底10上的第一金属层及位于所述第一金属层上的第二金属层；
其中，所述绑定区300内设置有至少一个第一端子310，所述第一端子310至少包括位于所述衬底10上的第一电极311，所述第一电极311与所述第一金属层及所述第二金属层中至少一者同层设置，所述第一电极311通过电连接构件330与所述驱动电路层20电连接。
本申请通过将所述第一电极311与薄膜晶体管单元中的第一金属层及第二金属层中至少一者同层设置，以使所述第一电极311通过电连接构件330与所述驱动电路层20电连接，以及将第一电极311、驱动电路层20中的源漏极以及遮光金属在同一道工艺中形成，减少了制程工艺的蚀刻次数，简化了发光面板100的工艺难度，提高了制程效率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
在本实施例中，所述发光面板可以为背光模组或者常规的自发光的显示面板，下文中主要以发光面板为背光模组为例进行说明。
在本申请的发光面板100中，所述驱动电路层20可以包括位于所述衬底10上的遮光金属层210、位于所述遮光金属层210上的第一绝缘层220、位于所述第一绝缘层220上的有源层230、位于所述有源层230上的第二绝缘层240、位于所述第二绝缘层240上的栅极层250、位于所述栅极层250上的第三绝缘层260以及位于所述第三绝缘层260上的遮光有机层270。
在本实施例中，所述衬底10的材料可以根据产品的刚性及柔性确定，例如玻璃、石英的刚性材料或者聚酰亚胺的柔性材料等，而在发光面板100的结构中，所述衬底10的材料一般选择刚性材料。
在本实施例中，所述遮光金属层210可以为所述第一金属层，所述栅极层250可以作为所述第二金属层，所述遮光金属层210主要用于遮挡外界光或内部光线，以避免该光线对遮光层上的金属结构造成一定的影响。所述遮光金属层210由第一遮光材料层经图案化处理形成，所述遮光金属层210的材料可以为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物或者其他导电性良好的遮光金属材料。
在本实施例中，所述有源层230可以包括与所述第二绝缘层240对应的沟道区231以及位于所述沟道区231两侧的第一有源区232和第二有源区233，所述第一有源区232远离所述绑定区300设置，所述第二有源区233靠近所述绑定区300设置。所述有源层230的有源材料可以为半导体氧化物，例如铟镓锌氧化物，所述第一有源区232和所述第二有源区233内掺杂有对应的离子，例如磷离子或氮离子等，当薄膜晶体管中出现压差时，该离子会进入所述沟道区231是的所述沟道区231成为连接所述第一有源区232和所述第二有源区233的导体结构，以完成信号的传输。
请参阅图1，所述遮光金属层210可以包括靠近所述绑定区300的第一遮光构件211和远离所述绑定区300的第二遮光构件212，所述第一遮光构件211通过第一过孔221与所述第一有源区232内的有源材料电连接，所述第二遮光构件212通过第二过孔222与所述第二有源区233内的有源材料电连接，所述第一过孔221及所述第二过孔222位于所述第一绝缘层220上。所述第一遮光构件211与所述第二遮光构件212还具有所述薄膜晶体管中源漏极的功能，即所述第一遮光构件211与所述第二遮光构件212作为所述薄膜晶体管中的遮光构件及源漏极的功效。
在本实施例中，所述第二遮光构件212在所述衬底10上的投影面积大于所述第一遮光构件211在在所述衬底10上的正投影面积。所述第二遮光构件212作为所述薄膜晶体管的漏极端子282以及遮光构件，所述第一遮光构件211仅作为所述薄膜晶体管的源极端子281，因此本实施例将第二遮光构件212的投影面积设置的大于第一遮光构件211的投影面积，使得第二遮光构件212能够复用为遮光构件及漏极端子282。
在本实施例中，所述发光面板100还包括位于所述绑定区300内的第一端子310，所述第一端子310至少包括与所述遮光金属层210同层设置的第一电极311，即所述第一遮光材料层经图案化处理，除了形成所述遮光金属层210，还形成所述第一端子310的第一电极311。
在本实施例中，所述发光面板100还包括与所述有源层230同层设置的电连接构件330，所述电连接构件330通过位于所述第一绝缘层220上的第三过孔223使所述第二有源区233内的有源材料与所述第一电极311电连接。所述电连接构件330可以由第二金属材料层构成，即所述第二金属材料层经图案化处理形成所述栅极层250及所述电连接构件330，所述第二金属材料层的材料可以与所述第一金属层的材料相同，此处不再赘述。
在本实施例中，所述电连接构件330与所述第二有源区233内的有源材料搭接设置。为了提高电连接构件330与有源材料的电连接性，在进行第二金属材料层的图案化处理时，使得电连接构件330与所述第二有源区233内的有源材料具有一定的重合部分，以形成搭接结构。
请参阅图2，所述驱动电路层20还可以包括与所述有源层230同层设置的源漏极层，所述源漏极层包括源极端子281和漏极端子282，所述源极端子281与所述第一有源层230内的有源材料电连接，所述漏极端子282与所述第二有源层230内的有源材料电连接。
与图1相比，本实施例将源漏极层与所述有源层230同层设置，即在完成有源层230的工艺后，直接进行所述源漏极层的沉积工艺，使得形成源极端子281和漏极端子282位于所述有源层230的两侧。
在本实施例中，请参阅图2，所述电连接构件330与所述漏极端子282搭接设置，所述电连接构件330通过所述第三过孔223与所述第一电极311电连接。或者，请参阅图3，所述漏极端子282构成与所述第一电极311电连接的电连接构件330，即所述电连接构件330直接由所述漏极端子282替代，无需进行电连接构件330的光罩工艺。
在本实施例中，所述绑定区300内还设置有位于所述第一电极311上的第二电极312以及位于所述第二电极312上的像素电极313，所述第二电极312与所述栅极层250在同一道光罩工艺中形成。
请参阅图1～图3，所述发光面板100还包括位于所述绑定区300内的第一开口320，所述第一开口320贯穿所述遮光有机层270和所述第三绝缘层260，所述像素电极313沿所述第一开口320的边缘与所述第一电极311电连接，所述像素电极313覆盖部分所述遮光有机层270。
在本实施例中，所述发光面板100还包括位于所述第一开口320内的发光器件(未画出)，例如Micro LED或Mini LED等。
在本实施例中，所述第三绝缘层260、所述第二绝缘层240以及所述第一绝缘层220的材料可以相同，例如硅氧化合物、碳硅化合物等无机化合物。
在本实施例中，所述像素电极313的材料可以为但不限于氧化铟锡，或者其他导电性良好的金属材料等。
在上述实施例的基础上，所述第一端子310还可以包括位于所述第一电极311与所述像素电极313之间的第二电极312，所述第二电极312与所述栅极层250在同一道光罩工艺中形成，所述第二电极312直接构成所述电连接构件330。
请参阅图4，与图1～图3相比，本申请增加了所述第二电极312，将所述第二电极312复用为所述电连接构件330，使得第二电极312直接形成在所述第一电极311上，去除了电连接构件330与所述第一电极311之间的第三过孔223，增加了第一电极311和第二电极312的接触面积，同时也增加了第一端子310与遮光有机层270的纵向间距，避免了在进行像素电极313的沉积工艺时，因深度过大以及所述第一开口320的开口角度过小而导致断线的技术问题。
在本申请的发光面板100中，所述驱动电路层20包括位于所述衬底10上的栅极层250、位于所述栅极层250上的第一绝缘层220、位于所述第一绝缘层220上的有源层230、位于所述有源层230上的源漏极层，所述源漏极层包括远离所述绑定区300的源极端子281和靠近所述绑定区300的漏极端子282，所述漏极端子282构成与所述第一电极311电连接的电连接构件330；所述绑定区300内设置有与所述栅极层250同层设置的第一电极311，所述第一电极311通过第三过孔223与所述漏极端子282电连接。
请参阅图5，与上述结构不同，本实施例的薄膜晶体管为底栅结构，本实施例去除了遮光构件，将第一端子310的第一电极311与栅极层250同层设置，以及利用栅极层250作为遮光金属，而源漏极的结构与图2中的实施例相同，此处不再详细赘述。
本申请通过将所述第一电极311与薄膜晶体管单元中的第一金属层及第二金属层中至少一者同层设置，以使所述第一电极311通过电连接构件330与所述驱动电路层20电连接，以及将第一电极311、驱动电路层20中的源漏极以及遮光金属在同一道工艺中形成，减少了制程工艺的蚀刻次数，简化了发光面板100的工艺难度，提高了制程效率。
请参阅图6和图7A～图7G，本申请还提出了一种发光面板100的制备方法，所述发光面板100包括薄膜晶体管区200和远离所述薄膜晶体管区200的绑定区300，所述发光面板100的制作方法包括：
S10、在衬底10上形成第一遮光材料层，所述第一遮光材料层经图案化处理以形成所述发光面板100的遮光金属层210以及第一端子310的第一电极311；
请参阅图7A，步骤S10可以包括：
S101、在所述衬底10上形成所述第一遮光材料层；
S102、所述第一遮光材料层经图案化处理形成包括靠近所述绑定区300的第一遮光构件211和远离所述绑定区300的第二遮光构件212的所述遮光金属层210；
S103、所述第一遮光材料层经图案化处理形成包括第一电极311的第一端子310，所述第一端子310位于所述绑定区300内。
在本步骤中，所述衬底10的材料可以根据产品的刚性及柔性确定，例如玻璃、石英的刚性材料或者聚酰亚胺的柔性材料等，而在发光面板100的结构中，所述衬底10的材料一般选择刚性材料。
在本步骤中，所述遮光金属层210和所述第一端子310的所述第一电极311由所述第一遮光材料层经过同一道光罩工艺形成，所述遮光金属层210由第一遮光材料层经图案化处理形成，所述遮光金属层210的材料可以为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种金属材料的组合物或者其他导电性良好的遮光金属材料。
在本实施例中，所述遮光金属层210可以包括靠近所述绑定区300的第一遮光构件211和远离所述绑定区300的第二遮光构件212。所述第二遮光构件212在所述衬底10上的投影面积大于所述第一遮光构件211在在所述衬底10上的正投影面积。所述第二遮光构件212作为所述薄膜晶体管的漏极端子282以及遮光构件，所述第一遮光构件211仅作为所述薄膜晶体管的源极端子281，因此本实施例将第二遮光构件212的投影面积设置的大于第一遮光构件211的投影面积，使得第二遮光构件212能够复用为遮光构件及漏极端子282。
S20、在所述遮光金属层210上形成第一绝缘层220；
请参阅图7B，本步骤主要是所述第一绝缘层220通过一预定的掩膜版进行图案化处理，以形成位于所述第一绝缘层220上的第一过孔221以及第二过孔222，所述第一过孔221使部分所述第一遮光构件211裸露，所述第二过孔222使部分所述第二遮光构件212裸露。
在本实施例中，所述第一绝缘层220的材料可以为硅氧化合物、碳硅化合物等无机化合物。
S30、在所述第一绝缘层220上形成有源材料层，所述有源材料层经图案化处理形成包括沟道区231以及位于所述沟道区231两侧的第一有源区232和第二有源区233的有源层230；
请参阅图7C，步骤S30可以包括：
S301、在所述第一绝缘层220上形成有源材料层；
S302、对所述有源材料层经图案化处理，使所述有源材料层经形成有源层230；
在本步骤中，所述有源层230包括沟道区231以及位于所述沟道区231两侧的第一有源区232和第二有源区233，所述第一遮光构件211通过第一过孔221与所述第一有源区232内的有源材料电连接，所述第二遮光构件212通过第二过孔222与所述第二有源区233内的有源材料电连接。
在本实施例中，所述有源层230的有源材料可以为半导体氧化物，例如铟镓锌氧化物，所述第一有源区232和所述第二有源区233内掺杂有对应的离子，例如磷离子或氮离子等，当薄膜晶体管中出现压差时，该离子会进入所述沟道区231是的所述沟道区231成为连接所述第一有源区232和所述第二有源区233的导体结构，以完成信号的传输。
S40、在所述有源层230上形成第二绝缘层240；
请参阅图7D，在本步骤中，所述第二绝缘层240主要用于隔绝所述有源层230与位于所述有源层230上的金属层。其次，完成所述第二绝缘层240的图案化时，还在所述第一绝缘层220上形成第三过孔223，所述第三过孔223使得部分所述第一电极311裸露。
在本实施例中，所述第二绝缘层240的材料可以与所述第一绝缘的材料相同，例如硅氧化合物、碳硅化合物等无机化合物。
S50、在所述第二绝缘层240上形成栅极金属材料，所述栅极金属材料经图案化处理形成所述发光面板100的栅极层250以及连接所述第一电极311与所述有源层230的电连接构件330；
请参阅图7E，在步骤中，所述栅极金属材料的类型可以与所述第一遮光材料层的材料相同，此处不再赘述。
S60、在所述栅极层250上形成第三绝缘层260。
S70、在所述第三绝缘层260上形成遮光有机材料，对所述遮光有机材料及所述第三绝缘层260图案化处理，使遮光有机材料形成遮光有机层270以及在所述第三绝缘层260上形成位于所述绑定区300的第一开口320，所述第一开口320使部分所述第一电极311裸露。
请参阅图7F，在步骤S60～步骤S70中，所述遮光有机材料可以为黑色光阻等感光性材料，其经过曝光显影形成对应的图案，所述第三绝缘层260以该图案为掩摸版，经蚀刻工艺在所述第三绝缘层260上形成所述第一开口320。
S80、在所述遮光有机层270上形成像素电极313；
请参阅图7G，所述像素电极313沿所述第一开口320的边缘与所述第一电极311电连接，所述像素电极313覆盖部分所述遮光有机层270。所述像素电极313的材料可以为但不限于氧化铟锡，或者其他导电性良好的金属材料等。
S90、在所述第一开口320内形成发光器件，使所述发光器件与所述像素电极313电连接。
在本实施例中，所述发光面板的结构同样可以图2～图5中的结构，具体工艺可以参照本实施例的工艺步骤，此处不在详细赘述。
本申请提出了一种发光面板及其制作方法，所述发光面板包括发光区和远离所述发光区的绑定区，所述发光区内设置有多个发光单元，所述绑定区内设置有至少一个第一端子，所述第一端子至少包括位于所述衬底上的第一电极。本申请通过将所述第一电极与发光单元中的第一金属层及第二金属层中至少一者同层设置，以使所述第一电极通过电连接构件与所述驱动电路层电连接，以及将第一电极、驱动电路层中的源漏极以及遮光金属在同一道工艺中形成，减少了制程工艺的蚀刻次数，简化了发光面板的工艺难度，提高了制程效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种发光面板的制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种发光面板，其特征在于，所述发光面板包括薄膜晶体管区和远离所述薄膜晶体管区的绑定区，所述薄膜晶体管区内设置有多个薄膜晶体管单元，任一所述薄膜晶体管单元包括衬底以及位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层至少包括位于所述衬底上的第一金属层及位于所述第一金属层上的第二金属层；
其中，所述绑定区内设置有至少一个第一端子，所述第一端子至少包括位于所述衬底上的第一电极，所述第一电极与所述第一金属层及所述第二金属层中至少一者同层设置，所述第一电极通过电连接构件与所述驱动电路层电连接。
2.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述驱动电路层包括位于所述衬底上的遮光金属层、位于所述遮光金属层上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的有源层、位于所述有源层上的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层上的栅极层、位于所述栅极层上的第三绝缘层，所述有源层包括与所述第二绝缘层对应的沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区远离所述绑定区设置，所述第二有源区靠近所述绑定区设置；
其中，所述第一电极与所述遮光金属层同层设置，所述第一电极通过所述电连接构件与所述第二有源区内的有源材料电连接。
3.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述遮光金属层包括靠近所述绑定区的第一遮光构件和远离所述绑定区的第二遮光构件；
其中，所述第一遮光构件通过第一过孔与所述第一有源区内的有源材料电连接，所述第二遮光构件通过第二过孔与所述第二有源区内的有源材料电连接，所述电连接构件与所述第二有源区内的有源材料搭接设置，所述电连接构件通过第三过孔与所述第一电极电连接。
4.根据权利要求3所述的发光面板，其特征在于，所述第二遮光构件在所述衬底上的投影面积大于所述第一遮光构件在在所述衬底上的正投影面积。
5.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述驱动电路层还包括与所述有源层同层设置的源漏极层，所述源漏极层包括源极端子和漏极端子，所述源极端子与所述第一有源层内的有源材料电连接，所述漏极端子与所述第二有源层内的有源材料电连接；
其中，所述电连接构件与所述漏极端子搭接设置；或者，所述漏极端子构成与所述第一电极电连接的电连接构件。
6.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述绑定区内还设置有位于所述第一电极上的第二电极以及位于所述第二电极上的像素电极，所述第二电极与所述栅极层在同一道光罩工艺中形成。
7.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述驱动电路层包括位于所述衬底上的栅极层、位于所述栅极层上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的有源层、位于所述有源层上的源漏极层，所述源漏极层包括远离所述绑定区的源极端子和靠近所述绑定区的漏极端子，所述漏极端子构成与所述第一电极电连接的电连接构件；
所述绑定区内设置有与所述栅极层同层设置的第一电极，所述第一电极通过第三过孔与所述漏极端子电连接。
8.一种发光面板的制作方法，所述发光面板包括薄膜晶体管区和远离所述薄膜晶体管区的绑定区，其特征在于，所述发光面板的制作方法包括：
在衬底上形成第一遮光材料层，所述第一遮光材料层经图案化处理以形成所述发光面板的遮光金属层以及第一端子的第一电极；
在所述遮光金属层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成有源材料层，所述有源材料层经图案化处理形成包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一有源区和第二有源区的有源层；
在所述有源层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成栅极金属材料，所述栅极金属材料经图案化处理形成所述发光面板的栅极层以及连接所述第一电极与所述有源层的电连接构件；
在所述栅极层上形成第三绝缘层。
9.根据权利要求8所述的发光面板的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一遮光材料层，所述第一遮光材料层经图案化处理以形成所述发光面板的遮光金属层以及第一端子的第一电极的步骤，包括：
在所述衬底上形成所述第一遮光材料层；
所述第一遮光材料层经图案化处理形成包括靠近所述绑定区的第一遮光构件和远离所述绑定区的第二遮光构件的所述遮光金属层；以及
所述第一遮光材料层经图案化处理形成包括第一电极的第一端子，所述第一端子位于所述绑定区内。
10.根据权利要求9所述的发光面板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形成有源材料层，所述有源材料层经图案化处理形成包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一有源区和第二有源区的有源层的步骤，包括：
在所述第一绝缘层上形成有源材料层；
对所述有源材料层经图案化处理，使所述有源材料层经形成有源层；
其中，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的第一有源区和第二有源区，所述第一遮光构件通过第一过孔与所述第一有源区内的有源材料电连接，所述第二遮光构件通过第二过孔与所述第二有源区内的有源材料电连接。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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