CN110854176A - 阵列基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种阵列基板及其制备方法，属于显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板、驱动电路层、有机发光层和封装层，其中，衬底基板设置有透光区域以及围绕所述透光区域的非透光区；驱动电路层设于所述衬底基板的一侧，所述驱动电路层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；有机发光层设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层设置有多个发光单元，任一所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；封装层设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述非透光区和所述透光区域。该阵列基板能够提高在透光区域的透光性。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展，人们对于透明显示屏或者局部透明显示屏的透光性要求越来越高，以满足诸如屏下光探头、屏下摄像等需求。
现有技术中，尽管可以通过集中子像素的方式预留出部分空白区域作为光线通道，然而光线通过空白区域时会产生较大的损耗，这降低了显示屏的透光性，制约了屏下光探头、屏下摄像等技术的应用和效果。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法，提高阵列基板在透光区域的透光性。
为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：
根据本公开的第一个方面，提供一种阵列基板，包括：
衬底基板，设置有透光区域以及围绕所述透光区域的非透光区；
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，所述驱动电路层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层设置有多个发光单元，任一所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；
封装层，设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述非透光区和所述透光区域。
在本公开的一种示例性实施例中，所述有机发光层包括：
第一电极层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述第一电极层设置有多个第一电极，且任一所述第一电极在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区；
像素定义层，设于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，且暴露任一所述第一电极的部分区域；所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区；
发光材料层，设于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖被所述像素定义层所暴露的各个所述第一电极；
第二电极层，设于所述发光材料层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述非透光区和所述透光区域。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
第一光耦合层，设于所述第二电极层靠近所述衬底基板的表面，且所述第一光耦合层在所述衬底基板上的正投影位于所述透光区域。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一光耦合层包括与所述透光区域一一对应设置的多个第一光耦合单元，任一所述第一光耦合单元在所述衬底基板上的正投影与对应的所述透光区域重合。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
第二光耦合层，设于所述第二电极层远离所述衬底基板的表面，且所述第二光耦合层在所述衬底基板上的正投影位于所述透光区域。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第二光耦合层包括与所述透光区域一一对应设置的多个第二光耦合单元，任一所述第二光耦合单元在所述衬底基板上的正投影与对应的所述透光区域重合。
根据本公开的第二个方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板设置有透光区域以及围绕所述透光区域的非透光区；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成有机发光层，所述有机发光层设置有多个发光单元，任一所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；
在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成封装层，所述封装层覆盖所述非透光区和所述透光区域。
在本公开的一种示例性实施例中，形成有机发光层包括：
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，所述驱动电路层设置有多个第一电极，且任一所述第一电极在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述像素定义层暴露任一所述第一电极的部分区域；所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区；
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成发光材料层，所述发光材料层覆盖被所述像素定义层所暴露的各个所述第一电极；
在所述发光材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，所述第二电极层覆盖所述非透光区和所述透光区域。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板的制备方法还包括：
在形成所述第二电极层之前，在所述衬底基板形成有驱动电路层的一侧形成第一光耦合层，所述第一光耦合层在所述衬底基板上的正投影位于所述透光区域；
在所述发光材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层包括：
形成所述第二电极层，使得所述第二电极层覆盖所述第一光耦合层远离所述衬底基板的表面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板的制备方法还包括：
在形成所述封装层之前，在所述第二电极层远离所述衬底基板的表面形成第二光耦合层，所述第二光耦合层在所述衬底基板上的正投影位于所述透光区域。
本公开提供的阵列基板及其制备方法中，阵列基板设置有透光区域和围绕透光区域的非透光区，其中，驱动电路层设置有阵列基板的非透光区，且各个发光单元设于阵列基板的非透光区。如此，该阵列基板的透光区域不设置有驱动电路层和发光单元，可以避免驱动电路层中各个膜层覆盖透光区域，避免驱动电路层中各个膜层对透光区域的透光性能的影响，且使得透光区域的膜层数量少，进而降低了阵列基板对光线的损耗和吸收，提高了阵列基板的透光区域的透光性，进而改善了阵列基板的透光性能。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是本公开实施方式的阵列基板的剖视结构示意图。
图2是本公开实施方式的阵列基板的俯视结构示意图。
图3是本公开实施方式的阵列基板在非透光区的剖视结构示意图。
图4是本公开实施方式的阵列基板在透光区域的剖视结构示意图。
图5是本公开实施方式的阵列基板的制备流程示意图。
图中主要元件附图标记说明如下：
100、衬底基板；200、缓冲层；300、驱动电路层；310、有源层；320、第一栅极绝缘层；330、第一栅极层；340、第二栅极绝缘层；350、第二栅极层；360、层间电介质层；370、源漏金属层；380、平坦化层；400、有机发光层；410、第一电极；420、像素定义层；430、支撑柱；441、第一功能层；442、电致发光层；443、第二功能层；450、第二电极层；500、封装层；510、第一封装层；520、第二封装层；530、第三封装层；610、第一光耦合层；620、第二光耦合层；700、发光群；710、发光单元；711、红光发光单元；712、绿光发光单元；713、蓝光发光单元；A、透光区域；B、非透光区。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开实施方式中提供一种阵列基板，如图1和图2(仅展示了非透光区、透光区域和发光单元)所示，阵列基板包括衬底基板100、驱动电路层300、有机发光层400和封装层500，其中，
衬底基板100设置有透光区域A以及围绕透光区域A的非透光区B；驱动电路层300，设于衬底基板100的一侧，驱动电路层300在衬底基板100上的正投影位于非透光区B内；有机发光层400设于驱动电路层300远离衬底基板100的一侧；有机发光层400设置有多个发光单元710，任一发光单元710在衬底基板100上的正投影位于非透光区B内；封装层500设于有机发光层400远离衬底基板100的一侧，且覆盖非透光区B和透光区域A。
本公开提供的阵列基板，设置有透光区域A和围绕透光区域A的非透光区B，其中，驱动电路层300设置于阵列基板的非透光区B，且各个发光单元710设于阵列基板的非透光区B。如此，该阵列基板的透光区域A不设置有驱动电路层300和发光单元710，可以避免驱动电路层300中各个膜层覆盖透光区域A，避免驱动电路层300中各个膜层对透光区域A的透光性能的影响，且使得透光区域A的膜层数量少，进而降低了阵列基板对光线的损耗和吸收，提高了阵列基板的透光区域A的透光性，进而改善了阵列基板的透光性能。
下面结合附图对本公开实施方式提供的阵列基板的各部件进行详细说明：
衬底基板100采用透明材料，以使得阵列基板局部或者全部具有透光性。衬底基板100可以为无机材料的衬底基板100，也可以为有机材料的衬底基板100。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板100的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板100的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol，PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone，PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其组合。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板100也可以为柔性衬底基板100，例如衬底基板100的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)。衬底基板100还可以为多层材料的复合，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板100可以包括依次层叠设置的底膜层(BottomFilm)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。
衬底基板100上设置有透光区域A以及围绕透光区域A的非透光区B。其中，透光区域A的数量可以为一个，也可以为多个。多个透光区域A可以分布于整个衬底基板100，也可以局限于衬底基板100的某一局部，本公开对此不做特殊的限定。
在本公开中，当描述任一结构或者膜层位于透光区域A时，指的是该结构或者膜层在衬底基板100上的正投影位于透光区域A中；相应的，当描述任一结构或者膜层位于非透光区B时，指的是该结构或者膜层在衬底基板100上的正投影位于非透光区B中。
可以理解的是，本公开中，非透光区B并非指该区域中的任一位置均可以发光，而是指该区域为非透光区域A，且因设置有发光单元710而可以主动发光以实现显示。
可选的，如图3所示，衬底基板100与驱动电路层300之间还可以设置有缓冲层200。缓冲层200可以覆盖透光区域A，也可以不覆盖透光区域A，本公开不做特殊的限定。
如图1所示，驱动电路层300设置于衬底基板100的一侧，且驱动电路层300位于阵列基板的非透光区B内。进一步地，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层300在衬底基板100上的正投影，与衬底基板100的非透光区B重合。
驱动电路层300中可以形成有多个驱动电路，以及与各个驱动电路连接的各个引线，以实现对各个发光单元710的控制。任一驱动电路可以包括薄膜晶体管、存储电容或者其他器件，薄膜晶体管可以为LTPS-TFT(低温多晶硅-薄膜晶体管)或者oxide-TFT(氧化物-薄膜晶体管)，例如可以为IGZO-TFT，本公开对此不做限定。薄膜晶体管可以为顶栅型或者底栅型，本公开也不做限定。薄膜晶体管、存储电容等器件均可以通过驱动电路层300中的各个膜层形成，且这些膜层均不会延伸至透光区域A，以避免降低透光区域A的透光性。
驱动电路层300还可以包括为有机发光层400提供平坦表面的平坦化层等膜层，这些膜层也同样不会延伸至透光区域A，以避免降低透光区域A的透光性。
可选地，在制备驱动电路层300时，可以利用光刻工艺，将驱动电路层300的各个膜层中覆盖透光区域A的部分刻蚀去除，以实现不覆盖透光区域A。
如图1和图3所示，有机发光层400设于驱动电路层300远离衬底基板100的一侧，其可以包括第一电极层、像素定义层420、发光材料层440和第二电极层450，其中，
第一电极层可以设于驱动电路层300远离衬底基板100的一侧；第一电极层设置有多个第一电极410，且任一第一电极410在衬底基板100上的正投影位于非透光区B；像素定义层420设于第一电极层远离衬底基板100的一侧，且暴露任一第一电极410的部分区域；像素定义层420在衬底基板100上的正投影位于非透光区B；发光材料层440设于像素定义层420远离衬底基板100的一侧，且覆盖被像素定义层420所暴露的各个第一电极410；第二电极层450设于发光材料层440远离衬底基板100的一侧，且覆盖非透光区B和透光区域A。
其中，如图3所示，依次层叠的第一电极410、发光材料层440和第二电极层450可以形成本公开的多个发光单元710，任一发光单元710包括第一电极410被像素定义层420所暴露的部分、覆盖该暴露部分的发光材料层440部分以及覆盖该发光材料层440部分的第二电极层450部分。
在本公开的一种实施方式中，可以通过蒸镀工艺形成覆盖透光区域A和非透光区B的第二电极层450，即第二电极层450为整体结构且无镂空区域。由于无需对第二电极层450进行图案化，既可以节省制备工序，也可以避免图案化过程中对发光材料层440造成损伤，可以保证阵列基板的显示效果和良率。
在本公开的另一种实施方式中，可以通过多次蒸镀工艺形成第二电极层450，其中，第二电极层450位于透光区域A的部分可以局部或者全部镂空而成网格状。进一步地，第二电极层450位于非透光区B的部分不镂空，以尽量提高第二电极层450提供的电压的均匀性。
可选地，可以通过光刻工艺制备像素定义层420和第一电极层，可以通过蒸镀工艺制备发光材料层440。
可选的，如图3所示，发光材料层440可以包括依次层叠的第一功能层441、电致发光层442、第二功能层443，其中，第一功能层441设于电致发光层442靠近衬底基板100的一侧。第一功能层441用于将第一载流子从第一电极410传输至电致发光层442，第二功能层443用于将第二载流子从第二电极层450传输至电致发光层442，其中，第一载流子和第二载流子中的一个为电子，另一个为空穴。电子和空穴在电致发光层442复合形成激子，进而使得电致发光层442发光。可以理解的是，电致发光层442的材料不同时，其所发出的光线的颜色不同。
在本公开的一种实施方式中，电致发光层442包括多个相互隔离的发光材料单元，多个发光材料单元与多个第一电极410一一对应设置，且任一第一电极410被像素定义层420暴露的表面在衬底基板100上的正投影位于对应的发光材料单元在衬底基板100上的正投影内。发光材料单元可以包括红光材料单元、绿光材料单元和蓝光材料单元，如此，如图1所示，使得有机发光层400设置有红光发光单元711、绿光发光单元712和蓝光发光单元713。
可选地，可以通过蒸镀工艺分别形成各个发光材料单元。
可选地，为了简化有机发光层400的制备工艺，节省FMM(高精细金属掩模版)，第一功能层441和第二功能层443可以为整层结构，不设置镂空区域。举例而言，可以利用开放式掩膜版蒸镀第一功能层441和第二功能层443。
在本公开的一种实施方式中，第一功能层441可以包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，其中，空穴注入层设置于电子阻挡层靠近衬底基板100的一侧。如此，第一功能层441可以将第一电极410提供的空穴注入至电致发光层442。
第二功能层443可以包括依次层叠设置的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，空穴阻挡层设置于电子传输层靠近衬底基板100的一侧。如此，第二功能层443可以将第二电极层450提供的电子注入至电致发光层442。
可选地，为了便于设置高精细金属掩模版以实现蒸镀，如图3所示，有机发光层400还可以设置有支撑柱430(PS)，其中，支撑柱430设置于像素定义层420远离衬底基板100的一侧，用于支撑FMM。发光材料层440可以形成于支撑柱430远离衬底基板100的一侧。
为了进一步提高阵列基板在透光区域A的透光性能，降低第二电极层450对透光区域A的透光性的影响，尤其是降低第二电极层450在透光区域A的反射特性，如图4所示，阵列基板还可以设置有第一光耦合层610和第二光耦合层620中的一个或者全部。其中，第一光耦合层610设于第二电极层450靠近衬底基板100的表面，且第一光耦合层610在衬底基板100上的正投影位于透光区域A。第二光耦合层620设于第二电极层450远离衬底基板100的表面，且第二光耦合层620在衬底基板100上的正投影位于透光区域A。
可选地，第一光耦合层610包括与透光区域A一一对应设置的多个第一光耦合单元，任一第一光耦合单元在衬底基板100上的正投影与对应的透光区域A重合。
可选地，第二光耦合层620包括与透光区域A一一对应设置的多个第二光耦合单元，任一第二光耦合单元在衬底基板100上的正投影与对应的透光区域A重合。
第一光耦合层610和/或第二光耦合层620的设置，可以使得光子高效地跨越第二电极层450而不被第二电极层450的金属的表面场反射，提高第二电极层450在透光区域A的透光性。
第一光耦合层610和第二光耦合层620可以选用具有适当折射率的有机透光材料，也可以选用可蒸镀的无机透光材料。可选地，任一光耦合层的材料可以选自具有高折射率的可蒸镀的无机透明材料，例如可以选自氧化钼、氧化钨和硫化锌等金属氧化物和金属硫化物。可选地，任一光耦合层的折射率高于第二电极层450的折射率。进一步地，第一光耦合层610的功函数，可以低于第二电极层450的功函数，以降低第二电极层450的表面场对光子的反射效果。
可选地，如图1所示，有机发光层400可以包括多个阵列设置的发光群700，任一发光群700包括多个相邻设置的发光单元710。进一步地，同一发光群700中，各个发光单元710的发光颜色不同。举例而言，任一发光群700包括红光发光单元711、绿光发光单元712和蓝光发光单元713，以便通过混色显示彩色光。
在本公开的一种实施方式中，如图1所示，透光区域A的数量为多个且阵列分布；沿预设方向，发光群700和透光区域A相互间隔设置。举例而言，多个透光区域A在第一方向和第二方向均呈直线排布，且第一方向和第二方向垂直；多个发光群700在第一方向和第二方向均呈直线排布；沿预设方向，发光群700和透光区域A相互间隔设置，预设方向与第一方向和第二方向相交且不垂直。
如图1所示，封装层500设置于第二电极层450远离衬底基板100的一侧，用于保护有机发光层400。可选地，封装层500至少包括一层无机层和至少一层有机层。其中，无机层用于阻隔水氧，达成对有机发光层400的保护。有机层用于实现显示区的平坦化和应力释放，有机层可以覆盖无机层的侧边，以避免水氧从侧面进入。
下面，示例性地提供一种阵列基板的可行实现方式，以便进一步地解释和说明本公开的阵列基板的结构、原理和效果。
如图1、图2、图3和图4所示，该示例性的阵列基板可以包括：
衬底基板100；
缓冲层200(Buffer)，设于衬底基板100的一侧；
有源层310，设于缓冲层200远离衬底基板100的一侧，可以形成有薄膜晶体管的有源区；有源层310位于阵列基板的非透光区B；
第一栅极绝缘层320，设于有源层310远离衬底基板100的一侧，且覆盖至少部分有源层310，尤其是覆盖薄膜晶体管的有源区；第一栅极绝缘层320位于阵列基板的非透光区B；
第一栅极层330，设于第一栅极绝缘层320远离衬底基板100的一侧，可以形成有薄膜晶体管的栅极；第一栅极层330位于阵列基板的非透光区B；
第二栅极绝缘层340，设于第一栅极层330远离衬底基板100的一侧，覆盖第一栅极层330；第二栅极绝缘层340位于阵列基板的非透光区B；
第二栅极层350，设于第二栅极绝缘层340远离衬底基板100的一侧；第二栅极层350位于阵列基板的非透光区B；
层间电介质层360(ILD)，设于第二栅极层350远离衬底基板100的一侧，覆盖第二栅极层350；层间电介质层360位于阵列基板的非透光区B；
源漏金属层370，设于层间电介质层360远离衬底基板100的一侧，形成有薄膜晶体管的源极和漏极；源极和漏极分别通过金属化过孔与薄膜晶体管的有源区电连接；源漏金属层370位于阵列基板的非透光区B；
平坦化层380，设于源漏金属层370远离衬底基板100的一侧，用于为第一电极410提供平坦化表面；平坦化层380位于阵列基板的非透光区B；
第一电极层，设于平坦化层380远离衬底基板100的一侧，第一电极层设置有阵列分布的多个第一电极410，任一第一电极410通过金属化过孔与源漏金属层370电连接，尤其是与对应的薄膜晶体管的漏极电连接；任一第一电极410设置有实际非透光区；平坦化层380位于阵列基板的非透光区B；
像素定义层420，设于第一电极层远离衬底基板100的一侧；像素定义层420暴露第一电极410的实际非透光区且覆盖其他区域；像素定义层420位于阵列基板的非透光区B；
支撑柱层，设于像素定义层420远离衬底基板100的一侧，形成有多个支撑柱430，用于支撑制备有机发光层400的精密金属掩膜板(FMM)；支撑柱层位于阵列基板的非透光区B；
发光材料层440，设于支撑柱层远离衬底基板100的一侧，且覆盖各个第一电极410的实际非透光区B；其中，发光材料层440与第一电极410接触的部分，能够在第一电极410的控制下实现电致发光；发光材料层440位于阵列基板的非透光区B和透光区域B；
第一光耦合层610，设于发光材料层440远离衬底基板100的一侧且位于透光区域B；
第二电极层450，设于发光材料层440和第一光耦合层610远离衬底基板100的一侧；第二电极层450位于阵列基板的非透光区B和透光区域A；
第二光耦合层620，设于第二电极层450远离衬底基板100的一侧且位于透光区域A；
第一封装层510，设于第二电极层450和第二光耦合层620远离衬底基板100的一侧，采用无机材料，例如采用氧化硅或者氮化硅；第一封装层510位于阵列基板的非透光区B和透光区域B；
第二封装层520，设于第一封装层510远离衬底基板100的一侧，采用有机材料以实现阵列基板显示区表面的平坦化和平衡应力；第二封装层520位于阵列基板的非透光区B和透光区域B；
第三封装层530，设于第二封装层520远离衬底基板100的一侧，可以采用无机材料，例如采用氮化硅等；第三封装层530位于阵列基板的非透光区B和透光区域B。
其中，有源层310、第一栅极绝缘层320、第一栅极层330、第二栅极绝缘层340、第二栅极层350、层间电介质层360、源漏金属层370和平坦化层380用于形成本公开的阵列基板的驱动电路层300；第一电极层、像素定义层420、支撑柱层、发光材料层440和第二电极层450用于形成本公开的阵列基板的有机发光层400；第一封装层510、第二封装层520和第三封装层530用于形成本公开的阵列基板的封装层500。
本公开还提供一种阵列基板的制备方法，如图5所示，该阵列基板的制备方法包括：
步骤S110，提供衬底基板100，衬底基板100设置有透光区域A以及围绕透光区域A的非透光区B；
步骤S120，在衬底基板100的一侧形成驱动电路层300，驱动电路层300在衬底基板100上的正投影位于非透光区B内；
步骤S130，在驱动电路层300远离衬底基板100的一侧形成有机发光层400，有机发光层400设置有多个发光单元710，任一发光单元710在衬底基板100上的正投影位于非透光区B内；
步骤S140，在有机发光层400远离衬底基板100的一侧形成封装层500，封装层500覆盖非透光区B和透光区域A。
本公开的阵列基板的制备方法，可以制备上述阵列基板实施方式所描述的任意一种阵列基板，因此具有相同或者类似的有益效果，本公开在此不再赘述。
可选地，可以通过如下方法形成有机发光层400：
步骤S210，在驱动电路层300远离衬底基板100的一侧形成第一电极层，驱动电路层300设置有多个第一电极410，且任一第一电极410在衬底基板100上的正投影位于非透光区B；
步骤S220，在第一电极层远离衬底基板100的一侧形成像素定义层420，像素定义层420暴露任一第一电极410的部分区域；像素定义层420在衬底基板100上的正投影位于非透光区B；
步骤S230，在像素定义层420远离衬底基板100的一侧形成发光材料层440，发光材料层440覆盖被像素定义层420所暴露的各个第一电极410；
步骤S240，在发光材料层440远离衬底基板100的一侧形成第二电极层450，第二电极层450覆盖非透光区B和透光区域A。
可选地，本公开的阵列基板的制备方法还包括：
在步骤S240之前，在衬底基板100形成有驱动电路层300的一侧形成第一光耦合层610，第一光耦合层610在衬底基板100上的正投影位于透光区域A；
在步骤S240中，可以形成第二电极层450，使得第二电极层450覆盖第一光耦合层610远离衬底基板100的表面。
可选地，本公开的阵列基板的制备方法还包括：
在步骤S140之前，在第二电极层450远离衬底基板100的表面形成第二光耦合层620，第二光耦合层620在衬底基板100上的正投影位于透光区域A。
本公开的阵列基板的制备方法的其他细节，已经在上述阵列基板实施方式中进行了详细的描述，或者可以根据上述阵列基板实施方式所描述的细节而合理的推导出来，本公开在此不再赘述。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等，均应视为本公开的一部分。
本公开实施方式还提供一种显示面板，该显示面板包括上述阵列基板实施方式所描述的任意一种阵列基板。该显示面板可以为全屏透明显示面板、局部透明显示面板或者其他类型的显示面板。由于该显示面板具有上述阵列基板实施方式所描述的任意一种阵列基板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板。该显示装置可以为手机屏幕、电脑屏幕、展柜显示屏或者其他类型的显示装置。由于该显示装置具有上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，设置有透光区域以及围绕所述透光区域的非透光区；
驱动电路层，设于所述衬底基板的一侧，所述驱动电路层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；
有机发光层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述有机发光层设置有多个发光单元，任一所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；
封装层，设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述非透光区和所述透光区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机发光层包括：
第一电极层，设于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧；所述第一电极层设置有多个第一电极，且任一所述第一电极在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区；
像素定义层，设于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，且暴露任一所述第一电极的部分区域；所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区；
发光材料层，设于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖被所述像素定义层所暴露的各个所述第一电极；
第二电极层，设于所述发光材料层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述非透光区和所述透光区域。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第一光耦合层，设于所述第二电极层靠近所述衬底基板的表面，且所述第一光耦合层在所述衬底基板上的正投影位于所述透光区域。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一光耦合层包括与所述透光区域一一对应设置的多个第一光耦合单元，任一所述第一光耦合单元在所述衬底基板上的正投影与对应的所述透光区域重合。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第二光耦合层，设于所述第二电极层远离所述衬底基板的表面，且所述第二光耦合层在所述衬底基板上的正投影位于所述透光区域。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二光耦合层包括与所述透光区域一一对应设置的多个第二光耦合单元，任一所述第二光耦合单元在所述衬底基板上的正投影与对应的所述透光区域重合。
7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板，所述衬底基板设置有透光区域以及围绕所述透光区域的非透光区；
在所述衬底基板的一侧形成驱动电路层，所述驱动电路层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成有机发光层，所述有机发光层设置有多个发光单元，任一所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区内；
在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成封装层，所述封装层覆盖所述非透光区和所述透光区域。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成有机发光层包括：
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成第一电极层，所述驱动电路层设置有多个第一电极，且任一所述第一电极在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区；
在所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述像素定义层暴露任一所述第一电极的部分区域；所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影位于所述非透光区；
在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成发光材料层，所述发光材料层覆盖被所述像素定义层所暴露的各个所述第一电极；
在所述发光材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层，所述第二电极层覆盖所述非透光区和所述透光区域。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
在形成所述第二电极层之前，在所述衬底基板形成有驱动电路层的一侧形成第一光耦合层，所述第一光耦合层在所述衬底基板上的正投影位于所述透光区域；
在所述发光材料层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极层包括：
形成所述第二电极层，使得所述第二电极层覆盖所述第一光耦合层远离所述衬底基板的表面。
10.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
在形成所述封装层之前，在所述第二电极层远离所述衬底基板的表面形成第二光耦合层，所述第二光耦合层在所述衬底基板上的正投影位于所述透光区域。
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