CN113410272B - 阵列基板及显示装置制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示装置制备方法，阵列基板包括衬底和设置于衬底一侧的有源层，衬底具有指纹识别区和至少部分围绕指纹识别区设置的正常显示区，有源层包括多个有源单元，有源单元在衬底上呈阵列分布；还包括光阻断层，光阻断层设置于有源层朝向衬底的一侧且设于指纹识别区，光阻断层包括多个挡光单元，在垂直于阵列基板的方向上，挡光单元在衬底的正投影覆盖有源单元在衬底的正投影设置，且挡光单元的正投影覆盖至少一个有源单元的正投影。通过挡光单元来遮挡在阵列基板进行电路板邦定过程中照射至指纹识别区的外界光，避免位于指纹识别区的各个有源单元被强光源照射而导致其特性变化，提高显示装置的显示均一性。

Description

阵列基板及显示装置制备方法

技术领域

本发明属于电子产品技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置制备方法。

背景技术

随着使用者需求的逐步升级，显示装置内集成了屏下摄像、指纹识别等多种功能，显示装置的制作时一般包括阵列基板的制备、邦定电路板等工艺流程，在阵列基板邦定电路板的过程中，需要先将用于遮挡指纹识别区域的胶带去除，进而通过对位光源将电路板与阵列基板对齐，实现两者的邦定。然而，在通过对位光源进行对位的过程中，指纹识别区域处的晶体管会受到光照而导致晶体管特性偏移，造成指纹识别区域处显示亮度不均，导致显示装置产生显示差异等问题。

因此，亟需一种新的阵列基板及显示装置制备方法。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及显示装置制备方法，通过设置挡光单元来遮挡照射至指纹识别区的强光源，避免在邦定电路板过程中指纹识别区内的有源单元因受强光照射而导致其特性发光变化，从而提高显示均一性。

本发明实施例一方面提供了一种阵列基板，包括衬底和设置于所述衬底一侧的有源层，所述衬底具有指纹识别区和至少部分围绕所述指纹识别区设置的正常显示区，所述有源层包括多个有源单元，所述有源单元在所述衬底上呈阵列分布；还包括光阻断层，所述光阻断层设置于所述有源层朝向所述衬底的一侧且设于所述指纹识别区，所述光阻断层包括多个挡光单元，在垂直于所述阵列基板的方向上，所述挡光单元在所述衬底的正投影覆盖所述有源单元在所述衬底的正投影设置，且所述挡光单元的正投影覆盖至少一个所述有源单元的正投影。

根据本发明的一个方面，还包括设于所述光阻断层和所述有源层之间的第一无机层，所述第一无机层包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。

根据本发明的一个方面，所述衬底包括沿所述阵列基板的膜层堆叠方向层叠设置的第一衬底、第二无机层以及第二衬底，所述光阻断层和所述第一无机层层叠设于所述第二衬底背离所述第一衬底一侧，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述第二无机层的厚度小于等于所述第一无机层的厚度。

根据本发明的一个方面，还包括设于所述第二衬底和所述光阻断层之间的第三无机层，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述第一无机层的厚度为100nm～500nm，所述第二无机层的厚度为100nm～1000nm，所述第三无机层的厚度为100nm～1000nm。

根据本发明的一个方面，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述光阻断层的厚度为10nm～100nm，所述光阻断层包括紫外光透过率小于等于1％的材料层；优选的，所述光阻断层为非晶硅。

根据本发明的一个方面，还包括像素电路，所述像素电路包括由七个晶体管以及一个电容，各所述挡光单元在所述衬底上的正投影至少覆盖所述像素电路中一个所述晶体管的有源单元在所述衬底上的正投影。

根据本发明的一个方面，在垂直于所述阵列基板的方向上，一个所述挡光单元在所述衬底上的正投影仅覆盖一个所述有源单元在所述衬底上的正投影，或；在垂直于所述阵列基板的方向上，一个所述挡光单元在所述衬底上的正投影至少覆盖两个所述晶体管的有源单元在所述衬底上的正投影。

根据本发明的一个方面，各所述挡光单元在所述衬底上的正投影呈多边形、圆形、椭圆形及带状中的至少一种。

本发明实施例另一方面提供了一种显示装置制备方法，包括：提供衬底，所述衬底具有指纹识别区和至少部分围绕所述指纹识别区设置的正常显示区；在所述指纹识别区、所述衬底上形成图案化的光阻断层，所述光阻断层具有多个挡光单元；在所述光阻断层背离所述衬底一侧形成有源层，所述有源层包括多个有源单元，在垂直于所述衬底的方向上，所述挡光单元的正投影至少覆盖至少一个所述有源单元的正投影；在所述有源层背离所述衬底一侧依次形成发光层和封装层，以形成显示面板；在所述显示面板背离所述衬底一侧设置有用于放置指纹识别元件、对应所述指纹识别区的第一凹槽，所述第一凹槽覆盖有第一遮光胶带；将所述第一凹槽的所述第一遮光胶带剥离；将柔性电路板邦定于所述显示面板，其中，所述柔性电路板具有和所述第一凹槽对应的第二凹槽；在所述第一凹槽和所述第二凹槽内设置指纹识别元件；在所述第二凹槽背离所述指纹识别元件一侧覆盖第二遮光胶带。

根据本发明的另一个方面，在所述衬底的所述指纹识别区形成图案化的光阻断层和在所述光阻断层背离所述衬底一侧形成有源层之间还包括：在所述光阻断层背离所述衬底一侧形成第一无机层。

与现有技术相比，本发明实施例所提供的阵列基板包括衬底、有源层以及光阻断层，光阻断层设置于有源层朝向衬底的一侧且设于阵列基板的指纹识别区，光阻断层包括多个挡光单元，挡光单元在衬底的正投影覆盖有源单元在衬底的正投影设置，且多个挡光单元的正投影至少覆盖多个有源单元中的部分有源单元的正投影，即各个挡光单元可以和有源单元一一对应设置，也可以一个挡光单元同时遮挡多个有源单元，通过挡光单元来遮挡在阵列基板进行电路板邦定过程中来自指纹识别区所对应的衬底背离有源层一侧的外界光，避免位于指纹识别区的有源层的各个有源单元被强光源照射，导致有源单元的特性发生变化，影响显示装置的显示均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图；

图2是图1中的一种阵列基板沿C-C方向的截面图；

图3是图1中的另一种阵列基板沿C-C方向的截面图；

图4是图1中的另一种阵列基板沿C-C方向的截面图；

图5是本发明实施例提供的一种显示装置制备方法的流程图；

图6是本发明实施例提供的一种显示装置制备方法的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的另一种显示装置制备方法的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的又一种显示装置制备方法的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的又一种显示装置制备方法的结构示意图。

附图中：

1-衬底；11-第一衬底；12-第二无机层；13-第二衬底；14-非晶硅层；2-有源层；21-有源单元；3-光阻断层；31-挡光单元；4-第一无机层；5-第三无机层；6-第四无机层；7-第五无机层；10-阵列基板；100-显示面板；200-柔性电路板；F-发光层；K1-第一凹槽；K2-第二凹槽；H1-第一遮光胶带；H2-第二遮光胶带；10-阵列基板；PA1-指纹识别区；PA2-正常显示区。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

为了更好地理解本发明，下面结合图1至图9根据本发明实施例的阵列基板及显示装置制备方法进行详细描述。

请参阅图1至图4，本发明实施例提供了一种阵列基板100，包括衬底1和设置于衬底1一侧的有源层2，衬底1具有指纹识别区PA1和至少部分围绕指纹识别区PA1设置的正常显示区PA2，有源层2包括多个有源单元21，有源单元21在衬底1上呈阵列分布；还包括光阻断层3，光阻断层3设置于有源层2朝向衬底1的一侧且设于指纹识别区PA1，光阻断层3包括多个挡光单元31，在垂直于阵列基板的方向上，挡光单元31在衬底1的正投影覆盖有源单元21在衬底1的正投影设置，且挡光单元31的正投影覆盖至少一个有源单元21的正投影。

本发明实施例所提供的阵列基板100包括衬底1、有源层2以及光阻断层3，光阻断层3设置于有源层2朝向衬底1的一侧且设于阵列基板100的指纹识别区PA1，光阻断层3包括多个挡光单元31，挡光单元31在衬底1的正投影覆盖有源单元21在衬底1的正投影设置，且多个挡光单元31的正投影至少覆盖多个有源单元21中的部分有源单元21的正投影，即各个挡光单元31可以和有源单元21一一对应设置，也可以一个挡光单元31同时遮挡多个有源单元21，通过挡光单元31来遮挡在阵列基板进行电路板邦定过程中来自指纹识别区PA1所对应的衬底1背离有源层2一侧的外界光，避免位于指纹识别区PA1的有源层2的各个有源单元21被强光源照射，导致有源单元21的特性发生变化，影响显示装置的显示均一性。

具体的，阵列基板100的指纹识别区PA1用于和指纹识别元件对应设置，在进行阵列基板100邦定电路板的工艺流程时，受到工序的限制，在对柔性电路板进行弯折邦定的过程中，需要将显示面板上对应遮挡指纹识别区PA1的有源单元21的遮光胶带去除，之后在通过对位光源进行邦定定位时，在这个过程中遮光胶带无法起到遮挡对位光和环境光的作用，对位光源会直接照射到位于指纹识别区PA1的有源单元21，造成有源单元21的特性发生变化，影响阵列基板10的正常工作，最终导致显示装置产生显示差异等问题。因而，为了避免在邦定工艺过程中，位于指纹识别区PA1的有源单元21被对位光源直接照射，本发明在衬底1和有源层2之间对应指纹识别区PA1设置光阻断层3，通过光阻断层3的挡光单元31对有源单元21进行遮挡，以将光线吸收阻断，避免有源单元21被光源照射。

请参阅图2和图3，在阵列基板应用于显示装置上时，为了减小光阻断层3对于来自显示装置的发光层F所出射的光线的反射率，在一些可选的实施例中，还包括设于光阻断层3背离衬底1一侧的第一无机层4，第一无机层4包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。

可以理解的是，第一无机层4设于光阻断层3和显示装置的发光层F之间，通过选择第一无机层4的材料和并调整第一无机层4的厚度，改变光阻断层3上层的膜层结构，能够有效降低光阻断层3对于来自发光层F的光线的反射率，通过增加第一无机层4以降低因光阻断层3受到上部的显示装置的发光层F反射光增强而产生的负面效应。具体的，第一无机层4可以采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料，第一无机层4的厚度为100nm～500nm。可选的，第一无机层4为厚度为380mm的氧化硅。进一步的，第一无机层4可以是单层或多层，具体可以包括氧化硅层、氮化硅层中的至少一者。

请参阅图4，在一些可选的实施例中，衬底1包括沿阵列基板100的膜层堆叠方向层叠设置的第一衬底11、第二无机层12以及第二衬底13，光阻断层3和第一无机层4层叠设于第二衬底13背离第一衬底11一侧，沿阵列基板100的膜层堆叠方向，第二无机层12的厚度小于等于第一无机层4的厚度。

需要说明的是，经实际仿真实验得到，当第二无机层12的厚度小于等于第一无机层4的厚度时，能够有效降低光阻断层3对于来自衬底1背离光阻断层3一侧的外界光的透光率以及对于来自显示面板的发光层F所出射的光线的反射率。第二无机层12主要用于隔绝外界的水氧，避免水氧通过衬底1进入阵列基板100的晶体管等容易被侵蚀的部件，影响显示装置的使用寿命。可选的，在第二衬底13和第二无机层12之间还设置有非晶硅层14。第一衬底11和第二衬底13具体可以采用柔性PI(PolyimideFilm，聚酰亚胺)材料制成，第一衬底11和第二衬底13可以采用相同的厚度，方便成型，降低生产成本。当然，第一衬底11和第二衬底13也可以采用不同的厚度，例如第二衬底13的厚度小于第一衬底11的厚度，或者，第二衬底13的厚度大于第一衬底11的厚度，并无特殊限定。同时，通过设置双层基板，能够有效提高衬底1的水氧阻隔效果。可选的，第二无机层12的厚度为100nm～1000nm。

可选的，在第二衬底13和光阻断层3之间还设置有第三无机层5，第三无机层5的厚度为100nm～1000nm，具体可以根据显示装置对于光学、水氧阻隔等方面的性能要求进行调整。

具体的，根据实际仿真实验结果，得到在采用第三无机层5、第一无机层4、第二无机层12的厚度递增时的膜层结构时，能够进一步降低光阻断层3对于来自衬底1背离光阻断层3一侧的外界光的透光率以及对于来自显示面板的发光层F所出射的光线的反射率。

可选的，在第一无机层4背离光阻断层3一侧还依次层叠设置有第四无机层6和第五无机层7，第四无机层6覆盖于第一无机层4。具体的，第四无机层6采用氮化硅层，第五无机层7采用氧化硅层。

为了提高光阻断层3对于光线的吸收效果，以将更多的光线隔断，在一些可选的实施例中，沿阵列基板100的膜层堆叠方向，光阻断层3的厚度为10nm～100nm；光阻断层3采用紫外光透光率小于等于1％的材料层。

需要说明的是，由于有源层2的各个有源单元21的材料对于紫外光的照射更为敏感，易发生电性改变，因而，光阻断层3需采用对于紫外光的透过率较小的材料，具体的，光阻断层3可以采用非晶硅材料，因为非晶硅对于波长在100nm以下的光线的透过率低，能够满足需求。另外，由于阵列基板在制备过程中的最高耐受温度为450摄氏度，光阻断层3所采用的材料也需满足450摄氏度的耐受要求。

在一些可选的实施例中，像素电路包括由七个晶体管以及一个电容C，各挡光单元31在衬底1上的正投影至少覆盖像素电路中一个晶体管的有源单元21在衬底1上的正投影。

可以理解的是，包括由七个晶体管(TFT，Thin Film Transistor)以及一个电容C的像素电路即7T1C电路，各挡光单元31在衬底1上的正投影至少覆盖像素电路中一个晶体管的有源单元21在衬底1上的正投影，即同一挡光单元31可以只遮挡像素电路中一个晶体管的有源单元21，也可以遮挡一个像素电路中多个晶体管的有源单元21，提高像素电路的光阻挡效果，提高挡光单元31的挡光效率。

进一步的，在垂直于阵列基板10的方向上，一个挡光单元31在衬底1上的正投影仅覆盖一个有源单元21在衬底1上的正投影，或；在垂直于阵列基板100的方向上，一个挡光单元31在衬底1上的正投影至少覆盖两个晶体管的有源单元21在衬底1上的正投影。由于像素电路中多个晶体管的排布位置会根据实际需求调整，故，当各晶体管的之间的间隔较大时，可使各挡光单元31一一对应各晶体管的有源单元21设置，以避免挡光单元31覆盖未设置有源单元21的阵列基板10区域，以造成这部分挡光单元31无法起到遮挡有源单元21的作用，提高挡光单元31的有效利用率。而当多个晶体管之间的间隔较小时，可使同一挡光单元31覆盖至少相邻两个晶体管的有源单元21，可以有效减小所需的挡光单元31的数量，便于挡光单元31的制作。即各挡光单元31的设置数量及位置可根据像素电路中各晶体管的有源单元21的排布结构调整，在此不作具体限定。

可选的，各挡光单元31在衬底1上的正投影呈多边形、圆形、椭圆形及带状中的至少一种。由于各挡光单元31的设置目的在于阻挡照射至晶体管的有源单元21上的光线，因此，挡光单元31的形状及大小可根据像素电路中各晶体管的有源单元21的形状尺寸设置，以实现更好的挡光效果。

请参阅图5至图9，本发明实施例中的一种显示装置制备方法，包括：

S110：提供衬底1，衬底1具有指纹识别区和至少部分围绕指纹识别区设置的正常显示区；

S120：在指纹识别区、衬底1上形成图案化的光阻断层3，光阻断层3具有多个挡光单元31；

S130：在光阻断层3背离衬底1一侧形成有源层2，有源层2包括多个有源单元21，在垂直于衬底1的方向上，挡光单元31的正投影至少覆盖至少一个有源单元21的正投影；

S140：在有源层2背离衬底1一侧依次形成发光层F和封装层，以形成显示面板100；

S150：在显示面板100背离衬底1一侧设置有用于放置指纹识别元件、对应指纹识别区的第一凹槽K1，第一凹槽K1覆盖有第一遮光胶带H1，具体请参阅图6；

S160：将第一凹槽K1的第一遮光胶带H1剥离，具体请参阅图7；

S170：将柔性电路板200邦定于显示面板100，其中，柔性电路板200具有和第一凹槽K1对应的第二凹槽K2，具体请参阅图8；

S180：在第一凹槽K1和第二凹槽K2内设置指纹识别元件；

S190：在第二凹槽K2背离指纹识别元件一侧覆盖第二遮光胶带H2，具体请参阅图9。

本发明实施例所提供的显示装置制备方法中，通过设置具有多个挡光单元31的光阻断层3，对指纹识别区的有源单元21进行遮挡，以防止在将第一凹槽K1的第一遮光胶带H1剥离后以及在第二凹槽K2背离指纹识别元件一侧覆盖第二遮光胶带H2之间的工艺流程中，有源单元21被柔性电路板200邦定于显示面板100时的对位光源或者外界的环境光所照射造成有源单元21的特性发生变化，影响显示装置的显示效果。

需要说明的是，第一遮光胶带H1对应指纹识别区设置，也是用于对指纹识别区的有源单元21进行遮挡，但是由于需要将柔性电路板200邦定于显示面板100，并在第一凹槽K1和第二凹槽K2内设置指纹识别元件，需要先将第一凹槽K1上的第一遮光胶带H1剥离，以便于在第一凹槽K1和第二凹槽K2内设置指纹识别元件，在剥离第一遮光胶带H1后以及未设置第二遮光胶带H2的过程中，有源层2可能被对位光源或者外界的环境光通过第一凹槽K1和第二凹槽K2照射到，因而，在本发明所提供的实施例中，通过在指纹识别区对应设置光阻断层3，能够有效避免有源单元21在柔性电路板200邦定的工艺流程中被对位光源或者外界的环境光所照射，提高了显示装置的良品率比。

在一些可选的实施例中，在衬底1的指纹识别区形成图案化的光阻断层3和在光阻断层3背离衬底1一侧形成有源层2之间还包括：在光阻断层3背离衬底1一侧形成第一无机层4。第一无机层4设于光阻断层3和显示装置的发光层F之间，通过选择第一无机层4的材料和并调整第一无机层4的厚度，改变光阻断层3上层的膜层结构，能够有效降低光阻断层3对于来自发光层F的光线的反射率。

本发明另一种实施例还提出了一种显示装置，该显示装置包括阵列基板和指纹识别元件，阵列基板为上述任一实施例中的阵列基板100，指纹识别元件和阵列基板100的指纹识别区PA1对应设置。该显示装置具有上述任一实施例中阵列基板的技术方案所具有的技术效果，在此不再赘述。本发明实施例提供的显示装置可以为手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。

以上，仅为本发明的具体实施方式，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。应理解，本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。

还需要说明的是，本发明中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本发明不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底一侧的有源层，所述衬底具有指纹识别区和至少部分围绕所述指纹识别区设置的正常显示区，所述有源层包括多个有源单元，所述有源单元在所述衬底上呈阵列分布；

还包括光阻断层，所述光阻断层设置于所述有源层朝向所述衬底的一侧且设于所述指纹识别区，所述光阻断层包括多个挡光单元，在垂直于所述阵列基板的方向上，所述挡光单元在所述衬底的正投影覆盖所述有源单元在所述衬底的正投影设置，且所述挡光单元的正投影覆盖至少一个所述有源单元的正投影;

还包括设于所述光阻断层和所述有源层之间的第一无机层，所述衬底包括第二无机层，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述第二无机层的厚度小于等于所述第一无机层的厚度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机层包括氧化硅、氮化硅中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底包括沿所述阵列基板的膜层堆叠方向层叠设置的第一衬底、所述第二无机层以及第二衬底，所述光阻断层和所述第一无机层层叠设于所述第二衬底背离所述第一衬底一侧。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于所述第二衬底和所述光阻断层之间的第三无机层，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述第一无机层的厚度为100nm~500nm，所述第二无机层的厚度为100nm~1000nm，所述第三无机层的厚度为100nm~1000nm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述阵列基板的膜层堆叠方向，所述光阻断层的厚度为10nm~100nm，所述光阻断层包括紫外光透过率小于等于1%的材料层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻断层为非晶硅。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电路，所述像素电路包括由七个晶体管以及一个电容，各所述挡光单元在所述衬底上的正投影至少覆盖所述像素电路中一个所述晶体管的有源单元在所述衬底上的正投影。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述阵列基板的方向上，一个所述挡光单元在所述衬底上的正投影仅覆盖一个所述有源单元在所述衬底上的正投影，或；

在垂直于所述阵列基板的方向上，一个所述挡光单元在所述衬底上的正投影至少覆盖两个所述晶体管的有源单元在所述衬底上的正投影。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，各所述挡光单元在所述衬底上的正投影呈多边形、圆形、椭圆形及带状中的至少一种。

10.一种显示装置制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有指纹识别区和至少部分围绕所述指纹识别区设置的正常显示区，所述衬底包括第二无机层；

在所述指纹识别区、所述衬底上形成图案化的光阻断层，所述光阻断层具有多个挡光单元；

在所述光阻断层背离所述衬底一侧形成第一无机层，沿所述显示装置的膜层堆叠方向，所述第二无机层的厚度小于等于所述第一无机层的厚度；

在所述光阻断层背离所述衬底一侧形成有源层，所述有源层包括多个有源单元，在垂直于所述衬底的方向上，所述挡光单元的正投影至少覆盖至少一个所述有源单元的正投影；

在所述有源层背离所述衬底一侧依次形成发光层和封装层，以形成显示面板；

在所述显示面板背离所述衬底一侧设置有用于放置指纹识别元件、对应所述指纹识别区的第一凹槽，所述第一凹槽覆盖有第一遮光胶带；

将所述第一凹槽的所述第一遮光胶带剥离；

将柔性电路板邦定于所述显示面板，其中，所述柔性电路板具有和所述第一凹槽对应的第二凹槽；

在所述第一凹槽和所述第二凹槽内设置指纹识别元件；

在所述第二凹槽背离所述指纹识别元件一侧覆盖第二遮光胶带。

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