KR101891497B1 - 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제작 방법 - Google Patents

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Abstract

보다 다양화하는 용도에 대응할 수 있고, 편리성이 향상한 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또한, 공정을 복잡화시키지 않고, 목적에 적합한 형상을 갖는 액정 표시 장치를 제작하는 것을 목적의 하나로 한다.
적어도 일부가 곡절된 지지 부재와, 한 쌍의 가요성 기판 사이에 액정 재료가 봉입되어 지지 부재에 내접하는 액정 표시 패널을 갖는다. 액정 표시 장치의 제작 공정에 있어서, 전극층이나 소자층의 제작 후, 액정 표시 장치의 형상을 성형하여, 고기능화시키는 가공을 행한다.

Description

액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제작 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제작 방법에 관한 것이다.
근년, 표시 장치는, 다양한 장소나 용도로 사용되고, 그것에 따라 요구되는 특성이나 형상도 다양화되고 있다. 따라서 목적에 맞는 기능성이 부여된 액정 장치의 개발이 진행된다.
예를 들어, 보다 경량화를 도모하여 플라스틱 기판을 사용하여 액정 패널을 형성하는 것이 시도되고 있다(예를 들어, 비특허 문헌 1 참조)
[비특허 문헌1]
아키히코 아사노(Akihiko Asano), 도모아츠 키노시타(Tomoatsu Kinosita), 2002 SID DIGEST, p1196-1199
따라서, 보다 다양화하는 용도에 대응할 수 있고, 편리성이 향상한 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 또한, 공정을 복잡화시키지 않고, 목적에 적합한 형상을 갖는 액정 표시 장치를 제작하는 것을 목적의 하나로 한다.
액정 표시 장치의 제작 공정에 있어서, 전극층이나 소자층의 제작 후, 액정 표시 장치의 형성을 성형하여, 고기능화시키는 가공을 행한다.
액정 표시 장치의 형상은, 성형하는 형상을 선택함으로써 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서, 다양한 장소나 용도에 대응한 형상으로, 다양하게 액정 표시 장치를 제작할 수 있어, 편리성이 높은 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 명세서에서 개시하는 발명의 구성의 일 형태는, 적어도 일부가 곡절된 지지 부재와, 한 쌍의 가요성 기판 사이에 액정 재료가 봉입되어 지지 부재에 내접하는 액정 표시 패널을 갖는다.
본 명세서에서 개시하는 발명의 구성의 다른 일 형태는, 곡절부를 갖고 상기 곡절부를 끼워 한 쪽에 제 1 면을 갖고, 다른 쪽에 제 2 면을 갖는 지지 부재와, 한 쌍의 가요성 기판 사이에 액정 재료가 봉입되어 지지 부재에 내접하는 액정 표시 패널을 갖고, 상기 액정 표시 패널은 연속하는 제 1 표시 영역, 제 2 표시 영역 및 제 3 표시 영역을 갖고, 제 1 표시 영역은 지지 부재의 제 1 면에 면하고, 제 2 표시 영역은 지지 부재의 제 2 면에 면하고, 제 3 표시 영역은 상기 곡절부에 면한다.
본 명세서에서 개시하는 발명의 구성의 다른 일 형태는, 적어도 일부가 곡절된 제 1 기판과, 제 1 기판과 스페이서를 통하여 감합(嵌合)하는 제 2 기판과, 스페이서에 의하여 형성되는 제 1 기판과 제 2 기판과의 공극에 봉입된 액정 재료를 갖는다.
본 명세서에서 개시하는 발명의 구성의 다른 일 형태는, 적어도 일부가 곡절된 제 1 기판과, 제 1 기판과 스페이서를 통하여 감합하는 제 2 기판과, 스페이서에 의하여 형성되는 제 1 기판과 제 2 기판과의 공극에 봉입된 액정 재료를 갖고, 곡절된 부위를 끼운 한 쪽 면에 제 1 표시 영역이 형성되고, 다른 쪽 면에 제 2 표시 영역이 형성된다. 그리고 곡절한 면에 제 3 표시 영역이 형성된다. 제 1 표시 영역과 제 2 표시 영역은 대략 평면 형상이라도 좋고, 제 1 표시 영역이 형성하는 평면과 제 2 표시 영역이 형성하는 평면은 대략 수직이라도 좋다.
또한, 상기 구성의 액정 표시 패널의 제작 방법도 본 발명의 일 형태에 포함된다.
상기 구성에 있어서, 액정 표시 장치에는 보호막을 형성하여도 좋다. 보호막은 액정 표시 패널의 외측을 덮도록 형성되어도 좋고, 제 1 기판 및 제 2 기판과 액정층 사이에 각각 형성하여도 좋다. 또한, 액정 표시 장치에는 센서부를 형성하여도 좋다. 예를 들어, 시인측이 되는 지지 부재에 터치 센서(터치 패널) 등을 형성할 수 있다.
또한, 투과형 액정 표시 장치의 경우는, 표시 영역에 조사할 수 있도록 백 라이트를 형성하여도 좋다. 백 라이트는 액정 표시 장치의 형상에 맞춰서 곡절부를 가지면 바람직하다.
또, “제 1”, “제 2”로서 붙여지는 서수사는 편의상 사용하는 것이고, 공정순 또는 적층순을 나타내는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 발명을 특정하기 위한 사항으로서 고유한 명칭을 나타내는 것은 아니다.
또한, 본 명세서 중에 있어서 반도체 장치란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리키며, 전기 광학 장치, 반도체 회로 및 전자기기는 모두 반도체 장치이다.
액정 표시 장치의 형상은, 성형하는 형상을 선택함으로써 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서, 다양한 장소나 용도에 대응한 형상으로, 다양하게 액정 표시 장치를 제작할 수 있어, 편리성이 높은 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1d는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 2a 내지 도 2c는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 3a 내지 도 3c는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 4a 내지 도 4d는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 5a 내지 도 5c는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 6a 내지 도 6c는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 7a 내지 도 7f는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 8a 및 도 8b는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 9a 및 도 9b는 액정 표시 장치를 설명하는 도면.
도 10a 및 도 10b는 액정 표시 모듈을 설명하는 도면.
도 11a1, 도 11a2, 도 11b1, 도 11b2, 도 11c1, 도 11c2는 액정 표시 장치의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 12는 액정 표시 모듈을 설명하는 도면.
도 13a 내지 도 13d는 액정 표시 장치에 적용할 수 있는 반도체 소자를 설명하는 도면.
도 14a 내지 도 14d는 액정 표시 장치에 적용한 휴대 전화기의 예를 설명하는 도면.
도 15는 액정 표시 장치에 적용한 휴대 전화기의 예를 설명하는 도면.
실시형태에 대하여, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 다만, 이하의 설명에 한정되지 않고, 취지 및 그 범위에서 일탈하지 않고 그 형태 및 상세한 내용을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 당업자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정되어 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 구성에 있어서, 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면간에서 공통으로 사용하고, 그 반복 설명은 생략한다.
(실시형태 1)
액정 표시 장치를, 도 1a 내지 도 3c를 사용하여 설명한다.
도 1a 내지 도 3c는 액정 표시 장치의 제작 방법을 도시하는 단면도이다.
액정 표시 장치는, 적어도 액정층과, 액정층을 협지하는 한 쌍의 기판과, 액정층에 전압을 인가하는 전극층을 갖는다. 또한, 반도체 소자가 형성되어도 좋고, 바람직하게는 박막 트랜지스터가 사용된다. 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치의 경우, 각 화소마다 구동용의 박막 트랜지스터가 형성된다.
본 실시형태에서는, 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치의 예를 나타내지만, 패시브 매트릭스형의 액정 표시 장치에도 본 실시형태는 적응될 수 있다.
본 실시형태에서는, 액정 표시 장치의 제작 공정에 있어서, 전극층이나 소자층의 제작 후, 액정 표시 장치의 형성을 성형하여, 고기능화시키는 가공을 행한다.
제작 기판(100) 위에 소자층(101)을 형성한다(도 1a 참조). 소자층(101)은 박막 트랜지스터를 포함한다. 다음에 소자층(101)을, 지지 기판(102)에 전치한다(도 1b 참조).
액정 표시 장치의 형상의 형이 되는 제 1 지지체(111)를 사용하고, 제 1 지지체(111)에 제 1 기판(110)을, 제 1 지지체(111)의 곡면을 따라 형성한다(도 1c 참조). 제 1 기판(110)은 제 1 지지체(111)에 고착되면 좋고, 접착층 등으로 붙이면 좋다. 이 단계에 의하여, 제 1 기판(110)은 곡절한 영역과 평면 형상의 영역을 갖는 형상으로 성형된다.
소자층(101)과 제 1 기판(110)이 대향하도록, 지지 기판(102)과 제 1 지지체(111)를 배치하고, 소자층(101)을 화살표 방향으로 제 1 기판(110) 측에 전치한다(도 1d 참조). 즉, 지지체(111)와 접촉하는 표면에 대하여 반대측의 표면에, 소자층(101)을 지지 기판(102)으로부터 전치한다.
제작 기판(100)은, 소자층(101)의 제작 공정에 맞춰서 적절히 선택하면 좋다. 예를 들어, 제작 기판(100)으로서, 유리 기판, 석영 기판, 사파이어기판, 세라믹 기판, 표면에 절연층이 형성된 금속 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 처리 온도에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 플라스틱 기판을 사용하여도 좋다.
제 2 기판(120)에 스페이서(121)를 형성한다(도 2a 참조). 스페이서(121)는 다른 제작 기판에 형성하고, 제 2 기판(120)에 전치하여도 좋다.
지지 기판(102), 제 1 기판(110), 제 2 기판(120)은 가요성을 갖는 기판(가요성 기판)을 사용한다. 그러나, 형상이 가공되어 고정된 후의 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(120)은 가요성을 가질 필요는 없다. 지지 기판(102), 제 1 기판(110), 제 2 기판(120)으로서, 아라미드 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리이미드(PI) 수지 등을 사용할 수 있다.
다음에, 스페이서(121)가 형성되지 않는 면과, 적어도 일부에 곡면을 갖는 제 2 지지체(123)의 내측이 대향하도록, 스페이서(121)가 형성된 제 2 기판(120) 및 제 2 지지체(123)를 배치한다(도 2b 참조). 제 2 지지체(123)는 U자 형상의 형상이라도 좋다.
제 2 기판(120)을 화살표 방향으로 제 2 지지체(123)의 내측에 접착함으로써, 제 2 지지체(123)와 같은 형상으로, 스페이서(121)를 갖는 제 2 기판(120)이 성형된다(도 2c 참조). 이 단계에 의하여, 제 2 기판(120)은 곡절한 영역과 평면 형상의 영역이 형성된다.
소자층(101) 및 제 1 기판(110)이 형성된 제 1 지지체(111)와, 스페이서(121) 및 제 2 기판(120)이 형성된 제 2 지지체(123)를, 소자층(101)과 스페이서(121)가 대향하도록 배치한다(도 3a 참조).
제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)를, 화살표 방향으로 감합시켜(조합시켜), 제 1 기판(110)과, 제 2 기판(120)을 액정층(125) 및 소자층(101)을 협지하여 씰 재(124)에 의하여 접합한다(도 3b 참조). 상기 접합 공정은 감압하에서 행하여도 좋다.
씰 재(124)로서는, 대표적으로는 가시광 경화성, 자외선 경화성 또는 열 경화성의 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 대표적으로는, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 아민 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 광(대표적으로는 자외선) 중합 개시제, 열 경화제, 필러, 커플링제를 포함하여도 좋다.
액정층(125)은, 공극에 액정 재료를 봉입하여 형성한다. 액정층(125)은, 제 1 기판(110)과 제 2 기판(120)을 접합하기 전에 액정을 적하하는 디스펜서법(적하법)을 사용하여도 좋고, 제 1 기판(110)과 제 2 기판(120)을 접합한 후에 모세관 현상을 사용하여 액정을 주입하는 주입법을 사용할 수 있다. 액정 재료로서는 특히 한정은 없고, 다양한 재료를 사용할 수 있다. 또한, 액정 재료로서 블루상을 나타내는 재료를 사용하면 배향막이 불필요하게 된다.
제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)를 제거하여, 제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)의 형상을 반영하여 곡부를 갖는 액정 표시 패널(150)을 제작할 수 있다(도 3c 참조).
또한, 본 실시형태에서는 도시하지 않지만, 컬러 필터(착색층), 블랙 매트릭스(차광층), 편광 부재, 위상차 부재, 반사 방지 부재 등의 광학 부재(광학 기판) 등은 적절히 형성한다. 예를 들어, 편광 기판 및 위상차 기판에 의한 원 편광을 사용하여도 좋다. 또한, 광원으로서 백 라이트, 사이드 라이트 등을 사용하여도 좋다.
제 1 기판(110) 및 제 2 기판(120)을, 제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)에 의하여 형상을 변화시킬 때, 그 형상을 고정시키기 위해서 가열 처리나 광 조사 처리 등의 고정 처리를 행하여도 좋다. 또한, 가열 처리에 의하여 기판의 형상을 변형시켜, 변형을 유지시킨 그대로 냉각함으로써, 기판의 형상을 고정시켜도 좋다.
소자층(101)은, 직접 지지 기판(102)이나, 제 1 기판(110)에 형성하여도 좋다. 예를 들어, 인쇄법 등을 사용하여 전극층을 지지 기판(102)이나 제 1 기판(110)에 직접 형성하면 좋다.
본 실시형태와 같이 제작 기판(100)으로부터 소자층(101)을 다른 기판에 전치하는 방법은, 특히 한정되지 않고 다양한 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 제작 기판(100)과 소자층(101) 사이에 박리층을 형성하면 좋다.
박리층은 스퍼터링법이나 플라즈마 CVD법, 도포법, 인쇄법 등에 의하여, 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 실리콘(Si)으로부터 선택된 원소, 또는 이들 원소를 주성분으로 하는 합금 재료, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 화합물 재료로 이루어지는 층을 단층 또는 적층하여 형성한다. 실리콘을 포함하는 층의 결정 구조는 비정질, 미결정, 다결정의 어느 경우라도 좋다. 또한, 여기서는 도포법은 스핀 코팅법, 액적 토출법, 디스펜서법을 포함한다.
박리층이 단층 구조인 경우, 바람직하게는, 텅스텐층, 몰리브덴층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물을 포함하는 층을 형성한다. 또는, 텅스텐의 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층, 몰리브덴의 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물의 산화물 또는 산화질화물을 포함하는 층을 형성한다. 또한, 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물이란, 예를 들어, 텅스텐과 몰리브덴의 합금에 상당한다.
박리층이 적층 구조인 경우, 바람직하게는, 1 층째로서 텅스텐층, 몰리브덴층, 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물을 포함하는 층을 형성하고, 2 층째로서 텅스텐, 몰리브덴 또는 텅스텐과 몰리브덴의 혼합물의 산화물, 질화물, 산화질화물 또는 질화산화물을 형성한다.
박리층으로서 텅스텐을 포함하는 층과 텅스텐의 산화물을 포함하는 층의 적층 구조를 형성하는 경우, 텅스텐을 포함하는 층을 형성하고, 그 위 층에 산화물로 형성되는 절연층을 형성함으로써 텅스텐층과 절연층의 계면에 텅스텐의 산화물을 포함하는 층이 형성되는 것을 활용하여도 좋다. 또한, 텅스텐을 포함하는 층의 표면을, 열 산화 처리, 산소 플라즈마 처리, 오존수 등의 산화력이 강한 용액을 사용한 처리 등을 행하여 텅스텐의 산화물을 포함하는 층을 형성하여도 좋다. 또한 플라즈마 처리나 가열 처리는, 산소, 질소, 일산화이질소 단체, 또는 상기 가스와 그 이외의 가스와의 혼합 기체 분위기하에서 행하여도 좋다. 이것은 텅스텐의 질화물, 산화질화물 및 질화산화물을 포함하는 층을 형성하는 경우도 마찬가지고, 텅스텐을 포함하는 층을 형성한 후, 그 위 층에 질화실리콘층, 산화질화실리콘층, 질화산화실리콘층을 형성하면 좋다.
또한, 다른 기판으로의 전치 공정은 기판과 소자층 사이에 박리층을 형성하고, 박리층과 소자층 사이에 금속 산화막을 형성하고, 상기 금속 산화막을 결정화에 의하여 취약화하고, 상기 소자층을 박리하는 방법, 내열성이 높은 기판과 소자층 사이에 수소를 포함하는 비정질 실리콘막을 형성하고, 레이저광의 조사 또는 에칭에 의하여 상기 비정질 실리콘막을 제거함으로써 상기 소자층을 박리하는 방법, 기판과 소자층 사이에 박리층을 형성하고, 박리층과 소자층 사이에 금속 산화막을 형성하고, 상기 금속 산화막을 결정화에 의하여 취약화하고, 박리층의 일부를 용액이나 NF3, BrF3, ClF3 등의 할로겐을 포함하는 가스를 사용한 에칭으로 제거한 후, 취약화된 금속 산화막에 있어서 박리하는 방법, 소자층이 형성된 기판을 기계적으로 삭제 또는 용액이나 NF3, BrF3, ClF3 등 할로겐을 포함하는 가스를 사용한 에칭으로 제거하는 방법 등을 적절히 사용할 수 있다. 또한, 박리층으로서 질소, 산소나 수소 등을 포함하는 막(예를 들어, 수소를 포함한 비정질 실리콘막, 수소 함유 합금막, 산소 함유 합금막 등)을 사용하여, 박리층에 레이저광을 조사하여 박리층 내에 함유하는 질소, 산소나 수소를 가스로서 방출시켜 소자층과 기판의 박리를 촉진시키는 방법을 사용하여도 좋다.
상기 박리 방법을 조합함으로써 보다 용이하게 전치 공정을 행할 수 있다. 즉, 레이저광의 조사, 가스나 용액 등에 의한 박리층에 대한 에칭, 날카로운 나이프나 메스 등을 사용하여 소자층의 일부를 기계적으로 삭제하는 등, 박리층과 소자층을 박리하기 쉬운 상태로 하고 나서, 물리적인 힘(기계 등에 의함)에 의하여 박리를 행할 수도 있다.
또한, 박리층과 소자층의 계면에 액체를 침투시켜 기판으로부터 소자층을 박리하여도 좋다.
액정 표시 패널(150)의 형상은, 제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)의 형상을 선택함으로써 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서, 다양한 장소나 용도에 대응한 형상으로, 다양하게 액정 표시 장치를 제작할 수 있어, 편리성이 높은 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 실시형태 1에 있어서, 보호막을 갖는 액정 표시 장치의 제작 방법의 예를 도 4a 내지 도 6c에 도시한다. 따라서, 다른 부분은 실시형태 1과 마찬가지로 행할 수 있고, 실시형태 1과 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분, 및 공정의 반복 설명은 생략한다.
도 4a 내지 도 6c는 액정 표시 장치의 제작 방법을 도시하는 단면도이다.
본 실시형태에서는, 액정 표시 장치의 제작 공정에 있어서, 전극층이나 소자층의 제작 후, 액정 표시 장치의 형상을 성형하여, 고기능화시키는 가공을 행한다. 또한, 보호막을 형성하여, 액정 표시 장치의 신뢰성을 향상시킨다.
제작 기판(100) 위에 소자층(101)을 형성한다(도 4a 참조). 본 실시형태에서는, 소자층(101)에 스페이서를 포함하여 형성한다. 소자층(101)은 박막 트랜지스터를 포함한다. 다음에 소자층(101)을, 지지 기판(102)에 전치한다(도 4b 참조).
액정 표시 장치의 형상의 형이 되는 제 1 지지체(111)를 사용하여, 제 1 지지체(111)에 제 1 기판(110)을, 제 1 지지체(111)의 곡면을 따라 형성한다. 제 1 기판(110)은 제 1 지지체(111)에 고착되면 좋고, 접착층 등으로 붙이면 좋다.
제 1 지지체(111) 위에 고착된 제 1 기판(110) 위에 보호막(103)을 형성한다(도 4c 참조). 보호막(103)을, 제 1 지지체(111)의 형상을 따라 구부린 후의 제 1 기판(110)을 덮도록 형성한다. 보호막(103) 형성 후에 제 1 기판(110)의 형상 가공은 행하지 않기 때문에, 제 1 기판(110)의 형상 가공에 의한 보호막(103)의 파손 등의 불량을 막을 수 있다. 따라서, 치밀한 보호막(103)에 의하여 제 1 기판(110)으로부터의 수분이나 다른 불순물 등을 차단하여, 소자층이나 액정층의 오염을 막는 높은 효과가 얻어진다.
보호막(103)과 제 1 기판(110)이 지지 기판(102)과 제 1 지지체(111)에 끼워지도록 지지 기판(102)과 제 1 지지체(111)를 배치하고, 소자층(101)을 화살표 방향으로 보호막(103) 및 제 1 기판(110) 측에 전치한다(도 4d 참조).
다음에, 제 2 기판(120) 및 적어도 일부에 곡면을 갖는 제 2 지지체(123)를 배치한다(도 5a 참조).
제 2 기판(120)을 화살표 방향으로 제 2 지지체(123)의 내측에 접착함으로써, 제 2 지지체(123)와 같은 형상으로, 제 2 기판(120)이 성형된다(도 5b 참조).
제 2 지지체(123) 위에 고착된 제 2 기판(120) 위에 보호막(122)을 형성한다(도 5c 참조). 보호막(122)을, 제 2 지지체(123)의 형상을 따라 구부린 후의 제 2 기판(120)을 덮도록 형성한다. 보호막(122) 형성 후에 제 2 기판(120)의 형상 가공은 행하지 않기 때문에, 제 2 기판(120)의 형상 가공에 의한 보호막(122)의 파손 등의 불량을 막을 수 있다. 따라서, 치밀한 보호막(122)에 의하여 제 2 기판(120)으로부터의 수분이나 다른 불순물 등을 차단하여, 소자층이나 액정층의 오염을 막는 높은 효과가 얻어진다.
보호막(103) 및 보호막(122)은 무기 절연성 재료를 사용하여 스퍼터링법에 의하여 형성할 수 있다. 무기 절연성 재료로서는, 산화실리콘, 질화실리콘, 산화질화실리콘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화질화알루미늄 등을 사용할 수 있다.
소자층(101), 보호막(103) 및 제 1 기판(110)이 형성된 제 1 지지체(111)와, 보호막(122) 및 제 2 기판(120)이 형성된 제 2 지지체(123)를, 소자층(101)과 보호막(122)이 대향하도록 배치한다(도 6a 참조).
제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)를, 화살표 방향으로 조합하고, 소자층(101), 보호막(103) 및 제 1 기판(110)과, 보호막(122) 및 제 2 기판(120)을 액정층(125)을 협지하여 씰 재(124)에 의하여 접합한다(도 6b 참조).
본 실시형태에서는 소자층(101)에 스페이서를 형성하는 예를 제시하지만, 보호막(122) 위에 구 형상 스페이서를 산포하여도 좋다.
액정층(125)은, 제 1 기판(110)과 제 2 기판(120)을 접합하기 전에 적하하는 디스펜서법(적하법)을 사용하여도 좋고, 제 1 기판(110)과 제 2 기판(120)을 접합한 후에 모세관 현상을 사용하여 액정을 주입하는 주입법을 사용할 수 있다.
제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)를 제거하여, 제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)의 형상을 반영하여 곡부를 갖는 액정 표시 패널(150)을 제작할 수 있다(도 6c 참조).
액정 표시 패널(150)의 형상은, 제 1 지지체(111) 및 제 2 지지체(123)의 형상을 선택함으로써 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서, 다양한 장소나 용도에 대응한 형상으로, 다양한 액정 표시 장치를 제작할 수 있어, 편리성이 높은 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 보호막을 형성함으로써, 소자층이나 액정층에의 불순물의 오염을 막을 수 있어, 액정 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 실시형태 1 및 실시형태 2에 있어서, 액정 표시 장치의 제작 방법의 다른 예를 도 7a 내지 도 8b에 도시한다. 따라서, 다른 부분은 실시형태 1과 마찬가지로 행할 수 있고, 실시형태 1과 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분, 및 공정의 반복 설명은 생략한다.
도 7a 내지 도 8b는 액정 표시 장치의 제작 방법을 도시하는 단면도이다.
본 실시형태에서는, 액정 표시 장치의 제작 공정에 있어서, 액정층을 협지하여 한 쌍의 기판을 접합한 후, 액정 표시 장치의 형상을 성형하여, 고기능화시키는 가공을 행한다.
제작 기판(100) 위에 소자층(101)을 형성한다(도 7a 참조). 소자층(101)은 박막 트랜지스터를 포함한다. 다음에 소자층(101)을 지지 기판(102)에 전치한다(도 7b 참조).
지지 기판(102)으로부터, 제 1 기판(110)에 소자층(101)을 전치한다(도 7c 참조).
제 2 기판(120)에 스페이서(121)와 씰 재(124)를 형성한다. 스페이서(121)는 다른 제작 기판에 형성하고, 제 2 기판(120)에 전치하여도 좋다.
다음에, 스페이서(121) 및 씰 재(124)가 형성된 면과, 소자층(101)이 대향하도록, 스페이서(121)가 형성된 제 2 기판(120) 및 제 1 기판(110)을 배치한다(도 7d 참조).
액정층(125)을 사이에 협지하여 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(120)을 접합한다(도 7e 참조). 이상의 공정으로, 가요성의 액정 표시 패널(155)이 형성된다.
액정층(125)을 협지하여 대향하는 제 1 기판(110) 및 제 2 기판(120)의 구조체인 가요성의 액정 표시 패널(155)의 형상을 가공하고, 굴곡시켜, 곡부를 갖는 액정 표시 패널(150)을 형성한다(도 7f 참조). 형상의 가공은 실시형태 1과 같은 지지체(111)와 지지체(123)를 사용하여 형성하여도 좋다.
또한, 투광성의 지지 부재를 사용하여 상기 지지 부재에 액정 표시 패널(155)을 접합시켜, 액정 표시 패널(155)의 형상을 가공, 및 고정시켜도 좋다.
도 8a는, 도 7e에서 제작한 가요성의 액정 표시 패널(155)을 투광성의 지지 부재(127)에 접합시켜, 그 형상이 곡부를 갖도록 가공하고 고정하는 예이다. 지지 부재(127)는, 한 변에 따른 곡절부를 갖고 상기 곡절부를 끼워 한 쪽에 제 1 면을, 다른 쪽에 제 2 면을 갖고, 지지 부재(127)에 액정 표시 패널(155)을 내접하도록 형성함으로써, 지지 부재(127)의 제 1 면에 제 1 표시 영역 및 지지 부재(127)의 제 2 면에 제 2 표시 영역을 형성할 수 있다. 또한, 제 1 표시 영역과 제 2 표시 영역에 끼운, 지지 부재(127)의 곡부면에 제 3 표시 영역이 형성된다. 액정 표시 패널(155)과 지지 부재(127)는, 투광성의 접착층을 사용하여 고정하여도 좋다.
도 7f에서 도시하는 액정 표시 패널(150)에 또한 보호막을 형성하여도 좋다.
액정 표시 패널(150)을 덮도록 보호막(126)을 형성한다(도 8b 참조).
보호막(126)은, 곡부를 갖는 형상으로 가공된 액정 표시 패널(150)에 대하여 형성하기 때문에, 액정 표시 패널(150)의 형상 가공에 의한 보호막(126)의 파손 등의 형상 불량을 막을 수 있다. 따라서, 치밀한 보호막(126)에 의하여 외부로부터의 수분이나 다른 불순물 등을 차단하여, 액정 표시 패널(150)의 오염을 막는 높은 효과가 얻어진다.
보호막(126)은 무기 절연성 재료를 사용하여 스퍼터링법에 의하여 형성할 수 있다. 무기 절연 재료로서는, 산화실리콘, 질화실리콘, 산화질화실리콘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화질화알루미늄 등을 사용할 수 있다.
액정 표시 패널(150)의 형상은, 지지 부재(127)의 형상을 선택함으로써 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서, 다양한 장소나 용도에 대응한 형상으로, 다양하게 액정 표시 장치를 제작할 수 있어, 편리성이 높은 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 보호막을 형성함으로써, 소자층이나 액정층에의 불순물의 오염을 막을 수 있어, 액정 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 실시형태 1 내지 실시형태 3에 있어서, 다른 광학계 부재를 갖는 액정 표시 장치의 예를 도 9a 및 도 9b에 도시한다. 따라서, 다른 부분에는 실시형태 1 내지 실시형태 3과 마찬가지로 행할 수 있고, 실시형태 1 내지 실시형태 3과 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분, 및 공정의 반복 설명은 생략한다.
실시형태 1 내지 실시형태 3에 나타내는 액정 표시 장치에, 광학계 부재를 설치할 수 있다. 광학계 부재로서는, 백 라이트, 사이드 라이트 등의 광원, 광학 필름(편광 필름, 위상차 필름, 반사 방지 필름 등)을 사용할 수 있다.
광학 필름은, 제 1 기판 및 제 2 기판의 외측(액정층과 반대측)에 형성하여도 좋고, 내측(액정층 사이)에 형성하여도 좋다.
백 라이트의 광원으로서 냉음극관이나 발광 다이오드(LED) 등을 사용할 수 있다. 복수의 LED 광원 또는 복수의 일렉트로 루미네선스(EL) 광원 등을 사용하여 면 광원을 구성하여도 좋다. 면 광원으로서, 3종류 이상의 LED를 사용하여도 좋고, 백색 발광의 LED를 사용하여도 좋다.
도 9a 및 도 9b에, 백 라이트를 구비한 액정 표시 장치의 예를 도시한다. 또한 실시형태 1 내지 실시형태 3에서 도시한 액정 표시 패널(150)을 액정 표시 장치라고도 한다. 백 라이트는 제 1 기판(110)의 곡절한 영역과 평면 형상의 영역에 의하여 형성된 오목부에 배치된다.
도 9a는 백 라이트(130)를 구비한 액정 표시 패널(150)이고, 백 라이트(130)는 광원으로서 냉음극관(131a)을 갖는다. 냉음극관(131a)은, 케이스(132)에 배치되어, 액정 표시 패널의 형상에 따르도록 곡부를 갖는다.
도 9b도 백 라이트(130)를 구비한 액정 표시 패널(150)이고, 백 라이트(130)는 광원으로서 LED(131b)를 갖는다. LED(131b)는, 케이스(132)에 배치되어, 액정 표시 패널의 형상에 따르도록 곡부를 갖는다.
도 9a 및 도 9b의 백 라이트(130)에 있어서, 도광 부재(부품)를 구비하여도 좋고, 확산 부재(필름), 반사 부재(필름) 등을 형성하여도 좋다. 케이스(132)는, 광원으로부터의 광을 투과하는 영역에 투광부를 갖는다.
본 실시형태에서 나타내는 바와 같이, 곡부를 갖는 액정 표시 장치의 형상에 맞춰서, 광학 부재의 형상도 곡부를 갖도록 성형, 및 배치된다.
액정 표시 장치의 형상은, 성형하는 형상을 선택함으로써 자유롭게 결정할 수 있다. 따라서, 다양한 장소나 용도에 대응한 형상으로, 다양하게 액정 표시 장치를 제작할 수 있어, 편리성이 높은 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 실시형태 1 내지 실시형태 4에 있어서, 대형의 기판에 복수의 액정 표시 장치의 소자층을 제작하는 예(소위 다면취)를 도 11a1, 도 11a2, 도 11b1, 도 11b2, 도 11c1, 도 11c2에 도시한다. 따라서, 다른 부분은 실시형태 1 내지 실시형태 4와 마찬가지로 행할 수 있고, 실시형태 1 내지 실시형태 4와 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분, 및 공정의 반복 설명은 생략한다.
상기 실시형태에 있어서, 제작 기판(100) 위에 소자층(101)을 형성하고, 제작 기판(100)으로부터 가요성 기판인 지지 기판(102)에 소자층(101)을 전치한다.
대형의 제작 기판으로부터, 복수의 소자층을 지지 기판에 전치하는 방법을 도 11a1, 도 11a2, 도 11b1, 도 11b2, 도 11c1, 도 11c2에 도시한다. 도 11a2, 도 11b2, 도 11c2는 평면도이고, 도 11a1, 도 11b1, 도 11c1은, 도 11a2, 도 11b2, 도 11c2 각각에 있어서의 선 X-Y의 단면도이다.
대형의 제작 기판(180)에 소자층(101a 내지 101c)을 형성한다(도 11a1, 도 11a2 참조).
지지 기판(182)을 소자층(101a 내지 101c)과 대향하도록 배치하고, 제작 기판(180)으로부터 화살표 방향으로 소자층(101a 내지 101c)을 지지 기판(182)에 전치한다(도 11b1, 도 11b2 참조).
제작 기판(182)을 각 소자층(101a 내지 101c)마다 지지 기판(102a 내지 102c)으로 분단한다(도 11c1, 도 11c2 참조). 분단 수단으로서는 물리적으로 분단할 수 있으면 특히 한정은 없고, 다이서(dicer), 스크라이버(scriber) 등을 사용하여도 좋고, 레이저광을 조사함으로써 분단하여도 좋다.
각 패널마다 지지 기판(102)(102a 내지 102c) 위에 형성된 소자층(101)(101a 내지 101c)을 각각 사용하여 액정 표시 장치를 제작한다. 후의 공정은, 실시형태 1 내지 실시형태 4와 마찬가지로 행하면 좋다.
이와 같이, 대형 기판을 사용하여 한번에 복수의 액정 표시 장치에 사용할 수 있는 소자층의 전치 공정을 행하면, 생산성을 향상시킬 수 있다.
(실시형태 6)
본 명세서에 개시하는 발명은, 패시브 매트릭스형의 액정 표시 장치라도 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치라도 적용할 수 있다.
박막 트랜지스터를 제작하여, 상기 박막 트랜지스터를 화소부, 또한 구동 회로에 사용하여 표시 기능을 갖는 액정 표시 장치를 제작할 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터를 사용한 구동 회로의 일부 또는 전체를, 화소부와 같은 기판 위에 일체로 형성하여, 시스템 온 패널(system-on panel)을 형성할 수 있다.
액정 표시 장치는 표시 소자로서 액정 소자(액정 표시 소자라고도 함)를 포함한다.
또한, 액정 표시 장치는, 표시 소자가 밀봉된 상태에 있는 패널과, 상기 패널에 컨트롤러를 포함하는 IC 등을 실장한 상태에 있는 모듈을 포함한다. 본 실시형태에서는, 액정 표시 장치의 모듈을 도 10a 및 도 10b 및 도 12에 도시한다.
또한, 본 명세서 중에 있어서의 액정 표시 장치란, 화상 표시 디바이스, 표시 디바이스, 또한 광원(조명 장치를 포함함)을 가리킨다. 또한, 커넥터, 예를 들어, FPC(Flexible Printed Circuit) 또는 TAB(Tape Automated Bonding) 테이프, 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 부착된 모듈, TAB 테이프나 TCP의 끝에 프린트 배선판이 형성된 모듈, 또는 표시 소자에 COG(Chip On Glass) 방식에 의하여 IC(집적회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 액정 표시 장치에 포함하는 것으로 한다.
액정 표시 장치의 일 형태에 상당하는 액정 표시 패널의 외관 및 단면에 대하여 도 10a 및 도 10b 및 도 12를 사용하여 설명한다. 도 10a 및 도 10b 및 도 12는, 액정 표시 패널(4000)에 FPC(4018)가 부착된 액정 표시 모듈의 예이며, 제 1 기판(4001) 위에 형성된 박막 트랜지스터(4010, 4011), 및 액정 소자(4013)를, 제 2 기판(4006) 사이에 씰재(4005)에 의하여 밀봉한다. 도 10a 및 도 10b는 액정 표시 모듈의 사시도, 도 12는, 도 10a의 M-N에 있어서의 단면도에 상당한다.
또한, 도 10b의 액정 표시 모듈은, 투광성의 지지 부재(4040)에 액정 표시 패널(4000)을 고정하는 예이다. 액정 표시 패널(4000)은 투광성의 지지 부재(4040)에 내접하여 형성된다.
도 10a 및 도 10b에 도시하는 바와 같이, 표시 영역으로서 기능하는 화소부(4002)는, 측면과 저면을 갖도록 곡절하는 액정 표시 패널의 측면 및 저면에 연속적으로 형성되고, 저면에 제 1 표시 영역, 측면에 제 2 표시 영역을 형성할 수 있다.
제 1 기판(4001) 위에 형성된 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004)를 둘러싸도록, 씰 재(4005)가 형성된다. 또한 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004) 위에 제 2 기판(4006)이 형성된다. 따라서 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004)는, 제 1 기판(4001)과 씰 재(4005)와 제 2 기판(4006)에 의하여, 액정층(4008)과 함께 밀봉된다.
또한, 씰 재에 의하여 둘러싸이는 영역과 상이한 영역에, 별도로 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막으로 형성된 신호선 구동 회로(4003)는 TAB 방법에 의하여 실장된다.
또한 별도로 형성된 신호선 구동 회로(4003)와, 주사선 구동 회로(4004) 또는 화소부(4002)에 주어지는 각종 신호 및 전위는, FPC(4081)로부터 공급된다.
또한, 별도로 형성한 구동 회로의 접속 방법은, 특히 한정되지 않고, COG 방법, 와이어 본딩 방법, 또는 TAB 방법 등을 사용할 수 있다.
또한, 제 1 기판(4001) 위에 형성된 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004)는 박막 트랜지스터를 복수 갖고, 도 12에서는 화소부(4002)에 포함되는 박막 트랜지스터(4010)와 주사선 구동 회로(4004)에 포함되는 박막 트랜지스터(4011)를 예시한다. 박막 트랜지스터(4010, 4011) 위에는 절연층(4020, 4021)이 형성된다. 또한, 절연막(4023)은 하지막으로서 기능하는 절연막이다.
박막 트랜지스터(4010, 4011)는, 특히 한정되지 않고 다양한 박막 트랜지스터를 적용할 수 있다. 도 12에서는, 박막 트랜지스터(4010, 4011)로서, 보텀 게이트 구조의 역 스태거 박막 트랜지스터를 사용하는 예를 도시한다. 박막 트랜지스터(4010, 4011)는 채널 에치형을 도시하지만, 반도체층 위에 채널 보호막을 형성한 채널 보호형의 역 스태거 박막 트랜지스터를 사용하여도 좋다.
또한, 제 1 기판(4001) 위에 화소 전극층(4030)이 형성되고, 화소 전극층(4030)은 박막 트랜지스터(4010)와 전기적으로 접속된다. 액정 소자(4013)는, 화소 전극층(4030), 대향 전극층(4031), 및 액정층(4008)을 포함한다. 또한, 액정층(4008)을 협지하도록 배향막으로서 기능하는 절연막(4032, 4033)이 형성된다. 대향 전극층(4031)은 제 2 기판(4006) 측에 형성되고, 화소 전극층(4030)과 대향 전극층(4031)은 액정층(4008)을 통하여 적층하는 구성으로 된다.
또한, 제 1 기판(4001), 제 2 기판(4006)으로서는, 투광성을 갖는 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 플라스틱으로서는, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)판, PVF(폴리비닐플루오라이드) 필름, 폴리에스테르 필름 또는 아크릴 수지 필름을 사용할 수 있다. 또한, 알루미늄포일을 PVF 필름이나 폴리에스테르 필름으로 끼운 구조의 시트를 사용할 수도 있다.
또한, 4035는 절연막을 선택적으로 에칭함으로써 얻어지는 기둥 형상(柱狀)의 스페이서이며, 액정층(4008)의 막 두께(셀 갭)를 제어하기 위해서 형성된다. 또한, 구(球) 형상의 스페이서를 사용하여도 좋다.
또한, 도 12는 투과형 액정 표시 장치의 예이지만, 반투과형 액정 표시 장치라도 적용할 수 있다.
또한, 도 12의 액정 표시 장치에서는, 기판의 외측에 편광 필름(4040a, 4040b)을 형성하는 예를 도시하지만, 편광 필름은 기판의 내측에 형성하여도 좋다. 편광 필름의 재료나 제작 공정 조건에 따라 적절히 설정하면 좋다. 또한, 블랙 매트릭스로서 기능하는 차광층을 형성하여도 좋다.
절연층(4020)은 박막 트랜지스터의 보호막으로서 기능한다.
또한, 보호막(절연층(4020))은, 대기 중에 부유하는 유기물이나 금속물, 수증기 등의 오염 불순물의 침입을 막기 위한 것이고, 치밀한 막이 바람직하다. 보호막(절연층(4020))은, 스퍼터링법을 사용하여, 산화실리콘막, 질화실리콘막, 산화질화실리콘막, 질화산화실리콘막, 산화알루미늄막, 질화알루미늄막, 산화질화알루미늄막, 또는 질화산화알루미늄막의 단층, 또는 적층으로 형성하면 좋다.
또한, 평탄화 절연막으로서 기능하는 절연층(4021)은, 폴리이미드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 수지, 폴리아미드, 에폭시 수지 등의 내열성을 갖는 유기 재료를 사용할 수 있다. 또한, 상기 유기 재료 이외에, 저유전율 재료(low-k재료), 실록산계 수지, PSG(인 유리), BPSG(붕소 인 유리) 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들의 재료로 형성되는 절연막을 복수 적층시킴으로써, 절연층(4021)을 형성하여도 좋다.
절연층(4021)의 형성 방법은, 특히 한정되지 않고, 그 재료에 따라, 스퍼터링법, 스핀 코팅법, 디핑법, 스프레이 도포, 액적 토출법(잉크젯 법, 스크린 인쇄, 오프 셋 인쇄 등), 롤 코팅, 커튼 코팅, 나이프 코팅 등을 사용할 수 있다. 절연층(4021)을 재료액을 사용하여 형성하는 경우, 베이크하는 공정에서 동시에, 반도체층의 어닐링(200℃ 내지 400℃)을 행하여도 좋다. 절연층의 소성 공정과 반도체층의 어닐링을 겸함으로써 효율 좋게 액정 표시 장치를 제작할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 액정 표시 장치는 광원의 광을 투광함으로써 표시를 행하는 투과형의 액정 표시 장치(또는 반투광형의 액정 표시 장치)의 경우, 적어도 화소 영역에 있어서 광을 투과시킬 필요가 있다. 따라서 광이 투과하는 화소 영역에 존재하는 기판, 절연막, 도전막 등의 박막은 모두 가시광의 파장 영역의 광에 대하여 투광성으로 한다.
액정층에 전압을 인가하는 전극층(화소 전극층, 공통 전극층, 대향 전극층 등이라 함)에 있어서는, 전극층이 형성되는 장소, 및 전극층의 패턴 구조에 의하여 투광성, 반사성을 선택하면 좋다.
화소 전극층(4030), 대향 전극층(4031)은, 산화텅스텐을 포함하는 인듐산화물, 산화텅스텐을 포함하는 인듐아연산화물, 산화티타늄을 포함하는 인듐산화물, 산화티타늄을 포함하는 인듐주석산화물, 인듐주석산화물(이하 ITO라고 나타냄), 인듐아연산화물, 산화실리콘을 첨가한 인듐주석산화물 등의 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용할 수 있다.
또한, 화소 전극층(4030), 대향 전극층(4031)은, 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 크롬(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 금속, 또는 그 합금, 또는 그 금속 질화물로부터 하나, 또는 복수종을 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 화소 전극층(4030), 대향 전극층(4031)으로서, 도전성 고분자(도전성 폴리머라고도 함)를 포함하는 도전성 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 도전성 고분자로서는, 소위 π전자 공액계 도전성 고분자를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리아닐린 또는 그 유도체, 폴리피롤 또는 그 유도체, 폴리티오펜 또는 그 유도체, 또는 이들의 2종 이상의 공중합체 등을 들 수 있다.
또한, 박막 트랜지스터는 정전기 등에 의하여 파괴되기 쉽기 때문에, 게이트선 또는 소스선에 대하여, 구동 회로 보호용의 보호 회로를 동일한 기판 위에 형성하는 것이 바람직하다. 보호 회로는, 비선형 소자를 사용하여 구성하는 것이 바람직하다.
도 12에서는, 접속 단자 전극(4015)이, 화소 전극층(4030)과 같은 도전막으로 형성되고, 단자 전극(4016)은, 박막 트랜지스터(4010, 4011)의 소스 전극층 및 드레인 전극층과 같은 도전막으로 형성된다.
접속 단자 전극(4015)은, FPC(4018)가 갖는 단자와, 이방성 도전막(4019)을 통하여 전기적으로 접속된다.
또한, 도 10a 및 도 10b에 있어서는, 신호선 구동 회로(4003)를 별도로 형성하여, FPC(4018)에 실장하는 예를 도시하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 주사선 구동 회로를 별도로 형성하여 실장하여도 좋고, 신호선 구동 회로의 일부 또는 주사선 구동 회로의 일부만을 별도로 형성하여 실장하여도 좋다.
본 실시형태는, 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 7)
본 명세서에서 개시하는 액정 표시 장치가 갖는 박막 트랜지스터는 특히 한정되지 않는다. 따라서 박막 트랜지스터의 구조나 사용하는 반도체 재료는 다양하게 사용할 수 있다.
박막 트랜지스터의 구조의 예를 도 13a 내지 도 13d를 사용하여 설명한다. 도 13a 내지 도 13d는, 실시형태 6에 있어서의 박막 트랜지스터(4010)에 사용할 수 있는 박막 트랜지스터의 예이고, 도 13a 내지 도 13d는 도 12와 대응한다.
도 13a 내지 도 13d에 있어서, 제 1 기판(4001) 위에 절연막(4023)이 형성되고, 절연막(4023) 위에 박막 트랜지스터(4010a 내지 4010d)가 형성된다. 박막 트랜지스터(4010a 내지 4010d) 위에 절연층(4020, 4021)이 형성되고, 박막 트랜지스터(4010a 내지 4010d)와 전기적으로 접속되는 화소 전극층(4030)이 형성된다.
박막 트랜지스터(4010a)는, 도 12에 있어서의 박막 트랜지스터(4010)에 있어서, 소스 전극층 및 드레인 전극층으로서 기능하는 배선층(405a, 405b)과 반도체층(403)이 n＋층을 통하지 않고 접하는 구성이다.
박막 트랜지스터(4010a)는 역 스태거형의 박막 트랜지스터이고, 절연 표면을 갖는 기판인 제 1 기판(4001), 절연막(4023) 위에, 게이트 전극층(401), 게이트 절연층(402), 반도체층(403), 소스 전극층 또는 드레인 전극층으로서 기능하는 배선층(405a, 405b)을 포함한다.
박막 트랜지스터(4010b)는 보텀 게이트형의 박막 트랜지스터이고, 절연 표면을 갖는 기판인 제 1 기판(4001), 절연막(4023) 위에, 게이트 전극층(401), 게이트 절연층(402), 소스 전극층 또는 드레인 전극층으로서 기능하는 배선층(405a, 405b), 소스 영역 또는 드레인 영역으로서 기능하는 n＋층(404a, 404b), 및 반도체층(403)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(4010)를 덮고, 반도체층(403)에 접하는 절연막(4020)이 형성된다. n＋층(404a, 404b)은, 반도체층(403)보다 저저항의 반도체층이다.
또한, n＋층(404a, 404b)을, 게이트 절연층(402)과 배선층(405a, 405b) 사이에 형성되는 구조로 하여도 좋다. 또한, n＋층을 게이트 절연층 및 배선층 사이와, 배선층과 반도체층 사이의 양 쪽에 형성하는 구조로 하여도 좋다.
박막 트랜지스터(4010b)는, 박막 트랜지스터(4010b)를 포함하는 모든 영역에 있어서 게이트 절연층(402)이 존재하고, 게이트 절연층(402)과 절연 표면을 갖는 기판인 제 1 기판(4001) 사이에 게이트 전극층(401)이 형성된다. 게이트 절연층(402) 위에는 배선층(405a, 405b), 및 n＋층(404a, 404b)이 형성된다. 그리고, 게이트 절연층(402), 배선층(405a, 405b), 및 n＋층(404a, 404b) 위에 반도체층(403)이 형성된다. 또한, 도시하지 않지만, 게이트 절연층(402) 위에는 배선층(405a, 405b)에 더하여 배선층을 갖고, 상기 배선층은 반도체층(403)의 외주부보다 외측으로 연장한다.
박막 트랜지스터(4010c)는, 박막 트랜지스터(4010b)에 있어서, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 반도체층이, n＋층을 통하지 않고 접하는 구성이다.
박막 트랜지스터(4010c)는, 박막 트랜지스터(4010c)를 포함하는 모든 영역에 있어서 게이트 절연층(402)이 존재하고, 게이트 절연층(402)과 절연 표면을 갖는 기판인 제 1 기판(4001) 사이에 게이트 전극층(401)이 형성된다. 게이트 절연층(402) 위에는 배선층(405a, 405b)이 형성된다. 그리고, 게이트 절연층(402), 배선층(405a, 405b) 위에 반도체층(403)이 형성된다. 또한, 도시하지 않지만, 게이트 절연층(402) 위에는 배선층(405a, 405b)에 더하여 배선층을 갖고, 상기 배선층은 반도체층(403)의 외주부보다 외측으로 연장한다.
박막 트랜지스터(4010d)는, 톱 게이트형의 박막 트랜지스터이다. 박막 트랜지스터(4010d)는 평면(planar)형의 박막 트랜지스터의 예이다. 절연 표면을 갖는 기판인 제 1 기판(4001), 절연막(4023) 위에, 소스 영역 또는 드레인 영역으로서 기능하는 n＋층(404a, 404b)을 포함하는 반도체층(403), 반도체층(403) 위에 게이트 절연층(402)이 형성되고, 게이트 절연층(402) 위에 게이트 절연층(401)이 형성된다. 또한 n＋층(404a, 404b)과 접하여 소스 전극층 또는 드레인 전극층으로서 기능하는 배선층(405a, 405b)이 형성된다. n＋층(404a, 404b)은, 반도체층(403)보다 저저항인 반도체 영역이다.
박막 트랜지스터로서 톱 게이트형의 순 스태거 박막 트랜지스터를 사용하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 싱글 게이트 구조를 설명하였지만, 더블 게이트 구조 등의 멀티 게이트 구조라도 좋다. 이 경우, 반도체층의 상방 및 하방에 게이트 전극층을 형성하는 구조라도 좋고, 반도체층의 한 쪽(상방 또는 하방)에만 복수 게이트 전극층을 형성하는 구조라도 좋다.
반도체층에 사용되는 반도체 재료는 특히 한정되지 않는다. 박막 트랜지스터의 반도체층에 사용할 수 있는 재료의 예를 설명한다.
반도체 소자가 갖는 반도체층을 형성하는 재료는, 실란이나 게르만으로 대표되는 반도체 재료 가스를 사용하여 기상 성장법이나 스퍼터링법으로 제작되는 비정질(아모퍼스, 이하 “AS”라고도 함) 반도체, 상기 비정질 반도체를 광 에너지나 열 에너지를 이용하여 결정화시킨 다결정 반도체, 또는 미결정(세미 아모퍼스 또는 마이크로 크리스털이라고도 불린다. 이하 “SAS”라고도 함) 반도체 등을 사용할 수 있다. 반도체층은 스퍼터법, LPCVD법, 또는 플라즈마 CVD법 등에 의하여 형성할 수 있다.
미결정 반도체막은 깁스 자유 에너지(Gibbs free energy)를 고려하면 비정질과 단결정의 중간적인 준안정 상태에 속하는 것이다. 즉, 열역학적으로 안정된 제 3 상태를 갖는 반도체이고, 단거리 질서를 갖고 격자 왜곡을 갖는다. 기둥 형상 결정 또는 침(針) 형상 결정이 기판 표면에 대하여 법선 방향으로 성장한다. 미결정 반도체의 대표적인 예인 미결정 실리콘은 그 라만 스펙트럼이 단결정 실리콘을 나타내는 520㎝-1보다도 저파수 측으로 시프트(shift)한다. 즉, 단결정 실리콘을 나타내는 520㎝-1과 아모퍼스 실리콘을 나타내는 480㎝-1 사이에 미결정 실리콘의 라만 스펙트럼의 피크가 있다. 또한, 미결합수(댕글링 본드)를 종단하기 위해서 수소 또는 할로겐을 적어도 1at.%, 또는 그 이상 포함시킨다. 또한, 헬륨, 아르곤, 크립톤, 네온 등의 희소 가스 원소를 포함시켜, 격자 왜곡을 더 촉진시킴으로써, 안정성이 증가되어 양호한 미결정 반도체막이 얻어진다.
이 미결정 반도체막은 주파수가 수십MHz 내지 수백MHz의 고주파 플라즈마 CVD법 또는 주파수가 1GHz 이상의 마이크로파 플라즈마 CVD 장치에 의하여 형성할 수 있다. 대표적으로는, SiH4, Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3 등의 수소화 실리콘이나, SiCl4, SiF4 등의 할로겐화 실리콘을 수소로 희석하여 형성할 수 있다. 또한, 수소화 실리콘 및 수소에 더하여 헬륨, 아르곤, 크립톤, 네온으로부터 선택된 일종 또는 복수종의 희소 가스 원소로 희석하여 미결정 반도체막을 형성할 수 있다. 이 때의 수소화 실리콘에 대하여 수소의 유량 비율을 5배 이상 200배 이하, 바람직하게는, 50배 이상 150배 이하, 더 바람직하게는 100배로 한다.
아모퍼스 반도체로서는 대표적으로는 수소화 아모퍼스 실리콘, 결정성 반도체로서는 대표적으로는 폴리실리콘 등을 들 수 있다. 폴리실리콘(다결정 실리콘)에는 800℃ 이상의 프로세스 온도를 거쳐 형성되는 폴리실리콘을 주재료로서 사용한 소위 고온 폴리실리콘이나, 600℃ 이하의 프로세스 온도로 형성되는 폴리실리콘을 주재료로서 사용한 소위 저온 폴리실리콘, 또한 결정화를 촉진시키는 원소 등을 사용하여 비정질 실리콘을 결정화시킨 폴리실리콘 등을 포함한다. 물론, 상술한 바와 같이, 미결정 반도체 또는 반도체층의 일부에 결정상을 포함하는 반도체를 사용할 수도 있다.
또한, 반도체의 재료로서는, 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 등의 단체 이외에 GaAs, InP, SiC, ZnSe, GaN, SiGe 등과 같은 화합물 반도체도 사용할 수 있다.
반도체층에 결정성 반도체막을 사용하는 경우, 그 결정성 반도체막의 제작 방법은 다양한 방법(레이저 결정화법, 열 결정화법, 또는 니켈 등의 결정화를 촉진하는 원소를 사용한 열 결정화법 등)을 사용하면 좋다. 또한, SAS인 미결정 반도체를 레이저 조사하여 결정화하여, 결정성을 높일 수도 있다. 결정화를 촉진하는 원소를 도입하지 않는 경우는, 비정질 반도체막에 레이저광을 조사하기 전에, 질소 분위기하 500℃로 1시간 가열함으로써 비정질 반도체막의 함유 수소 농도를 1×1020atoms/cm3 이하까지 방출시킨다. 이것은 수소를 많이 포함하는 비정질 반도체막에 레이저광을 조사하면 비정질 반도체막이 파괴되기 때문이다.
결정화를 조장(촉진)하는 원소를 사용하여 비정질 반도체막을 결정화시키는 경우, 결정화를 조장하는 원소로서는, 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 금(Au) 등의 금속 원소로부터 선택된 한 종류 또는 복수 종을 사용할 수 있다. 비정질 반도체막에 금속 원소를 도입하는 방법으로서는, 상기 금속 원소를 비정질 반도체막의 표면 또는 그 내부에 존재시킬 수 있는 수법이면 특히 한정되지 않고, 예를 들어, 스퍼터링법, CVD법, 플라즈마 처리법(플라즈마 CVD법도 포함함), 흡착법, 금속염의 용액을 도포하는 방법을 사용할 수 있다. 이들 중, 용액을 사용하는 방법은 간편하고, 금속 원소의 농도 조정이 용이하다는 점에서 유용하다. 또한, 이때 비정질 반도체막의 표면의 습윤성을 개선하고, 비정질 반도체막의 표면 전체에 금속염의 용액을 퍼지게 하기 위해서 산소 분위기 중에서의 UV광의 조사, 열 산화법, 하이드록시 라디칼을 포함하는 오존수 또는 과산화 수소에 의한 처리 등에 의하여, 비정질 반도체막의 표면에 산화막을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 결정화를 촉진시키는 원소를 사용하여 결정화하는 경우, 열 처리(550℃ 내지 750℃에서 3분 내지 24시간)를 행하여도 좋다.
결정화를 촉진하는 원소를 결정성 반도체막으로부터 제거, 또는 저감하기 위해서, 결정성 반도체막에 접하고 불순물 원소를 포함하는 반도체막을 형성하고, 게터링 싱크로서 기능시킨다. 불순물 원소로서는 n형을 부여하는 불순물 원소, p형을 부여하는 불순물 원소나 희소 가스 원소 등을 사용할 수 있고, 예를 들어 인(P), 질소(N), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 붕소(B), 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe)으로부터 선택된 일종 또는 복수종을 사용할 수 있다. 결정화를 촉진시키는 원소를 포함하는 결정성 반도체막에 희소 가스 원소를 포함하는 반도체막을 형성하고, 열 처리(550℃ 내지 750℃에서 3분 내지 24시간)를 행한다. 결정성 반도체막 중에 포함되는 결정화를 촉진시키는 원소는 희소 가스 원소를 포함하는 반도체막 중으로 이동하여, 결정성 반도체막 중의 결정화를 촉진시키는 원소는 제거 또는 경감된다. 그 후, 게터링 싱크가 된 희소 가스 원소를 포함하는 반도체막을 제거한다.
비정질 반도체막의 결정화는 열 처리와 레이저광 조사에 의한 결정화를 조합하여도 좋고, 열 처리나 레이저광 조사를 단독으로 복수회 행하여도 좋다.
또한, 결정성 반도체막을, 직접 기판에 플라즈마법에 의하여 형성하여도 좋다. 또한, 플라즈마법을 사용하여 결정성 반도체막을 선택적으로 기판에 형성하여도 좋다.
또한, 반도체층에, 산화물 반도체를 사용하여도 좋다. 예를 들어, 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2) 등도 사용할 수 있다. ZnO을 반도체층에 사용하는 경우, 게이트 절연층으로서는 Y2O3, Al2O3, TiO2, 이들 적층 등을 사용하고, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층으로서는 ITO, Au, Ti 등을 사용할 수 있다. 또한, ZnO에 In이나 Ga 등을 첨가할 수도 있다.
산화물 반도체로서 InMO3(ZnO)m(m>0)으로 표기되는 박막을 사용할 수 있다. 또한, M은, 갈륨(Ga), 철(Fe), 니켈(Ni), 망간(Mn) 및 코발트(Co)로부터 선택된 하나의 금속 원소 또는 복수의 금속 원소를 나타낸다. 예를 들어 M으로서, Ga가 포함되는 경우 이외에, Ga와 Ni 또는 Ga와 Fe 등, Ga 이외의 상기 금속 원소가 포함되는 경우가 있다. 또한, 상기 산화물 반도체에 있어서, 불순물 원소로서 이외의 천이 금속, 또는 천이 금속의 산화물이 포함되는 것이 있다. 예를 들어, 산화물 반도체층으로서 In-Ga-Zn-O계 비단결정막을 사용할 수 있다.
In-Ga-Zn-O계 비단결정막 대신에 M을 다른 금속 원소로 하는 산화물 반도체층(InMo3(ZnO)m(m>0))막을 사용하여도 좋다.
본 실시형태는, 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 8)
본 명세서에 개시하는 액정 표시 장치는, 다양한 전자 기기(유기기(遊技機)도 포함함)에 적용할 수 있다. 전자 기기로서는 예를 들어, 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 등의 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말, 음향 재생 장치, 파친코(pachinko)기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 본 명세서에 개시하는 액정 표시 장치를 휴대 전화기에 적용하는 예를 도 14a 내지 도 15에 도시한다.
도 14c는, 휴대 전화기를 정면에서 본 도면, 도 14d는 휴대 전화기를 옆에서 본 도면, 도 14b는 휴대 전화기를 위에서 본 도면, 케이스는 케이스(1411a, 1411b)로 이루어지고, 케이스(1411a, 1411b)의 적어도 표시 영역이 되는 영역은 투광성의 지지 부재다. 도 14a는, 케이스(1411a) 및 케이스(1411b) 내의 단면도이다. 케이스(1411a)의 정면으로부터 본 형상은, 장변과 단변을 갖는 직사각형이고, 직사각형의 모서리는 둥글게 되어도 좋다. 본 실시형태에서는, 정면 형상인 직사각형의 장변과 평행한 방향을 종방향이라 부르고, 단변과 평행한 방향을 횡방향이라 부른다.
또한, 케이스(1411a, 1411b)의 측면으로부터 본 형상도, 장변과 단변을 갖는 직사각형이고, 직사각형의 모서리는 둥글게 되어도 좋다. 본 실시형태에서는, 측면 형상인 직사각형의 장변과 평행한 방향은 종방향이고, 단변과 평행한 방향을 깊이 방향이라 부른다.
도 14a 내지 도 14d에서 도시되는 휴대 전화기는, 표시 영역(1413), 조작 버튼(1404), 터치 패널(1423)을 갖고, 케이스(1411a, 1411b) 내에 액정 표시 패널(1421), 백 라이트(1424), 배선 기판(1425)을 포함한다. 터치 패널(1423)은 필요에 따라 형성하면 좋다.
액정 표시 패널(1421)은 실시형태 1 내지 실시형태 7에서 설명한 액정 표시 패널 및 액정 표시 모듈을 사용하면 좋다.
도 14b 및 도 14c에 도시되는 바와 같이, 액정 표시 패널(1421)은, 케이스(1411a)의 형상을 따라 시인측 정면 영역만이 아니라, 상면 영역 및 하면 영역의 일부도 덮도록 배치된다. 따라서 휴대 전화기의 종방향의 상부에도 표시 영역(1413)과 연속하는 표시 영역(1427)을 형성할 수 있다. 즉, 휴대 전화기의 상면에도 표시 영역(1427)이 존재한다. 이에 따라, 예를 들어 휴대 전화기를 가슴 주머니에 넣어도, 꺼내지 않고 표시 영역(1427)을 볼 수 있다.
표시 영역(1413, 1427)에는, 문자의 유무, 착신의 유무, 날짜, 전화 번호, 인명 등이 표시되면 좋다. 또한 필요에 따라, 표시 영역(1427)만 표시하고 그 이외의 영역은 표시하지 않음으로써, 에너지 절약을 도모할 수 있다.
도 14d의 단면도를 도 15에 도시한다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 케이스(1411a)에 내접하여 상면에서 정면, 하면에 걸쳐 연속적으로 액정 표시 패널(1421)이 형성되고, 액정 표시 패널(1421)의 이면에 백 라이트(1424), 액정 표시 패널(1421)과 전기적으로 접속하는 배선 기판(1425), 배터리(1426)가 배치된다. 또한 케이스(1411a)에 외접하여 시인측에 터치 패널(1423)이 배치된다.
본 실시형태의 휴대 전화기는, 세로로 넣어도 가로로 넣어도 화상이나 문자를 표시시킬 수 있다.
액정 표시 패널(1421)을 정면 영역과 상면 영역에서 따로따로 제작하는 것이 아니라, 정면의 표시 영역(1413)과 상면의 표시 영역(1427)의 양쪽에 존재하도록 제작하기 때문에, 제작 비용이나 제작 시간을 억제할 수 있다.
케이스(1411a) 위에는, 터치 패널(1423)이 배치되고, 표시 영역(1413)에는 터치 패널 버튼(1414)이 표시된다. 버튼(1414)을 손가락 등으로 접촉함으로써, 표시 영역(1413)의 표시 내용을 조작할 수 있다. 또한, 전화의 발신, 또는 메일의 작성은, 표시 영역(1413)의 버튼(414)을 손가락 등으로 접촉함으로써 행할 수 있다.
터치 패널(1423)의 버튼(1414)은, 필요할 때 표시시키면 좋고, 버튼(1414)이 필요하지 않을 때는, 표시 영역(1413) 전체에 화상이나 글씨를 표시시킬 수 있다.
또한, 휴대 전화기의 단면 형상에 있어서 상부의 장변도 곡률 반경을 가져도 좋다. 단면 형상을 상부의 장변에 곡률 반경을 갖도록 형성하면 액정 표시 패널(1421) 및 터치 패널(1423)도 각각 단면 형상에 있어서, 상부의 장변이 곡률 반경이 생긴다. 또한 케이스(1411a)도 만곡하는 형상이 된다. 즉, 표시 영역(1413)을 정면으로부터 본 경우, 앞 쪽을 향하여 둥글게 돌출된다.
100: 제작 기판 101: 소자층
102: 지지 기판 110: 제 1 기판
111: 제 1 지지체

Claims (9)

  1. 가요성 액정 표시 패널과, 보호막과, 백 라이트를 갖고,
    상기 가요성 액정 표시 패널은 가요성 기판과, 상기 가요성 기판 상에 제공된 화소부를 갖고,
    상기 화소부는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따라, 전자 기기의 한쪽 측면에서 다른 쪽 측면에 걸쳐 연속적으로 제공되어 있고,
    상기 보호막은 상기 가요성 액정 표시 패널을 덮도록 형성되고,
    상기 백 라이트는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면에 의하여 형성된 오목부에 제공되고,
    상기 백 라이트는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따른 형상의 곡부 및 평면부를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  2. 가요성 액정 표시 패널과, 보호막과, FPC와, 백 라이트를 갖고,
    상기 가요성 액정 표시 패널은 가요성 기판과, 상기 가요성 기판 상에 제공된 화소부를 갖고,
    상기 FPC는 상기 가요성 액정 표시 패널에 전기적으로 접속하고,
    상기 화소부는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따라, 전자 기기의 한쪽 측면에서 다른 쪽 측면에 걸쳐 연속적으로 제공되어 있고,
    상기 보호막은 상기 가요성 액정 표시 패널을 덮도록 형성되고,
    상기 백 라이트는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면에 의하여 형성된 오목부에 제공되고,
    상기 백 라이트는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따른 형상의 곡부 및 평면부를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  3. 가요성 액정 표시 패널과, 보호막과, 백 라이트와, 배선 기판을 갖고,
    상기 가요성 액정 표시 패널은 가요성 기판과, 상기 가요성 기판 상에 제공된 화소부를 갖고,
    상기 화소부는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따라, 전자 기기의 한쪽 측면에서 다른 쪽 측면에 걸쳐 연속적으로 제공되어 있고,
    상기 보호막은 상기 가요성 액정 표시 패널을 덮도록 형성되고,
    상기 배선 기판은 상기 가요성 액정 표시 패널과 전기적으로 접속하고,
    상기 백 라이트는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면에 의하여 형성된 오목부에서 액정 표시 패널과 상기 배선 기판에 끼워지도록 제공되고,
    상기 백 라이트는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따른 형상의 곡부 및 평면부를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  4. 가요성 액정 표시 패널과, 보호막과, 백 라이트를 갖고,
    상기 가요성 액정 표시 패널은 가요성 기판과, 상기 가요성 기판 상에 제공된 화소부를 갖고,
    상기 화소부는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따라, 전자 기기의 한쪽 측면에서 다른 쪽 측면에 걸쳐 연속적으로 제공되어 있고,
    상기 보호막은 상기 가요성 액정 표시 패널을 덮도록 형성되고,
    상기 백 라이트는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면에 의하여 형성된 오목부에 제공되고,
    상기 백 라이트는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따른 형상의 곡부 및 평면부를 갖고,
    상기 전자 기기의 측면에는 조작 버튼이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화소부는 상기 가요성 기판 상에 절연층을 개재하여 제공된 소자층을 갖고,
    상기 소자층은 산화물 반도체층을 갖는 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가요성 액정 표시 패널은 편광 부재를 추가로 갖고,
    상기 편광 부재는 상기 가요성 기판의 곡면 및 평면을 따라, 상기 전자 기기의 상기 한쪽 측면에서 상기 다른 쪽 측면에 걸쳐 연속적으로 제공되는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가요성 기판은 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가요성 기판은 플라스틱으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화소부는 상기 가요성 기판 상에 절연층을 개재하여 제공된 소자층을 갖고,
    상기 절연층은, 상기 소자층으로의 수분 또는 불순물의 침입을 저감하는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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