CN112596294A - 显示装置、显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示装置、显示面板及其制造方法，涉及显示技术领域。该显示面板包括阵列基板、彩膜基板和背光模组，其中：阵列基板包括衬底和光电感应器件，衬底具有指纹识别区，光电感应器件位于指纹识别区内；彩膜基板与阵列基板对盒设置；背光模组位于彩膜基板背离阵列基板的一侧，且具有背光源，背光源发出的光线能穿过指纹识别区。本公开的显示面板可提高指纹检测精度。

Description

显示装置、显示面板及其制造方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示装置、显示面板及其制造方法。
背景技术
随着显示技术的发展，in-cell式LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示面板，因其具有体积小、厚度薄、功耗低等优点，获得了广泛的应用。然而，现有显示面板接收到的感应信号的信号量较小，指纹检测精度较低。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种显示装置、显示面板及其制造方法，可提高指纹检测精度。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：
阵列基板，包括衬底和光电感应器件，所述衬底具有指纹识别区，所述光电感应器件位于所述指纹识别区内；
彩膜基板，与所述阵列基板对盒设置；
背光模组，位于所述彩膜基板背离所述阵列基板的一侧，且具有背光源，所述背光源发出的光线能穿过所述指纹识别区。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
驱动层，设于所述衬底与所述光电感应器件之间，且包括感应电路，所述感应电路至少部分位于所述指纹识别区内，且与所述光电感应器件连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
像素电极，位于所述光电感应器件背离所述衬底的一侧；
所述驱动层还包括像素电路，所述像素电路与所述像素电极连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述感应电路和所述像素电路均包括多个呈阵列分布的晶体管，所述感应电路的晶体管为第一晶体管，所述像素电路的晶体管为第二晶体管；
所述阵列基板还包括：
第一遮光层，位于所述驱动层背离所述衬底的一侧，且包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第一遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第二遮光单元，所述第一遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
第二遮光层，位于所述驱动层与所述衬底之间，且包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第三遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第四遮光单元，所述第三遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第四遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管包括：
有源层，设于所述衬底靠近所述第一遮光层的一侧；
栅绝缘层，覆盖于所述有源层；
栅极，设于所述栅绝缘层背离所述衬底的一侧；
层间介质层，覆盖于所述栅极和所述栅绝缘层；
第一源漏层，设于所述层间介质层背离所述衬底的一侧，且包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端连接；
所述驱动层还包括：
第一绝缘层，覆盖所述第一源漏层；
第二源漏层，形成于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，且包括间隔设置第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二导电层与所述第二晶体管的漏极连接；
所述第一遮光层与所述第二源漏层同层设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
保护层，覆盖于所述第二源漏层和所述第一遮光层的表面，所述光电感应器件形成于所述保护层的上表面，且通过贯穿所述保护层的过孔与所述第二源漏层连接；
平坦化层，覆盖所述保护层及所述光电感应器件；
导电层，形成于所述平坦化层背离所述保护层的一侧，且包括第一导电体和第二导电体，所述第一导电体与所述光电感应器件连接，所述第二导电体与所述第二导电层连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
驱动层，设于所述光电感应器件背离所述衬底的一侧，且包括感应电路，所述感应电路至少部分位于所述指纹识别区内，且与所述光电感应器件连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：
像素电极，位于所述驱动层背离所述衬底的一侧；
所述驱动层还包括像素电路，所述像素电路与所述像素电极连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述感应电路和所述像素电路均包括多个呈阵列分布的晶体管，所述感应电路的晶体管为第一晶体管，所述像素电路的晶体管为第二晶体管；
所述阵列基板还包括：
第一遮光层，位于所述驱动层背离所述衬底的一侧，且包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第一遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第二遮光单元，所述第一遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管包括：
有源层，设于所述衬底靠近所述第一遮光层的一侧；
栅绝缘层，覆盖于所述有源层；
栅极，设于所述栅绝缘层背离所述衬底的一侧；
层间介质层，覆盖于所述栅极和所述栅绝缘层；
第一源漏层，设于所述层间介质层背离所述衬底的一侧，且包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端连接；
所述驱动层还包括：
第一绝缘层，覆盖所述第一源漏层；
第二源漏层，形成于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，且与所述第二晶体管的漏极连接；
所述第一遮光层与所述第二源漏层同层设置。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：
形成阵列基板，所述阵列基板包括衬底和光电感应器件，所述衬底具有指纹识别区，所述光电感应器件位于所述指纹识别区内；
在所述光电感应器件背离所述衬底的一侧形成与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板；
在所述彩膜基板背离所述阵列基板的一侧形成背光模组，所述背光模组具有背光源，所述背光源发出的光线能穿过所述指纹识别区。
在本公开的一种示例性实施例中，所述形成阵列基板包括：
在所述衬底靠近所述彩膜基板的一侧形成驱动层，所述驱动层包括感应电路，所述感应电路至少部分位于所述指纹识别区内，所述光电感应器件形成于所述驱动层背离所述衬底的一侧，并与所述驱动层连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：
在所述光电感应器件背离所述衬底的一侧形成像素电极；
所述驱动层还包括像素电路，所述像素电路与所述像素电极连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述像素电路和所述感应电路均包括多个呈阵列分布的晶体管，所述像素电路的晶体管为第一晶体管，所述感应电路的晶体管为第二晶体管；
所述制造方法还包括：
在所述驱动层背离所述衬底的一侧形成第一遮光层，所述第一遮光层包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第一遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第二遮光单元，所述第一遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板。
本公开的显示装置、显示面板及其制造方法，背光源发出的光线可穿过彩膜基板进入阵列基板的指纹识别区，再经由手指反射后进入光电感应器件内，进而实现指纹识别。在此过程中，可通过彩膜基板对进入阵列基板中的光线进行滤光，且由于指纹识别区和光电感应器件均位于彩膜基板背离背光模组的一侧，穿过指纹识别区且经由指纹反射后的光线可直接反射至光电感应器件内，无需再穿过彩膜基板，可减小光电感应器件与手指之间的距离，减少光损失，进而使得光电感应器件接收到的信号量增加，从而提高指纹检测精度。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开第一种实施方式中显示面板的示意图。
图2为本公开第二种实施方式中显示面板的示意图。
图3为本公开第一种实施方式中阵列基板的示意图。
图4为本公开第二种实施方式中阵列基板的示意图。
图5为本公开实施方式中缓冲层的示意图。
图6为本公开实施方式中晶体管的示意图。
图7为本公开实施方式中有源层的示意图。
图8为本公开实施方式中栅绝缘层及栅极的示意图。
图9为本公开实施方式中层间介质层的示意图。
图10为本公开实施方式中第一遮光层的示意图。
图11为本公开实施方式中第一保护层的示意图。
图12为本公开实施方式中第一平坦层的示意图。
图13为本公开实施方式中第二保护层的示意图。
图14为本公开实施方式中第二遮光层的示意图。
图15为本公开实施方式中保护层、平坦化层及导电层的示意图。
图16为本公开实施方式中保护层的示意图。
图17为本公开实施方式中光电感应器件的示意图。
图18为本公开实施方式中平坦化层的示意图。
图19为本公开实施方式中钝化层的示意图。
图20为本公开实施方式中第二平坦层的示意图。
图21为本公开实施方式中公共电极的示意图。
图22为本公开实施方式中第三保护层的示意图。
图23为本公开实施方式中触控层的示意图。
图24为本公开一种实施方式中显示面板的制造方法的流程图。
图25为本公开另一种实施方式中显示面板的制造方法的流程图。
图中：100、阵列基板；200、彩膜基板；300、背光模组；400、液晶层；1、衬底；12、手指；13、缓冲层；2、光电感应器件；21、第一电极层；22、光电功能层；221、P型层；222、I型层；223、N型层；23、第二电极层；24、绝缘材料；3、驱动层；31、有源层；32、栅绝缘层；33、栅极；34、层间介质层；35、第一源漏层；36、第一绝缘层；361、第一保护层；362、第一平坦层；363、第二保护层；37、第二源漏层；4、像素电极；5、第一遮光层；51、第一遮光单元；52、第二遮光单元；6、第二遮光层；61、第三遮光单元；62、第四遮光单元；7、保护层；8、平坦化层；81、钝化层；91、第一导电体；92、第二导电体；93、第二平坦层；94、第三保护层；101、触控层；102、公共电极；110、第一无机阻挡层；120、平坦层；130、第二无机阻挡层；140、导电涂层；141、第一导电涂层；142、第二导电涂层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开实施方式提供了一种显示面板，该显示面板可以是液晶显示面板，如图1-图2所示，该显示面板可以包括阵列基板100、彩膜基板200以及背光模组300，其中：
阵列基板100可包括衬底1和光电感应器件2，衬底1可具有指纹识别区，光电感应器件2可位于指纹识别区内；
彩膜基板200与阵列基板100可对盒设置；
背光模组300可位于彩膜基板200背离阵列基板100的一侧，且可具有背光源，背光源发出的光线能穿过指纹识别区。
本公开的显示面板，背光源发出的光线可穿过彩膜基板200进入阵列基板100的指纹识别区，再经由手指12反射后进入光电感应器件2内，进而实现指纹识别。在此过程中，可通过彩膜基板200对进入阵列基板100中的光线进行滤光，且由于指纹识别区和光电感应器件2均位于彩膜基板200背离背光模组300的一侧，穿过指纹识别区且经由指纹反射后的光线可直接反射至光电感应器件2内，无需再穿过彩膜基板200，可减小光电感应器件2与手指12之间的距离，减少光损失，进而使得光电感应器件2接收到的信号量增加，从而提高指纹检测精度。
下面对本公开实施方式显示面板的各部分进行详细说明：
在本公开的一实施方式中，阵列基板100可包括衬底1和光电感应器件2，其中：
如图1和图2所示，衬底1可为平板结构，并可具有指纹识别区，指纹识别区可以是衬底1中特定的区域，也可以铺满整个衬底1的表面，在此不做特殊限定。衬底1可以是柔性衬底1，也可以是硬质衬底1，在此不做特殊限定。
光电感应器件2可设于衬底1一侧，并可位于指纹识别区内。经指纹反射后的光线可进入光电感应器件2内，光电感应器件2可根据指纹的嵴和峪反射的光线的强弱所形成的不同电压值来判断指纹的嵴和峪的位置，在此过程中，指纹的嵴反射的光线较强、形成的电压较大，指纹的峪反射的光线较弱、形成的电压较小，基于此，通过检测光电感应器件2内的电压的大小即可探测到嵴和峪的位置，从而形成相应的指纹图像数据。举例而言，光电感应器件2可为光电二极管。
光电感应器件2可以有多个，多个光电感应器件2可同层设置，且可均位于指纹识别区内，不同的光电感应器件2可独立工作，互不干扰。光线可反射至不同的光电感应器件2内，进而可通过不同的光电感应器件2收集的电压形成指纹图像数据。
举例而言，光电感应器件2可包括叠层设置的第一电极层21、光电功能层22及第二电极层23，其中：
第一电极层21可设于衬底1一侧，其可为透明电极，并可作为光电感应器件2的阳极层，阳极层的材料可为透明导电材料，举例而言，其可为ITO或AZO，在一实施方式中，阳极层的材料可为AZO，采用AZO代替传统的ITO，以防止后续工艺中释放的氢等离子体对传统ITO薄膜进行还原，从而对阳极层的结构造成破坏，可提高产品良率。
光电功能层22可设于第一电极层21背离衬底1的一侧，可作为光探测器，光电功能层22可为单层膜层，也可为多层膜层，在此不做特殊限定；以多层膜层为例，其可包括P型层221、I型层222和N型层223，P型层221可覆盖于第一电极层21的表面，I型层222可覆盖于P型层221的表面，N型层223可覆盖于I型层222的表面。
第二电极层23可设于光电功能层22背离衬底1的一侧，其可为金属底电极，并可作为光电感应器件2的阴极层，可向第一电极层21和第二电极层23施加电压，从而进行光电转化。
需要说明的是，多个光电感应器件2同层设置可以包括：各光电感应器件2的第一电极层21均同层设置，各光电感应器件2的光电功能层22均同层设置，各光电感应器件2的第二电极层23也均同层设置。
可采用真空蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或物理气相沉积等方式在衬底1的一侧形成光电感应器件2的透明顶极层，随后可在透明顶电极的表面依次沉积P型层221、I型层222、N型层223的薄膜以及金属底电极薄膜，采用光刻工艺蚀刻金属底电极的薄膜以形成第二电极层23，并以第二电极层23作为掩膜层采用光刻工艺对P型层221、I型层222、N型层223的薄膜进行蚀刻以形成光电感应器件2。
如图3及图4所示，阵列基板100还可包括像素电极4，像素电极4可位于光电感应器件2背离衬底1的一侧，可通过像素电极4控制像素的显示情况进而形成图像。像素电极4可以有多个，多个像素电极4可与各像素单元一一对应设置，从而一一对应的控制各像素单元发光，进而显示图像。
阵列基板100还可包括驱动层3，在本公开的第一种实施方式中，如图3所示，驱动层3可设于衬底1与光电感应器件2之间，并可与光电感应器件2电连接；在本公开的第二种实施方式中，如图4所示，驱动层3可设于光电感应器件2背离衬底1的一侧，并可与光电感应器件2电连接，可用于驱动光电感应器件2进行光电转化。
在一实施方式中，如图5所示，阵列基板100还可包括缓冲层13，可采用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积等工艺在衬底1的一侧形成缓冲层13，可通过缓冲层13阻挡衬底1中的杂质扩散至驱动层3中，保护驱动层3的稳定性。举例而言，驱动层3可形成于缓冲层13背离衬底1的表面。与此同时，驱动层3还可与像素电极4相连接，可用于控制像素电极4通电或断电。
驱动层3可以包括感应电路和像素电路，其中，感应电路可至少部分位于指纹识别区内，并可与光电感应器件2电连接。像素电路可位于指纹识别区内，并可与像素电路电连接，像素电路也可位于指纹识别区以外，在此不对像素电路的具体位置做特殊限定。像素电路和感应电路均可包括多个呈阵列分布的晶体管，其中，感应电路的晶体管可为第一晶体管，像素电路的晶体管可为第二晶体管，各第一晶体管可与各光电感应器件2一一对应连接，以便通过各第一晶体管一一对应的控制各光电感应器件2，以使各光电感应器件2独立工作；各第二晶体管可与各像素电极4一一对应连接，以便通过各第二晶体管一一对应的控制各像素电极4，以使各像素电极4独立的控制各像素单元发光，进而显示图像。
如图6所示，晶体管可包括有源层31、栅绝缘层32、栅极33、层间介质层34和第一源漏层35，如图7-图9所示，可对有源区进行多次掺杂以形成有源层31，有源层31可位于衬底1靠近光电感应器件2的一侧；栅绝缘层32覆盖于有源层31；栅极33设于栅绝缘层32背离衬底1的一侧；层间介质层34覆盖于栅极33和栅绝缘层32，可对栅绝缘层32和层间绝缘层进行开孔以形成连接漏极的过孔；第一源漏层35形成于层间介质层34背离衬底1的一侧，且包括源极和漏极，源极和漏极通过贯穿层间介质层34和栅绝缘层32的过孔连接于有源层31的两端。
此外，如图10所示，驱动层3还可包括覆盖第一源漏层35的第一绝缘层36以及形成于第一绝缘层36背离衬底1的一侧的第二源漏37，其中，第一绝缘层36可包括第一保护层361、第一平坦层362和第二保护层363，如图11-13所示，第一保护层361可覆盖于第一源漏层35背离衬底1的表面，可用于阻挡后续工艺中产生的氢等离子体向各晶体管扩散；第一平坦层362可覆盖于第一保护层361的表面，可对第一平坦层362及第一保护层361进行开孔以形成连接第一源漏层35的过孔；第二保护层363可位于第一平坦层362背离衬底1的表面，以便进一步阻挡后续工艺中产生的氢等离子体向各晶体管扩散而对各晶体管造成损伤，以保证各晶体管的稳定性。第二源漏37可形成于第二保护层363背离衬底1的一侧，并可通过贯穿第二保护层363、第一平坦层362以及第一保护层361的过孔与晶体管的漏极连接。
在本公开的第一种实施方式中，第二源漏37可包括间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层可与第一晶体管的漏极连接，以便将第一晶体管电学引出；第二导电层可与第二晶体管的漏极连接，以便将第二晶体管电学引出。
在本公开的第二种实施方式中，第二源漏37可只包括第二导电层，第二导电层可与第二晶体管的漏极连接，以便将第二晶体管电学引出。
在本公开的一实施方式中，如图10所示，阵列基板100还包括第一遮光层5，第一遮光层5可位于驱动层3背离衬底1的一侧，例如，其可位于第一绝缘层36背离衬底1的一侧，并可与第二源漏37同层设置，在一实施方式中，第一遮光层5可为第二源漏37的延伸结构，为了工艺方便，其可与第二源漏37通过同一制造工艺制造而成。第一遮光层5可由遮光材料构成，举例而言，其材料可为遮光金属。
第一遮光层5可包括多个呈阵列分布的第一遮光单元51和多个呈阵列分布的第二遮光单元52。各第一遮光单元51可与各第一晶体管一一对应设置，且各第一遮光单元51和与之对应的第一晶体管在衬底1上的正投影可至少部分重合，以便遮挡由手指12反射过来的光线，避免由手指12反射过来的光线照射至第一晶体管上，进而影响第一晶体管的稳定性；各第二遮光单元52可与各第二晶体管一一对应设置，且各第二遮光单元52和与之对应的第二晶体管在衬底1上的正投影可至少部分重合，以便遮挡由手指12反射过来的光线，避免由手指12反射过来的光线照射至第二晶体管上，进而影响第二晶体管的稳定性。
阵列基板100还可包括第二遮光层6，第二遮光层6可位于驱动层3与衬底1之间，如图1-图13所示，第二遮光层6可位于衬底1靠近驱动层3的一侧，缓冲层13可位于第二遮光层6背离衬底1的一侧，可通过第二遮光层6阻挡外界环境光与经由手指12反射回的背光入射到晶体管的有源层31，进一步保护晶体管的稳定性。
在一实施方式中，可采用真空蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或物理气相沉积等方式在衬底1靠近驱动层3的一侧形成第二遮光层6，举例而言，可采用光刻工艺形成第二遮光层6，如图14所示，可在衬底1靠近驱动层3的一侧沉积遮光膜层，在遮光膜层背离衬底1的一侧形成光刻胶，采用掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，以形成显影区，显影区的图案可与第二遮光层6所需的图案相同，其尺寸可与第二遮光层6所需图案的尺寸相等，可在显影区对遮光膜层进行非等向蚀刻，以形成第二遮光层6，最后可剥离第二遮光层6表面剩余的光刻胶，以将光刻形成的第二遮光层6暴露出来。
在本公开的第一种实施方式中，第二遮光层6可包括多个呈阵列分布的第三遮光单元61和多个呈阵列分布的第四遮光单元62。各第三遮光单元61可与第一晶体管一一对应设置，且各第三遮光单元61和与之对应的第一晶体管在衬底1上的正投影可至少部分重合，以便遮挡外界环境光与经由手指12反射回的背光入射到第一晶体管的有源层31，进而影响第一晶体管的稳定性；各第四遮光单元62可与各第二晶体管一一对应设置，且各第四遮光单元62和与之对应的第二晶体管在衬底1上的正投影可至少部分重合，以便遮挡外界环境光与经由手指12反射回的背光入射到第二晶体管的有源层31，进而影响第二晶体管的稳定性。
在本公开的第二种实施方式中，第二遮光层6可只包括多个呈阵列分布的第四遮光单元62，各第四遮光单元62可与第二晶体管一一对应设置，且各第四遮光单元62和与之对应的第二晶体管在衬底1上的正投影可至少部分重合，以便遮挡外界环境光与经由手指12反射回的背光入射到第二晶体管的有源层31，保证第二晶体管的稳定性；各光电感应器件2可与各第一晶体管正对设置，从而阻挡外界环境光与经由手指12反射回的背光入射到第一晶体管的有源层31，保证第一晶体管的稳定性。
在本公开的第一种实施方式中，如图15所示，阵列基板100还可包括保护层7、平坦化层8及导电层，其中：
如图16所示，保护层7可覆盖于第二源漏37和第一遮光层5的表面，以防止后续工艺对第二源漏37及第一遮光层5的性能产生影响。如图17-18所示，光电感应器件2可形成于保护层7的上表面，其阳极层可通过贯穿保护层7的过孔与第二源漏37连接。在形成光电感应器件2后，可在光电感应器件2的表面及保护层7的表面随型沉积一层绝缘材料24，以将光电感应器件2与其他膜层隔绝，避免信号干扰。
如图18所示，平坦化层8可覆盖保护层7及光电感应器件2，例如，其可覆盖于绝缘材料24背离衬底1的一侧，以消除光电感应器件2的器件断差。可对平坦化层8进行开孔操作，以形成与绝缘材料24接触的多个通孔；如图19所示，还可在平坦化层8背离衬底1的一侧形成钝化层81，以保护平坦化层8，避免其表面损伤，在形成钝化层81后，还可对通孔的底部进行进一步蚀刻，以使各通孔分别与第二源漏层37及光电感应器件2连通。
导电层可形成于平坦化层8背离保护层7的一侧，例如，其可形成于钝化层81背离衬底1的一侧。导电层可包括第一导电体91和第二导电体92，第一导电体91可通过贯穿钝化层81、平坦化层8及绝缘材料24的通孔与光电感应器件2的阴极层连接，以便将光电感应器件2电学引出；第二导电体92可通过贯穿钝化层81、平坦化层8、绝缘材料24及保护层7的通孔与第二源漏37的第二导电层连接，以便将第二晶体管电学引出。
如图20-图22所示，可在导电层及钝化层81的表面形成第二平坦层93，可在第二平坦层93背离衬底1的一侧形成公共电极102，公共电极102可由透明导电材料构成，可在公共电极102上进行开孔操作，以便预留出将像素电极4与第二导电体92连通的过孔。随后，可形成覆盖公共电极102的第三保护层94，还可在第三保护层94背离衬底1的一侧形成像素电极4，像素电极4可与导电层连通。
在本公开的第二种实施方式中，阵列基板100还可包括第一无机阻挡层110，可采用化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积等工艺在衬底1的表面形成第一无机阻挡层110，光电感应器件2可形成于第一无机阻挡层110背离衬底1的一侧，可通过第一无机阻挡层100阻挡衬底1中的杂质扩散至光电感应器件2中，保护光电感应器件2的稳定性，同时，可增加光电感应器件2的透明电极及光电功能层22与衬底1之间的粘附性。
光电感应器件2的第一电极层21可与第一遮光层5同层设置，可通过喷涂或旋涂等方式形成覆盖第一遮光层5和光电感应器件2的平坦化材料，待平坦化材料热固化后可作为平坦层120，以消除光电感应器件2的器件断差，确保后续驱动层3制备过程中的稳定性。为了保证透光性，该平坦层120可为透明材料。
本公开的阵列基板100还可包括形成于平坦层120背离衬底1一侧的第二无机阻挡层130，缓冲层13可形成于第二无机阻挡层130背离衬底1的一侧，可通过缓冲层13和第二无机阻挡层130阻止平坦层120及以下膜层中有可移动的离子扩散到驱动层3中，保护驱动层3中各晶体管的稳定性，同时确保驱动层3制备工艺的稳定性。
本公开实施方式中的阵列基板100还可包括触控层101，如图22-图23所示，触控层101可形成于衬底1的表面，可用于触发阵列基板100内的各电路结构。触控层101可与第二遮光层6同层设置，可通过导电涂层140将触控层101电学引出，导电涂层140可包括第一导电涂层141及第二导电涂层142，其中，第一导电涂层141可通过贯穿层间介质层34、栅绝缘层32及缓冲层13的过孔与触控层101连接，第二导电涂层142可通过贯穿第二保护层363、第一平坦层362及第一保护层361的过孔与第一导电涂层141连接。在制造过程中，可通过同一构图工艺形成第一源漏层35和第一导电涂层141需要贯穿的过孔，由于第一导电涂层141需要贯穿的过孔的深度大于第一源漏层35需要贯穿的过孔的深度，在形成过孔的过程中，第一源漏层35需要贯穿的过孔可穿透有源层31。当然，也可通过控制构图工艺使第一源漏层35需要贯穿的过孔与有源层31的表面恰好接触，在此不对构图工艺做特殊限定。
需要说明的是，本公开实施方式中的所有膜层均可通过光刻工艺形成其所需图案，具体可参考第二遮光层6的形成过程，在此不对各膜层的光刻过程进行赘述。
彩膜基板200可与阵列基板100对盒设置，彩膜基板200可包括基底、形成在基底上的黑矩阵和在黑矩阵之后形成的树脂层。其中：
树脂层可包括彩色滤光层及保护层，彩色滤光层可包括多个间隔设置的彩色滤光片，多个彩色滤光片可包括R(红)、G(绿)、B(蓝)滤光片等，每个彩色滤光片对应一子像素单元；且相邻彩色滤光片之间通过黑矩阵间隔开；保护层可覆盖彩色滤光片和黑矩阵，以对彩色滤光片和黑矩阵进行保护。彩膜基板200与阵列基板100件可设有液晶层400，可用于对进入阵列基板100和液晶层400的光线进行过滤。
背光模组300可位于彩膜基板200背离阵列基板100的一侧，可用于向阵列基板100提供光源，以便进行显示及指纹识别，背光模组300可具有背光源，其内部还可设有导光板，背光源发出的光线可经由导光板后均匀出射，且其出射的光线能穿过指纹识别区且经由指纹反射后的光线可直接反射至光电感应器件2内，无需再穿过彩膜基板200，可减小光电感应器件2与手指12之间的距离，减少光损失，进而使得光电感应器件2接收到的信号量增加，从而提高指纹检测精度。
本公开实施方式提供一种显示面板的制造方法，如图24所示，本公开实施方式的制造方法可包括步骤S110-步骤S130，其中：
步骤S110，提供阵列基板，所述阵列基板具有指纹识别区，且所述阵列基板包括衬底和位于所述指纹识别区内的光电感应器件；
步骤S120，在所述光电感应器件背离所述衬底的一侧形成与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板；
步骤S130，在所述彩膜基板背离所述阵列基板的一侧形成背光模组，所述背光模组具有背光源，所述背光源发出的光线能穿过所述指纹识别区。
在本公开的一些实施方式中，步骤S110包括：在所述衬底靠近所述彩膜基板的一侧形成驱动层，所述驱动层包括感应电路，所述感应电路至少部分位于所述指纹识别区内，所述光电感应器件形成于所述驱动层背离所述衬底的一侧，并与所述驱动层连接。
在本公开的一些实施方式中，如图25所示，本公开的制造方法还可包括：
步骤S140，在所述光电感应器件背离所述衬底的一侧形成像素电极；所述驱动层还包括像素电路，所述像素电路与所述像素电极连接。
在本公开的一些实施方式中，像素电路和感应电路均包括多个呈阵列分布的晶体管，像素电路的晶体管为第一晶体管，感应电路的晶体管为第二晶体管。本公开的制造方法还可包括：
步骤S150，在所述驱动层背离所述衬底的一侧形成第一遮光层，所述第一遮光层包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第一遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第二遮光单元，所述第一遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
本公开实施方式的制造方法中的阵列基板100、彩膜基板200、背光模组300以及显示面板的其他相关结构的具体结构和有益效果已在上文显示面板的实施方式中进行了说明，在此不再赘述。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置可包括上述任意实施方式的显示面板，其结构和有益效果可参考上述显示面板的实施方式，在此不再详述。本公开实施方式的显示装置可以是手机、平板电脑、电视等用于显示图像的装置，在此不再列举。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括衬底和光电感应器件，所述衬底具有指纹识别区，所述光电感应器件位于所述指纹识别区内；
彩膜基板，与所述阵列基板对盒设置；
背光模组，位于所述彩膜基板背离所述阵列基板的一侧，且具有背光源，所述背光源发出的光线能穿过所述指纹识别区。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
驱动层，设于所述衬底与所述光电感应器件之间，且包括感应电路，所述感应电路至少部分位于所述指纹识别区内，且与所述光电感应器件连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
像素电极，位于所述光电感应器件背离所述衬底的一侧；
所述驱动层还包括像素电路，所述像素电路与所述像素电极连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述感应电路和所述像素电路均包括多个呈阵列分布的晶体管，所述感应电路的晶体管为第一晶体管，所述像素电路的晶体管为第二晶体管；
所述阵列基板还包括：
第一遮光层，位于所述驱动层背离所述衬底的一侧，且包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第一遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第二遮光单元，所述第一遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第二遮光层，位于所述驱动层与所述衬底之间，且包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第三遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第四遮光单元，所述第三遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第四遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述晶体管包括：
有源层，设于所述衬底靠近所述第一遮光层的一侧；
栅绝缘层，覆盖于所述有源层；
栅极，设于所述栅绝缘层背离所述衬底的一侧；
层间介质层，覆盖于所述栅极和所述栅绝缘层；
第一源漏层，设于所述层间介质层背离所述衬底的一侧，且包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端连接；
所述驱动层还包括：
第一绝缘层，覆盖所述第一源漏层；
第二源漏层，形成于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，且包括间隔设置第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第一晶体管的漏极连接，所述第二导电层与所述第二晶体管的漏极连接；
所述第一遮光层与所述第二源漏层同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
保护层，覆盖于所述第二源漏层和所述第一遮光层的表面，所述光电感应器件形成于所述保护层的上表面，且通过贯穿所述保护层的过孔与所述第二源漏层连接；
平坦化层，覆盖所述保护层及所述光电感应器件；
导电层，形成于所述平坦化层背离所述保护层的一侧，且包括第一导电体和第二导电体，所述第一导电体与所述光电感应器件连接，所述第二导电体与所述第二导电层连接。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
驱动层，设于所述光电感应器件背离所述衬底的一侧，且包括感应电路，所述感应电路至少部分位于所述指纹识别区内，且与所述光电感应器件连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
像素电极，位于所述驱动层背离所述衬底的一侧；
所述驱动层还包括像素电路，所述像素电路与所述像素电极连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述感应电路和所述像素电路均包括多个呈阵列分布的晶体管，所述感应电路的晶体管为第一晶体管，所述像素电路的晶体管为第二晶体管；
所述阵列基板还包括：
第一遮光层，位于所述驱动层背离所述衬底的一侧，且包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第一遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第二遮光单元，所述第一遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述晶体管包括：
有源层，设于所述衬底靠近所述第一遮光层的一侧；
栅绝缘层，覆盖于所述有源层；
栅极，设于所述栅绝缘层背离所述衬底的一侧；
层间介质层，覆盖于所述栅极和所述栅绝缘层；
第一源漏层，设于所述层间介质层背离所述衬底的一侧，且包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两端连接；
所述驱动层还包括：
第一绝缘层，覆盖所述第一源漏层；
第二源漏层，形成于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，且与所述第二晶体管的漏极连接；
所述第一遮光层与所述第二源漏层同层设置。
12.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
形成阵列基板，所述阵列基板包括衬底和光电感应器件，所述衬底具有指纹识别区，所述光电感应器件位于所述指纹识别区内；
在所述光电感应器件背离所述衬底的一侧形成与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板；
在所述彩膜基板背离所述阵列基板的一侧形成背光模组，所述背光模组具有背光源，所述背光源发出的光线能穿过所述指纹识别区。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述形成阵列基板包括：
在所述衬底靠近所述彩膜基板的一侧形成驱动层，所述驱动层包括感应电路，所述感应电路至少部分位于所述指纹识别区内，所述光电感应器件形成于所述驱动层背离所述衬底的一侧，并与所述驱动层连接。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述光电感应器件背离所述衬底的一侧形成像素电极；
所述驱动层还包括像素电路，所述像素电路与所述像素电极连接。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述像素电路和所述感应电路均包括多个呈阵列分布的晶体管，所述像素电路的晶体管为第一晶体管，所述感应电路的晶体管为第二晶体管；
所述制造方法还包括：
在所述驱动层背离所述衬底的一侧形成第一遮光层，所述第一遮光层包括与各所述第一晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第一遮光单元以及与各所述第二晶体管一一对应的多个呈阵列分布的第二遮光单元，所述第一遮光单元和与之对应的第一晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合，所述第二遮光单元和与之对应的第二晶体管在所述衬底上的正投影至少部分重合。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的显示面板。
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