CN112616321B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112616321B CN112616321B CN201980001286.6A CN201980001286A CN112616321B CN 112616321 B CN112616321 B CN 112616321B CN 201980001286 A CN201980001286 A CN 201980001286A CN 112616321 B CN112616321 B CN 112616321B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- layer
- sub
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 303
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 54
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 24
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 238
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示基板及其制作方法、显示装置,显示基板包括:衬底、设置于衬底上的多个发光器件、设置于多个发光器件的远离衬底的出光侧的封装层以及设置于封装层的远离衬底的表面上的至少一个光敏传感器,至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器配置为采集光信号以进行纹路识别。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前,指纹识别技术包括电容式指纹识别、超声波式指纹识别和光学式指纹识别,其中,光学式指纹识别作为主流的屏下指纹识别技术,具有较为广泛的应用。
发明内容
一方面,提供一种显示基板。所述显示基板,包括:衬底、设置于所述衬底上的多个发光器件、设置于所述多个发光器件的远离所述衬底的出光侧的封装层、以及设置于所述封装层的远离所述衬底的表面上的至少一个光敏传感器。所述至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器配置为采集光信号以进行纹路识别。
在一些实施例中,所述显示基板,还包括:设置于所述封装层的远离所述衬底的一侧的至少一个触控结构。所述至少一个触控结构中的任一触控结构在所述衬底上的正投影与所述每个光敏传感器在所述衬底上的正投影不重叠。
在一些实施例中,所述光敏传感器包括:沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的控制极、第一绝缘层和光敏半导体层;以及,与所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极。
在一些实施例中,在所述显示基板包括至少一个触控结构的情况下,所述至少一个触控结构中的每个触控结构包括绝缘设置的第三电极和第四电极,所述第三电极包括:与所述第四电极同层设置的两个第三子电极、以及与所述两个第三子电极分别电连接的桥接子电极,所述桥接子电极与所述第四电极异层绝缘设置。所述光敏传感器中的第一电极和第二电极分别与所述桥接子电极同层绝缘设置。
在一些实施例中,在所述显示基板包括至少一个触控结构的情况下,所述至少一个触控结构中的每个触控结构包括绝缘设置的第三电极和第四电极。所述第三电极包括:与所述第四电极同层设置的两个第三子电极、以及与所述两个第三子电极分别电连接的桥接子电极,所述桥接子电极与所述第四电极异层绝缘设置。所述光敏传感器中的控制极与所述桥接子电极同层绝缘设置,所述光敏传感器中的第一电极和第二电极分别与所述第四电极同层绝缘设置。
在一些实施例中,至少一个所述光敏传感器中的所述第一电极与一条扫描信号线电连接。至少一个所述光敏传感器中的所述第二电极与一条公共电极线电连接。
在一些实施例中,所述显示基板,还包括:设置于所述至少一个光敏传感器的远离所述衬底的一侧的至少一个遮光部。所述每个光敏传感器在所述衬底上的正投影与所述至少一个遮光部中的任一遮光部在所述衬底上的正投影不重叠或部分重叠。
在一些实施例中,在所述光敏传感器包括光敏半导体层的情况下,每个所述光敏传感器中的光敏半导体层在所述衬底上的正投影位于所述至少一个遮光部中的任一遮光部在所述衬底上的正投影的范围外。
在一些实施例中,所述显示基板,还包括:设置于所述至少一个光敏传感器的远离所述衬底的一侧的多个彩色滤光部。所述多个发光器件中的每个发光器件在所述衬底上的正投影位于所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影范围内。所述至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器在所述衬底上的正投影位于所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影范围内,或与所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影部分重叠。
在一些实施例中,在所述显示基板还包括多个遮光部,所述多个遮光部呈阵列状设置。沿行方向或列方向的每相邻的两个遮光部之间设置有一个彩色滤光部,且所述每相邻的两个遮光部之间的区域在所述衬底上的正投影位于所述彩色滤光部在所述衬底上的正投影的范围内。
在一些实施例中,所述显示基板,还包括:设置于所述多个彩色滤光部与所述至少一个光敏传感器之间的第一平坦层。在所述显示基板还包括至少一个触控结构的情况下,所述至少一个触控结构位于所述第一平坦层的靠近所述至少一个光敏传感器的一侧。
在一些实施例中,在所述显示基板还包括至少一个遮光部的情况下,所述至少一个遮光部位于所述第一平坦层的靠近所述多个彩色滤光部的一侧。
在一些实施例中,所述显示基板,还包括:设置于所述多个彩色滤光部的远离所述衬底的一侧的第二平坦层。在所述显示基板还包括至少一个遮光部的情况下,所述至少一个遮光部位于所述第二平坦层的靠近所述多个彩色滤光部的一侧。
另一方面,提供一种显示基板的制作方法。所述显示基板的制作方法包括:提供一衬底;在所述衬底上制作多个发光器件;在所述多个发光器件的远离所述衬底的一侧形成封装层;在所述封装层的远离所述衬底的表面上制作至少一个光敏传感器,所述至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器配置为采集光信号以进行纹路识别。
在一些实施例中,所述的显示基板的制作方法,还包括:在所述封装层的远离所述衬底的一侧制作至少一个触控结构。所述至少一个触控结构中的任一触控结构在所述衬底上的正投影与所述每个光敏传感器在所述衬底上的正投影不重叠。
在一些实施例中,所述在所述封装层的远离所述衬底的表面上制作至少一个光敏传感器,包括:在所述封装层的远离所述衬底的表面上形成第一导电层,将所述第一导电层图案化,制备至少一个控制极。在所述至少一个控制极的远离所述封装层的表面上形成第一绝缘层。在所述第一绝缘层的远离所述至少一个控制极的表面上,形成与所述至少一个控制极一一对应的至少一个光敏半导体层。在所述至少一个光敏半导体层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二导电层,将所述第二导电层图案化,制备与所述至少一个光敏半导体层中每个光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极。
在一些实施例中,每个所述光敏传感器包括:沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的控制极、第一绝缘层和光敏半导体层;以及,与所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极。
所述显示基板还包括至少一个触控结构,所述至少一个触控结构中的每个触控结构包括:绝缘设置的第三电极和第四电极。所述第三电极包括:与所述第四电极同层设置的两个第三子电极、以及与所述两个第三子电极分别电连接的桥接子电极,所述桥接子电极与所述第四电极异层绝缘设置。
在所述封装层的远离所述衬底的一侧制作所述至少一个触控结构,还包括:
在所述封装层的远离所述衬底的一侧形成第一导电层,将所述第一导电层图案化,制备至少一个所述控制极和至少一个所述桥接子电极。在至少一个所述光敏半导体层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二导电层,将所述第二导电层图案化,制备与每个所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极、与每个所述桥接子电极电连接的两个第三子电极、以及与每个所述桥接子电极对应的第四电极。
在一些实施例中,每个所述光敏传感器包括:沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的控制极、第一绝缘层和光敏半导体层;以及,与所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极。
所述显示基板还包括至少一个触控结构,所述至少一个触控结构中的每个触控结构包括:绝缘设置的第三电极和第四电极。所述第三电极包括:与所述第四电极同层设置的两个第三子电极、以及与所述两个第三子电极分别电连接的桥接子电极,所述桥接子电极与所述第四电极异层绝缘设置。
在所述封装层的远离所述衬底的一侧制作所述至少一个触控结构,还包括:在至少一个所述光敏半导体层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二导电层,将所述第二导电层图案化,制备至少一个所述桥接子电极、以及与每个所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极。在至少一个所述桥接子电极的远离所述第一绝缘层的一侧形成第三导电层,将所述第三导电层图案化,制备与每个所述桥接子电极电连接的两个第三子电极、以及与每个所述桥接子电极对应的第四电极。
在一些实施例中,所述在所述至少一个光敏半导体层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二导电层,将所述第二导电层图案化,还包括:制备至少一条扫描信号线,所述至少一条扫描信号线中的每条扫描信号线与至少一个所述第一电极电连接。以及,制备至少一条公共电极线,所述至少一条公共电极线中的每条公共电极线与至少一个所述第二电极电连接。
在一些实施例中,所述显示基板的制作方法,还包括:在所述至少一个光敏传感器的远离所述衬底的一侧制作至少一个遮光部。所述每个光敏传感器在所述衬底上的正投影与所述至少一个遮光部中的任一遮光部在所述衬底上的正投影不重叠或部分重叠。
在一些实施例中,所述显示基板的制作方法,还包括:在所述至少一个光敏传感器的远离所述衬底的一侧制作多个彩色滤光部。所述多个发光器件中的每个发光器件在所述衬底上的正投影位于所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影范围内。所述至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器在所述衬底上的正投影位于所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影范围内,或与所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影部分重叠。
又一方面,提供一种显示装置。所述显示装置包括如上一些实施例所述的显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开一些实施例中的技术方案,下面将对一些实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的局部剖视示意图;
图2为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的俯视示意图;
图3为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的局部俯视示意图;
图4为根据本公开一些实施例中的另一种显示基板的局部剖视示意图
图5为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的局部剖视示意图;
图6为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的局部剖视示意图;
图7为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的局部剖视示意图;
图8为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的制作方法的流程示意图;
图9为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的制作方法的部分步骤的示意图;
图10为根据本公开一些实施例中的另一种显示基板的制作方法中的部分步骤的示意图;
图11为根据本公开一些实施例中的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
下面将结合本公开一些实施例中的附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开中的一些实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
随着人们对手机等电子产品的高屏占比的追求,屏下指纹识别技术应运而生。屏下指纹识别技术在其应用中具有美观、便捷、解锁迅速、符合用户习惯等优点。目前,光学式指纹识别为主流的屏下指纹识别技术。该光学式指纹识别的实现通常需要超薄的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示面板给予支持。
本公开一些实施例提供一种显示基板。请参阅图1,所述显示基板包括衬底10、设置于衬底10上的多个发光器件2、设置于多个发光器件2的远离衬底10的出光侧的封装层11以及设置于封装层11的远离衬底10的表面上的至少一个光敏传感器3。所述至少一个光敏传感器3中的每个光敏传感器3配置为采集光信号以进行纹路识别。
请参阅图2,显示基板具有显示区AA以及位于显示区的周边的非显示区BB。显示基板包括呈阵列状设置于其显示区内AA的多个子像素1,其中,每个子像素1内对应设有一个发光器件2。图1仅示意出本公开一些实施例中的显示基板的一个子像素1的局部剖视图,并未对显示区的所有子像素1的分布及结构进行示意。
上述衬底10作为显示基板的衬底基板,该衬底10是未在其上制作任何电子器件或电路结构的空白基板,或者是在其表面上根据实际需求制作有电子器件或电路结构等的阵列基板。
在一些示例中,衬底10包括:基底101、像素电路层和钝化层102;其中,像素电路层和钝化层102沿远离基底101的方向依次层叠设置于基底101上。钝化层102的材料为能够通过曝光或显影工艺进行图形化处理的材料。例如,钝化层102的材料为光刻胶或者与光刻胶性能类似的树脂材料。
所述像素电路层包括多个像素驱动电路。所述多个像素驱动电路与多个子像素1一一对应,且每个像素驱动电路与对应子像素1内的发光器件2电连接。每个像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管100。每个发光器件2与对应像素驱动电路中的一个薄膜晶体管100电连接。
当然,每一像素驱动电路并不仅限于包括至少一个薄膜晶体管100,例如每一像素驱动电路还包括至少一个存储电容等。本公开一些实施例对各像素驱动电路的结构不作限定,以其能够具备驱动对应发光器件2发光的功能为限。
此处,薄膜晶体管100采用顶栅结构或底栅结构,均可。本公开一些实施例对此不作限定,每一薄膜晶体管100的结构类型根据实际需求选择设置即可。图1中以薄膜晶体管100采用顶栅结构为例进行示意。
示例的,如图1所示,每一薄膜晶体管100包括:有源层1001、栅绝缘层1002、栅极1003、层间绝缘层1004、源极1005和漏极1006;其中,有源层1001、栅绝缘层1002、栅极1003和层间绝缘层1004依次层叠设置于基底101上;源极1005和漏极1006同层设置,且源极1005和漏极1006分别与有源层1001电连接。
在一些示例中,显示基板还包括设置于钝化层102的远离基底101的一侧的像素界定层103,该像素界定层103上设有配置为界定多个子像素1的多个开口,其中,一个开口内对应设有一个所述发光器件2。
上述各发光器件2的出射光在用于显示之外,还能够用于纹路识别。此处,纹路识别包括指纹识别。本公开一些实施例以各发光器件2的出射光用于指纹识别为例进行示意,各发光器件2的出射光经由手指反射其至对应区域内的至少一个光敏传感器3,从而完成光敏传感器3对指纹识别光信号(手指指纹对发光器件2的出射光的反射光)的采集。
示例的,在进行指纹识别光信号采集的过程中,位于指纹识别区域内的至少一个发光器件2的出射光照射至手指上。手指指纹中谷的部分直接接触上述显示基板的显示面,可以将上述发光器件2的出射光反射至对应区域内的光敏传感器3中。而手指指纹中脊的部分与上述显示基板的显示面之间存在空气,使得发光器件2的出射光在照射至手指后很难经由指纹中脊的部分反射至对应区域内的光敏传感器3中。这样,光敏传感器3便可以根据手指指纹对发光器件2的出射光的反射情况,有效采集指纹识别光信号。
在一些实施例中,每个发光器件2为OLED。每个发光器件2包括相对设置的阳极21和阴极23,以及填充在阳极21和阴极23之间的有机发光层22。有机发光层22为单层结构或多层结构。示例的,有机材发光层22包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。本公开一些实施例对发光器件2的结构不作限定,以发光器件2具备发光的功能为限。
示例的,各发光器件2采用顶发射型的OLED。各OLED的阴极23透光,其材料选自氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导电材料中的至少一种。各OLED的阳极21不透光,其材料为金属材料。例如,该阳极21的材料选自银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)或铬(Cr)中的至少一种。此处,阳极21采用具有较高反射率的金属材料,能够提高对应发光器件2的出光率。
此外,各发光器件2的阳极21之间相互绝缘,每个发光器件2的阳极21穿过设置在像素界定层103和钝化层102上的对应过孔与对应薄膜晶体管100中的源极1005电连接。
在一些实施例中,一个子像素1内对应设有多个光敏传感器3;或者,一个子像素1内对应设有一个光敏传感器3;或者,多个子像素1共同对应于一个光敏传感器3。本公开一些实施例对光敏传感器3的结构、数量以及其与子像素1的对应关系不作限定,以光敏传感器3能够实现对指纹识别光信号的采集为限。为示意清楚,本公开一些实施例以一个子像素1内对应设有一个光敏传感器3为例进行说明。
请参阅图1,本公开一些实施例将光敏传感器3设置于封装层11的远离衬底10的表面上,也即各发光器件2的出光侧,这样可以避免各发光器件2中的不透光的电极(例如阳极21)对相应的光敏传感器3待采集的指纹识别光信号进行遮挡,从而确保各光敏传感器3能够有效的采集指纹识别光信号。此外,本公开一些实施例中的光敏传感器3设置于显示基板的封装层11的表面上,还有利于实现显示基板的超薄化。
在一些实施例中,光敏传感器3包括:沿远离衬底10的方向依次层叠设置的控制极31、第一绝缘层32和光敏半导体层33;以及,与光敏半导体层33电连接的第一电极34和第二电极35。
需要说明的是,光敏传感器3的控制极31通常采用可导电的金属材料制作形成,使得该控制极31具备遮光功能。由此,在一些示例中,光敏半导体层33在衬底10上的正投影位于控制极31在衬底10上的正投影的范围内,能够有效防止光线从控制极31一侧入射至光敏半导体层33中。
此处,光敏传感器3为光敏晶体管。其控制极31为栅极,第一绝缘层32为栅绝缘层。其第一电极34为源极,第二电极35为漏极;或,其第一电极34为漏极,第二电极35为源极。
光敏晶体管在非工作状态下的电阻较大,开态电流较低。光敏晶体管在接收到指纹识别光信号时产生光生载流子,使得其开态电流大幅提升。这样该光敏晶体管可以在其栅极的控制下将所述指纹识别光信号转换为指纹识别电信号,并以电流的方式输出。
基于此,请参阅图3,在显示基板中,至少一个光敏传感器3的第一电极34与一条扫描信号线S1电连接,至少一个光敏传感器3的第二电极35与一条公共电极线S2电连接。
示例的,显示基板包括呈阵列状设置于其显示区内的多个子像素1,其中,每个子像素1内对应设有一个光敏传感器3。至少一行的第一电极34与一条扫描信号线S1电连接,至少一列的第二电极35与一条公共电极线S2电连接;或,至少一列的第一电极34与一条扫描信号线S1电连接,至少一行的第二电极35与一条公共电极线S2电连接。如此,能够简化显示基板的布线结构。
此处,各扫描信号线S1、各公共电极线S2、各第一电极34以及各第二电极35同层设置,也即采用相同材料在一次构图工艺中制作成型,有利于简化显示基板的制作工艺。所述构图工艺包括光刻工艺,或包括光刻工艺以及刻蚀步骤在内的工艺。所述光刻工艺是指包括成膜(例如化学气相淀积成膜,Chemical Vapor Deposition,简称CVD)、曝光、显影等工艺过程且利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。
此外,各公共电极线配置为提供公共电压信号,也即一稳定的电压信号,各公共电极线之间分别电连接或为一体结构。各扫描信号线与位于显示基板的非显示区BB的控制集成电路(Inter Integrated Circuit,简称控制IC)电连接。各光敏晶体管通过与其对应连接的扫描信号线,能够将其转换的指纹识别电信号分别传输至控制IC,以便控制IC根据上述指纹识别电信号进行指纹识别。
在一些实施例中,请参阅图4,显示基板还包括至少一个遮光部41,至少一个遮光部41中的各个遮光部41设置于至少一个光敏传感器3的远离衬底10的一侧。遮光部41采用透光率小于或等于10%的遮光材料制作形成,例如采用黑色树脂材料制作形成。示例的,遮光部41为黑矩阵。
上述至少一个遮光部41在显示基板中的设置位置,一般根据实际需求选择设置。示例的,每个像素驱动电路中的各薄膜晶体管100在衬底10上的正投影位于同一子像素1对应的遮光部41在衬底10上的正投影范围内。这样能够确保各遮光部41对相应的像素驱动电路中的各薄膜晶体管100进行遮光,从而避免光照对各薄膜晶体管100的导电性能产生不良影响,例如因光照造成薄膜晶体管100的阈值电压漂移,从而导致薄膜晶体管100的导电性能下降。
请继续参阅图4,在一些示例中,每个光敏传感器3在衬底10上的正投影与至少一个遮光部41中的任一遮光部41在衬底10上的正投影不重叠。在另一些示例中,每个光敏传感器3在衬底10上的正投影与至少一个遮光部41中的一个遮光部41在衬底10上的正投影部分重叠。这样能够避免遮光部41对光敏传感器3待采集的指纹识别光信号进行遮挡,从而确保光敏传感器3能够有效采集指纹识别光信号。
需要说明的是,光敏半导体层33为光敏传感器3进行指纹采集的有效组成部分。基于此,每个光敏传感器3中的光敏半导体层33在衬底10上的正投影位于至少一个遮光部41中的任一遮光部41在衬底10上的正投影的范围外。也即每个光敏传感器3的光敏半导体层33不被任一遮光部41遮挡,这样能够确保各光敏传感器3充分的采集指纹识别光信号。
在一些实施例中,请参阅图4,显示基板还包括多个彩色滤光部42。多个彩色滤光部42中的每个彩色滤光部42设置于至少一个光敏传感器3的远离衬底10的一侧。
此处,所述多个彩色滤光部42采用不同颜色的滤光材料制作形成。在显示基板采用RGB色彩显示模式的情况下,所述多个彩色滤光部42包括红色滤光部、绿色滤光部以及蓝色滤光部。每个彩色滤光部42通常位于对应子像素1的开口区,也即每一子像素内的发光器件2在衬底10上的正投影位于对应的彩色滤光部42在衬底10上的正投影范围内,该发光器件2的出射光能够穿过对应的彩色滤光部42,以实现显示基板的彩色显示。
请继续参阅图4,至少一个光敏传感器3中的每个光敏传感器3在衬底10上的正投影位于多个彩色滤光部42中的一个彩色滤光部42在衬底10上的正投影范围内,或与多个彩色滤光部42中的一个彩色滤光部42在衬底10上的正投影部分重叠。这样能够确保指纹识别光信号在穿过彩色滤光部42之后被对应的光敏传感器3有效采集。
此外,在显示基板中,将彩色滤光部42设置在显示基板的封装层11上(ColorFilter on Encapsulation,简称COE)还可以有效减薄显示基板的厚度,从而提高显示基板的弯折性能,有利于实现显示基板的超薄化。
在一些示例中,遮光部41为黑矩阵。请参阅图2和图4,多个遮光部41呈阵列状设置,其中,每个子像素1内未被遮光部41遮挡的区域为该子像素1的开口区。沿行方向或列方向的每相邻的两个遮光部41之间设置有一个彩色滤光部42,且每相邻的两个遮光部41之间的区域在衬底10上的正投影位于彩色滤光部42在衬底10上的正投影的范围内,即每一彩色滤光部42覆盖对应的一个子像素1的开口区。
在一些实施例中,请参阅图5,显示基板还包括:设置于封装层11的远离衬底10的一侧的至少一个触控结构5。该至少一个触控结构5中的任一触控结构5在衬底10上的正投影与每个光敏传感器3在衬底10上的正投影不重叠。这样能够避免任一触控结构5对光敏传感器3待采集的指纹识别光信号进行遮挡,从而确保光敏传感器3能够有效采集指纹识别光信号。此外,将触控结构5设置在显示基板的封装层11上(Touch on Thin FilmEncapsulation,简称TOT),还可以有效减薄显示基板的厚度,以提高显示基板的弯折性能,有利于实现显示基板的超薄化。
请继续参阅图5,所述至少一个触控结构5中的每个触控结构5在衬底10上的正投影位于至少一个遮光部41中的一个遮光部41在衬底10上的正投影范围内,且所述至少一个触控结构5位于对应的遮光部41的靠近衬底10的一侧。这样不仅能够利用遮光部41避免对应的触控结构5因反射外部光线而影响显示基板的显示效果,还可以利用遮光部41遮挡对应的触控结构5,从而避免触控结构5裸露,以提高显示基板的美观性。
本公开一些实施例对触控结构5的结构、数量以及其与子像素1的对应关系不做限定,以触控结构5能够实现触控的功能为限。为示意清楚,本公开一些实施例以一个子像素1内对应设有一个触控结构5为例进行说明。
在一些实施例中,请参阅图5,每个触控结构5包括绝缘设置的第三电极51和第四电极52,其中,第三电极51包括与第四电极52极同层设置的两个第三子电极511、以及与两个第三子电极511分别电连接的桥接子电极512,桥接子电极512与第四电极52异层绝缘设置。此处,同层设置是指采用相同材料在一次构图工艺中制作成型。异层绝缘设置是指在不同的构图工艺中制作成型,制作材料相同或不同,均可。
在一些示例中,每个触控结构5的第三电极51和第四电极52绝缘交叉。同一行的多个触控结构5的第三电极51依次电连接,并通过对应的第一信号线与控制IC电连接,该第一信号线配置为接收控制IC输出的触控驱动信号Tx。同一列的多个触控结构5的第四电极52依次电连接,并通过对应的第二信号线与控制IC电连接,该第二信号线配置为向控制IC输出触控感应信号Rx。
上述多个触控结构5中的第三电极51和第四电极52,以及多个光敏传感器3中的控制极31、第一电极34和第二电极35,均采用导电材料制作形成,例如金属材料。因此,该多个触控结构5中的部分电极和该多个光敏传感器3中的部分电极能够同层设置,也即采用相同的材料在一次构图工艺中制作成型。
在一些示例中,请参阅图6,光敏传感器3中的控制极31与触控结构5中的桥接子电极512同层设置。光敏传感器3中的控制极31通过第一绝缘层32与触控结构5中的桥接子电极512绝缘。光敏传感器3中的第一电极34和第二电极35分别与触控结构5中的第四电极52同层设置。光敏传感器3中的第一电极34和第二电极35分别通过第二绝缘层36与触控结构5中的第四电极52绝缘。这样能够减少显示基板中所需形成的电极层层数,并减少对应的构图工艺,从而能够简化显示基板的制作工艺,也有利于实现显示基板的超薄化。
在另一些示例中,请参阅图5,光敏传感器3中的第一电极34和第二电极35分别与触控结构5中的桥接子电极512同层设置。光敏传感器3中的第一电极34和第二电极35分别通过第二绝缘层36与触控结构5中的桥接子电极512绝缘。由于每个光敏传感器3的第一电极34与对应的扫描信号线电连接,其第二电极35与对应的公共电极线电连接,且各扫描信号线与各公共电极线呈网格状交叉;并且,每个触控结构5中的桥接子电极512呈岛状,因此,将光敏传感器3中的第一电极34和第二电极35分别与触控结构5中的桥接子电极512同层设置,方便于布线设计,以降低其设计难度,并简化显示基板的制作工艺。此外,如此还可以减少显示基板中所需形成的电极层层数,以利于实现显示基板的超薄化。
在一些实施例中,请参阅图5,显示基板还包括:设置于多个彩色滤光部42与至少一个光敏传感器3之间的第一平坦层12。上述至少一个触控结构5位于第一平坦层12的靠近至少一个光敏传感器3的一侧。这也就是说,各光敏传感器3和各触控结构5位于第一平坦层12的同一侧,利用该第一平坦层12能够将各光敏传感器3和各触控结构5的表面平坦化,并确保各彩色滤光部42形成在第一平坦层12的平坦表面上。如此,可以确保各发光器件2的出射光从同一平面入射至对应的彩色滤光部42中,进而确保显示基板的显示均一化。
此外,显示基板还包括至少一个遮光部41,该至少一个遮光部41位于第一平坦层12的靠近多个彩色滤光部42的一侧。这也就是说,各遮光部41和各彩色滤光部42位于第一平坦层12的同一侧。这样在遮光部41为黑色树脂制作的黑矩阵的情况下,各遮光部41和各彩色滤光部42可以采用相同的制作工艺进行制作,并在其制作过程中对各光敏传感器3和各触控结构5进行保护,以避免其制作工艺对各光敏传感器3和各触控结构5的可靠性产生不良影响。
在一些实施例中,请参阅图7,显示基板还包括:设置于多个彩色滤光部42的远离衬底10的一侧的第二平坦层13。在显示基板还包括至少一个遮光部41的情况下,至少一个遮光部41位于第二平坦层13的靠近多个彩色滤光部42的一侧。此处,利用该第二平坦层13可以确保显示基板的显示面平坦化。示例的,所述第二平坦层13采用玻璃制作形成,该第二平坦层13能够等效为显示盖板。
本公开一些实施例提供了一种显示基板的制作方法。请参阅图8,所述显示基板的制作方法包括S100~S400。
S100:提供一衬底10。
上述衬底10作为显示基板的衬底基板,该衬底10是未在其上制作任何电子器件或电路结构的空白基板,或者是在其表面上根据实际需求制作有电子器件或电路结构等的阵列基板。示例的,衬底10为包括基底101、像素电路层和钝化层102的阵列基板。
S200:在衬底10上制作多个发光器件2。
显示基板具有显示区AA以及位于显示区的周边的非显示区BB。显示基板包括呈阵列状设置于其显示区内AA的多个子像素1,其中,每个子像素1内对应设有一个发光器件2。
S300:在多个发光器件2的远离衬底10的一侧形成封装层11。
发光器件2例如为OLED。封装层11形成在各发光器件2的远离衬底10的一侧,能够利用该封装层11阻隔水氧对发光器件的侵蚀,以对各发光器件2进行保护。
S400:在封装层11的远离衬底10的表面上制作至少一个光敏传感器3,至少一个光敏传感器3中的每个光敏传感器3配置为采集光信号以进行纹路识别。
该显示基板的制作方法具有与上述显示基板具有相同的有益效果,此处不再赘述。
在一些实施例中,光敏传感器3采用光敏晶体管。S400中,在封装层11的远离衬底10的表面上制作至少一个光敏传感器3,包括S410~S440。
S410:在封装层11的远离衬底10的表面上形成第一导电层,将第一导电层图案化,制备至少一个控制极31。
此处,每个控制极31对应一个光敏传感器3。
S420:在至少一个控制极31的远离封装层11的表面上形成第一绝缘层32。
S430:在第一绝缘层32的远离至少一个控制极31的表面上,形成与至少一个控制极31一一对应的至少一个光敏半导体层33。
光敏半导体层33为对应的光敏传感器3进行指纹采集的有效组成部分。该光敏半导体层33通常采用蒸镀工艺制作形成。
S440:在至少一个光敏半导体层33的远离第一绝缘层32的一侧形成第二导电层,将第二导电层图案化,制备与至少一个光敏半导体层33中每个光敏半导体层33电连接的第一电极34和第二电极35。
上述第一导电层和第二导电层分别采用导电材料(例如金属材料)制作形成。将其图案化通常表现为利用掩膜板对其进行刻蚀,以形成所需的图形。
本公开采用光敏晶体管作为光敏传感器3,结构简单,制作方便。
在一些实施例中,上述S440中,在至少一个光敏半导体层33的远离第一绝缘层32的一侧形成第二导电层,将第二导电层图案化,还包括:制备至少一条扫描信号线S1,该至少一条扫描信号线S1中的每条扫描信号线S1与至少一个第一电极34电连接,以及制备至少一条公共电极线S2,该至少一条公共电极线S2中的每条公共电极线S2与至少一个第二电极35电连接。
各扫描信号线S1、各公共电极线S2以及对应的各光敏传感器3的第一电极34和第二电极35,均通过第二导电层的图案化形成,不仅便于简化显示基板的制作工艺,还能够简化显示基板的布线结构。
在一些实施例中,显示基板的制作方法还包括:在封装层11的远离衬底10的一侧制作至少一个触控结构5。该至少一个触控结构5中的任一触控结构5在衬底10上的正投影与每个光敏传感器3在衬底10上的正投影不重叠。
此处,触控结构5的制作在光敏传感器3制作完成之后进行,或在光敏传感器3开始制作之前进行,或与光敏传感器3同步制作,均可。本公开一些实施例对此不作限定。
示例的,每个光敏传感器3包括:沿远离衬底10的方向依次层叠设置的控制极31、第一绝缘层32和光敏半导体层33,以及与光敏半导体层33电连接的第一电极34和第二电极35。每个触控结构5包括绝缘设置的第三电极51和第四电极52,其中,第三电极51包括与第四电极52同层设置的两个第三子电极511、以及与两个第三子电极511分别电连接的桥接子电极512,桥接子电极512与第四电极52异层绝缘设置。触控结构5的制作与光敏传感器3的制作同步进行,也即二者的制作步骤部分重叠,二者存在部分电极同时制作的情况。
在一些示例中,显示基板的结构如图5所示。请参阅图9,上述在封装层11的远离衬底10的一侧制作至少一个触控结构5,还包括:S410’~S460’。
S410’:如图9中A所示,在封装层11的远离衬底10的一侧形成第一导电层,将第一导电层图案化,制备至少一个控制极31。
此处,每个控制极31对应一个光敏传感器3。
S420’:如图9中B所示,在至少一个控制极31的远离封装层11的表面上形成第一绝缘层32。
S430’:如图9中C所示,在第一绝缘层32的远离至少一个控制极31的表面上,形成与至少一个控制极31一一对应的至少一个光敏半导体层33。
S440’:如图9中D所示,在至少一个光敏半导体层33的远离第一绝缘层32的一侧形成第二导电层,将第二导电层图案化,制备至少一个桥接子电极512、以及与每个光敏半导体层33电连接的第一电极34和第二电极35。
此处,每个桥接子电极512对应一个触控结构5。
S450’:如图9中E所示,在至少一个桥接子电极512、第一电极34和第二电极35的远离封装层11的表面上形成第二绝缘层36。
S460’:如图9中F所示,在第二绝缘层36的远离至少一个桥接子电极512的表面上,形成第三导电层,将所述第三导电层图案化,制备与每个所述桥接子电极512电连接的两个第三子电极511、以及与每个所述桥接子电极512对应的第四电极52。
上述第一导电层、第二导电层以及第三导电层分别采用导电材料(例如金属材料)制作形成,将其图案化通常表现为利用掩膜板对其进行刻蚀,以形成所需的图形。
本公开一些实施例利用第二导电层同步形成光敏传感器3中的第一电极34和第二电极35、以及触控结构5中的桥接子电极512,能够简化显示基板的制作工艺,并方便于布线设计,以降低其设计难度。此外,如此还可以减少显示基板中所需形成的电极层层数,以利于实现显示基板的超薄化。
在另一些示例中,显示基板的结构如图6所示。请参阅图10,上述在封装层11的远离衬底10的一侧制作至少一个触控结构5,还包括S410”~S450”。
S410”:如图10中A’所示,在封装层11的远离衬底10的一侧形成第一导电层,将第一导电层图案化,制备至少一个控制极31和至少一个桥接子电极512。
此处,每个控制极31对应一个光敏传感器3,每个桥接子电极512对应一个触控结构5。
S420”:如图10中B’所示,在至少一个控制极31和至少一个桥接子电极512的远离封装层11的表面上形成第一绝缘层32。
S430”:如图10中C’所示,在第一绝缘层32的远离至少一个控制极31和至少一个桥接子电极512的表面上,形成与至少一个控制极31一一对应的至少一个光敏半导体层33。
S440”:如图10中D’所示,在至少一个光敏半导体层33的远离第一绝缘层32的一侧形成第二导电层,将第二导电层图案化,制备与每个光敏半导体层33电连接的第一电极34和第二电极35、与每个桥接子电极512电连接的两个第三子电极511、以及与每个桥接子电极512对应的第四电极52。
上述第一导电层和第二导电层分别采用导电材料(例如金属材料)制作形成,将其图案化通常表现为利用掩膜板对其进行刻蚀,以形成所需的图形。
S450”:如图10中E’所示,在与每个光敏半导体层33电连接的第一电极34和第二电极35的远离封装层11的表面上形成第二绝缘层36。
本公开一些实施例利用第一导电层同步形成光敏传感器3中的控制极31与触控结构5中的桥接子电极512,利用第二导电层同步形成光敏传感器3中的第一电极34和第二电极35、以及触控结构5中的第三子电极511和第四电极52,能够减少显示基板中所需形成的电极层层数,并减少对应的构图工艺,从而简化显示基板的制作工艺,也有利于实现显示基板的超薄化。
在一些实施例中,显示基板的结构如图4~图7所示。上述显示基板的制作方法,还包括:在至少一个光敏传感器3的远离衬底10的一侧制作至少一个遮光部41。其中,每个光敏传感器3在衬底10上的正投影与至少一个遮光部41中的任一遮光部41在衬底10上的正投影不重叠或部分重叠。如此,能够避免遮光部41对光敏传感器3待采集的指纹识别光信号进行遮挡,从而确保光敏传感器3能够有效采集指纹识别光信号。
此处,遮光部41与光敏传感器3之间通常设置有第一平坦层12,遮光部41形成在第一平坦层12的远离光敏传感器3的表面上。这也就是说,在制作完成光敏传感器3以及第一平坦层12后,完成各遮光部41的制作。
在一些示例中,触控结构5位于第一平坦层12的靠近光敏传感器3的一侧,也即在制作完成光敏传感器3和触控结构5之后,先制作第一平坦层12,以利用第一平坦层12将各光敏传感器3和各触控结构5的表面平坦化;然后,再完成遮光部41的制作。
在一些实施例中,显示基板的结构如图4~图7所示。显示基板的制作方法,还包括:在至少一个光敏传感器3的远离衬底10的一侧形成多个彩色滤光部42。多个发光器件2中的每个发光器件2在衬底10上的正投影位于多个彩色滤光部42中的一个彩色滤光部42在衬底10上的正投影范围内。至少一个光敏传感器3中的每个光敏传感器3在衬底10上的正投影位于多个彩色滤光部42中的一个彩色滤光部42在衬底10上的正投影范围内,或与多个彩色滤光部42中的一个彩色滤光部42在衬底10上的正投影部分重叠。如此,能够避免光敏传感器3被遮光部41遮挡,且确保指纹识别光信号在穿过彩色滤光部42之后被对应的光敏传感器3有效采集。
此处,彩色滤光部42的制作在遮光部41制作完成之后进行。在遮光部41为黑色树脂制作的黑矩阵的情况下,各遮光部41和各彩色滤光部42可以采用相同的制作工艺进行制作。由于遮光部41通常形成在第一平坦层12的远离光敏传感器3的表面上,因此,在一些实施例中,上述显示基板的制作方法,还包括:在多个彩色滤光部42与至少一个光敏传感器3之间制作第一平坦层12;也即将各彩色滤光部42形成在第一平坦层12的远离光敏传感器3的平坦表面上,可以确保各发光器件2的出射光从同一平面入射至对应的彩色滤光部42中,进而确保显示基板的显示均一化。
此外,第一平坦层12的制作在遮光部41和彩色滤光部42制作完成之前进行,这样第一平坦层12可以在各遮光部41和各彩色滤光部42的制作过程中,对各光敏传感器3和各触控结构5进行保护,以避免其制作工艺对各光敏传感器3和各触控结构5的可靠性产生不良影响。
在一些实施例中,显示基板的结构如图7所示。显示基板的制作方法,还包括:在多个彩色滤光部42的远离衬底10的一侧设置第二平坦层13。在显示基板还包括至少一个遮光部41的情况下,至少一个遮光部41位于第二平坦层13的靠近多个彩色滤光部42的一侧。
此处,第二平坦层13的制作在遮光部41和彩色滤光部42制作完成之后进行,第二平坦层13能够将遮光部41和彩色滤光部42的表面平坦化,从而确保显示基板的显示面平坦化。示例的,所述第二平坦层13采用玻璃制作形成,该第二平坦层13能够等效为显示盖板。
本公开一些实施例还提供了一种显示装置,参考图11所示,该显示装置包括上述实施例所述的显示基板。该显示装置具有与上述显示基板具有相同的有益效果,此处不再赘述。
在一些实施例中,所述显示装置包括:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、导航仪等具有显示功能的产品或部件。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (20)
1.一种显示基板,包括:
衬底;
设置于所述衬底上的多个发光器件;
设置于所述多个发光器件的远离所述衬底的出光侧的封装层;
设置于所述封装层的远离所述衬底的表面上的至少一个光敏传感器,所述至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器配置为采集光信号以进行纹路识别;
设置于所述封装层的远离所述衬底的一侧的至少一个触控结构;其中,所述至少一个触控结构中的任一触控结构在所述衬底上的正投影与所述每个光敏传感器在所述衬底上的正投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述光敏传感器包括:
沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的控制极、第一绝缘层和光敏半导体层;
以及,与所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,在所述显示基板包括至少一个触控结构的情况下,所述至少一个触控结构中的每个触控结构包括绝缘设置的第三电极和第四电极,所述第三电极包括:与所述第四电极同层设置的两个第三子电极、以及与所述两个第三子电极分别电连接的桥接子电极,所述桥接子电极与所述第四电极异层绝缘设置;
所述光敏传感器中的第一电极和第二电极分别与所述桥接子电极同层绝缘设置。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其中,在所述显示基板包括至少一个触控结构的情况下,所述至少一个触控结构中的每个触控结构包括绝缘设置的第三电极和第四电极,所述第三电极包括:与所述第四电极同层设置的两个第三子电极、以及与所述两个第三子电极分别电连接的桥接子电极,所述桥接子电极与所述第四电极异层绝缘设置;
所述光敏传感器中的控制极与所述桥接子电极同层绝缘设置,所述光敏传感器中的第一电极和第二电极分别与所述第四电极同层绝缘设置。
5.根据权利要求2所述的显示基板,其中,
至少一个所述光敏传感器中的所述第一电极与一条扫描信号线电连接;
至少一个所述光敏传感器中的所述第二电极与一条公共电极线电连接。
6.根据权利要求1~5任一项所述的显示基板,还包括:设置于所述至少一个光敏传感器的远离所述衬底的一侧的至少一个遮光部;
其中,所述每个光敏传感器在所述衬底上的正投影与所述至少一个遮光部中的任一遮光部在所述衬底上的正投影不重叠或部分重叠。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,在所述光敏传感器包括光敏半导体层的情况下,每个所述光敏传感器中的光敏半导体层在所述衬底上的正投影位于所述至少一个遮光部中的任一遮光部在所述衬底上的正投影的范围外。
8.根据权利要求6所述的显示基板,还包括:设置于所述至少一个光敏传感器的远离所述衬底的一侧的多个彩色滤光部;
其中,所述多个发光器件中的每个发光器件在所述衬底上的正投影位于所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影范围内;
所述至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器在所述衬底上的正投影位于所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影范围内,或与所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影部分重叠。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述至少一个遮光部包括多个遮光部,所述多个遮光部呈阵列状设置;
沿行方向或列方向的每相邻的两个遮光部之间设置有一个彩色滤光部,且所述每相邻的两个遮光部之间的区域在所述衬底上的正投影位于所述彩色滤光部在所述衬底上的正投影的范围内。
10.根据权利要求8所述的显示基板,还包括:设置于所述多个彩色滤光部与所述至少一个光敏传感器之间的第一平坦层;
在所述显示基板还包括至少一个触控结构的情况下,所述至少一个触控结构位于所述第一平坦层的靠近所述至少一个光敏传感器的一侧。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其中,所述至少一个遮光部位于所述第一平坦层的靠近所述多个彩色滤光部的一侧。
12.根据权利要求8所述的显示基板,还包括:设置于所述多个彩色滤光部的远离所述衬底的一侧的第二平坦层;
所述至少一个遮光部位于所述第二平坦层的靠近所述多个彩色滤光部的一侧。
13.一种显示基板的制作方法,包括:
提供一衬底;
在所述衬底上制作多个发光器件;
在所述多个发光器件的远离所述衬底的一侧形成封装层;
在所述封装层的远离所述衬底的表面上制作至少一个光敏传感器,所述至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器配置为采集光信号以进行纹路识别;
在所述封装层的远离所述衬底的一侧制作至少一个触控结构;其中,所述至少一个触控结构中的任一触控结构在所述衬底上的正投影与所述每个光敏传感器在所述衬底上的正投影不重叠。
14.根据权利要求13所述的显示基板的制作方法,其中,所述在所述封装层的远离所述衬底的表面上制作至少一个光敏传感器,包括:
在所述封装层的远离所述衬底的表面上形成第一导电层,将所述第一导电层图案化,制备至少一个控制极;
在所述至少一个控制极的远离所述封装层的表面上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层的远离所述至少一个控制极的表面上,形成与所述至少一个控制极一一对应的至少一个光敏半导体层;
在所述至少一个光敏半导体层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二导电层,将所述第二导电层图案化,制备与所述至少一个光敏半导体层中每个光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极。
15.根据权利要求14所述的显示基板的制作方法,其中,
每个所述光敏传感器包括:沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的控制极、第一绝缘层和光敏半导体层;以及,与所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极;
所述显示基板还包括至少一个触控结构,所述至少一个触控结构中的每个触控结构包括:绝缘设置的第三电极和第四电极;其中,所述第三电极包括:与所述第四电极同层设置的两个第三子电极、以及与所述两个第三子电极分别电连接的桥接子电极,所述桥接子电极与所述第四电极异层绝缘设置;
在所述封装层的远离所述衬底的一侧制作所述至少一个触控结构,还包括:
在所述封装层的远离所述衬底的一侧形成第一导电层,将所述第一导电层图案化,制备至少一个所述控制极和至少一个所述桥接子电极;在至少一个所述光敏半导体层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二导电层,将所述第二导电层图案化,制备与每个所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极、与每个所述桥接子电极电连接的两个第三子电极、以及与每个所述桥接子电极对应的第四电极。
16.根据权利要求14所述的显示基板的制作方法,其中,
每个所述光敏传感器包括:沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的控制极、第一绝缘层和光敏半导体层;以及,与所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极;
所述显示基板还包括至少一个触控结构,所述至少一个触控结构中的每个触控结构包括:绝缘设置的第三电极和第四电极;其中,所述第三电极包括:与所述第四电极同层设置的两个第三子电极、以及与所述两个第三子电极分别电连接的桥接子电极,所述桥接子电极与所述第四电极异层绝缘设置;
在所述封装层的远离所述衬底的一侧制作所述至少一个触控结构,还包括:在至少一个所述光敏半导体层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二导电层,将所述第二导电层图案化,制备至少一个所述桥接子电极、以及与每个所述光敏半导体层电连接的第一电极和第二电极;在至少一个所述桥接子电极的远离所述第一绝缘层的一侧形成第三导电层,将所述第三导电层图案化,制备与每个所述桥接子电极电连接的两个第三子电极、以及与每个所述桥接子电极对应的第四电极。
17.根据权利要求14所述的显示基板的制作方法,其中,所述在所述至少一个光敏半导体层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二导电层,将所述第二导电层图案化,还包括:
制备至少一条扫描信号线,所述至少一条扫描信号线中的每条扫描信号线与至少一个所述第一电极电连接;
以及,制备至少一条公共电极线,所述至少一条公共电极线中的每条公共电极线与至少一个所述第二电极电连接。
18.根据权利要求13~17任一项所述的显示基板的制作方法,还包括:在所述至少一个光敏传感器的远离所述衬底的一侧制作至少一个遮光部;
其中,所述每个光敏传感器在所述衬底上的正投影与所述至少一个遮光部中的任一遮光部在所述衬底上的正投影不重叠或部分重叠。
19.根据权利要求18所述的显示基板的制作方法,还包括:在所述至少一个光敏传感器的远离所述衬底的一侧制作多个彩色滤光部;
其中,所述多个发光器件中的每个发光器件在所述衬底上的正投影位于所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影范围内;
所述至少一个光敏传感器中的每个光敏传感器在所述衬底上的正投影位于所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影范围内,或与所述多个彩色滤光部中的一个彩色滤光部在所述衬底上的正投影部分重叠。
20.一种显示装置,包括如权利要求1~12任一所述的显示基板。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2019/099522 WO2021022495A1 (zh) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112616321A CN112616321A (zh) | 2021-04-06 |
CN112616321B true CN112616321B (zh) | 2024-03-05 |
Family
ID=74503268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980001286.6A Active CN112616321B (zh) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11581374B2 (zh) |
CN (1) | CN112616321B (zh) |
WO (1) | WO2021022495A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110286796B (zh) * | 2019-06-27 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子基板及其制作方法、显示面板 |
US11581374B2 (en) * | 2019-08-06 | 2023-02-14 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Display substrate and method of manufacturing the same, display device |
CN111312072B (zh) * | 2020-02-10 | 2022-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示屏、显示屏的制作方法及电子装置 |
KR20230123062A (ko) * | 2022-02-14 | 2023-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107480639A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-12-15 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板和显示装置 |
CN107632738A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 |
WO2019041991A1 (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 感测基板及感测板、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6747290B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information device |
US8736587B2 (en) * | 2008-07-10 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102280449B1 (ko) * | 2015-01-19 | 2021-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 박막트랜지스터의 제조방법 |
KR20160106848A (ko) * | 2015-03-02 | 2016-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN106056099A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种指纹识别显示面板及显示装置 |
CN106157891B (zh) | 2016-08-15 | 2018-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种纹路识别显示装置 |
KR102636734B1 (ko) * | 2016-09-07 | 2024-02-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
JP2018045034A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10541280B1 (en) * | 2016-09-16 | 2020-01-21 | Apple Inc. | OLED based touch sensing and user identification |
CN107133613B (zh) * | 2017-06-06 | 2020-06-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
KR102452606B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2022-10-07 | 삼성전자주식회사 | 모아레 시인 방지용 패턴 구조체 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
KR102480091B1 (ko) * | 2018-01-30 | 2022-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN108596015B (zh) * | 2018-01-31 | 2022-02-15 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示组件及其制备方法、显示装置 |
KR102576093B1 (ko) * | 2018-02-14 | 2023-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 생체 정보 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US20190294851A1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-09-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display panel for providing sensing light to optical fingerprint sensor and fingerprint sensing system including thereof |
KR102536116B1 (ko) * | 2018-04-12 | 2023-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
FR3082025B1 (fr) * | 2018-06-04 | 2021-07-16 | Isorg | Dispositif combinant capteur d'images et un écran d'affichage organiques aptes a la détection d'empreintes digitales |
KR102537758B1 (ko) * | 2018-06-27 | 2023-05-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광학식 이미지 센서 내장형 표시장치 |
KR102512330B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2023-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200075208A (ko) * | 2018-12-17 | 2020-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US20200219455A1 (en) * | 2019-01-03 | 2020-07-09 | Innolux Corporation | Display device |
US11342392B2 (en) * | 2019-03-18 | 2022-05-24 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
WO2020215275A1 (zh) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN110286796B (zh) * | 2019-06-27 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子基板及其制作方法、显示面板 |
US11581374B2 (en) * | 2019-08-06 | 2023-02-14 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Display substrate and method of manufacturing the same, display device |
-
2019
- 2019-08-06 US US16/768,647 patent/US11581374B2/en active Active
- 2019-08-06 CN CN201980001286.6A patent/CN112616321B/zh active Active
- 2019-08-06 WO PCT/CN2019/099522 patent/WO2021022495A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107480639A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-12-15 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板和显示装置 |
WO2019041991A1 (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 感测基板及感测板、显示面板和显示装置 |
CN107632738A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11581374B2 (en) | 2023-02-14 |
US20220005891A1 (en) | 2022-01-06 |
WO2021022495A1 (zh) | 2021-02-11 |
CN112616321A (zh) | 2021-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111599846B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN112616321B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN113113454B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US11700759B2 (en) | Display device | |
CN108596096B (zh) | 指纹识别装置、显示面板及其制作方法、显示装置 | |
US11662635B2 (en) | Display device, display panel and method for manufacturing same | |
US20210211564A1 (en) | Display panel, driving method and manufacturing method thereof, and display apparatus | |
CN112201683B (zh) | 显示面板以及显示装置 | |
EP4050658B1 (en) | Display substrate, preparation method therefor, and display device | |
US12004385B2 (en) | Display substrate, display panel and display device | |
CN113327941A (zh) | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 | |
CN113050836B (zh) | 触控面板和电子装置 | |
CN117062489B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN113471384A (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN113571667B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN112420618B (zh) | 显示面板及显示面板的制备方法 | |
CN215642744U (zh) | 纹路识别模组及显示装置 | |
CN117460352A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN115942834A (zh) | 一种电致发光二极管显示基板、显示装置和制作方法 | |
CN114300513A (zh) | 一种oled显示面板和oled显示装置 | |
CN114899336A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN115605832A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示触控装置 | |
CN117608425A (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
CN117998900A (zh) | 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |