CN117460352A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示装置；该显示面板包括衬底基板、第一半导体层、绝缘隔离层、感光层、第二半导体层及发光层，第一半导体层包括对应非发光区的第一电极，第一电极包括导体化的第一半导体材料，绝缘隔离层包括设置在非发光区且对应第一电极设置的第一开口，第一开口暴露部分第一电极，第一半导体层包括对应第一开口的第二电极，第二电极包括导体化的第二半导体材料，感光部设置在第一电极和第二电极之间且与二者连接；本申请通过在制备发光区的膜层时，利用导体化的第一半导体材料和第二半导体材料分别构成非发光区中感光器件的第一电极和第二电极，减少了显示面板的光罩次数，简化了显示面板的工艺。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

随着显示面板的发展，屏内集成技术成为显示面板的重要发展方向之一。例如，屏内环境光技术、光学指纹技术、温度传感器等，将光、热等信号转换成能被读取的电信号，以获取对应的光信号或热信号。

在现有集成光控传感器的AMOLED显示面板中，AMOLED显示面板的工艺比较复杂，且再将成像光路和光学传感器集成在显示屏内时，制程工艺的复杂度进一步加深，降低了产品的良率。

发明内容

本申请提供一种显示面板及显示装置，以解决现有AMOLED显示面板的制程工艺复杂的技术问题。

为解决上述方案，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种显示面板，其包括发光区和设置在所述发光区之间的非发光区，所述显示面板还包括：

衬底基板；

第一半导体层，设置在所述衬底基板的一侧，所述第一半导体层包括：对应所述发光区设置的第一有源部和对应所述非发光区的第一电极，所述第一有源部包括第一半导体材料，所述第一电极包括导体化的所述第一半导体材料；

绝缘隔离层，设置在所述第一半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述绝缘隔离层包括：设置在所述非发光区且对应所述第一电极设置的第一开口，所述第一开口暴露所述第一电极远离所述衬底基板的一侧表面；

感光层，设置在所述绝缘隔离层远离所述衬底基板的一侧，所述感光层包括对应所述第一开口设置的感光部；

第二半导体层，设置在所述绝缘隔离层和所述感光层远离所述衬底基板的一侧，所述第二半导体层包括：对应所述发光区设置的第二有源部和对应所述第一开口设置的第二电极，所述第二有源部包括第二半导体材料，所述第二电极包括导体化的所述第二半导体材料，所述感光部设置在所述第一电极和所述第二电极之间；

发光层，设置在所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述发光层包括：对应所述发光区设置的发光单元。

在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括设于所述非发光区内的感光驱动晶体管；

其中，所述第一半导体层还包括所述感光驱动晶体管的驱动有源部，所述驱动有源部包括驱动沟道和设置于所述驱动沟道两侧的源极连接部和漏极连接部，所述漏极连接部与所述感光驱动晶体管的漏极电连接，至少部分所述源极连接部复用为所述第一电极；或者，所述源极连接部与所述感光驱动晶体管的源极电连接，至少部分所述漏极连接部复用为所述第一电极。

在本申请的显示面板中，所述第二电极为由透明材料构成的透明电极。

在本申请的显示面板中，所述感光部搭接在所述第一开口的侧壁上，以及所述感光部与所述第一开口内的所述第一电极连接；

其中，所述第一开口的侧壁与所述衬底基板的锐角夹角范围为30°至80°。

在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述第二半导体层上的像素定义层，所述像素定义层上开设有与所述感光部对应的第二开口；

其中，所述第二开口内填充有绝缘材料，所述第二开口内的绝缘材料在所述感光层上的正投影位于所述感光部内。

在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述像素定义层上的彩膜层，所述彩膜层的黑色矩阵层上开设有与所述第二开口对应的第三开口；

其中，所述第三开口的外接圆直径小于所述第二开口的外接圆直径。

在本申请的显示面板中，所述第三开口的外接圆直径为2微米至20微米。

在本申请的显示面板中，所述黑色矩阵层上还开设有与所述发光单元对应的多个第四开口，多个所述第四开口内填充有色阻单元；

其中，所述第四开口的外接圆直径大于所述第三开口的外接圆直径。

在本申请的显示面板中，所述第三开口内填充有所述色阻单元，所述第三开口内的所述色阻单元为蓝色色阻或绿色色阻。

在本申请的显示面板中，所述发光区内设有第一子像素，所述第一子像素包括第一像素驱动部；其中，所述第一像素驱动部包括：

所述第一有源部，包括第一沟道和设置于所述第一沟道两侧的第一导体部；

所述第二有源部，包括第二沟道和设置于所述第二沟道两侧的第二导体部，所述第一有源部和所述第二有源部非重叠设置；

其中，所述第一有源部和所述第一电极设置于同一绝缘膜层的表面，所述第二有源部和至少部分所述第二电极设置于同一绝缘膜层的表面。

在本申请的显示面板中，所述非发光区内还设有位于所述驱动有源部和所述衬底基板之间的第一遮光部，所述感光部和所述驱动沟道在所述第一遮光部上的正投影位于所述第一遮光部内。

在本申请的显示面板中，所述第一子像素还包括设置于所述衬底基板和所述第一有源部之间的第二遮光部，所述第一有源部在所述第二遮光部上的正投影位于所述第二遮光部内；

其中，所述第一遮光部和所述第二遮光部设置于同一绝缘膜层的表面，所述第一遮光部和所述第二遮光部间隔设置。

在本申请的显示面板中，所述第二有源部在所述第二遮光部上的正投影位于所述第二遮光部内；或者，

所述第二有源部在所述第一遮光部上的正投影位于所述第一遮光部内。

在本申请的显示面板中，所述第一沟道的长度大于所述驱动沟道的长度。

在本申请的显示面板中，所述第一电极的材料包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的一种，所述第二电极的材料包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的另一种。

本申请还提出了一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板。

有益效果：发光区本申请通过在制备发光区的膜层时，利用导体化的第一半导体材料和第二半导体材料分别构成非发光区中感光器件的第一电极和第二电极，减少了显示面板的光罩次数，简化了显示面板的工艺。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请显示面板的第一种结构图；

图2为本申请显示面板中部分膜层的放大图；

图3为本申请显示面板的第二种结构图；

图4为本申请显示面板中子像素内的子像素驱动电路结构图；

图5为本申请显示面板的制作方法步骤图；

图6a至6e为本申请阵列衬底基板的制作方法的工艺图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1至图4，本申请提供一种显示面板100，显示面板100可以包括发光区201和设置在发光区201之间的非发光区301。

在本实施例中，显示面板100包括衬底基板10和设置于衬底基板10上的阵列层20，阵列层20可以包括设于发光区201的像素驱动部200和设置于非发光区301的感光器件300。

在本实施例中，显示面板100可以包括衬底基板10、设置在衬底基板10一侧的第一半导体层230、设置在第一半导体层230远离衬底基板10一侧的绝缘隔离层、设置在绝缘隔离层远离衬底基板10一侧的感光层、设置在绝缘隔离层和感光层远离衬底基板10一侧的第二半导体层260、设置在第二半导体层260远离衬底基板10一侧的发光层。

在本实施例中，第一半导体层230包括对应发光区201设置的第一有源部232和对应非发光区301的第一电极231d，第一有源部232包括第一半导体材料，第一电极231d包括导体化的第一半导体材料；绝缘隔离层包括设置在非发光区301且对应第一电极设置的第一开口330，第一开口330暴露第一电极231d远离衬底基板10的一侧表面；感光层包括对应第一开口330设置的感光部320；第二半导体层260包括对应发光区201设置的第二有源部262和对应第一开口330设置的第二电极261a，第二有源部262包括第二半导体材料，第二电极261a包括导体化的第二半导体材料，感光部320设置在第一电极231d和第二电极261a之间，第一电极231d、感光部320和第二电极261a构成感光器件；发光层340包括对应发光区201设置的发光单元。

在本实施例中，第一电极231d可以和发光区201中的第一有源部232在同一道光罩工艺中形成，第二电极261a可以和发光区201中的第二有源部262在同一道光罩工艺中形成；本申请通过在制备发光区201的膜层时，利用导体化的第一半导体材料和第二半导体材料分别构成非发光区301中感光器件的第一电极231d和第二电极261a，减少了显示面板100的光罩次数，简化了显示面板100的工艺。

需要说明的是，第二电极261a可以为由透明材料构成的透明电极。

需要说明的是，第一电极231d的材料和第二电极261a的材料可以相同或不同；例如，第一电极231d的材料包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的一种，第二电极261a的材料包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的另一种；或者，第一电极231d和第二电极261a的材料均可以包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的一种。

需要说明的是，显示面板100可以包括多个不同发光颜色的子像素，多个子像素的排列方式本申请不作限制，三个不同颜色第一子像素200a、第二子像素200b及第三子像素200c可以构成一个像素驱动部200，一个像素驱动部200可以与至少一个感光器件300对应，多个感光器件300可以以点状在显示面板100上呈阵列分布，下面实施例中以一个像素驱动部200和一个感光器件300构成的结构对本申请的基数方案进行说明。

需要说明的是，在图1和图3的结构中，为了简化附图的结构，本申请的第二子像素200b和第三子像素200c中的有源部的结构以低温多晶硅进行简要示意，第一子像素200a中有源部的结构以低温多晶硅和金属氧化物的组合结构进行示意。而在实际的产品中，第二子像素200b和第三子像素200c中有源部的结构可以和第一子像素200a中有源部的结构相同。

需要说明的是，第一子像素200a、第二子像素200b及第三子像素200c的子像素驱动电路可以为7T1C、7T2C或8T2C等结构，例如图4示出了一个子像素电路的8T2C的等效电路结构图，

请参阅图4，子像素电路20可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第二初始化晶体管T7、第三初始化晶体管T8。

请参阅图4，开关晶体管T2与驱动晶体管T1连接于第一节点A，补偿晶体管T3与第一扫描信号线Nscan1连接，补偿晶体管T3、驱动晶体管T1与发光器件LED连接于第二节点B，第一初始化晶体管T4与第二扫描信号线Nscan2连接，第一初始化晶体管T4、驱动晶体管T1与补偿晶体管T3连接于第三节点Q，第一初始化晶体管T4与第一初始化信号线Vi1连接。

请参阅图4，开关晶体管T2的栅极与第三扫描信号线Pscan1连接，开关晶体管T2的第一电极231d与数据信号线Data连接；第二初始化晶体管T7的第一电极231d与第二初始化信号线Vi2连接，第二初始化晶体管T7的第二电极261a与发光器件LED连接于第四节点C，第二初始化晶体管T7的栅极与第四扫描信号线Pscan2连接；第一发光控制晶体管T5，通过第一节点A与驱动晶体管T1相连，第一发光控制晶体管T5与发光控制信号线EM连接；第二发光控制晶体管T6通过第二节点B与驱动晶体管T1相连；第三初始化晶体管T8，与阳极复位线Vi3连接；发光器件LED连接恒压低电平线VSS。

请参阅图4，子像素电路20还包括存储电容Cst和升压电容Cboost，存储电容Cst一端与恒压高电平线VDD连接，存储电容Cst另一端与第三节点Q连接；升压电容Cboost的一端与开关晶体管T2的栅极连接，升压电容Cboost的另一端与第三节点Q连接。

请参阅图4，本申请通过发光控制信号线EM对第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6进行控制，通过第一扫描信号线Nscan1对补偿晶体管T3进行控制，通过第二扫描信号线Nscan2对第一初始化晶体管T4进行控制，通过第三扫描信号线Pscan1对开关晶体管T2进行控制，通过第四扫描信号线Pscan2对第二初始化晶体管T7和第三初始化晶体管T8进行控制，实现显示面板100的正常工作。

需要说明的是，感光器件300可以为光学指纹识别传感器，其他需要采集光学数据的传感器同样适用于本申请。

现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。

请参阅图1和图2，显示面板100可以包括衬底基板10、设置于衬底基板10上的阵列层20、设置于阵列层20上的发光器件层30、设置于发光器件层30上的封装层50、设置于封装层50上的触控层60、及设置于触控层60上的彩膜层70。

在本实施例中，当显示面板100是底发射发光显示装置或者双面发射发光显示装置时，可以使用透明衬底基板。当显示面板100是顶发射发光显示装置时，可使用半透明或不透明衬底基板以及透明衬底基板，本申请的显示面板100以顶发射显示装置为例进行说明。

在本实施例中，根据不同颜色子像素差异，可以对不同子像素的驱动电路进行不同的设置，例如子像素中薄膜晶体管的半导体层的材料可以包括IGZO(铟镓锌氧化物)、a-Si(非晶硅)或LTPS(低温多晶硅)等，本申请至少部分子像素的半导体层可以为LTPO，即将IGZO和LTPS进行结合。图1中的实施例将绿色子像素的部分薄膜晶体管的半导体层设置为IGZO和LTPS的组合结构，蓝色子像素和红色子像素得半导体层为LTPS结构，以对本申请的基数方案进行说明。

在本实施例中，衬底基板10用于支撑设置在衬底基板10上的各个膜层，衬底基板10可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。衬底基板10可以是刚性衬底或者可被弯曲、折叠、卷曲等的柔性衬底。用于柔性衬底的柔性材料的示例包括聚酰亚胺(PI)，但不限于聚酰亚胺(PI)。

在本实施例中，衬底基板10可以包括层叠设置的第一柔性基底101、第一阻挡层102、第二柔性基底103、以及第二阻挡层104，第一柔性基底101和第二柔性基底103可由相同材料如聚酰亚胺形成，第一阻挡层102和第二阻挡层104可由例如包括SiOx和SiNx中至少之一的无机材料形成。

在本实施例中，第一柔性基底101通过将聚合材料涂布在支承基底(未示出)上然后使该聚合材料固化而形成，第二柔性基底103通过涂布与第一柔性基底101的材料相同的材料并且使该材料固化而形成，并且第二柔性基底103通过与形成第一柔性基底101的方法相同的方法形成。第一柔性基底101和第二柔性基底103中的每个可形成为具有约8μm至约12μm的厚度。此外，当衬底基板10由第一柔性基底101和第二柔性基底103形成时，在第一柔性基底101的制造期间形成的小孔、裂缝等由第二柔性基底103覆盖，从而可除去上述缺陷。

请参阅图1和图2，阵列层20可以包括层叠设置的遮光层210、缓冲层221、第一半导体层230、第一栅绝缘层222、第一栅极层240、第二栅绝缘层223、第二栅极层250、第一间绝缘层224、第二半导体层260、第三栅绝缘层225、第三栅极层270、第二间绝缘层226、第一源漏极层280、第一平坦层227、第二源漏极层290、第二平坦层228。

在本实施例中，遮光层210设置于第二阻挡层104上，遮光层210用于遮挡外部光线从底部进入薄膜晶体管内，遮光层210的材料可以由黑色的遮光材料构成，例如黑色遮光金属或者黑色有机材料等。

在本实施例中，缓冲层221设置于遮光层210上，缓冲层221用于隔绝遮光层210和上层金属材料，缓冲层221的材料可包括氮元素、硅元素以及氧元素组成的化合物构成，例如单层的氧化硅膜层，或者氧化硅-氮化硅的叠层结构。

在本实施例中，第一半导体层230设置于缓冲层221上，第二半导体层260可以设置于第一间绝缘层224上，第一半导体层230和第二半导体层260的材料可以为IGZO(铟镓锌氧化物)、a-Si(非晶硅)或LTPS(低温多晶硅)，例如本申请中第一半导体层230的材料可以为LTPS，第二半导体层260的材料可以为IGZO。

在本实施例中，第一栅绝缘层222、第二栅绝缘层223、第一间绝缘层224、第三栅绝缘层225、第二间绝缘层226分别设置于对应的金属层或半导体层上，以不同层的金属层或半导体层分离设置；第一栅绝缘层222、第二栅绝缘层223、第一间绝缘层224、第三栅绝缘层225、第二间绝缘层226的材料可以为氮氧硅组合的无机物或者具有平坦性的有机材料构成。

在本实施例中，第一栅极层240、第二栅极层250及第三栅极层270分别设置于对应的绝缘层上，第一栅极层240包括位于对应子像素内的第一栅极241，用于提供将第一半导体层230打开的电压，第二栅极层250包括位于对应子像素内的第二栅极251，第一栅极241和第二栅极251可以构成存储电容，同时第二栅极层250还包括与第二半导体层260对应的第一开关栅极252，第三栅极层270包括与第二半导体层260对应的第二开关栅极271，第一开关栅极252和第二开关栅极271设置于第二半导体层260的两侧，第一开关栅极252和第二开关栅极271用于提供将第二半导体层260打开的电压；第一栅极层240、第二栅极层250及第三栅极层270的材料可以为铜、钼或者钼钛合金等。

在本实施例中，第一源漏极层280设置于第一平坦层227上，第二源漏极层290设置于第二平坦层228上，第一源漏极层280包括位于对应子像素内的源极和漏极，第二源漏极层290包括连接电极291，以将第一源漏极层280中的源极或漏极与发光器件层30中的阳极电连接；第二金属层的材料可以为铜或钼钛合金，铜或钛等。

在本实施例中，第一平坦层227和第二平坦层228整层铺设，以保证阵列层20的膜层平整性；平坦层的材料可以为氮氧硅组合的无机物或者具有平坦性的有机材料构成。

在本实施例中，请参阅图1和图2，发光器件层30还可以包括设置于第二平坦层228上的阳极层310、设置于阳极层310上的发光层340、以及设置于发光层340上的阴极层。

在本实施例中，显示面板100还包括设置于阵列层20上像素定义层40，且像素定义层40覆盖阳极层310；阳极层310包括多个阳极，像素定义层40包括与多个阳极一一对应的多个像素开口410，且每一像素开口410对应露出一阳极的上表面，发光层340可以包括与多个阳极一一对应的多个发光单元，发光单元可以设置于对应的像素开口410内，阴极层可以在像素定义层40上整层铺设，以与多个发光单元接触。

在本实施例中，封装层50可以覆盖于阴极层上，并连续地覆盖多个像素开口410以及多个发光单元上；其中，封装层50可以至少包括层叠设置于像素定义层40上的第一无机封装层50、第一有机封装层50以及第二无机封装层50。

在本实施例中，触控层60可以包括设置于封装层50上的第一触控金属层与第二触控金属层，以及设置于第一触控金属层与第二触控金属层之间、以及第一触控金属层与第二触控金属层上下的绝缘隔离层。本申请实施例提供的触控层60可为互容式或自容式，具体触控层60的类型和结构可根据实际需求进行选择。

在本实施例中，彩膜层70可以包括设置于触控层60上的黑色矩阵710和色阻层，色阻层可以包括多个不同颜色的色阻单元721，例如红色色阻单元721、绿色色阻单元721和蓝色色阻单元721，黑色矩阵710层上开设有多个与像素驱动部200对应的多个开口，多个不同颜色的色阻单元721设置于对应多个开口内。

在本实施例中，显示面板100还可以包括设于非发光区301内的感光驱动晶体管ST；感光驱动晶体管ST包括驱动有源部231，驱动有源部231包括驱动沟道231a和设置于驱动沟道231a两侧的源极连接部231b和漏极连接部231c。

在本实施例中，漏极连接部231c与感光驱动晶体管ST的驱动漏极ST2电连接，至少部分源极连接部231b复用为第一电极231d；或者，源极连接部231b与感光驱动晶体管ST的驱动源极ST1电连接，至少部分漏极连接部231c复用为第一电极231d。

例如，感光驱动晶体管ST的驱动源极ST1或驱动漏极ST2中的一者，即没有复用为第一电极231d的一者可以和第二电极261a间接电连接，即中间还可以电连接其他电子元件。

在本实施例中，感光驱动晶体管ST的驱动源极ST1和驱动漏极ST2可以由第一源漏极层280的材料在同一道光罩工艺形成。

在本申请的显示面板100中，请参阅图1和图2，像素驱动部200可以包括构成第一子像素200a的第一像素驱动部，第一子像素200a可以为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一者，本实施例以第一子像素200a为绿色子像素为例进行说明。

在本实施例中，第一像素驱动部可以包括第一有源部232和第二有源部262，第一有源部232可以包括第一沟道232a和设置于第一沟道232a两侧的第一导体部232b，第二有源部262可以包括第二沟道262a和设置于第二沟道262a两侧的第二导体部262b，第一有源部232和第二有源部262非重叠设置。

在本实施例中，驱动有源部231和第一有源部232的材料相同，驱动有源部231和第一有源部232设置于缓冲层221的表面，即驱动有源部231和第一有源部232均由第一半导体层230的材料在同一道光罩工艺中形成；第二电极261a和第二有源部262的材料相同，第二有源部262和至少部分第二电极261a设置于第一间绝缘层224的表面，即第二电极261a和第二有源部262均由第二半导体层260的材料在同一道光罩工艺中形成。

在本实施例中，驱动有源部231和第一有源部232的材料可以为低温多晶硅，第二电极261a和第二有源部262的材料可以为透明的铟镓锌氧化物。

在本实施例中，第二电极261a设置于感光部320上，而为了使第二电极261a与感光部320充分接触，第二电极261a可以将感光部320完全覆盖，以及部分第二电极261a可以与第一间绝缘层224的表面接触。

在本实施例中，第一半导体层230可以通过对沟道区两侧的有源材料进行硼离子或者磷离子重掺杂，以转换为P⁺或者N⁺的多晶硅，以使第一导体部232b和第一电极231d导体化；同时，第二半导体层260可以对需要导体化的有缘材料采用硼离子重掺杂、等离子体轰击、退火工艺等工艺，以使得第二导体部262b和第二电极261a导体化。

本申请通过在形成第一像素驱动部中的第一有源部232时，同时形成感光器件300中的第一电极231d，以及在形成第一子像素200a中的第二有源部262时，同时形成感光器件300中的第二电极261a，以利用导体化的低温多晶硅和金属氧化物构成感光器件300中的第一电极231d和第二电极261a，以阵列层20的膜层工艺中，同时形成像素驱动部200和感光器件300，减少了显示面板100的光罩次数，简化了显示面板100的工艺。

在本申请的显示面板100中，请参阅图1和图2，感光器件300还可以包括绝缘隔离层和开设在绝缘隔离层上的第一开口330，绝缘隔离层设置于驱动有源部231和第二有源部262之间，第一开口330贯穿绝缘隔离层，感光部320可以搭接在第一开口330的侧壁上，以及感光部320通过第一开口330与两个第一电极231d中的一者电连接。

在本实施例中，绝缘隔离层可以包括第一栅绝缘层222、第二栅绝缘层223、第一间绝缘层224，第一开口330可以贯穿部分第一栅绝缘层222以及全部第二栅绝缘层223和第一间绝缘层224，以暴露部分第一电极231d。

在本实施例中，感光部320的材料可以为a-Si。

在本实施例中，驱动晶体管还可以包括设置于驱动有源部231上的感光栅极242，感光栅极242和第一栅极241的材料相同，感光栅极242和第一栅极241设置于第一栅绝缘层222的表面，即感光栅极242和第一栅极241均由第一栅极层240的材料在同一道光罩工艺中形成。

在本实施例中，第一电极231d、感光部320和第二电极261a构成本申请的感光器件，即感光二极管；当入射光线照射在感光二极管上时，感光部320吸收入射光线并将其转换成光电流；其次，感光栅极242将驱动有源部231的驱动沟道231a打开，使该光电流从驱动有源部231的第一电极231d传递至驱动沟道231a的另一侧的漏极连接部，并传输至对应的读取模块读取该电信号。

在本实施例中，由于感光部320的材料为非晶硅，感光部320的厚度与感光部320所能吸收的光线总量呈正相关；即在入射光线照射至感光部320上时，感光部320的厚度越大，感光部320所能吸收的光线总量上限越高，因此在尺寸允许的情况，感光部320的厚度尽可能的增加，避免因入射光线达到感光部320的吸收上限，而导致感光二极管的测量结果存在误差；例如，本实施例中感光部320的厚度可以将第一开口330完全填充。

在本申请的显示面板100中，第一开口330的侧壁与衬底基板10的锐角夹角范围为30°至80°。当第一开口330的侧壁与衬底基板10的锐角夹角小于30°时，则在有限的尺寸面积下，第一开口330所暴露的第一电极231d的面积较小，使得感光部320和暴露的第一电极231d的接触面积较小，影响光电流的传输；当第一开口330的侧壁与衬底基板10的锐角夹角大于80°时，第一开口330的侧壁的倾角过大，在进行感光部320的膜层沉积时，可能出现膜层非连续的风险。

对于指纹识别传感器，其主要通过采集光线数据，并将采集到的光线数据转化为电信号，以及通过对该电信号进行读取，以获取用户的指纹信息。但是，感光部320所接收的光线除了来自于经用户手指反射的光线，还包括从外界入射至面内的杂散光线，因此为了保证光线数据采集的准确性，本申请还需要在感光器件300的一侧设置遮光层210。

在本申请的显示面板100中，请参阅图1和图2，遮光层210可以包括设置于驱动有源部231和衬底基板10之间的第一遮光部211，感光部320和驱动沟道231a在第一遮光部211上的正投影位于第一遮光部211内。

在本实施例中，第一遮光部211将感光部320完全覆盖，避免从衬底基板10侧进入显示面板100的内部的光线，保证了感光部320所采集的光线主要为经用户手指反射的光线，保证了光线数据采集的准确性。

在本申请的显示面板100中，请参阅图1和图2，遮光层210还包括设置于衬底基板10和第一有源部232之间的第二遮光部212，第一有源部232在第二遮光部212上的正投影位于第二遮光部212内，第二遮光部212用于遮挡第一子像素200a中的第一有源部232。

在本实施例中，由于第一有源部232的材料为低温多晶硅，当光线进入第一沟道232a中时，第一有源部232的器件效应将受到一定程度的影响，而第二遮光部212的设置，可以避免从衬底基板10入射至显示面板100内部的光线进入第一沟道232a中。

在本实施例中，第一遮光部211和第二遮光部212设置于同一绝缘膜层的表面，即第一遮光部211和第二遮光部212可以设置于第二阻挡层104的表面。同时，遮光层210还可以包括第三遮光部213和第四遮光，第一遮光部211、第二遮光部212、第三遮光部213及第四遮光部214可以间隔设置，第三遮光部213可以用于遮挡第二子像素200b中的有源部，第四遮光部214可以用于遮挡第三子像素200c中的有源部。

在本实施例中，第一遮光部211、第二遮光部212、第三遮光部213及第四遮光部214可以连续设置，第一遮光部211、第二遮光部212、第三遮光部213及第四遮光部214可以彼此连接，形成一整块遮光部，以对第一子像素200a、第二子像素200b、第三子像素200c及感光器件300中的有源部进行遮挡，以避免第一子像素200a、第二子像素200b、第三子像素200c及感光器件300中的低温多晶硅和金属氧化物受光照影响。

请参阅图1和图2，为了提高第一有源部232的器件效应，第二遮光部212可以和第一子像素200a中的源极或漏极电连接，以使第二遮光部212上形成有打开第一有源部232的电压，在第一栅极241和第二遮光部212均形成一驱动电场，增加了第一沟道232a中载流子的移动速度，提高了第一沟道232a的开启速率，进而减少了第一有源部232的响应时间。

在本实施例中，由于第二遮光部212和源极或漏极电连接，若第二遮光部212和第一遮光部211电连接，则感光器件300下方的遮光部将存在电压，影响驱动有源部231的开启，因此本申请的第二遮光部212需要与第一遮光部211、第三遮光部213及第四遮光部214分离设置。

在本申请的显示面板100中，由于第二有源部262由金属氧化物构成，且当光线进入第二沟道262a中时，第二有源部262的器件效应将受到一定程度的影响，因此本申请可以使第二有源部262在第二遮光部212上的正投影位于第二遮光部212内，例如图1和图2的结构；或者，第二有源部262在第一遮光部211上的正投影位于第一遮光部211内，例如图3的结构。图1与图2中第二遮光部212和图3中第一遮光部211的设置，可以将第二有源部262的第二沟道262a进行遮挡，可以避免从衬底基板10入射至显示面板100内部的光线进入第二沟道262a中。

在本申请的显示面板100中，请参阅图1和图2，驱动沟道231a的长度可以小于第一沟道232a的长度。由于有源部中沟道长度与有源部的响应速率呈反相关，有源部中沟道宽度与有源部的响应速率呈正相关，因此本申请为了提高感光二极管的响应速率，将感光器件300中驱动沟道231a的长度减小，使得驱动沟道231a的长度小于第一沟道232a的长度，提高了驱动沟道231a的开启速率，进而减少了驱动有源部231的响应时间。

在本实施例中，外界光线可以从显示面板100的出光侧进入显示面板100的内部，部分入射光线可以被感光器件300吸收，影响感光器件300的测量准确性。因此，本申请可以利用黑色遮光材料制备像素定义层40，即除了像素定义层40上的像素开口410外，其它位置均利用黑色遮光材料填充；但是，此种设计虽然可以避免外界的入射光线进入感光器件300，但同时也将经用户手指反射的光线遮挡，使得感光器件300无法获取有效的光线数据。

请参阅图1至图3，显示面板100还包括设置于阵列层20上的像素定义层40，像素定义层40上开设有与感光部320对应的第二开口420。第二开口420的设置可以使经用户手指反射的光线进入感光器件300，使得感光部320能接收该光线数据，获取用户的指纹的信息。

在本实施例中，第二开口420内填充有绝缘材料，第二开口420内的绝缘材料在感光部320上的正投影位于感光部320内。由于像素定义层40上形成有封装层50，因此封装层50中的有机材料和无机材料填充在第二开口420内，以将第二开口420填平；同时，为了保证感光器件300的测量准确性，本实施例使感光部320在衬底基板10的投影面积大于第二开口420在衬底基板10上的投影面积，即尽可能增加感光部320的面积，使感光部320能尽可能多的接收从第二开口420入射至感光部320的光线。

在本实施例中，与像素定义层40的结构类似，由于黑色矩阵710层上开设有多个与像素驱动部200对应的多个开口，多个不同颜色的色阻单元721设置于对应的多个开口内。因此彩膜层70的设计，虽然可以避免外界的入射光线进入感光器件300，但同时也将经用户手指反射的光线遮挡，使得感光器件300无法获取有效的光线数据。

请参阅图1至图3，彩膜层70的黑色矩阵710层上还开设有与第二开口420对应的第三开口711，第三开口711的中心点和第二开口420的中心点可以位于同一条垂直于显示面板100的直线上。第二开口420和第三开口711可以形成准直光路，经用户手指反射的光线，可以通过该准直光路进入感光器件300，使得感光部320能接收该光线数据，获取用户的指纹的信息。

在本实施例中，第三开口711的外接圆直径可以小于第二开口420的外接圆直径。第三开口711的外接圆直径的减小，可以减少外界的干扰光线进入感光器件300，而第二开口420的外接圆直径增加，可以使得通过第三开口711的入射光线尽可能多的入射至感光部320中。

在本实施例中，第三开口711的外接圆直径可以为2微米至20微米，例如第三开口711的外接圆直径可以为4微米至10微米，第二开口420的外接圆直径较第三开口711的外接圆直径更大。

在本申请的显示面板100中，请参阅图1和图3，黑色矩阵710层上还开设有与像素驱动部200对应的多个第四开口712，多个第四开口712内填充有色阻单元721，一第四开口712与一像素开口410对应；例如，本实施例中的三个第四开口712内分别填充有红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。

在本实施例中，第四开口712的外接圆直径大于第三开口711的外接圆直径。由于第四开口712内填充有色阻单元721，而第三开口711为准直光路的一个通道，若第三开口711的外接圆直径过大，则第三开口711无法与第二开口420形成准直光路。

在本申请的显示面板100中，第三开口711内填充有色阻单元721，第三开口711内的色阻单元721为蓝色色阻或绿色色阻。蓝色色阻或绿色色阻的设置主要用于过滤经用户手指反射过来的红光。

在本申请的显示面板100中，请参阅图1和图3，触控金属层可以包括由第一触控金属层与第二触控金属层构成的多个第一触控电极、多个第二触控电极以及桥接件，第一触控电极、第二触控电极以及桥接件由金属网格构成，第一触控电极通过金属网格的断口与第二触控电极绝缘设置，金属网格由多条第一导线610和多条第二导线620构成，多条第一导线610和多条第二导线620交叉形成多个与至少一子像素对应的网眼。

在本实施例中，多条第一导线610和多条第二导线620在彩膜层70上的正投影位于黑色矩阵710内。

在本实施例中，显示面板100还包括设置于彩膜层70上的盖板80层。

请参阅图5，本申请还提出了一种显示面板100的制作方法，显示面板100包括发光区201和非发光区301，显示面板100的制作方法包括：

S10，提供衬底基板10，并在衬底基板10上依次形成遮光层210、缓冲层221和第一半导体层230、第一栅绝缘层222、第一栅极层240、第二栅绝缘层223、第二栅极层250、第一间绝缘层224，第一半导体层230包括位于非发光区301内的驱动有源部231，驱动有源部231包括驱动沟道231a和设置于驱动沟道231a一侧的第一电极231d，第一电极231d的材料包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的一种；

请参阅图6a，衬底基板10可以包括层叠设置的第一柔性基底101、第一阻挡层102、第二柔性基底103、以及第二阻挡层104，第一柔性基底101和第二柔性基底103可由相同材料如聚酰亚胺形成，第一阻挡层102和第二阻挡层104可由例如包括SiOx和SiNx中至少之一的无机材料形成。

请参阅图6a，遮光层210设置于第二阻挡层104上，遮光层210包括位于非发光区301内的第一遮光部211以及位于像素驱动部200的第二遮光部212、第三遮光部213及第四遮光部214。

请参阅图6a，第一半导体层230的材料可以为LTPS，第一半导体层230可以包括位于非发光区301内的驱动有源部231和位于发光区201内的第一有源部232、第五有源部和第六有源部，第一有源部232、第五有源部和第六有源部分别与第二遮光部212、第三遮光部213及第四遮光部214对应。

在本实施例中，第一半导体层230可以利用第一栅极层240或第二栅极层250作为遮挡层，以及通过对沟道区两侧的有源材料进行硼离子或者磷离子重掺杂，以转换为P⁺或者N⁺的多晶硅，以使第一导体部232b和第一电极231d导体化。

S20，在非发光区301内形成第一开口330以及在第一开口330内形成感光部320，以使感光部320和第一电极231d连接，第一开口330贯穿部分第一栅绝缘层222和全部第二栅绝缘层223、第一间绝缘层224，以暴露部分第一电极231d；

请参阅图6b，感光部320的材料可以为a-Si，第一电极231d、感光部320和第二电极261a构成本申请的感光二极管，当入射光线照射在感光二极管上时，感光部320吸收入射光线并将其转换成光电流；其次，感光栅极242将驱动有源部231的驱动沟道231a打开，使该光电流从驱动有源部231的第一电极231d传递至驱动沟道231a的另一侧的导体部，并传输至对应的读取模块读取该电信号。

在本实施例中，第一开口330的侧壁与衬底基板10的锐角夹角范围为30°至80。

S30，在第一间绝缘层224上形成第二半导体层260，第二半导体层260包括位于非发光区301内的第二电极261a，第二电极261a和感光部320连接，第二电极261a的材料包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的另一种；

请参阅图6c，第二半导体层260可以利用后续的第三栅极作为遮挡层，对需要导体化的有缘材料采用硼离子重掺杂、等离子体轰击、退火工艺等工艺，以使得第二导体部262b和第二电极261a导体化。

S40，在第二半导体层260上依次形成第三栅绝缘层225、第三栅极层270、第二间绝缘层226；

S50，在第二间绝缘层226上依次形成第一源漏极层280、第一平坦层227、第二源漏极层290、第二平坦层228以及阳极层310；

S60，在第二平坦层228上形成像素定义层40、发光层和阴极层，像素定义层40上开设位于发光区201内的多个像素开口410和非发光区301内的多个第二开口420，发光层设置于多个像素开口410内；

请参阅图6d，本申请可以利用黑色遮光材料制备像素定义层40，即除了像素定义层40上的像素开口410外，其它位置均利用黑色遮光材料填充；同时，第二开口420的设置可以使经用户手指反射的光线进入感光器件300，使得感光部320能接收该光线数据，获取用户的指纹的信息。

在本实施例中，感光部320在衬底基板10的投影面积大于第二开口420在衬底基板10上的投影面积，即尽可能增加感光部320的面积，使感光部320能尽可能多的接收从第二开口420入射至感光部320的光线。

S70，在阴极层上形成薄膜封装层50、触控层60；

S80，在触控层60上形成包括黑色矩阵710和色阻层的彩膜层70，黑色矩阵710上形成有多个第三开口711和多个第四开口712，色阻层包括多个色阻单元721，多个色阻单元721设置于多个第三开口711和多个第四开口712内，第三开口711内的色阻单元721为蓝色色阻或绿色色阻。

请参阅图6e，第三开口711的中心点和第二开口420的中心点可以位于同一条垂直于显示面板100的直线上。第二开口420和第三开口711可以形成准直光路，经用户手指反射的光线，可以通过该准直光路进入感光器件300，使得感光部320能接收该光线数据，获取用户的指纹的信息。

在本实施例中，第三开口711的外接圆直径可以小于第二开口420的外接圆直径。第三开口711的外接圆直径的减小，可以减少外界的干扰光线进入感光器件300，而第二开口420的外接圆直径增加，可以使得通过第三开口711的入射光线尽可能多的入射至感光部320中。

在本实施例中，第三开口711的外接圆直径可以为2微米至20微米，例如第三开口711的外接圆直径可以为4微米至10微米，第二开口420的外接圆直径较第三开口711的外接圆直径更大。

在本实施例中，第三开口711内填充有色阻单元721，第三开口711内的色阻单元721为蓝色色阻或绿色色阻。蓝色色阻或绿色色阻的设置主要用于过滤经用户手指反射过来的红光。

在本实施例中，显示面板100还包括设置于彩膜层70上的盖板80层。

本申请还提出了一种显示装置，其包括终端主体和上述显示面板，终端主体和显示面板组合为一体。该终端主体可以为绑定于显示面板的电路板等器件。显示装置可以包括手机、电视机、笔记本电脑等电子设备。

发光区发光区发光区在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括发光区和设置在所述发光区之间的非发光区，所述显示面板还包括：

衬底基板；

第一半导体层，设置在所述衬底基板的一侧，所述第一半导体层包括：对应所述发光区设置的第一有源部和对应所述非发光区的第一电极，所述第一有源部包括第一半导体材料，所述第一电极包括导体化的所述第一半导体材料；

绝缘隔离层，设置在所述第一半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述绝缘隔离层包括：设置在所述非发光区且对应所述第一电极设置的第一开口，所述第一开口暴露所述第一电极远离所述衬底基板的一侧表面；

感光层，设置在所述绝缘隔离层远离所述衬底基板的一侧，所述感光层包括对应所述第一开口设置的感光部；

第二半导体层，设置在所述绝缘隔离层和所述感光层远离所述衬底基板的一侧，所述第二半导体层包括：对应所述发光区设置的第二有源部和对应所述第一开口设置的第二电极，所述第二有源部包括第二半导体材料，所述第二电极包括导体化的所述第二半导体材料，所述感光部设置在所述第一电极和所述第二电极之间；

发光层，设置在所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述发光层包括：对应所述发光区设置的发光单元。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于所述非发光区内的感光驱动晶体管；

其中，所述第一半导体层还包括所述感光驱动晶体管的驱动有源部，所述驱动有源部包括驱动沟道和设置于所述驱动沟道两侧的源极连接部和漏极连接部，所述漏极连接部与所述感光驱动晶体管的漏极电连接，至少部分所述源极连接部复用为所述第一电极；或者，所述源极连接部与所述感光驱动晶体管的源极电连接，至少部分所述漏极连接部复用为所述第一电极。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极为由透明材料构成的透明电极。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述感光部搭接在所述第一开口的侧壁上，以及所述感光部与所述第一开口内的所述第一电极连接；

其中，所述第一开口的侧壁与所述衬底基板的锐角夹角范围为30°至80°。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第二半导体层上的像素定义层，所述像素定义层上开设有与所述感光部对应的第二开口；

其中，所述第二开口内填充有绝缘材料，所述第二开口内的绝缘材料在所述感光层上的正投影位于所述感光部内。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述像素定义层上的彩膜层，所述彩膜层的黑色矩阵层上开设有与所述第二开口对应的第三开口；

其中，所述第三开口的外接圆直径小于所述第二开口的外接圆直径。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第三开口的外接圆直径为2微米至20微米。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述黑色矩阵层上还开设有与所述发光单元对应的多个第四开口，多个所述第四开口内填充有色阻单元；

其中，所述第四开口的外接圆直径大于所述第三开口的外接圆直径。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第三开口内填充有所述色阻单元，所述第三开口内的所述色阻单元为蓝色色阻或绿色色阻。

10.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光区内设有第一子像素，所述第一子像素包括第一像素驱动部；其中，所述第一像素驱动部包括：

所述第一有源部，包括第一沟道和设置于所述第一沟道两侧的第一导体部；

所述第二有源部，包括第二沟道和设置于所述第二沟道两侧的第二导体部，所述第一有源部和所述第二有源部非重叠设置；

其中，所述第一有源部和所述第一电极设置于同一绝缘膜层的表面，所述第二有源部和至少部分所述第二电极设置于同一绝缘膜层的表面。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述非发光区内还设有位于所述驱动有源部和所述衬底基板之间的第一遮光部，所述感光部和所述驱动沟道在所述第一遮光部上的正投影位于所述第一遮光部内。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素还包括设置于所述衬底基板和所述第一有源部之间的第二遮光部，所述第一有源部在所述第二遮光部上的正投影位于所述第二遮光部内；

其中，所述第一遮光部和所述第二遮光部设置于同一绝缘膜层的表面，所述第一遮光部和所述第二遮光部间隔设置。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第二有源部在所述第二遮光部上的正投影位于所述第二遮光部内；或者，

所述第二有源部在所述第一遮光部上的正投影位于所述第一遮光部内。

14.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一沟道的长度大于所述驱动沟道的长度。

15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极的材料包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的一种，所述第二电极的材料包括导体化的低温多晶硅或金属氧化物中的另一种。

16.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至15任一项所述的显示面板。