CN113629084B - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置；该显示面板包括阵列基板，该阵列基板通过设置电容，使电容与第一薄膜晶体管连接，通过电容中的感光图案感光，使得在光照变化时，电容的感光图案的电荷量变化带动第一薄膜晶体管的电流变化，而感光图案的感光特性优于薄膜晶体管的有源图案的感光特性，从而提高了第一薄膜晶体管的感光特性，提高指纹识别效果，且将第二栅极作为电容极板，降低了阵列基板的厚度。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
显示器件为了提高屏占比，会将指纹传感器设置在显示屏下。由于氧化物薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管具有更高的电子迁移率和稳定性，现有指纹传感器会采用氧化物薄膜晶体管，例如氧化铟镓锌薄膜晶体管。但氧化铟镓锌薄膜晶体管由于具有较高的带宽，导致其只对波长较短的紫外光进行吸收，根据对氧化物薄膜晶体管进行测试可知，其漏电流在波长低于468纳米的光线下有明显的响应，但相较于400纳米至760纳米的可见光，氧化物薄膜晶体管仍然有大量的可见光无法感应到，导致具有氧化铟镓锌薄膜晶体管的指纹传感器无法识别手指点击处，指纹识别效果较差。
所以，现有显示器件存在氧化物薄膜晶体管的感光范围较小，导致指纹传感器识别效果较差的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以缓解现有显示器件存在氧化物薄膜晶体管的感光范围较小所导致的指纹传感器识别效果较差的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板包括：
衬底；
第一栅极，设置于所述衬底一侧；
有源图案，设置于所述第一栅极远离所述衬底的一侧；
第二栅极，设置于所述有源图案远离所述第一栅极的一侧；
感光图案，设置于所述第二栅极远离所述有源图案的一侧；
极板，设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧；
其中，所述阵列基板还包括第一源极和第一漏极，所述第一栅极、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二栅极和所述有源图案形成第一薄膜晶体管，所述第二栅极、所述感光图案和所述极板形成电容。
在一些实施例中，所述第一栅极与所述第一源极同层设置，且所述第一栅极与所述第一源极绝缘设置，所述第一栅极与所述第一漏极同层设置，且所述第一栅极与所述第一漏极绝缘设置。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括第二源极、第三栅极和第一遮光图案，所述第二源极、所述第一漏极、所述第三栅极和所述有源图案形成第二薄膜晶体管，所述第一遮光图案对应于所述第二薄膜晶体管的有源图案设置，所述第一遮光图案与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置，且所述第一遮光图案与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极绝缘设置。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧，所述像素电极层包括像素电极和极板，且所述极板与所述像素电极绝缘设置。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括透明导电层和像素电极层，所述透明导电层设置于所述像素电极层与所述感光图案之间，所述透明导电层形成有极板，且所述极板与所述像素电极层绝缘设置。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案对应设置于所述第二薄膜晶体管上。
在一些实施例中，所述第二栅极与所述第三栅极同层设置。
在一些实施例中，所述感光图案的材料包括非晶硅和噻吩系有机材料中的至少一种。
同时，本申请实施例提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板和电子元件，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
第一栅极，设置于所述衬底一侧；
有源图案，设置于所述第一栅极远离所述衬底的一侧；
第二栅极，设置于所述有源图案远离所述第一栅极的一侧；
感光图案，设置于所述第二栅极远离所述有源图案的一侧；
极板，设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧；
其中，所述阵列基板还包括第一源极和第一漏极，所述第一栅极、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二栅极和所述有源图案形成第一薄膜晶体管，所述第二栅极、所述感光图案和所述极板形成电容。
同时，本申请实施例提供一种显示面板制备方法，该显示面板制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行处理，形成第一栅极、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；
在所述第一金属层远离所述衬底的一侧形成第二栅极；
在所述第二栅极远离所述第一金属层的一侧形成感光图案；
在所述感光图案远离所述第二栅极的一侧形成极板；所述第一栅极、所述第一源极、所述第二栅极和所述有源图案形成第一薄膜晶体管，所述第二栅极、所述感光图案和所述极板形成电容。
有益效果：本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括衬底、第一栅极、有源图案、第二栅极、感光图案和极板，第一栅极设置于衬底一侧，有源图案设置于第一栅极远离衬底的一侧，第二栅极设置于有源图案远离第一栅极的一侧，感光图案设置于第二栅极远离有源图案的一侧，极板设置于感光图案远离第二栅极的一侧，其中，阵列基板还包括第一源极和第一漏极，第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极和有源图案形成第一薄膜晶体管，第二栅极、感光图案和极板形成电容。本申请通过在阵列基板中设置电容，使电容与第一薄膜晶体管连接，通过电容中的感光图案感光，使得在光照变化时，电容的感光图案的电荷量变化带动第一薄膜晶体管的电流变化，而感光图案的感光特性优于薄膜晶体管的有源图案的感光特性，从而提高了第一薄膜晶体管的感光特性，提高指纹识别效果，且将第二栅极作为电容极板，降低了阵列基板的厚度。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的显示面板的第一种示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的电路图。
图3为本申请实施例提供的显示面板的第二种示意图。
图4为本申请实施例提供的显示面板的第三种示意图。
图5为本申请实施例提供的显示面板制备方法的第一种流程图。
图6为本申请实施例提供的显示面板制备方法的第二种流程图。
图7为本申请实施例提供的显示面板制备方法的各步骤对应的显示面板的第一种示意图。
图8为本申请实施例提供的显示面板制备方法的各步骤对应的显示面板的第二种示意图。
图9为本申请实施例提供的显示面板制备方法的各步骤对应的显示面板的第三种示意图。
图10为本申请实施例提供的显示面板制备方法的各步骤对应的显示面板的第四种示意图。
图11为本申请实施例提供的显示装置的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例针对现有显示器件存在氧化物薄膜晶体管的感光范围较小，导致指纹传感器识别效果较差的技术问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，用以缓解上述技术问题。
如图1所示，本申请实施例提供一种显示面板1，该显示面板1包括阵列基板，该阵列基板包括：
衬底11；
第一栅极112，设置于所述衬底11一侧；
有源图案13，设置于所述第一栅极112远离所述衬底11的一侧；
第二栅极151，设置于所述有源图案13远离所述第一栅极112的一侧；
感光图案16，设置于所述第二栅极151远离所述有源图案13的一侧；
极板181，设置于所述感光图案16远离所述第二栅极151的一侧；
其中，所述阵列基板还包括第一源极111和第一漏极113，所述第一栅极112、所述第一源极111、所述第一漏极113、所述第二栅极151和所述有源图案13形成第一薄膜晶体管22，所述第二栅极151、所述感光图案16和所述极板181形成电容21。
本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板通过设置电容，使电容与第一薄膜晶体管连接，通过电容中的感光图案感光，使得在光照变化时，电容的感光图案的电荷量变化带动第一薄膜晶体管的电流变化，而感光图案的感光特性优于薄膜晶体管的有源图案的感光特性，从而提高了第一薄膜晶体管的感光特性，提高指纹识别效果，且将第二栅极作为电容极板，降低了阵列基板的厚度。
针对薄膜晶体管的源漏极与栅极设置在不同层会导致阵列基板的厚度较大，阵列基板的制备工艺较为复杂。在一种实施例中，所述第一栅极与所述第一源极同层设置，且所述第一栅极与所述第一源极绝缘设置，所述第一栅极与所述第一漏极同层设置，且所述第一栅极与所述第一漏极绝缘设置。通过将第一栅极与第一源极和第一漏极设置在同层，则无需设置两层金属分别形成第一栅极、第一源极和第一漏极，减小阵列基板的厚度，且由于第一栅极与第一源极和第一漏极设置在同层，无需设置多个掩模版形成金属层和挖孔，降低阵列基板的制备工艺的复杂性。
在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板还包括第二源极115、第三栅极152和第一遮光图案114，所述第二源极115、所述第一漏极113、所述第三栅极152和所述有源图案13形成有第二薄膜晶体管23，所述第一遮光图案114对应于所述第二薄膜晶体管23的有源图案13设置，所述第一遮光图案114与所述第一栅极112、所述第一源极111和所述第一漏极113同层设置，且所述第一遮光图案114与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极绝缘设置。通过将第一遮光图案与第一源极、第一漏极和第一栅极同层设置，使得仅需要设置一层金属层，而无需分别形成第一遮光图案对应的金属层、第一栅极对应的金属层、第一源极和第一漏极对应的金属层，以及各金属层之间的绝缘层，减小了显示面板的厚度，且在金属层的形成过程中，无需设置多个掩模板形成各金属层和各绝缘层，简化了显示面板的形成工艺。而通过将第一薄膜晶体管的第一漏极作为第二薄膜晶体管的第二漏极，使第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源漏极设置在同层，减小了阵列基板的厚度，且第一薄膜晶体管的第一漏极和第二薄膜晶体管的第二漏极共用，减小了第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的占用面积，则可以提高阵列基板的显示区域的面积，相应的提高显示面板的分辨率或者亮度，提高显示面板的显示效果。通过将第一遮光图案对应第三栅极设置，避免外部光线对薄膜晶体管产生影响。
在本申请实施例中，通过将第一薄膜晶体管的第二栅极作为电容的一极板，可以实现对第一薄膜晶体管的直接控制，同时上部采用透明导电层或者像素电极层形成电容的另一极板，使得电容与阵列基板的其他电容之间的耦合影响较小，提高指纹传感器的信噪比，提高指纹识别的效果。
在本申请实施例中，第一薄膜晶体管的有源图案与第二薄膜晶体管的有源图案连接。在第一薄膜晶体管的第一漏极和第二薄膜晶体管的第二源极共同时，第一薄膜晶体管的有源图案和第二薄膜晶体管的有源图案连接，实现第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的串联，则可以通过第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管之间输出电流，实现指纹识别功能。
针对指纹传感器的信噪比较低，指纹识别功能的效果较差。在一种实施例中，如图3所示，所述阵列基板还包括像素电极层18，所述像素电极层18设置于所述感光图案16远离所述第二栅极的一侧，所述像素电极层18包括像素电极182和极板181，且所述极板181与所述像素电极182绝缘设置。通过采用像素电极层形成电容的极板，使得在光照变化时，电容能够根据光照的变化相应的变化电容的大小，使第一薄膜晶体管的电流变化，从而可以实现指纹识别功能。
具体的，在像素电极层形成像素电极和极板时，可以在形成感光图案、第二钝化层时，将对应像素电极的区域的感光图案蚀刻，从而在形成像素电极层后，像素电极会设置在第一钝化层上，而极板设置在第二钝化层上，从而采用同一膜层分别形成像素电极和极板，减少显示面板的制备工艺，降低显示面板的厚度。
在一种实施例中，如图4所示，所述阵列基板还包括透明导电层183和像素电极层18，所述透明导电层183设置于所述像素电极层18与所述感光图案16之间，所述透明导电层183形成有极板，且所述极板与所述像素电极层18绝缘设置。在设置极板时，还可以通过在阵列基板中设置透明导电层，通过透明导电层形成极板，避免极板影响像素电极层的设置。
具体的，如图4所示，透明导电层183和像素电极层18之间设有第三钝化层184，通过第三钝化层将透明导电层和像素电极层绝缘设置。
具体的，如图3所示，所述显示面板还包括第三源极101、第三漏极103、第四栅极102、第五栅极104，第三源极101、第三漏极103、第四栅极102、第五栅极104和有源图案形成第三薄膜晶体管，第三源极101与像素电极182连接，第三薄膜晶体管用于驱动有机发光器件发光。
在一种实施例中，所述第二栅极与所述第三栅极同层设置。通过将第三栅极与第二栅极同层设置，无需分别设置第二栅极对应的金属层和第三栅极对应的金属层，减小了阵列基板的厚度。
针对非感光薄膜晶体管受到光照时，会导致薄膜晶体管的性能变化。在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板还包括第二遮光图案19，所述第二遮光图案19对应设置于所述第二薄膜晶体管23上。通过将第二遮光图案设置在第二薄膜晶体管上，使第二遮光图案遮光外界光线，避免外界光线对第二薄膜晶体管产生影响，导致指纹识别效果较差。
如图2所示，以阵列基板的部分电路图说明指纹传感器的工作过程，以高电位电压端+HV表示电容C随光照的变化而变化，即高电位电压端+HV的电压随光照的变化而变化，电容C的一端连接高电位电压端+HV，电容C的另一端连接第一薄膜晶体管T1的第二栅极，第一薄膜晶体管T1的第一栅极连接扫描线Scan，第一薄膜晶体管T1的第一源极连接第一电源端Vdd，第一薄膜晶体管T1的第一漏极连接第二薄膜晶体管T2的第二源极，第一薄膜晶体管T1的第一漏极连接电压输出端Vout，第二薄膜晶体管T2的第二漏极连接第二电源端Vss，第二薄膜晶体管T2的第三栅极连接扫描线。
在光照变化时，电容C的电荷量变化，从而导致第一薄膜晶体管T1的电流变化，电压输出端Vout的电位变化，实现指纹识别的功能，且由于感光图案的感光范围大于第一薄膜晶体管的有源图案的感光范围，提高了指纹识别的效果。
在一种实施例中，所述阵列基板还包括：
遮光层，设置于所述衬底一侧，所述遮光层形成第一遮光图案；
缓冲层，设置于所述遮光层远离所述衬底的一侧；
金属层，所述金属层形成有第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极。
在一种实施例中，所述阵列基板还包括：
遮光层，设置于所述衬底一侧，所述遮光层形成第一遮光图案；
缓冲层，设置于所述遮光层远离所述衬底的一侧；
第一金属层，设置于所述缓冲层远离所述遮光层的一侧；
第一栅极绝缘层，设置于所述第一金属层远离所述缓冲层的一侧；
有源层，设置于所述第一栅极绝缘层远离所述第一金属层的一侧；
第二栅极绝缘层，设置于所述有源层远离所述第一金属层的一侧；
第二金属层，设置于所述第二栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，所述第二金属层形成有所述第二栅极；
其中，所述第一金属层形成有所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极。通过设置第一金属层，使第一金属层形成第一栅极、第一源极和第一漏极，减小阵列基板的厚度，且由于第一栅极、第一源极和第一漏极与第一遮光图案设置在不同层，可以减小阵列基板中薄膜晶体管占用的面积。
上述实施例对源漏极与有源层底接触进行了详细描述。在一种实施例中，所述第二栅极与所述第一源极同层设置，且所述第二栅极与所述第一源极绝缘设置，所述第二栅极与所述第一漏极同层设置，且所述第二栅极与所述第一漏极绝缘设置。通过将第一源极和第一漏极与第二栅极同层设置，使源漏极与有源层顶接触，且第一源极和第一漏极与第二栅极同层设置，可以减小阵列基板的厚度。
在一种实施例中，所述感光图案的材料包括非晶硅和噻吩系有机材料中的至少一种。由于非晶硅和噻吩系有机材料的感光范围较大，对于各可见光均可以感应，则通过电容、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管实现指纹识别功能，可以提高指纹传感器的识别效果。
在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板还包括缓冲层12，所述缓冲层12设置于所述遮光层24远离所述衬底11的一侧。
在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板还包括栅极绝缘层14，所述栅极绝缘层14设置于所述有源图案13远离所述缓冲层12的一侧。
在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板还包括栅极层15，所述栅极层15设置于所述栅极绝缘层14远离所述有源图案13的一侧，所述栅极层15图案化形成有第二栅极151和第三栅极152。
在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板还包括第一钝化层20，所述第一钝化层20设置于所述栅极层15远离所述栅极绝缘层14的一侧。
在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板还包括第二钝化层17，所述第二钝化层17设置于所述感光图案16远离所述第一钝化层20的一侧。
在一种实施例中，所述遮光层的材料包括钼、钼铜叠层中的一种。
在一种实施例中，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氮化硅/氧化硅叠层中的一种。
在一种实施例中，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓锌锡氧化物、铟镓锡氧化物中的一种。
在一种实施例中，所述第一钝化层的材料包括氧化硅、氧化硅/氮化硅叠层。
在一种实施例中，所述第二钝化层的材料包括氧化硅、氧化硅/氮化硅叠层、氧化硅/氮化硅/氧化铝叠层中的一种。
在一种实施例中，所述透明导电层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌中的一种。
如图5所示，本申请实施例提供一种显示面板制备方法，该阵列基板制备方法包括：
S1，提供衬底；
S2，在所述衬底上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行处理，形成第一栅极、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；
S3，在所述第一金属层远离所述衬底的一侧形成第二栅极；
S4，在所述第二栅极远离所述第一金属层的一侧形成感光图案；
S5，在所述感光图案远离所述第二栅极的一侧形成极板；所述第一栅极、所述第一源极、所述第二栅极和所述有源图案形成第一薄膜晶体管，所述第二栅极、所述感光图案和所述极板形成电容。
本申请实施例提供一种显示面板制备方法，该显示面板制备方法制备的显示面板通过设置电容，使电容与第一薄膜晶体管连接，通过电容中的感光图案感光，使得在光照变化时，电容的感光图案的电荷量变化带动第一薄膜晶体管的电流变化，而感光图案的感光特性优于薄膜晶体管的有源图案的感光特性，从而提高了第一薄膜晶体管的感光特性，提高指纹识别效果，且将第二栅极作为电容极板，降低了阵列基板的厚度。
如图6所示，本申请实施例提供一种显示面板制备方法，该显示面板制备方法包括：
S1，提供衬底；此步骤对应的显示面板的结构如图7中的(a)所示；
S2，在所述衬底上形成金属层，并刻蚀遮光层形成第一栅极、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第一遮光图案；此步骤对应的显示面板的结构如图7中的(a)所示；
S3，在所述遮光层上形成缓冲层，并刻蚀所述缓冲层形成第一过孔；此步骤对应的显示面板的结构如图7中的(b)所示；
S4，在所述缓冲层上形成有源层，并刻蚀所述有源层形成有源图案；所述有源层填充至所述第一过孔内；此步骤对应的显示面板的结构如图8中的(a)所示；
S5，在所述有源层上形成栅极绝缘层，并图案化所述栅极绝缘层；此步骤对应的显示面板的结构如图8中的(b)所示；
S6，在所述栅极绝缘层上形成栅极层，并刻蚀所述栅极层形成第二栅极、第三栅极和第一极板；第一薄膜晶体管包括所述第一栅极、所述第二栅极、所述第一源极和所述第一漏极，第二薄膜晶体管包括所述第三栅极、所述第二源极和所述第二漏极；此步骤对应的显示面板的结构如图8中的(b)所示；
S7，在所述栅极层上形成第一钝化层，并刻蚀所述第一钝化层形成第二过孔；此步骤对应的显示面板的结构如图9中的(a)所示；
S8，在所述第一钝化层上形成感光层，并刻蚀所述感光层形成感光图案；所述感光图案填充至所述第二过孔；此步骤对应的显示面板的结构如图9中的(b)所示；
S9，在所述感光层上形成第二钝化层；此步骤对应的显示面板的结构如图10中的(a)所示；
S10，在所述第二钝化层上形成第二极板；电容包括所述第一极板、所述第二极板，以及位于所述第一极板和所述第二极板之间的所述感光图案；所述感光图案的感光范围大于所述第一薄膜晶体管的有源图案的感光范围；此步骤对应的显示面板的结构如图10中的(b)所示；
S11，在所述第一钝化层上形成第二遮光图案；所述第二遮光图案对应所述第二薄膜晶体管设置；得到的显示面板的结构如图1所示。
在一种实施例中，所述在所述金属层上形成缓冲层，并刻蚀所述缓冲层形成第一过孔的步骤，包括：在温度为300摄氏度至400摄氏度下，对缓冲层进行高温退火处理2小时至3小时。
同时，如图11所示，本申请实施例提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板和电子元件，该显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底11；
第一栅极112，设置于所述衬底11一侧；
有源图案13，设置于所述第一栅极112远离所述衬底11的一侧；
第二栅极151，设置于所述有源图案13远离所述第一栅极112的一侧；
感光图案16，设置于所述第二栅极151远离所述有源图案13的一侧；
极板181，设置于所述感光图案16远离所述第二栅极151的一侧；
其中，所述阵列基板还包括第一源极111和第一漏极113，所述第一栅极112、所述第一源极111、所述第一漏极113、所述第二栅极151和所述有源图案13形成第一薄膜晶体管22，所述第二栅极151、所述感光图案16和所述极板181形成电容21。
本申请实施例提供一种显示装置，该显示装置包括显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板通过设置电容，使电容与第一薄膜晶体管连接，通过电容中的感光图案感光，使得在光照变化时，电容的感光图案的电荷量变化带动第一薄膜晶体管的电流变化，而感光图案的感光特性优于薄膜晶体管的有源图案的感光特性，从而提高了第一薄膜晶体管的感光特性，提高指纹识别效果，且将第二栅极作为电容极板，降低了阵列基板的厚度。
在一种实施例中，所述电子元件包括屏下摄像头。
在一种实施例中，所述显示面板包括液晶显示面板，如图11所示，所述液晶显示面板还包括液晶层41、公共电极层421、色阻层422和黑色矩阵层423。
在一种实施例中，所述显示面板包括OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板。
在一种实施例中，在显示装置中，所述第一栅极与所述第一源极同层设置，且所述第一栅极与所述第一源极绝缘设置，所述第一栅极与所述第一漏极同层设置，且所述第一栅极与所述第一漏极绝缘设置。
在一种实施例中，在显示装置中，所述阵列基板还包括第二源极、第三栅极和第一遮光图案，所述第二源极、所述第一漏极、所述第三栅极和所述有源图案形成第二薄膜晶体管，所述第一遮光图案对应于所述第二薄膜晶体管的有源图案设置，所述第一遮光图案与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置，且所述第一遮光图案与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极绝缘设置。
在一种实施例中，在显示装置中，所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧，所述像素电极层包括像素电极和极板，且所述极板与所述像素电极绝缘设置。
在一种实施例中，在显示装置中，所述阵列基板还包括透明导电层和像素电极层，所述透明导电层设置于所述像素电极层与所述感光图案之间，所述透明导电层形成有极板，且所述极板与所述像素电极层绝缘设置。
在一种实施例中，在显示装置中，所述阵列基板还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案对应设置于所述第二薄膜晶体管上。
在一种实施例中，在显示装置中，所述第二栅极与所述第三栅极同层设置。
根据以上实施例可知：
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板包括衬底、第一栅极、有源图案、第二栅极、感光图案和极板，第一栅极设置于衬底一侧，有源图案设置于第一栅极远离衬底的一侧，第二栅极设置于有源图案远离第一栅极的一侧，感光图案设置于第二栅极远离有源图案的一侧，极板设置于感光图案远离第二栅极的一侧，其中，阵列基板还包括第一源极和第一漏极，第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极和有源图案形成第一薄膜晶体管，第二栅极、感光图案和极板形成电容。本申请通过在阵列基板中设置电容，使电容与第一薄膜晶体管连接，通过电容中的感光图案感光，使得在光照变化时，电容的感光图案的电荷量变化带动第一薄膜晶体管的电流变化，而感光图案的感光特性优于薄膜晶体管的有源图案的感光特性，从而提高了第一薄膜晶体管的感光特性，提高指纹识别效果，且将第二栅极作为电容极板，降低了阵列基板的厚度。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底；
第一栅极，设置于所述衬底一侧；
有源图案，设置于所述第一栅极远离所述衬底的一侧；
第二栅极，设置于所述有源图案远离所述第一栅极的一侧；
感光图案，设置于所述第二栅极远离所述有源图案的一侧；
极板，设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧；
其中，所述阵列基板还包括第一源极和第一漏极，所述第一栅极、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二栅极和所述有源图案形成第一薄膜晶体管，所述第二栅极、所述感光图案和所述极板形成电容；所述第一栅极与所述第一源极同层设置，且所述第一栅极与所述第一源极绝缘设置，所述第一栅极与所述第一漏极同层设置，且所述第一栅极与所述第一漏极绝缘设置。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二源极、第三栅极和第一遮光图案，所述第二源极、所述第一漏极、所述第三栅极和所述有源图案形成第二薄膜晶体管，所述第一遮光图案对应于所述第二薄膜晶体管的有源图案设置，所述第一遮光图案与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置，且所述第一遮光图案与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极绝缘设置。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧，所述像素电极层包括像素电极和极板，且所述极板与所述像素电极绝缘设置。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括透明导电层和像素电极层，所述透明导电层设置于所述像素电极层与所述感光图案之间，所述透明导电层形成有极板，且所述极板与所述像素电极层绝缘设置。
5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二遮光图案，所述第二遮光图案对应设置于所述第二薄膜晶体管上。
6.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极与所述第三栅极同层设置。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述感光图案的材料包括非晶硅和噻吩系有机材料中的至少一种。
8.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板和电子元件，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
第一栅极，设置于所述衬底一侧；
有源图案，设置于所述第一栅极远离所述衬底的一侧；
第二栅极，设置于所述有源图案远离所述第一栅极的一侧；
感光图案，设置于所述第二栅极远离所述有源图案的一侧；
极板，设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧；
其中，所述阵列基板还包括第一源极和第一漏极，所述第一栅极、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二栅极和所述有源图案形成第一薄膜晶体管，所述第二栅极、所述感光图案和所述极板形成电容；所述第一栅极与所述第一源极同层设置，且所述第一栅极与所述第一源极绝缘设置，所述第一栅极与所述第一漏极同层设置，且所述第一栅极与所述第一漏极绝缘设置。
9.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一金属层，并对所述第一金属层进行处理，形成第一栅极、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；
在所述第一金属层远离所述衬底的一侧形成第二栅极；
在所述第二栅极远离所述第一金属层的一侧形成感光图案；
在所述感光图案远离所述第二栅极的一侧形成极板；所述第一栅极、所述第一源极、所述第二栅极和有源图案形成第一薄膜晶体管，所述第二栅极、所述感光图案和所述极板形成电容。
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KR101611418B1 (ko) * 2010-05-06 2016-04-12 삼성전자주식회사 광터치 패널 및 그 제조 방법
KR101810608B1 (ko) * 2011-06-22 2017-12-21 삼성전자주식회사 광센싱 장치 및 그 구동 방법, 광센싱 장치를 포함하는 광터치 스크린 장치
KR102080861B1 (ko) * 2013-08-06 2020-02-25 삼성디스플레이 주식회사 광 감지 회로, 이를 포함하는 광 감지 패널 및 이 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치
CN105373772A (zh) * 2015-10-09 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 光学指纹/掌纹识别器件、触控显示面板和显示装置
WO2018146146A1 (en) * 2017-02-08 2018-08-16 Trinamix Gmbh Detector for an optical detection of at least one object
KR102502201B1 (ko) * 2017-11-17 2023-02-22 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 및 이를 포함한 표시 장치
KR20210086907A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112511769B (zh) * 2020-11-05 2022-09-20 北京大学深圳研究生院 一种图像传感器像素电路以及图像传感阵列

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