CN110728919B - 透明显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域,提出一种透明显示面板及其制作方法、显示装置,该面板包括:第一基板;第一缓冲层,设置于第一基板的一侧;第一透明导电层,设置于第一缓冲层背离第一基板的一侧,且至少覆盖透明区;第二缓冲层,设置于第一缓冲层背离第一基板的一侧,且覆盖第一透明导电层,其中,第二缓冲层上设置有位于透明区的过孔;第二透明导电层,设置于第二缓冲层背离第一基板的一侧,包括相互独立的第一子透明导电部、第二子透明导电部;其中,部分第一子透明导电部覆盖过孔;部分第二子透明导电部位于透明区。该透明显示面板将存储电容设置为透明电容,且将该透明电容设置于透明区,从而增加了透明区的面积,进而增加了透明显示面板的透光率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种透明显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
透明显示技术可以使显示器实现显示功能的同时具备透光性能,透明显示在各个领域都可以产生良好的视觉体验,目前对透明显示的需求日增,可用在车载、智能家居、商店橱窗等应用上。
相关技术中,透明显示面板的像素结构一般包括有发光区和透明区,发光区用于集成像素驱动电路和发光单元,透明区用于透射光线。然而,由于像素驱动电路所需的设置面积较大,从而造成透明显示面板的透光效果较差。
需要说明的是,在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于提供一种透明显示面板及其制作方法、显示装置。该透明显示面板能够解决相关技术中透明显示面板透光效果较差的技术问题。
本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本发明的实践而习得。
根据本发明的一个方面,提供一种透明显示面板,所述透明显示面板包括透明区、发光区、位于所述透明区的存储电容,以及位于所述发光区的第一晶体管、第二晶体管,其中,所述存储电容的第一电极电连接所述第一晶体管的输出端,所述存储电容的第二电极电连接所述第二晶体管的输出端,所述透明显示面板还包括:第一基板、第一缓冲层、第一透明导电层、第二缓冲层、第二透明导电层。第一缓冲层设置于所述第一基板的一侧;第一透明导电层设置于所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧,且至少覆盖所述透明区,其中,位于所述透明区的所述第一透明导电层形成所述存储电容的第一电极;第二缓冲层设置于所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧,且覆盖所述第一透明导电层,其中,所述第二缓冲层上设置有位于所述透明区的过孔;第二透明导电层设置于所述第二缓冲层背离所述第一基板的一侧,包括相互独立的第一子透明导电部、第二子透明导电部;其中,部分所述第一子透明导电部覆盖所述过孔,且部分所述第一子透明导电部用于形成所述第二晶体管的有源层,以使所述第二晶体管的输出端连接所述存储电容的第一电极;部分所述第二子透明导电部位于所述透明区,用于形成所述存储电容的第二电极,且部分所述第二子透明导电部用于形成所述第一晶体管的有源层,以使所述第一晶体管的输出端连接所述存储电容的第二电极。
本发明的一种示例性实施例中,所述第一透明导电层还覆盖所述发光区,所述透明显示面板还包括:遮光层、第二基板。遮光层位于所述发光区,且设置于所述第一透明导电层背离所述第一基板的一侧;第二基板位于所述发光区,且设置于所述遮光层背离所述第一基板的一侧。
本发明的一种示例性实施例中,所述透明显示面板还包括:第三缓冲层、遮光层、第三基板。第三缓冲层设置于所述第一基板面向所述第一缓冲层的一侧;遮光层位于所述发光区,且设置于所述第三缓冲层背离所述第一基板的一侧;第三基板设置于所述第三缓冲层背离所述第一基板的一侧,且覆盖所述遮光层,其中,所述第一缓冲层设置于所述第三基板背离所述第一基板的一侧。
本发明的一种示例性实施例中,所述第一缓冲层、第二缓冲层为透明材料。
根据本发明的一个方面,提供一种一种透明显示面板制作方法,所述透明显示面板包括透明区、发光区、位于所述透明区的存储电容,以及位于所述发光区的第一晶体管、第二晶体管,其中,所述存储电容的第一电极电连接所述第一晶体管的输出端,所述存储电容的第二电极电连接所述第二晶体管的输出端,所述透明显示面板制作方法包括:
形成第一基板;
在所述第一基板的一侧形成第一缓冲层;
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一透明导电层,所述第一透明导电层至少覆盖所述透明区,其中,位于所述透明区的所述第一透明导电层形成所述存储电容的第一电极;
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第二缓冲层,所述第二缓冲层覆盖所述第一透明导电层,其中,所述第二缓冲层上设置有位于所述透明区的过孔;
在所述第二缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第二透明导电层,所述第二缓冲层包括相互独立的第一子透明导电部、第二子透明导电部;
其中,部分所述第一子透明导电部覆盖所述过孔,且部分所述第一子透明导电部用于形成所述第二晶体管的有源层,以使所述第二晶体管的输出端连接所述存储电容的第一电极;
部分所述第二子透明导电部位于所述透明区,用于形成所述存储电容的第二电极,且部分所述第二子透明导电部用于形成所述第一晶体管的有源层,以使所述第一晶体管的输出端连接所述存储电容的第二电极。
本发明的一种示例性实施例中,所述第一透明导电层还覆盖所述发光区,所述制作方法还包括:
在所述第一透明导电层背离所述第一基板的一侧形成遮光层,且所述遮光层位于所述发光区;
在所述遮光层背离所述第一基板的一侧形成第二基板,且所述第二基板位于所述发光区。
本发明的一种示例性实施例中,所述制作方法还包括:
在所述第一基板面向所述第一缓冲层的一侧形成第三缓冲层;
在所述第三缓冲层背离所述第一基板的一侧形成遮光层,所述遮光层位于所述发光区;
在所述第三缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第三基板,且所述第三基板覆盖所述遮光层,其中,所述第一缓冲层设置于所述第三基板背离所述第一基板的一侧。
本发明的一种示例性实施例中,在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一透明导电层,在所述第一透明导电层背离所述第一基板的一侧形成遮光层,包括:
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一透明导电材料层;
在所述第一透明导电材料层背离所述第一缓冲层的一侧形成遮光材料层;
在所述遮光材料层背离所述第一透明导电材料层的一侧形成光刻胶层;
通过半色调掩膜对所述光刻胶层进行曝光、显影,以使第一透明导电层以外位置裸露于所述光刻胶层以外,且位于遮光层位置的光刻胶层厚度大于位于遮光层以外位置的光刻胶层厚度;
对所述遮光材料层、第一透明导电材料层进行第一次刻蚀以形成第一透明导电层;
对所述光刻胶层进行灰化处理,以使遮光层以外位置裸露于所述光刻胶层以外;
对所述遮光材料层进行第二次刻蚀,以形成遮光层。
本发明的一种示例性实施例中,所述第一缓冲层、第二缓冲层为透明材料。
根据本发明的一个方面,提供一种显示装置,该显示装备包括上述的透明显示面板。
本公开该提出一种透明显示面板及其制作方法、显示装置,所述透明显示面板包括透明区、发光区、位于所述透明区的存储电容,以及位于所述发光区的第一晶体管、第二晶体管,其中,所述存储电容的第一电极电连接所述第一晶体管的输出端,所述存储电容的第二电极电连接所述第二晶体管的输出端,所述透明显示面板还包括:第一基板、第一缓冲层、第一透明导电层、第二缓冲层、第二透明导电层。第一缓冲层设置于所述第一基板的一侧;第一透明导电层设置于所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧,且至少覆盖所述透明区,其中,位于所述透明区的所述第一透明导电层形成所述存储电容的第一电极;第二缓冲层设置于所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧,且覆盖所述第一透明导电层,其中,所述第二缓冲层上设置有位于所述透明区的过孔;第二透明导电层设置于所述第二缓冲层背离所述第一基板的一侧,包括相互独立的第一子透明导电部、第二子透明导电部;其中,部分所述第一子透明导电部覆盖所述过孔,且部分所述第一子透明导电部用于形成所述第二晶体管的有源层,以使所述第二晶体管的输出端连接所述存储电容的第一电极;部分所述第二子透明导电部位于所述透明区,用于形成所述存储电容的第二电极,且部分所述第二子透明导电部用于形成所述第一晶体管的有源层,以使所述第一晶体管的输出端连接所述存储电容的第二电极。本公开提供的透明显示面板将存储电容设置为透明电容,且将该透明电容设置于透明区,从而增加了透明区的面积,进而增加了透明显示面板的透光率。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中一种像素单元的俯视图;
图2为相关技术中一种像素驱动电路的结构示意图;
图3为本公开透明显示面板一种示例性实施例的结构示意图;
图4为本公开透明显示面板一种示例性实施例的结构示意图;
图5为图4中沿虚线0的剖面图;
图6为本公开透明显示面板另一种示例性实施例的剖视图;
图7-16为本公开透明显示面板制作方法一种示例性实施例的流程结构示意图;
图17-19为本公开透明显示面板制作方法另一种示例性实施例的流程结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本发明将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语,例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
如图1所示,为相关技术中一种像素单元的俯视图。该像素单元包括发光区04和透明区03,发光区用于集成像素驱动电路和发光单元,透明区用于透射光线。其中,发光区可以集成有红色发光单元011、蓝色发光单元012、绿色发光单元013,各发光单元可以通过黑矩阵02相互隔离。同时,像素驱动电路可以集成于发光单元的正下方。
如图2所示,为相关技术中一种像素驱动电路的结构示意图。该像素驱动电路可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、电容C、第三晶体管T3。第一晶体管T1的第一端连接所述数据信号端Data,控制端连接所述栅极驱动信号端G1;第二晶体管T2的控制端连接所述第一晶体管第二端,第一端连接电源信号端VDD,第二端连接发光单元LED;电容C连接于所述第二晶体管T2的第二端与控制端之间;第三晶体管T3的控制端连接所述感测驱动信号端G2,第一端连接所述感测信号端Sense,第二端连接所述第二晶体管T2的第二端。其中,感测信号端Sense可以用于在第二晶体管T2导通时感测驱动晶体管的输出电流,以检测第二晶体管T2的阈值电压和迁移率。感测信号端Sense还可以用于在LED发光阶段向第二晶体管的第二端输入恒电压,以便通过第二晶体管T2的栅极电压控制其第二端的输出电流。
然而,由于像素驱动电路的器件较多,其所需的设置面积较大,从而造成透明显示面板的透光效果较差。
基于此,本示例性实施例提供一种透明显示面板,如图3所示,为本公开透明显示面板一种示例性实施例的结构示意图。所述透明显示面板包括透明区2和发光区1,所述透明显示面板还包括存储电容3,所述存储电容3设置于所述透明区2,其中,所述存储电容3为透明电容。
如图4、5所示,图4为本公开透明显示面板一种示例性实施例的结构示意图,图5为图4中沿虚线0的剖面图。所述透明显示面板包括透明区2、发光区1、位于所述透明区2的存储电容C,以及位于所述发光区1的第一晶体管T1、第二晶体管T2,其中,所述存储电容C的第一电极电连接所述第一晶体管T1的输出端,所述存储电容C的第二电极电连接所述第二晶体管T2的输出端,其中,第一晶体管T1可以对应图2中的第一晶体管;第二晶体管T2可以对应图2中的第二晶体管;电容C可以对应图2中电容C。所述透明显示面板还包括:第一基板6、第一缓冲层4、第一透明导电层31、第二缓冲层5、第二透明导电层。第一缓冲层4设置于所述第一基板6的一侧;第一透明导电层31设置于所述第一缓冲层4背离所述第一基板6的一侧,且至少覆盖所述透明区2,其中,位于所述透明区2的所述第一透明导电层31形成所述存储电容C的第一电极;第二缓冲层5设置于所述第一缓冲层4背离所述第一基板6的一侧,且覆盖所述第一透明导电层31,其中,所述第二缓冲层5上设置有位于所述透明区2的过孔33;第二透明导电层设置于所述第二缓冲层5背离所述第一基板6的一侧,包括相互独立的第一子透明导电部321、第二子透明导电部322;其中,部分所述第一子透明导电部321覆盖所述过孔33,且部分所述第一子透明导电部321用于形成所述第二晶体管T2的有源层,以使所述第二晶体管T2的输出端连接所述存储电容C的第一电极;部分所述第二子透明导电部322位于所述透明区2,用于形成所述存储电容C的第二电极,且部分所述第二子透明导电部322用于形成所述第一晶体管T1的有源层,以使所述第一晶体管T1的输出端连接所述存储电容C的第二电极。
其中,所述第一透明导电层可以选择为氧化铟锡等透明导电材料;第二透明导电层可以选择为铟镓锌氧化物等透明导电材料。第一缓冲层、第二缓冲层可以选择SiOx等无机材料。
本公开提供的透明显示面板将存储电容设置为透明电容,且将该透明电容设置于透明区,从而可以通过减小像素驱动电路占用面积增加了透明区的面积,进而增加了透明显示面板的透光率。
如图5所示,本示例性实施例中,所述第一透明导电层31还覆盖所述发光区1,所述透明显示面板还可以包括:遮光层7、第二基板8。遮光层7位于所述发光区1,且设置于所述第一透明导电层31背离所述第一基板6的一侧;第二基板8位于所述发光区1,且设置于所述遮光层7背离所述第一基板6的一侧。
如图4、5所示,所述透明显示面板还可以包括栅极绝缘层9、栅极层10、源/漏极11、反射阳极12、绝缘层13、钝化层14、平坦层15、像素界定层16。其中,遮光层7用于遮挡晶体管的有源层,以避有源层受光线照射影响其导电性。遮光层7可以选择为铜、铝等遮光金属金属,也可选择为其他的遮光材料,例如,黑色光刻胶等。第二基板8用于调节遮光层7与第二子透明导电部322的距离,从而可以通过增加遮光层7与第二子透明导电部322之间的距离减小第二子透明导电部322与遮光层之间的寄生电容。此外,绝缘层13、钝化层14、平坦层15、像素界定层16、第一缓冲层4、第二缓冲层5均可以为透明材料,以使透明区能够透射光线。
如图4所示,第二透明导电层还可以包括第三子透明导电部324,部分第三子透明导电部324用于形成第三晶体管T3的有源层。其中,该透明显示面板的制作方法可以依次形成第一透明导电层31、形成第二透明导电层、栅极层10、源/漏层11。
本示例性实施例中,如图6所述,为本公开透明显示面板另一种示例性实施例的剖视图。所述透明显示面板可以包括:第一基板6、第一缓冲层4、第一透明导电层31、第二缓冲层5、第二透明导电层。第一缓冲层4设置于所述第一基板6的一侧;第一透明导电层31设置于所述第一缓冲层4背离所述第一基板6的一侧,且至少覆盖所述透明区2,其中,位于所述透明区2的所述第一透明导电层31形成所述存储电容C的第一电极;第二缓冲层5设置于所述第一缓冲层4背离所述第一基板6的一侧,且覆盖所述第一透明导电层31,其中,所述第二缓冲层5上设置有位于所述透明区2的过孔33;第二透明导电层设置于所述第二缓冲层5背离所述第一基板6的一侧,包括相互独立的第一子透明导电部321、第二子透明导电部322;其中,部分所述第一子透明导电部321覆盖所述过孔33,且部分所述第一子透明导电部321用于形成所述第二晶体管T2的有源层,以使所述第二晶体管T2的输出端连接所述存储电容C的第一电极;部分所述第二子透明导电部322位于所述透明区2,用于形成所述存储电容C的第二电极,且部分所述第二子透明导电部322用于形成所述第一晶体管T1的有源层,以使所述第一晶体管T1的输出端连接所述存储电容C的第二电极。
如图6所示,所述透明显示面板还可以包括:第三缓冲层19、遮光层18、第三基板17。第三缓冲层19设置于所述第一基板6面向所述第一缓冲层的一侧;遮光层18位于所述发光区1,且设置于所述第三缓冲层19背离所述第一基板6的一侧;第三基板17设置于所述第三缓冲层19背离所述第一基板6的一侧,且覆盖所述遮光层18,其中,所述第一缓冲层4设置于所述第三基板17背离所述第一基板6的一侧。如图6所示,所述透明显示面板还可以包括栅极绝缘层9、栅极层10、源/漏极11、反射阳极12、绝缘层13、钝化层14、平坦层15、像素界定层16。
图5中的透明显示面板相较于图6中的透明显示面板,在图5中,第二基板8没有覆盖透明区,从而可以增加透明区的透光率。图5中第一透明导电层31与遮光层连接,从而可以移除遮光层上的静电。
本示例性实施例还提供一种透明显示面板制作方法,所述透明显示面板包括透明区、发光区、位于所述透明区的存储电容,以及位于所述发光区的第一晶体管、第二晶体管,其中,所述存储电容的第一电极电连接所述第一晶体管的输出端,所述存储电容的第二电极电连接所述第二晶体管的输出端,所述透明显示面板制作方法包括:
形成第一基板;
在所述第一基板的一侧形成第一缓冲层;
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一透明导电层,所述第一透明导电层至少覆盖所述透明区,其中,位于所述透明区的所述第一透明导电层形成所述存储电容的第一电极;
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第二缓冲层,所述第二缓冲层覆盖所述第一透明导电层,其中,所述第二缓冲层上设置有位于所述透明区的过孔;
在所述第二缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第二透明导电层,所述第二缓冲层包括相互独立的第一子透明导电部、第二子透明导电部;
其中,部分所述第一子透明导电部覆盖所述过孔,且部分所述第一子透明导电部用于形成所述第二晶体管的有源层,以使所述第二晶体管的输出端连接所述存储电容的第一电极;
部分所述第二子透明导电部位于所述透明区,用于形成所述存储电容的第二电极,且部分所述第二子透明导电部用于形成所述第一晶体管的有源层,以使所述第一晶体管的输出端连接所述存储电容的第二电极。
本公开提供的透明显示面板将存储电容设置为透明电容,且将该透明电容设置于透明区,从而可以通过减小像素驱动电路占用面积增加了透明区的面积,进而增加了透明显示面板的透光率。
如图7-16所示,图7-16为本公开透明显示面板制作方法一种示例性实施例的流程结构示意图,以下根据流程结构示意图对本透明显示面板制作方法进行详细说明:
本示例性实施例中,所述制作方法可以包括:
如图7所示,首先,形成第一基板6,在所述第一基板6的一侧形成第一缓冲层4;在所述第一缓冲层4背离第一基板6的一侧形成第一透明导电层31,且所述第一透明导电层31覆盖所述透明区2、发光区1,其中,位于所述透明区2的所述第一透明导电层4形成所述存储电容的第一电极。所述第一透明导电层可以选择为氧化铟锡等透明导电材料。
如图8所示,然后,在所述第一缓冲层4背离第一基板6一侧形成第二缓冲层5,且所述第二缓冲层5覆盖所述第一透明导电层31,其中,所述第二缓冲层5上设置有位于所述透明区的过孔33。
如图9所示,该制作方法在形成第二缓冲层5之前还可以包括:在所述第一透明导电层31背离所述第一缓冲层4的一侧形成遮光层7,且所述遮光层位于所述发光区1,在所述遮光层面7背离所述第一透明导电层31的一侧形成第二基板8,且所述第二基板8位于所述发光区1。其中,第一缓冲层、第二缓冲层可以选择SiOx等无机材料。
如图10所示,该制作方法还可以包括:在第二缓冲层5背离第一基板6一侧形成第二透明导电层,所述第二透明导电层包括相互独立的第一子透明导电部321、第二子透明导电部322;其中,部分所述第一子透明导电部321覆盖所述过孔33,且部分所述第一子透明导电部321用于形成所述第二晶体管的有源层,以使所述第二晶体管的输出端连接所述存储电容的第一电极;部分所述第二子透明导电部322位于所述透明区2,用于形成所述存储电容的第二电极,且部分所述第二子透明导电部322用于形成所述第一晶体管的有源层,以使所述第一晶体管的输出端连接所述存储电容的第二电极。其中,第二透明导电层可以选择为铟镓锌氧化物等透明半导体材料。
如图11所示,该制作方法还可以包括:在第一子透明导电部321上形成栅极绝缘层9、在栅极绝缘层上形成栅极层10。
如图12所示,该制作方法可以包括:对第二透明导电层的半导体材料进行导体化处理,例如,可以通过对铟镓锌氧化物进行氢离子注入以将铟镓锌氧化物半导体形成导体。位于栅极绝缘层9底部未被导体化的第一子透明导电部321形成第二晶体管的有源层323。
该制作方法还可以包括:形成栅极绝缘层9、栅极层10、源/漏极11、反射阳极12、绝缘层13、钝化层14、平坦层15、像素界定层16以形成如图5所示的透明显示面板。
本示例性实施例中,在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一透明导电层,在所述第一透明导电层背离所述第一基板的一侧形成遮光层可以利用半色调掩膜通过一次构图工艺形成。该方法可以包括:
如图13所示,在所述第一缓冲层4背离第一基板6的一侧形成第一透明导电材料层21;在所述第一透明导电材料层21背离所述第一缓冲层的一侧形成遮光材料层22。在所述遮光材料层背离所述第一透明导电材料层的一侧形成光刻胶层23。
如图14所示,通过半色调掩膜对所述光刻胶层进行曝光、显影,以使第一透明导电层以外位置裸露于所述光刻胶层以外,且位于遮光层位置的光刻胶层厚度大于位于遮光层以外位置的光刻胶层厚度。
如图15所示,对所述遮光材料层、第一透明导电材料层进行第一次刻蚀以形成第一透明导电层31。
如图16所示,对所述光刻胶层进行灰化处理,以使遮光层以外位置裸露于所述光刻胶层以外;对所述遮光材料层进行第二次刻蚀,以形成遮光层。
如图17-19所示,图17-19为本公开透明显示面板制作方法另一种示例性实施例的流程结构示意图,以下根据流程结构示意图对本透明显示面板制作方法进行详细说明:
如图17所示,首先,形成第一基板6,并在所述第一基板6的一侧形成所述第三缓冲层19。
如图18所示,然后,在所述第三缓冲层19背离所述第一基板6的一侧形成遮光层18,且所述遮光层18位于所述发光区1。
如图19所示,然后,在所述第三缓冲层19背离所述第一基板6的一侧形成第三基板17,以使所述第三基板17覆盖所述遮光层18;其中,所述第一缓冲层4设置于所述第三基板17背离所述第一基板6的一侧。并在第一缓冲层4背离所述第三基板17的一侧形成第一透明导电层31,其中,第一透明导电层31至少覆盖透明区。
该制作方法的其余步骤可以如图8、10、11、12所示的方法制作,以形成如图6所示的透明显示面板。
本示例性实施例还提供一种显示装置,该显示装置包括上述的透明显示面板。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。
Claims (8)
1.一种透明显示面板,其特征在于,所述透明显示面板包括透明区、发光区、位于所述透明区的存储电容,以及位于所述发光区的第一晶体管、第二晶体管,其中,所述存储电容的第一电极电连接所述第二晶体管的输出端,所述存储电容的第二电极电连接所述第一晶体管的输出端,所述透明显示面板还包括:
第一基板;
第一缓冲层,设置于所述第一基板的一侧;
第一透明导电层,设置于所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧,且至少覆盖所述透明区,其中,位于所述透明区的所述第一透明导电层形成所述存储电容的第一电极;
第二缓冲层,设置于所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧,且覆盖所述第一透明导电层,其中,所述第二缓冲层上设置有位于所述透明区的过孔;
第二透明导电层,设置于所述第二缓冲层背离所述第一基板的一侧,包括相互独立的第一子透明导电部、第二子透明导电部;
其中,部分所述第一子透明导电部覆盖所述过孔,以连接所述第一子透明导电部和所述第一透明导电层,且部分所述第一子透明导电部用于形成所述第二晶体管的有源层,以使所述第二晶体管的输出端连接所述存储电容的第一电极;
部分所述第二子透明导电部位于所述透明区,用于形成所述存储电容的第二电极,且部分所述第二子透明导电部用于形成所述第一晶体管的有源层,以使所述第一晶体管的输出端连接所述存储电容的第二电极;
所述第一透明导电层还覆盖所述发光区,所述透明显示面板还包括:
遮光层,位于所述发光区,且设置于所述第一透明导电层背离所述第一基板的一侧,且与所述第一透明导电层接触。
2.根据权利要求1所述的透明显示面板,其特征在于,所述透明显示面板还包括:
第二基板,位于所述发光区,且设置于所述遮光层背离所述第一基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的透明显示面板,其特征在于,所述第一缓冲层、第二缓冲层为透明材料。
4.一种透明显示面板制作方法,所述透明显示面板包括透明区、发光区、位于所述透明区的存储电容,以及位于所述发光区的第一晶体管、第二晶体管,其中,所述存储电容的第一电极电连接所述第二晶体管的输出端,所述存储电容的第二电极电连接所述第一晶体管的输出端,所述透明显示面板制作方法包括:
形成第一基板;
在所述第一基板的一侧形成第一缓冲层;
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一透明导电层,所述第一透明导电层至少覆盖所述透明区,其中,位于所述透明区的所述第一透明导电层形成所述存储电容的第一电极;
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第二缓冲层,所述第二缓冲层覆盖所述第一透明导电层,其中,所述第二缓冲层上设置有位于所述透明区的过孔;
在所述第二缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第二透明导电层,所述第二缓冲层包括相互独立的第一子透明导电部、第二子透明导电部;
其中,部分所述第一子透明导电部覆盖所述过孔,以连接所述第一子透明导电部和所述第一透明导电层,且部分所述第一子透明导电部用于形成所述第二晶体管的有源层,以使所述第二晶体管的输出端连接所述存储电容的第一电极;
部分所述第二子透明导电部位于所述透明区,用于形成所述存储电容的第二电极,且部分所述第二子透明导电部用于形成所述第一晶体管的有源层,以使所述第一晶体管的输出端连接所述存储电容的第二电极;
所述第一透明导电层还覆盖所述发光区,所述制作方法还包括:
在所述第一透明导电层背离所述第一基板的一侧形成遮光层,所述遮光层位于所述发光区,且所述遮光层与所述第一透明导电层接触。
5.根据权利要求4所述的透明显示面板制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
在所述遮光层背离所述第一基板的一侧形成第二基板,且所述第二基板位于所述发光区。
6.根据权利要求4所述的透明显示面板制作方法,其特征在于,在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一透明导电层,在所述第一透明导电层背离所述第一基板的一侧形成遮光层,包括:
在所述第一缓冲层背离所述第一基板的一侧形成第一透明导电材料层;
在所述第一透明导电材料层背离所述第一缓冲层的一侧形成遮光材料层;
在所述遮光材料层背离所述第一透明导电材料层的一侧形成光刻胶层;
通过半色调掩膜对所述光刻胶层进行曝光、显影,以使第一透明导电层以外位置裸露于所述光刻胶层以外,且位于遮光层位置的光刻胶层厚度大于位于遮光层以外位置的光刻胶层厚度;
对所述遮光材料层、第一透明导电材料层进行第一次刻蚀以形成第一透明导电层;
对所述光刻胶层进行灰化处理,以使遮光层以外位置裸露于所述光刻胶层以外;
对所述遮光材料层进行第二次刻蚀,以形成遮光层。
7.根据权利要求4-6任一项所述的透明显示面板制作方法,其特征在于,所述第一缓冲层、第二缓冲层为透明材料。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-3任一项所述的透明显示面板。
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