KR102080861B1 - 광 감지 회로, 이를 포함하는 광 감지 패널 및 이 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치 - Google Patents

광 감지 회로, 이를 포함하는 광 감지 패널 및 이 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치 Download PDF

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Abstract

광 감지 회로는 광 감지 캐패시터 및 구동 트랜지스터를 포함한다. 광 감지 캐패시터는 광을 감지한다. 구동 트랜지스터는 광 감지 캐패시터에 전기적으로 연결되는 게이트 전극을 포함하고 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생한다. 따라서, 광 감지 캐패시터를 포함하는 표시 장치의 광 감지 정확도 및 광 감지 신호대잡음비(signal to noise ratio, SNR)를 향상시킬 수 있다.

Description

광 감지 회로, 이를 포함하는 광 감지 패널 및 이 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치{LIGHT SENSING CIRCUIT, LIGHT SENSING PANEL AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE LIGHT SENSING PANEL}
본 발명은 광 감지 회로, 이를 포함하는 광 감지 패널 및 이 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광을 감지하는 캐패시터를 포함하는 광 감지 회로, 이를 포함하는 광 감지 패널 및 이 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치와 같은 표시 장치에 포함된 광 센싱 소자는 외부로부터 인가되는 외부광을 센싱한다. 또한, 상기 표시 장치는 상기 광이 센싱된 위치를 상기 표시 장치의 표시 패널에 표시할 수 있다. 따라서, 상기 외부광이 레이저 포인트와 같은 의도적인 외부광일 경우, 상기 광 센싱 소자는 사용자 인터페이스 기능을 수행할 수 있다.
하지만, 상기 광 센싱 소자가 상기 레이저 포인트와 같은 의도적인 외부광뿐만 아니라, 조명 기기 및 태양광과 같은 주변광에 반응하고, 그러므로, 상기 광 센싱 소자는 상기 주변광에 의한 노이즈에 취약하다. 따라서, 상기 광 센싱 소자를 포함하는 상기 표시 장치의 광 센싱 정확도가 감소하는 문제점이 있다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 광 센싱 정확도를 증가시킬 수 있는 광 감지 회로를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 광 감지 회로를 포함하는 광 감지 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 광 감지 회로는 광 감지 캐패시터 및 구동 트랜지스터를 포함한다. 상기 광 감지 캐패시터는 광을 감지한다. 상기 구동 트랜지스터는 상기 광 감지 캐패시터에 전기적으로 연결되는 게이트 전극을 포함하고 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 캐패시터 및 상기 구동 트랜지스터는 영상을 표시하는 표시 패널의 화소에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 회로는 n(n은 자연수)번째 게이트 신호 다음의 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고 상기 구동 트랜지스터의 기준 전압인 구동 기준 전압을 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극으로 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 회로는 상기 제1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극 및 상기 광 감지 캐패시터 사이에 전기적으로 연결된 커플링 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 스위칭 트랜지스터는 상기 광을 감지하는 포토 트랜지스터일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 회로는 상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고 상기 구동 트랜지스터로부터 발생하는 상기 광 감지 전류를 리드 아웃 라인으로 전달하는 제2 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광의 세기가 셀수록 상기 광 감지 캐패시터의 캐패시턴스는 증가할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 광 감지 패널은 광 감지 회로, 게이트 라인들 및 데이터 라인들을 포함한다. 상기 광 감지 회로는 광을 감지하는 광 감지 캐패시터, 상기 광 감지 캐패시터에 전기적으로 연결되는 게이트 전극을 포함하고 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생하는 구동 트랜지스터, 및 n(n은 자연수)번째 게이트 신호 다음의 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고 상기 구동 트랜지스터의 기준 전압인 구동 기준 전압을 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극으로 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터를 포함한다. 상기 게이트 라인들은 상기 n번째 게이트 신호 및 상기 (n+1)번째 게이트 신호를 전달한다. 상기 데이터 라인들은 상기 게이트 라인들과 교차하고 데이터 신호들을 전달한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 패널은 상기 광 감지 전류를 전달하는 리드 아웃 라인을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 회로는 상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고 상기 구동 트랜지스터로부터 발생하는 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인으로 전달하는 제2 스위칭 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 패널은 영상을 표시하는 표시 패널일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 패널은 상기 게이트 라인에 전기적으로 연결된 게이트 전극, 상기 데이터 라인에 전기적으로 연결된 소스 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 전기적으로 연결된 액정 캐패시터 및 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 전기적으로 연결된 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 전원 라인에 전기적으로 연결된 구동 박막 트랜지스터, 상기 구동 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 다이오드 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 전원 라인 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 회로는 상기 제1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극 및 상기 광 감지 캐패시터 사이에 전기적으로 연결된 커플링 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 스위칭 트랜지스터는 상기 광을 감지하는 포토 트랜지스터일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광의 세기가 셀수록 상기 광 감지 캐패시터의 캐패시턴스는 증가할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는 광 감지 패널, 게이트 구동부 및 데이터 구동부를 포함한다. 상기 광 감지 패널은 광을 감지하는 광 감지 캐패시터, 상기 광 감지 캐패시터에 전기적으로 연결되는 게이트 전극을 포함하고 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생하는 구동 트랜지스터 및 n(n은 자연수)번째 게이트 신호 다음의 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고 상기 구동 트랜지스터의 기준 전압인 구동 기준 전압을 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극으로 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터를 포함하는 광 감지 회로, 상기 n번째 게이트 신호 및 상기 (n+1)번째 게이트 신호를 전달하는 게이트 라인들, 및 상기 게이트 라인들과 교차하고 데이터 신호들을 전달하는 데이터 라인들을 포함한다. 상기 게이트 구동부는 상기 게이트 라인에 상기 n번째 게이트 신호 및 상기 (n+1)번째 게이트 신호를 출력한다. 상기 데이터 구동부는 상기 데이터 라인에 상기 데이터 신호들을 출력한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광 감지 패널은 상기 광 감지 전류를 전달하는 리드 아웃 라인을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 표시 장치는 상기 리드 아웃 라인과 연결되고, 상기 광 감지 전류를 수신하여 상기 광 감지 전류에 대응하는 출력 전압을 출력하는 리드 아웃 회로부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 리드 아웃 회로부는 상기 광 감지 전류가 인가되는 반전 단자, 증폭기 기준 전압이 인가되는 비반전 단자 및 상기 출력 전압을 출력하는 출력 단자를 포함하는 증폭기, 상기 증폭기의 상기 반전 단자 및 상기 증폭기의 상기 출력 단자 사이에 전기적으로 연결된 피드백 캐패시터 및 상기 증폭기의 상기 반전 단자 및 상기 증폭기의 상기 출력 단자 사이를 선택적으로 연결하는 스위치를 포함할 수 있다.
이와 같은 광 감지 회로, 이를 포함하는 광 감지 패널 및 이 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치에 따르면, 광을 감지하는 광 감지 캐패시터를 이용하여 레이저 포인터와 같은 의도적인 외부광 대비 기본적인 주변광의 영향을 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 광 감지 캐패시터를 포함하는 표시 장치의 광 감지 정확도 및 광 감지 신호대잡음비(signal to noise ratio, SNR)를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 패널에 포함된 화소를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 2의 광 감지 캐패시터를 구현하는 광 감지 트랜지스터를 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 상기 광 감지 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 캐패시턴스를 나타내는 그래프이다.
도 5a는 상기 광 감지 트랜지스터의 상기 폭/길이가 제1 비율인 경우, 광의 수신 여부에 따른 상기 광 감지 캐패시터의 캐패시턴스 변화 비율을 나타내는 시뮬레이션 그래프이다.
도 5b는 상기 광 감지 트랜지스터의 폭/길이가 상기 제1 비율보다 작은 제2 비율인 경우, 상기 광의 수신 여부에 따른 상기 광 감지 캐패시터의 캐패시턴스 변화 비율을 나타내는 시뮬레이션 그래프이다.
도 6은 도 1의 리드 아웃 회로부를 나타내는 회로도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 8은 광이 상기 화소에 인가되는 경우 및 상기 광이 상기 화소에 인가되지 않는 경우의 도 7에 도시된 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압들을 나타내는 시뮬레이션 그래프들이다.
도 9는 n번째 게이트 라인으로 인가되는 n번째 게이트 신호, (n+1)번째 게이트 라인으로 인가되는 (n+1)번째 게이트 신호, 상기 구동 트랜지스터에 포함된 상기 게이트 전극의 전압 및 상기 리드 아웃 회로부로부터 출력되는 출력 전압을 나타내는 시뮬레이션 그래프들이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 게이트 구동부(120), 데이터 구동부(130), 타이밍 제어부(140) 및 리드 아웃 회로부(150)를 포함한다.
상기 표시 패널(110)은 영상 데이터(DATA)를 기초로 하는 데이터 신호(DS)를 수신하여 영상을 표시한다. 예를 들면, 상기 영상 데이터(DATA)는 2차원 평면 영상 데이터일 수 있다. 이와 달리, 상기 영상 데이터(DATA)는 3차원 입체 영상을 표시하기 위한 좌안 영상 데이터 및 우안 영상 데이터를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(110)은 게이트 라인(GL)들, 데이터 라인(DL)들, 리드 아웃 라인(ROL)들 및 복수의 화소(200)들을 포함한다. 상기 게이트 라인(GL)은 제1 방향(D1)으로 연장하고, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)으로 연장하며, 상기 리드 아웃 라인(ROL)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장한다. 상기 제1 방향(D1)은 상기 표시 패널(110)의 장변과 평행할 수 있고, 상기 제2 방향(D2)은 상기 표시 패널(110)의 단변과 평행할 수 있다.
도 2는 도 1의 상기 표시 패널(110)에 포함된 상기 화소(200)를 나타내는 회로도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 상기 각각의 화소(200)들은 영상 표시 회로부(210) 및 광 감지 회로부(220)를 포함한다.
상기 영상 표시 회로부(210)는 상기 표시 패널(110)에 상기 영상을 표시하는 기능을 수행한다. 구체적으로, 상기 영상 표시 회로부(210)는 상기 게이트 라인(GL)들 중 n(n은 자연수)번째 게이트 라인(GLn) 및 상기 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터(211), 상기 박막 트랜지스터(211)에 연결된 액정 캐패시터(212) 및 스토리지 캐패시터(213)를 포함한다.
상기 광 감지 회로부(220)는 광(LIGHT)을 감지한다. 예를 들면, 상기 광은 레이저 포인터와 같은 의도적인 외부광일 수 있다. 따라서, 상기 광 감지 회로부(220)가 형성된 상기 화소(200)를 포함하는 상기 표시 패널(110)은 광 감지 패널일 수 있다. 상기 광 감지 회로부(220)는 제1 스위칭 트랜지스터(221), 구동 트랜지스터(222), 제2 스위칭 트랜지스터(223), 커플링 캐패시터(224) 및 광 감지 캐패시터(225)를 포함한다.
상기 제1 스위칭 트랜지스터(221)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn) 다음의(n+1)번째 게이트 라인(GL(n+1))으로 인가되는 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고, 상기 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(222)의 기준 전압인 구동 기준 전압(Vdref)을 상기 구동 트랜지스터(222)의 게이트 전극으로 전달한다. 구체적으로, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(221)는 상기 (n+1)번째 게이트 라인(GL(n+1))에 전기적으로 연결된 게이트 전극, 상기 구동 기준 전압(Vdref)을 수신하는 소스 전극 및 상기 구동 트랜지스터(222)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다.
상기 구동 트랜지스터(222)는 상기 구동 트랜지스터(222)의 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생한다. 구체적으로, 상기 구동 트랜지스터(222)는 상기 제1 스위칭 트랜지스터(221), 상기 커플링 캐패시터(224) 및 상기 광 감지 캐패시터(225)에 전기적으로 연결된 상기 게이트 전극, 소스 전압(Vsource)을 수신하는 소스 전극 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터(223)에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다.
상기 제2 스위칭 트랜지스터(223)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 인가되는 n번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고, 상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(222)로부터 발생한 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로 전달한다. 구체적으로, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(223)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 전기적으로 연결된 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터(222)에 전기적으로 연결된 소스 전극 및 상기 리드 아웃 라인(ROL)에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다.
상기 커플링 캐패시터(224)는 상기 제1 스위칭 트랜지스터(221)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 구동 트랜지스터(222)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다. 상기 커플링 캐패시터(224)는 킥백 전압을 발생한다.
상기 광 감지 캐패시터(225)는 상기 광(LIGHT)을 감지한다. 즉, 상기 광 감지 캐패시터(225)의 캐패시턴스는 상기 광(LIGHT)의 세기가 셀수록 증가한다. 상기 광 감지 캐패시터(225)는 상기 구동 트랜지스터(222)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 구동 트랜지스터(222)의 상기 소스 전극에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다.
도 3은 도 2의 상기 광 감지 캐패시터(225)를 구현하는 광 감지 트랜지스터를 나타내는 회로도이다.
도 2 내지 3을 참조하면, 상기 광 감지 캐패시터(225)는 상기 광 감지 트랜지스터(226)에 구현될 수 있다. 예를 들면, 상기 광 감지 트랜지스터(226)는 아몰퍼스 실리콘 트랜지스터일 수 있다. 상기 광 감지 트랜지스터(226)는 게이트 전압(Vg)을 수신하는 게이트 전극을 포함한다. 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 상기 게이트 전극에 음(negative)의 전압을 인가하고 상기 광 감지 트랜지스터(226)에 상기 광(LIGHT)을 인가하면, 상기 광 감지 트랜지스터(226)에는 홀(hole)과 같은 캐리어가 생성되고 상기 캐리어는 게이트 절연층 계면에 모인다. 상기 캐리어의 생성 속도는 상기 광(LIGHT)의 세기에 비례하여 증가한다.
도 4는 도 3에 도시된 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 상기 게이트 전압(Vg)에 따른 캐패시턴스를 나타내는 그래프이다.
도 3 및 4를 참조하면, 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 상기 게이트 전극에 인가되는 상기 게이트 전압(Vg)이 음(negative)의 전압이면, 상기 광 감지 트랜지스터(226)에 상기 광(LIGHT)이 인가되는 경우의 캐패시턴스가 상기 광 감지 트랜지스터(226)에 상기 광(LIGHT)이 인가되지 않는 경우의 캐패시턴스보다 높다.
도 2의 상기 광 감지 회로부(220)의 작동은 다음과 같다.
상기 다음 게이트 라인(GL(n+1))으로 인가되는 상기 다음 게이트 신호의 활성화에 응답하여 상기 제1 구동 트랜지스터(221)는 상기 구동 기준 전압(Vdref)을 상기 구동 트랜지스터(222)의 상기 게이트 전압으로 전달한다.
상기 다음 게이트 신호가 비활성화되면, 상기 커플링 캐패시터(224) 및 상기광 감지 캐패시터(225)에 의해 상기 킥백 전압이 발생한다.
상기 광 감지 캐패시터(225)가 상기 광(LIGHT)을 수신하는 경우의 상기 킥백 전압은 하기 수학식 1에 의해 산출될 수 있고, 상기 광 감지 캐패시터(225)가 상기 광(LIGHT)을 수신하지 않는 경우의 상기 킥백 전압은 하기 수학식 2에 의해 산출될 수 있다.
[수학식 1]
Figure 112013071027252-pat00001
[수학식 2]
Figure 112013071027252-pat00002
여기서, Vkb는 상기 킥백 전압을 나타내고, Cp는 상기 커플링 캐패시터(224)의 캐패시턴스, Cmin은 상기 광 감지 캐패시터(225)의 최소 캐패시턴스, 상기 ΔC는 상기 광 감지 캐패시터(225)의 캐패시턴스 변화량, 상기 ΔVg는 상기 (n+1)번째 게이트 신호의 전압 변화량을 나타낸다.
상기 수학식 1 및 상기 수학식 2를 참조하면, 상기 광 감지 캐패시터(225)가 상기 광(LIGHT)을 수신하는 경우의 상기 킥백 전압이 상기 광 감지 캐패시터(225)가 상기 광(LIGHT)을 수신하지 않는 경우의 상기 킥백 전압보다 작다. 그러므로, 상기 광 감지 캐패시터(225)가 상기 광(LIGHT)을 수신하는 경우의 상기 구동 트랜지스터(222)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압이 상기 광 감지 캐패시터(225)가 상기 광(LIGHT)을 수신하지 않는 경우의 상기 구동 트랜지스터(222)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압보다 높다. 따라서, 상기 구동 트랜지스터(222)가 발생하는 상기 광 감지 전류의 크기는 상기 광(LIGHT)의 세기에 따라 증가한다.
상기 광 감지 캐패시터(225)의 상기 최소 캐패시턴스는 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 폭에 비례한다. 따라서, 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 폭/길이의 비율이 작을수록 상기 광(LIGHT)의 수신 여부에 따른 상기 광 감지 캐패시터(225)의 캐패시턴스 변화 비율은 증가한다.
도 5a는 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 상기 폭/길이가 제1 비율인 경우, 상기 광(LIGHT)의 수신 여부에 따른 상기 광 감지 캐패시터(225)의 캐패시턴스 변화 비율을 나타내는 시뮬레이션 그래프이고, 도 5b는 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 폭/길이가 상기 제1 비율보다 작은 제2 비율인 경우, 상기 광(LIGHT)의 수신 여부에 따른 상기 광 감지 캐패시터(225)의 캐패시턴스 변화 비율을 나타내는 시뮬레이션 그래프이다.
도 5a 및 5b를 참조하면, 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 상기 폭/길이가 상기 제1 비율의 50/4.5인 경우에는 상기 광(LIGHT)의 수신 여부에 따른 상기 광 감지 캐패시터(225)의 캐패시턴스 변화 비율은 최대 약 1.28이었고, 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 상기 폭/길이가 상기 제2 비율의 10/11인 경우에는 상기 광(LIGHT)의 수신 여부에 따른 상기 광 감지 캐패시터(225)의 캐패시턴스 변화 비율은 최대 약 1.56이었다. 따라서, 상기 광 감지 트랜지스터(226)의 폭/길이의 비율이 작을수록 상기 광(LIGHT)의 수신 여부에 따른 상기 광 감지 캐패시터(225)의 캐패시턴스 변화 비율은 증가한다.
다시 도 2를 참조하면, 프레임 구간이 지난 후에 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 인가되는 상기 n번째 게이트 신호가 활성화되면, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(223)는 상기 n번째 게이트 신호의 활성화에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(222)로부터 발생하는 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로 전달한다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 게이트 구동부(120)는 상기 타이밍 제어부(140)로부터 제공되는 게이트 시작 신호(STV) 및 게이트 클럭 신호(CPV1)에 응답하여 게이트 신호(GS)를 생성하고, 상기 게이트 신호(GS)를 상기 게이트 라인(GL)으로 출력한다.
상기 데이터 구동부(130)는 상기 타이밍 제어부(140)로부터 제공되는 데이터 시작 신호(STH) 및 데이터 클럭 신호(CPV2)에 응답하여, 상기 영상 데이터(DATA)를 기초로 하는 상기 데이터 신호(DS)를 상기 데이터 라인(DL)으로 출력한다.
상기 타이밍 제어부(140)는 외부로부터 상기 영상 데이터(DATA) 및 제어 신호(CON)를 수신한다. 상기 제어 신호(CON)는 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync) 및 클럭 신호(CLK)를 포함할 수 있다. 상기 타이밍 제어부(140)는 상기 수평 동기 신호(Hsync)를 이용하여 상기 데이터 시작 신호(STH)를 생성한 후 상기 데이터 시작 신호(STH)를 상기 데이터 구동부(130)로 출력한다. 또한, 상기 타이밍 제어부(140)는 상기 수직 동기 신호(Vsync)를 이용하여 상기 게이트 시작 신호(STV)를 생성한 후 상기 게이트 시작 신호(STV)를 상기 게이트 구동부(120)로 출력한다. 또한, 상기 타이밍 제어부(140)는 상기 클럭 신호(CLK)를 이용하여 상기 게이트 클럭 신호(CPV1) 및 상기 데이터 클럭 신호(CPV2)를 생성한 후, 상기 게이트 클럭 신호(CPV1)를 상기 게이트 구동부(120)로 출력하고, 상기 데이터 클럭 신호(CPV2)를 상기 데이터 구동부(130)로 출력한다. 또한, 상기 타이밍 제어부(140)는 상기 리드 아웃 회로부(150)를 제어하는 리드 아웃 제어 신호(ROC)를 상기 리드 아웃 회로부(150)로 더 출력할 수 있다. 상기 리드 아웃 제어 신호(ROC)는 상기 리드 아웃 회로부(150)의 구동 타이밍을 제어할 수 있다.
상기 리드 아웃 회로부(150)는 상기 리드 아웃 라인(ROL)과 연결되고, 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로부터 전달되는 상기 광 감지 전류를 수신하여 상기 광 감지 전류에 대응하는 출력 전압을 출력한다.
도 6은 도 1의 상기 리드 아웃 회로부(150)를 나타내는 회로도이다.
도 1 및 6을 참조하면, 상기 리드 아웃 회로부(150)는 증폭기(151), 피드백 캐패시터(152) 및 스위치(153)를 포함한다.
상기 증폭기(151)는 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로부터 전달되는 상기 광 감지 전류(Isense)를 수신하는 반전 단자, 증폭기 기준 전압(Varef)을 수신하는 비반전 단자, 및 상기 광 감지 전류(Isense)에 상응하는 상기 출력 전압(Vout)을 출력하는 출력 단자를 포함한다.
상기 피드백 캐패시터(152)는 상기 증폭기(151)의 상기 반전 단자 및 상기 증폭기(151)의 상기 출력 단자 사이에 전기적으로 연결된다.
상기 스위치(153)는 상기 증폭기(151)의 상기 반전 단자 및 상기 증폭기(151)의 상기 출력 단자 사이를 선택적으로 연결한다. 예를 들면, 상기 스위치(153)는 상기 타이밍 제어부(140)로부터 수신되는 상기 리드 아웃 제어 신호(ROC)에 응답하여 상기 증폭기(151)의 상기 반전 단자 및 상기 증폭기(151)의 상기 출력 단자 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 광 감지 캐패시터(225)를 이용하여 상기 광(LIGHT)을 감지하므로, 상기 레이저 포인터와 같은 상기 의도적인 외부광 대비 기본적인 주변광의 영향을 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 광 감지 캐패시터(225)를 포함하는 상기 표시 장치(100)의 광 감지 정확도 및 광 감지 신호대잡음비(signal to noise ratio, SNR)를 향상시킬 수 있다.
실시예 2
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
본 실시예에 따른 상기 화소(300)는 이전의 실시예에 따른 도 1에 도시된 상기 표시 장치(100)의 상기 표시 패널(110)에 포함될 수 있고, 도 2의 상기 화소(200)와 비교하여 상기 광 감지 회로부(220)를 제외하고는 도 2의 상기 화소(200)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 1 및 2와 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 화소(300)는 상기 영상 표시 회로부(210) 및 광 감지 회로부(320)를 포함한다.
상기 영상 표시 회로부(210)는 상기 표시 패널(110)에 상기 영상을 표시하는 기능을 수행한다. 구체적으로, 상기 영상 표시 회로부(210)는 상기 게이트 라인(GL)들 중 상기 n(n은 자연수)번째 게이트 라인(GLn) 및 상기 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된 상기 박막 트랜지스터(211), 상기 박막 트랜지스터(211)에 연결된 상기 액정 캐패시터(212) 및 상기 스토리지 캐패시터(213)를 포함한다.
상기 광 감지 회로부(320)는 광(LIGHT)을 감지한다. 예를 들면, 상기 광은 레이저 포인터와 같은 의도적인 외부광일 수 있다. 상기 광 감지 회로부(320)는 제1 스위칭 트랜지스터(321), 구동 트랜지스터(322), 제2 스위칭 트랜지스터(323), 커플링 캐패시터(324) 및 광 감지 캐패시터(325)를 포함한다.
상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn) 다음의 상기 (n+1)번째 게이트 라인(GL(n+1))으로 인가되는 상기 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고, 상기 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(322)의 기준 전압인 구동 기준 전압(Vdref)을 상기 구동 트랜지스터(322)의 게이트 전극으로 전달한다. 구체적으로, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 상기 (n+1)번째 게이트 라인(GL(n+1))에 전기적으로 연결된 게이트 전극, 상기 구동 기준 전압(Vdref)을 수신하는 소스 전극 및 상기 구동 트랜지스터(322)의 게이트 전극에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다. 또한, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 상기 광(LIGHT)을 감지하여 포토 전류를 발생한다. 즉, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 포토 트랜지스터일 수 있다.
상기 구동 트랜지스터(322)는 상기 구동 트랜지스터(222)의 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생한다. 구체적으로, 상기 구동 트랜지스터(322)는 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321), 상기 커플링 캐패시터(324) 및 상기 광 감지 캐패시터(325)에 전기적으로 연결된 상기 게이트 전극, 소스 전압(Vsource)을 수신하는 소스 전극 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다.
상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 인가되는 상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고, 상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(322)로부터 발생한 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로 전달한다. 구체적으로, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 전기적으로 연결된 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터(322)에 전기적으로 연결된 소스 전극 및 상기 리드 아웃 라인(ROL)에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다.
상기 커플링 캐패시터(324)는 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다. 상기 커플링 캐패시터(324)는 킥백 전압을 발생한다.
상기 광 감지 캐패시터(325)는 상기 광(LIGHT)을 감지한다. 즉, 상기 광 감지 캐패시터(325)의 캐패시턴스는 상기 광(LIGHT)의 세기가 셀수록 증가한다. 상기 광 감지 캐패시터(325)는 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 소스 전극에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다.
도 7의 상기 광 감지 회로부(320)의 작동은 다음과 같다.
상기 다음 게이트 라인(GL(n+1))으로 인가되는 상기 다음 게이트 신호의 활성화에 응답하여 상기 제1 구동 트랜지스터(321)는 상기 구동 기준 전압(Vdref)을 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전압으로 전달한다.
상기 다음 게이트 신호가 비활성화되면, 상기 커플링 캐패시터(324) 및 상기광 감지 캐패시터(325)에 의해 상기 킥백 전압이 발생한다. 상기 킥백 전압은 상기 수학식 1 및 상기 수학식 2에 의해 산출될 수 있다. 즉, 상기 광 감지 캐패시터(325)가 상기 광(LIGHT)을 수신하는 경우의 상기 킥백 전압이 상기 광 감지 캐패시터(325)가 상기 광(LIGHT)을 수신하지 않는 경우의 상기 킥백 전압보다 작다. 그러므로, 상기 광 감지 캐패시터(325)가 상기 광(LIGHT)을 수신하는 경우의 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압이 상기 광 감지 캐패시터(325)가 상기 광(LIGHT)을 수신하지 않는 경우의 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압보다 높다. 또한, 상기 프레임 구간 동안 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 상기 광(LIGHT)을 감지하여 상기 포토 전류를 발생하며, 따라서, 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압이 상승한다. 따라서, 상기 구동 트랜지스터(322)가 발생하는 상기 광 감지 전류의 크기는 상기 광(LIGHT)의 세기에 따라 증가한다.
상기 프레임 구간이 지난 후에 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 인가되는 상기 n번째 게이트 신호가 활성화되면, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)는 상기 n번째 게이트 신호의 활성화에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(322)로부터 발생하는 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로 전달한다.
상기 리드 아웃 회로부(150)는 상기 리드 아웃 라인(ROL)과 연결되고, 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로부터 전달되는 상기 광 감지 전류를 수신하여 상기 광 감지 전류에 대응하는 출력 전압을 출력한다.
도 8은 상기 광(LIGHT)이 상기 화소(300)에 인가되는 경우 및 상기 광(LIGHT)이 상기 화소(300)에 인가되지 않는 경우의 도 7에 도시된 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전극의 전압들을 나타내는 시뮬레이션 그래프들이다.
도 7 및 8을 참조하면, 시뮬레이션 조건은 다음과 같다.
상기 구동 기준 전압은 3 V(volt)이었고, 상기 소스 전압은 -3 V(volt)이었으며, 상기 증폭기 기준 전압은 1.2 V(volt)이었고, 상기 커플링 캐패시터(324)의 캐패시턴스는 0.08 pf(pico farad)이었으며, 상기 피드백 캐패시터(152)의 캐패시턴스는 0.2 pf(pico farad)이었고, 상기 증폭기(151)의 폭/길이 비율은 20/45 이었으며, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)의 폭/길이 비율은 20/45 이었고, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)의 폭/길이 비율은 20/45 이었으며, 상기 광 감지 캐패시터(325)의 폭/길이 비율은 70/13 이었고, 상기 광(LIGHT)이 인가될 때의 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)의 포토 전류는 100 pA(pico ampere)이었으며, 상기 광(LIGHT)이 인가되지 않을 때의 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)의 포토 전류는 10 pA(pico ampere)이었다.
상기 광(LIGHT)의 인가에 따라 상기 광 감지 트랜지스터(325)로 인한 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전극의 전압 변화는 약 2.8 V(volt)이었다. 또한, 상기 광(LIGHT)의 인가에 따라 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)에서 발생하는 상기 포토 전류에 의한 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전극의 전압 변화는 약 2.2 V(volt)이었다. 그러므로, 상기 광(LIGHT)의 인가에 따라 상기 광 감지 트랜지스터(325) 및 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)로 인한 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전극의 전압 변화는 약 5.0 V(volt)이었다.
도 9는 상기 n번째 게이트 라인(GLn)으로 인가되는 상기 n번째 게이트 신호, 상기 (n+1)번째 게이트 라인(GL(n+1))으로 인가되는 상기 (n+1)번째 게이트 신호, 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압 및 상기 리드 아웃 회로부(150)로부터 출력되는 상기 출력 전압(Vout)을 나타내는 시뮬레이션 그래프들이다.
도 1, 7 및 9를 참조하면, 시뮬레이션 조건은 도 8의 경우와 다음과 같다. 구체적으로, 상기 구동 기준 전압은 3 V(volt)이었고, 상기 소스 전압은 -3 V(volt)이었으며, 상기 증폭기 기준 전압은 1.2 V(volt)이었고, 상기 커플링 캐패시터(324)의 캐패시턴스는 0.08 pf(pico farad)이었으며, 상기 피드백 캐패시터(152)의 캐패시턴스는 0.2 pf(pico farad)이었고, 상기 증폭기(151)의 폭/길이 비율은 20/45 이었으며, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)의 폭/길이 비율은 20/45 이었고, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)의 폭/길이 비율은 20/45 이었으며, 상기 광 감지 캐패시터(325)의 폭/길이 비율은 70/13 이었고, 상기 광(LIGHT)이 인가될 때의 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)의 포토 전류는 100 pA(pico ampere)이었으며, 상기 광(LIGHT)이 인가되지 않을 때의 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)의 포토 전류는 10 pA(pico ampere)이었다.
상기 (n+1)번째 게이트 신호(G[n+1])에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압은 증가한다. 구체적으로, 상기 화소(300)에 상기 광(LIGHT)이 인가되는 경우의 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압은 상기 화소(300)에 상기 광(LIGHT)이 인가되지 않는 경우의 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압보다 높다.
상기 n번째 게이트 신호(G[n])에 응답하여 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)는 상기 구동 트랜지스터(322)로부터 발생하는 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로 전달하고, 상기 리드 아웃 구동부(150)는 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로 전달되는 상기 광 감지 전류에 상응하는 상기 출력 전압(Vout)을 출력한다.
상기 화소(300)에 상기 광(LIGHT)이 인가되는 경우의 상기 광 감지 전류의 값이 상기 화소(300)에 상기 광(LIGHT)이 인가되지 않는 경우의 상기 광 감지 전류의 값보다 크다. 그러므로, 상기 화소(300)에 상기 광(LIGHT)이 인가되는 경우의 상기 출력 전압(Vout)이 상기 화소(300)에 상기 광(LIGHT)이 인가되지 않는 경우의 상기 출력 전압(Vout)보다 크다. 상기 광(LIGHT)이 상기 화소(300)에 인가되는지 여부에 따른 상기 출력 전압(Vout)의 변화는 약 1.26 V(volt)이었다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321) 보다 광 감지에 민감한 상기 광 감지 캐패시터(325)를 이용하여 상기 광(LIGHT)을 감지하므로, 상기 레이저 포인터와 같은 상기 의도적인 외부광 대비 기본적인 주변광의 영향을 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 광 감지 캐패시터(325)를 포함하는 상기 표시 장치(100)의 광 감지 정확도 및 광 감지 신호대잡음비(signal to noise ratio, SNR)를 향상시킬 수 있다.
실시예 3
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
본 실시예에 따른 상기 화소(400)는 이전의 실시예에 따른 도 7의 상기 화소(300)와 비교하여 상기 영상 표시 회로부(210)를 제외하고는 도 7의 상기 화소(300)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 7과 동일한 부재는 동일한 참조 부호로 나타내고, 중복되는 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 화소(400)는 영상 표시 회로부(410) 및 상기 광 감지 회로부(320)를 포함한다.
상기 영상 표시 회로부(410)는 영상을 표시하는 기능을 수행한다. 구체적으로, 상기 영상 표시 회로부(410)는 n(n은 자연수)번째 게이트 라인(GLn) 및 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된 스위칭 박막 트랜지스터(411), 상기 스위칭 박막 트랜지스터(411) 및 전원 라인(VL) 사이에 연결된 구동 박막 트랜지스터(412), 상기 스위칭 박막 트랜지스터(411) 및 상기 전원 라인(VL) 사이에 연결된 스토리지 캐패시터(414), 및 상기 구동 박막 트랜지스터(412)에 연결된 유기 발광 다이오드(413)를 포함한다. 따라서, 상기 화소(400)를 포함하는 표시 패널은 유기 전기 발광 표시 패널일 수 있고, 상기 화소(400)를 포함하는 표시 장치는 유기 전기 발광 표시 장치일 수 있다.
상기 광 감지 회로부(320)는 광(LIGHT)을 감지한다. 예를 들면, 상기 광은 레이저 포인터와 같은 의도적인 외부광일 수 있다. 상기 광 감지 회로부(320)는 제1 스위칭 트랜지스터(321), 구동 트랜지스터(322), 제2 스위칭 트랜지스터(323), 커플링 캐패시터(324) 및 광 감지 캐패시터(325)를 포함한다.
상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn) 다음의 상기 (n+1)번째 게이트 라인(GL(n+1))으로 인가되는 상기 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고, 상기 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(322)의 기준 전압인 상기 구동 기준 전압(Vdref)을 상기 구동 트랜지스터(322)의 게이트 전극으로 전달한다. 구체적으로, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 상기 (n+1)번째 게이트 라인(GL(n+1))에 전기적으로 연결된 게이트 전극, 상기 구동 기준 전압(Vdref)을 수신하는 소스 전극 및 상기 구동 트랜지스터(322)의 게이트 전극에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다. 또한, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 상기 광(LIGHT)을 감지하여 포토 전류를 발생한다. 즉, 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 포토 트랜지스터일 수 있다.
상기 구동 트랜지스터(322)는 상기 구동 트랜지스터(222)의 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생한다. 구체적으로, 상기 구동 트랜지스터(322)는 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321), 상기 커플링 캐패시터(324) 및 상기 광 감지 캐패시터(325)에 전기적으로 연결된 상기 게이트 전극, 소스 전압(Vsource)을 수신하는 소스 전극 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다.
상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 인가되는 상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고, 상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(322)로부터 발생한 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로 전달한다. 구체적으로, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)는 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 전기적으로 연결된 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터(322)에 전기적으로 연결된 소스 전극 및 상기 리드 아웃 라인(ROL)에 전기적으로 연결된 드레인 전극을 포함한다.
상기 커플링 캐패시터(324)는 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다. 상기 커플링 캐패시터(324)는 킥백 전압을 발생한다.
상기 광 감지 캐패시터(325)는 상기 광(LIGHT)을 감지한다. 즉, 상기 광 감지 캐패시터(325)의 캐패시턴스는 상기 광(LIGHT)의 세기가 셀수록 증가한다. 상기 광 감지 캐패시터(325)는 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전극에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 소스 전극에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함한다.
도 10의 상기 광 감지 회로부(320)의 작동은 다음과 같다.
상기 다음 게이트 라인(GL(n+1))으로 인가되는 상기 다음 게이트 신호의 활성화에 응답하여 상기 제1 구동 트랜지스터(321)는 상기 구동 기준 전압(Vdref)을 상기 구동 트랜지스터(322)의 상기 게이트 전압으로 전달한다.
상기 다음 게이트 신호가 비활성화되면, 상기 커플링 캐패시터(324) 및 상기광 감지 캐패시터(325)에 의해 상기 킥백 전압이 발생한다. 상기 킥백 전압은 상기 수학식 1 및 상기 수학식 2에 의해 산출될 수 있다. 즉, 상기 광 감지 캐패시터(325)가 상기 광(LIGHT)을 수신하는 경우의 상기 킥백 전압이 상기 광 감지 캐패시터(325)가 상기 광(LIGHT)을 수신하지 않는 경우의 상기 킥백 전압보다 작다. 그러므로, 상기 광 감지 캐패시터(325)가 상기 광(LIGHT)을 수신하는 경우의 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압이 상기 광 감지 캐패시터(325)가 상기 광(LIGHT)을 수신하지 않는 경우의 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압보다 높다. 또한, 상기 프레임 구간 동안 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321)는 상기 광(LIGHT)을 감지하여 상기 포토 전류를 발생하며, 따라서, 상기 구동 트랜지스터(322)에 포함된 상기 게이트 전극의 전압이 상승한다. 따라서, 상기 구동 트랜지스터(322)가 발생하는 상기 광 감지 전류의 크기는 상기 광(LIGHT)의 세기에 따라 증가한다.
상기 프레임 구간이 지난 후에 상기 n번째 게이트 라인(GLn)에 인가되는 상기 n번째 게이트 신호가 활성화되면, 상기 제2 스위칭 트랜지스터(323)는 상기 n번째 게이트 신호의 활성화에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(322)로부터 발생하는 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로 전달한다.
상기 리드 아웃 회로부(150)는 상기 리드 아웃 라인(ROL)과 연결되고, 상기 리드 아웃 라인(ROL)으로부터 전달되는 상기 광 감지 전류를 수신하여 상기 광 감지 전류에 대응하는 출력 전압을 출력한다.
본 실시예에 따르면, 상기 유기 발광 다이오드(413)를 포함하는 상기 화소(400)에서 상기 제1 스위칭 트랜지스터(321) 보다 광 감지에 민감한 상기 광 감지 캐패시터(325)를 이용하여 상기 광(LIGHT)을 감지하므로, 상기 레이저 포인터와 같은 상기 의도적인 외부광 대비 기본적인 주변광의 영향을 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 광 감지 캐패시터(325)를 포함하는 상기 유기 전기 발광 표시 장치의 광 감지 정확도 및 광 감지 신호대잡음비(signal to noise ratio, SNR)를 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 광 감지 회로, 이를 포함하는 광 감지 패널 및 이 광 감지 패널을 포함하는 표시 장치에 의하면, 광을 감지하는 광 감지 캐패시터를 이용하여 레이저 포인터와 같은 의도적인 외부광 대비 기본적인 주변광의 영향을 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 광 감지 캐패시터를 포함하는 표시 장치의 광 감지 정확도 및 광 감지 신호대잡음비(signal to noise ratio, SNR)를 향상시킬 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 표시 장치 110: 표시 패널
120: 게이트 구동부 130: 데이터 구동부
140: 타이밍 제어부 150: 리드 아웃 회로부
200, 300, 400: 화소 210, 410: 영상 표시 회로부
220, 320: 광 감지 회로부

Claims (20)

  1. 광을 감지하는 광 감지 캐패시터; 및
    상기 광 감지 캐패시터에 전기적으로 연결되는 게이트 전극을 포함하고 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생하는 구동 트랜지스터를 포함하고,
    n(n은 자연수)번째 게이트 신호 다음의 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고, 상기 구동 트랜지스터의 기준 전압인 구동 기준 전압을 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극으로 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터를 더 포함하며,
    상기 제1 스위칭 트랜지스터는 상기 광을 감지하는 포토 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 광 감지 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광 감지 캐패시터 및 상기 구동 트랜지스터는 영상을 표시하는 표시 패널의 화소에 형성되는 것을 특징으로 하는 광 감지 회로.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극 및 상기 광 감지 캐패시터 사이에 전기적으로 연결된 커플링 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 회로.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고, 상기 구동 트랜지스터로부터 발생하는 상기 광 감지 전류를 리드 아웃 라인으로 전달하는 제2 스위칭 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 광의 세기가 셀수록 상기 광 감지 캐패시터의 캐패시턴스는 증가하는 것을 특징으로 하는 광 감지 회로.
  8. 광을 감지하는 광 감지 캐패시터, 상기 광 감지 캐패시터에 전기적으로 연결되는 게이트 전극을 포함하고 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생하는 구동 트랜지스터, 및 n(n은 자연수)번째 게이트 신호 다음의 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고 상기 구동 트랜지스터의 기준 전압인 구동 기준 전압을 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극으로 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터를 포함하는 광 감지 회로;
    상기 n번째 게이트 신호 및 상기 (n+1)번째 게이트 신호를 전달하는 게이트 라인들; 및
    상기 게이트 라인들과 교차하고 데이터 신호들을 전달하는 데이터 라인들을 포함하고,
    상기 제1 스위칭 트랜지스터는 상기 광을 감지하는 포토 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 광 감지 패널.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 광 감지 전류를 전달하는 리드 아웃 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 패널.
  10. 제9항에 있어서, 상기 광 감지 회로는,
    상기 n번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고 상기 구동 트랜지스터로부터 발생하는 상기 광 감지 전류를 상기 리드 아웃 라인으로 전달하는 제2 스위칭 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 패널.
  11. 제8항에 있어서, 상기 광 감지 패널은 영상을 표시하는 표시 패널인 것을 특징으로 하는 광 감지 패널.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 게이트 라인에 전기적으로 연결된 게이트 전극, 상기 데이터 라인에 전기적으로 연결된 소스 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 전기적으로 연결된 액정 캐패시터; 및
    상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 패널.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인에 전기적으로 연결된 스위칭 박막 트랜지스터;
    상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 전원 라인에 전기적으로 연결된 구동 박막 트랜지스터;
    상기 구동 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 다이오드; 및
    상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 전원 라인 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 패널.
  14. 제8항에 있어서, 상기 광 감지 회로는,
    상기 제1 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극, 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극 및 상기 광 감지 캐패시터 사이에 전기적으로 연결된 커플링 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감지 패널.
  15. 삭제
  16. 제8항에 있어서, 상기 광의 세기가 셀수록 상기 광 감지 캐패시터의 캐패시턴스는 증가하는 것을 특징으로 하는 광 감지 패널.
  17. 광을 감지하는 광 감지 캐패시터, 상기 광 감지 캐패시터에 전기적으로 연결되는 게이트 전극을 포함하고 상기 게이트 전극의 전압에 따라 광 감지 전류를 발생하는 구동 트랜지스터, 및 n(n은 자연수)번째 게이트 신호 다음의 (n+1)번째 게이트 신호에 응답하여 구동하고 상기 구동 트랜지스터의 기준 전압인 구동 기준 전압을 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극으로 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터를 포함하는 광 감지 회로, 상기 n번째 게이트 신호 및 상기 (n+1)번째 게이트 신호를 전달하는 게이트 라인들, 및 상기 게이트 라인들과 교차하고 데이터 신호들을 전달하는 데이터 라인들을 포함하는 광 감지 패널;
    상기 게이트 라인에 상기 n번째 게이트 신호 및 상기 (n+1)번째 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동부; 및
    상기 데이터 라인에 상기 데이터 신호들을 출력하는 데이터 구동부를 포함하고,
    상기 제1 스위칭 트랜지스터는 상기 광을 감지하는 포토 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 광 감지 패널은 상기 광 감지 전류를 전달하는 리드 아웃 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 리드 아웃 라인과 연결되고, 상기 광 감지 전류를 수신하여 상기 광 감지 전류에 대응하는 출력 전압을 출력하는 리드 아웃 회로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 리드 아웃 회로부는,
    상기 광 감지 전류가 인가되는 반전 단자, 증폭기 기준 전압이 인가되는 비반전 단자, 및 상기 출력 전압을 출력하는 출력 단자를 포함하는 증폭기;
    상기 증폭기의 상기 반전 단자 및 상기 증폭기의 상기 출력 단자 사이에 전기적으로 연결된 피드백 캐패시터; 및
    상기 증폭기의 상기 반전 단자 및 상기 증폭기의 상기 출력 단자 사이를 선택적으로 연결하는 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102300405B1 (ko) * 2015-04-30 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106020542B (zh) * 2016-05-19 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、基板、显示面板及电子设备
CN109742113B (zh) 2019-01-08 2020-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及相关装置
TWI699516B (zh) * 2019-07-31 2020-07-21 友達光電股份有限公司 光學感測電路與應用其之判斷光線顏色的方法
US11315514B2 (en) 2020-09-03 2022-04-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Driver circuit and driving method thereof
CN112071277A (zh) * 2020-09-03 2020-12-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种驱动电路及其驱动方法
CN114582294B (zh) * 2020-11-30 2023-08-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置和医疗设备
CN113140172A (zh) * 2021-04-08 2021-07-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 电荷侦测电路、其侦测方法及显示面板
CN113629084B (zh) * 2021-07-20 2022-09-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100983524B1 (ko) 2003-12-01 2010-09-24 삼성전자주식회사 광감지 패널과, 이를 갖는 광감지 장치 및 이의 구동 방법
KR100815243B1 (ko) 2006-08-04 2008-03-19 한국과학기술원 Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 단위 픽셀
KR100744119B1 (ko) 2005-12-24 2007-08-01 삼성전자주식회사 부스팅 커패시터를 갖는 픽셀 회로, 그 픽셀 회로의 구동방법 및 그 픽셀 회로를 구비하는 이미지 센서
KR20080041912A (ko) 2006-11-08 2008-05-14 삼성전자주식회사 감도 제어가 가능한 씨모스 이미지 센서의 픽셀 회로
KR100891804B1 (ko) 2007-09-21 2009-04-07 삼성전기주식회사 씨모스 이미지 센서
JP2009231643A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Casio Comput Co Ltd 光感知素子及びフォトセンサ並びに表示装置
KR100952111B1 (ko) 2008-03-31 2010-04-13 한양대학교 산학협력단 광 감지 기능을 가지는 유기발광다이오드(ｏｌｅｄ)의 화소회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR101462149B1 (ko) * 2008-05-22 2014-12-04 삼성디스플레이 주식회사 터치센서, 이를 갖는 액정표시패널 및 터치센서의 센싱방법
KR100958643B1 (ko) * 2008-10-17 2010-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법
JP5464583B2 (ja) * 2009-11-27 2014-04-09 株式会社ジャパンディスプレイ センサ装置、センサ素子の駆動方法、入力機能付き表示装置および電子機器
KR101168319B1 (ko) 2009-12-30 2012-07-25 에스케이하이닉스 주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 이의 픽셀
KR101782585B1 (ko) 2011-08-03 2017-09-28 삼성디스플레이 주식회사 광 감지 패널 및 이를 갖는 표시장치
KR101799523B1 (ko) 2011-08-29 2017-11-21 삼성전자 주식회사 리모트 센싱과 터치 센싱이 가능한 광터치 스크린 장치
TWI448950B (zh) * 2011-10-20 2014-08-11 Au Optronics Corp 自調式光感觸控電路及其顯示裝置

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