CN117475486A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括基板、驱动电路层、发光器件层及感测器件层。感测器件层设于驱动电路层和基板之间，遮光层设于驱动电路层远离基板的一侧，发光器件层设于遮光层和驱动电路层之间。驱动电路层包括多个像素驱动单元，发光器件层包括与多个像素驱动电路电性连接的发光器件，感测器件层包括与多个发光器件间隔设置的多个光感单元。通过将感测器件层设置在驱动电路层和基板之间，以增大光感单元至指纹的距离，降低光感单元接收到杂散光，继而降低杂散光对用于实现指纹识别的光线的干扰，提升指纹识别灵敏度。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

在实现指纹识别时，不仅用于实现指纹识别的光线被光敏器件接收到，一些不被用于实现指纹识别的杂散光也会被光敏器件所接收到，不利于提高指纹识别的灵敏度。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，可以提升指纹识别灵敏度。

本发明实施例提供一种显示面板，包括基板、驱动电路层、发光器件层、感测器件层。所述驱动电路层设置于所述基板的一侧，所述驱动电路层包括多个像素驱动单元。所述发光器件层设置于所述驱动电路层远离所述基板的一侧，所述发光器件层包括多个发光器件，每一所述发光器件与对应的所述像素驱动单元电连接。所述感测器件层设置于所述驱动电路层和所述基板之间，所述感测器件层包括与多个所述发光器件间隔设置的多个光感单元。其中，所述感测器件层包括设置于所述基板上的第一电极层，所述第一电极层包括所述光感单元的第一电极和对应所述像素驱动单元设置的屏蔽电极。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述遮光层设置于所述发光器件层远离所述驱动电路层的一侧，所述遮光层包括对应所述发光器件设置的第一像素开口以及对应所述光感单元设置的第一光感开口。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述驱动电路层包括第一有源层以及源漏极层。所述第一有源层设置于所述感测器件层上，所述第一有源层包括对应所述屏蔽电极设置的第一有源部。所述源漏极层设置于所述第一有源层上，所述源漏极层包括第一源极、第一漏极以及屏蔽连接部。其中，所述像素驱动单元包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述第一有源部以及与所述第一有源部电性连接的所述第一源极和所述第一漏极，所述屏蔽连接部电性连接于恒定电压端和所述屏蔽电极之间。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述源漏极层还包括第二源极和第二漏极，所述驱动电路层还包括第二有源层，所述第二有源层设置于所述第一有源层和所述源漏极层之间，所述第二有源层包括第二有源部。其中，所述像素驱动单元还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括所述第二有源部以及与所述第二有源部电性连接的所述第二源极和所述第二漏极；所述第一有源层包括硅半导体材料，所述第二有源层包括氧化物半导体材料。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述感测器件层还包括第一掺杂层、本征层、第二掺杂层以及第二电极层。所述第一掺杂层设置于所述第一电极层上，所述第一掺杂层包括对应所述第一电极设置的第一掺杂部；所述本征层设置于所述第一掺杂层上，所述本征层包括对应所述第一掺杂部设置的本征部；所述第二掺杂层设置于所述本征层上，所述第二掺杂层包括对应所述本征部设置的第二掺杂部；所述第二电极层设置于所述第二掺杂层上，所述第二电极层包括所述光感单元的第二电极，所述第二电极对应所述第一电极设置。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述源漏极层还包括与所述第一电极电性连接的第一连接部和与所述第二电极电性连接的第二连接部。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述发光器件层包括阳极层以及像素定义层。所述阳极层设置于所述驱动电路层上，所述阳极层包括多个所述发光器件的阳极，多个所述阳极与对应的所述像素驱动单元电性连接。所述像素定义层位于阳极层上，所述像素定义层包括对应所述阳极设置的第二像素开口以及对应所述光感单元设置的第二光感开口。其中，所述像素定义层包括黑色色阻材料。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述显示面板还包括彩膜层，所述彩膜层设置于所述发光器件层远离所述驱动电路层的一侧，所述彩膜层包括所述遮光层及对应所述第一像素开口设置的彩膜单元。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述显示面板还包括触控层，所述触控层设置于所述发光器件层和所述彩膜层之间，所述触控层包括对应所述光感单元设置的第三光感开口。

本发明还提供一种显示装置，包括任一上述的显示面板。

本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括基板、驱动电路层、发光器件层及感测器件层。感测器件层设置于驱动电路层和基板之间，发光器件层设置于驱动电路层远离基板的一侧。驱动电路层包括多个像素驱动单元，发光器件层包括与多个像素驱动电路电性连接的发光器件，感测器件层包括与多个发光器件间隔设置的多个光感单元。通过将感测器件层设置在驱动电路层和基板之间，以加大光感单元与指纹之间的距离，从而使光感单元所能接收光的作用范围得以缩减，以降低光感单元接收到的杂散光，继而降低杂散光对用于实现指纹识别的光线的干扰，提升指纹识别灵敏度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术的显示面板的结构示意图；

图2A～图2D是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的准直光路示意图；

图4是本发明实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；

图5A～图5J是本发明实施例提供的制备过程的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

具体地，如图1是现有技术的显示面板的结构示意图。光感单元SE与驱动电路层200同层，光感单元SE不仅会接收用于实现指纹识别的光线，也会接到不用于实现指纹识别的杂散光，因而不利于提高指纹识别的灵敏度。

为此，本申请发明人假设遮光层300距光感单元SE的距离(即准直器的长度)为L，指纹到遮光层的距离为H，指纹峰谷距离为Z，遮光层300开口直径为D，连接指峰与准直器的中心的连线和连接指谷与准直器的中心的连线之间具有的夹角θ，得到(L/2)/(H+L/2)＝(D/2)/(Z/2)；tan(θ/2)＝(Z/2)/(H+L/2)＝D/L。由于夹角θ越大，所述光感单元SE中用于接收光线的范围越大，相应地，光感单元SE所接收的杂散光的比重也就越大，越不利于提升指纹识别的灵敏度。因而，若要提升指纹识别灵敏度，就需减小夹角θ；相应地，就需增大L或减小D。但由于显示面板中除设置光感单元SE外，还需设置发光器件Pi使显示面板满足显示功能。因而，显示面板中可供设计光感单元SE的区域有限。在此基础上，通过减小D而增大θ的方法可行性不高，不利于显示面板实现高分辨率设计。其中，为实现较好的指纹识别灵敏度，连接指峰与准直器的中心的连线和连接指谷与准直器的中心的连线的交点位于L/2处。

为此，本申请提供一种显示面板，通过调整光感单元SE的位置，以增大光感单元SE与指纹间的距离，提升所述显示面板的指纹识别灵敏度。

图2A～图2D是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图，所述显示面板包括基板10、感测器件层100、驱动电路层200及发光器件层400。

可选地，所述基板10包括柔性基板和刚性基板。可选地，所述柔性基板包括聚酰亚胺等；所述刚性基板包括玻璃、陶瓷等。

所述驱动电路层200设置于所述基板10的一侧，所述驱动电路层200包括多个像素驱动单元DP。可选地，所述像素驱动单元DP可采用XTYC(即X个晶体管、Y个电容)的形式。其中，X大于或等于1，Y大于或等于1。

所述发光器件层400设置于所述驱动电路层200远离所述基板10的一侧，所述发光器件层400包括多个发光器件Pi，每一所述发光器件Pi与对应的所述像素驱动单元DP电连接，以通过对应的所述像素驱动单元DP实现显示功能。可选地，所述发光器件Pi包括有机发光二极管、次毫米发光二极管、微型发光二极管等。

所述感测器件层100设置于所述驱动电路层200和所述基板10之间，所述感测器件层100包括与多个所述发光器件Pi间隔设置的多个光感单元SE。可选地，所述光感单元SE包括光敏器件(如光电二极管等)。

通过将感测器件层100设置在驱动电路层200和基板10之间，以使光感单元SE至指纹的距离变大，从而使光感单元SE所能接收光的作用范围得以缩减(理想情况下，光感单元SE接收垂直于光感单元SE的指纹反射光实现指纹识别)，以降低光感单元SE接收到杂散光，继而降低杂散光对用于实现指纹识别的光线的干扰，提升指纹识别灵敏度。

图3是本发明实施例提供的准直光路示意图。其中，图3所示的L’即表示本申请中的光感单元至遮光层的距离，L表示现有技术的光感单元至遮光层的距离；λ表示本申请中连接指峰与准直器的中心的连线和连接指谷与准直器的中心的连线之间具有的夹角；θ表示现有技术中连接指峰与准直器的中心的连线和连接指谷与准直器的中心的连线之间具有的夹角。所述显示面板还包括遮光层300，所述遮光层300设置于所述发光器件层400远离所述驱动电路层200的一侧，所述遮光层300包括对应所述发光器件Pi设置的第一像素开口以及对应所述光感单元SE设置的第一光感开口，以便用于实现感测的光线可通过所述第一光感开口被所述光感单元SE接收，所述发光器件Pi发出的光可通过所述第一像素开口实现所述显示面板的显示功能。

通过将感测器件层100设置在驱动电路层200和基板10之间，以使光感单元SE至遮光层300的距离变大，从而使连接指峰与准直器的中心的连线和连接指谷与准直器的中心的连线之间具有的夹角由θ变为λ，λ小于θ使得光感单元SE所能接收光的作用范围得以缩减(理想情况下，光感单元SE接收垂直于光感单元SE的指纹反射光实现指纹识别)，以降低光感单元SE接收到杂散光，继而降低杂散光对用于实现指纹识别的光线的干扰，提升指纹识别灵敏度。

可选地，请继续参阅图2B，所述显示面板包括多个像素，每一像素包括多个子像素，多个所述子像素包括发光颜色不同的第一子像素Pi1、第二子像素Pi2和第三子像素Pi3。其中，每一所述光感单元SE可位于同一像素的多个子像素之间，以使每一所述像素内均对应具有一所述光感单元SE，从而实现所述光感单元SE的像素级排布。可选地，每一所述像素包括第一子像素Pi1、第二子像素Pi2和两第三子像素Pi3，所述第一子像素Pi1的发光颜色包括红色，所述第二子像素Pi2的发光颜色包括蓝色，两第三子像素Pi3的发光颜色包括绿色。

可选地，每一所述光感单元SE还可位于相邻的两像素之间，以在实现像素结构完整性的同时，实现光感单元SE的高密度设置，继而使显示面板具有较高的指纹识别灵敏度。

请继续参阅图2C～图2D，所述感测器件层100包括第一电极层101以及第二电极层102。

所述第一电极层101设置于所述基板10上，所述第一电极层101包括所述光感单元SE的第一电极和对应所述像素驱动单元DP设置的屏蔽电极LE。可选地，所述第一电极层101的制备材料包括Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金，或具有遮光导电性能的材料等中的至少一种。

所述第二电极层102设置于所述第一电极层101上，所述第二电极层102包括所述光感单元SE的第二电极。其中，所述第二电极对应所述第一电极设置。可选地，所述第二电极层102的制备材料包括氧化铟锡等透明导电材料。

可选地，所述感测器件层100还包括第一掺杂层103、本征层104以及第二掺杂层105。

所述第一掺杂层103设置于所述第一电极层101上，所述第一掺杂层103包括对应所述第一电极设置的第一掺杂部。可选地，所述第一掺杂层103的制备材料包括硅半导体材料(如非晶硅等)，所述第一掺杂层103可为有P型重掺杂层。

所述本征层104设置于所述第一掺杂层103上，所述本征层104包括对应所述第一掺杂部设置的本征部。可选地，所述本征层104的制备材料包括硅半导体材料(如非晶硅等)。

所述第二掺杂层105设置于所述本征层104上，所述第二电极层102位于所述第二掺杂层105上，所述第二掺杂层105包括对应所述本征部设置的第二掺杂部，所述第二掺杂部与所述第二电极电性连接。可选地，所述第二掺杂层105的制备材料包括硅半导体材料(如非晶硅等)，所述第二掺杂层105可为有N型重掺杂层。

可选地，所述感测器件层100包括第一无机层106、第二无机层107及保护层108。所述第一无机层106位于所述第一电极层101及所述基板10之间，以防止水汽侵入所述感测器件层100。所述第二无机层107位于所述保护层及所述驱动电路层200之间，所述保护层108设置于所述第二掺杂层105上，所述第二电极通过贯穿所述保护层108的过孔与所述第二掺杂部电性连接。

请继续参阅图2C～图2D，所述像素驱动单元DP包括晶体管，所述晶体管对应所述屏蔽电极LE设置，以利用所述屏蔽电极LE为所述晶体管屏蔽电荷，改善显示面板的复原残像和寿命。

可选地，所述屏蔽电极LE电性连接于恒定电压端，以使屏蔽电极LE保持恒定电位，以通过所述屏蔽电极LE为所述晶体管屏蔽电荷。

可选地，所述驱动电路层200包括第一有源层201以及源漏极层202。

所述第一有源层201设置于所述感测器件层100上，所述第一有源层201包括对应所述屏蔽电极LE设置的第一有源部。可选地，所述第一有源层201包括硅半导体材料、氧化物半导体材料等。可选地，所述硅半导体材料包括多晶硅材料。

所述源漏极层202设置于所述第一有源层201上，所述源漏极层202包括第一源极、第一漏极以及屏蔽连接部LE1。其中，所述晶体管包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述第一有源部以及与所述第一有源部电性连接的所述第一源极和所述第一漏极；所述屏蔽连接部LE1电性连接于恒定电压端和所述屏蔽电极LE之间。可选地，所述源漏极层202可为单层或多层结构，源漏极层202的制备材料包括Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金，或具有高防腐性能的材料等中的至少一种。

可选地，请继续参阅图2C～图2D，所述源漏极层202还包括与所述第一电极电性连接的第一连接部2021和与所述第二电极电性连接的第二连接部2022，以使所述光感单元SE可通过所述第一连接部2021和所述第二连接部2022将用于实现指纹识别功能的感测信号输出至感测电路中，从而使所述显示面板实现指纹识别功能。

可选地，所述驱动电路层200还包括缓冲层203、第一栅绝缘层204、第一栅极层205、第二栅绝缘层206、第二栅极层207以及第一层间介电层208。

所述缓冲层203位于所述感测器件层100上，所述缓冲层203可阻止或防止杂质和湿气从所述基板10渗入到所述发光器件层400中。可选地，所述缓冲层203可为单层或多层结构，所述缓冲层203的制备材料包括氧化硅或氮化硅等材料。

所述第一栅绝缘层204位于所述第一有源层201上，所述第一栅绝缘层204可为单层或多层结构，所述第一栅绝缘层204的制备材料包括硅氮化物、硅氧化物等中的至少一种。

所述第一栅极层205位于所述第一栅绝缘层204上，所述第一栅极层205包括对应所述第一有源部的沟道区设置的栅极。可选地，所述第一栅极层205可为单层或多层结构，所述第一栅极层205的制备材料包括Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金，或具有高防腐性能的材料等。

所述第二栅绝缘层206位于所述第一栅极层205上，所述第二栅绝缘层206可为单层或多层结构，所述第二栅绝缘层206的制备材料包括硅氮化物、硅氧化物等中的至少一种。

所述第二栅极层207位于所述第二栅绝缘层206上，所述第二栅极层207包括对应所述栅极设置的电极部，以使所述栅极与所述电极部形成电容的两电极。可选地，所述第二栅极层207可为单层或多层结构，所述第二栅极层207的制备材料包括Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金，或具有高防腐性能的材料等中的至少一种。

所述第一层间介电层208位于所述第二栅极层207上，所述第一层间介电层208可为单层或多层结构，所述第一层间介电层208的制备材料包括硅氮化物、硅氧化物等中的至少一种。

可选地，所述第二连接部2022通过贯穿所述第二无机层107、所述缓冲层203、所述第一栅绝缘层204、所述第二栅绝缘层206及所述第一层间介电层208的过孔与所述第二电极电性连接，所述第一连接部2021通过贯穿所述保护层108、所述第二无机层107、所述缓冲层203、所述第一栅绝缘层204、所述第二栅绝缘层206及所述第一层间介电层208的过孔与所述第一电极电性连接；所述屏蔽连接部LE1通过贯穿所述保护层108、所述第二无机层107、所述缓冲层203、所述第一栅绝缘层204、所述第二栅绝缘层206及所述第一层间介电层208的过孔与所述屏蔽电极LE电性连接。

可选地，所述第一栅极层205还包括扫描线等，所述源漏极层202还包括数据线等。所述扫描线、所述数据线与所述像素驱动电路电性连接，以使所述像素驱动单元DP根据所述扫描线传输的扫描信号和所述数据线传输的数据信号驱动对应的发光器件Pi进行发光。

可选地，所述驱动电路层200还包括至少一信号连接层，所述信号连接层位于所述源漏极层202上，所述信号连接层包括多个信号连接部209，多个信号连接部209与对应的晶体管电性连接。可选地，信号连接层的制备材料包括Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金，或具有高防腐性能的材料等中的至少一种。

可选地，所述驱动电路层200还包括位于所述信号连接层两侧的第一平坦层210和第二平坦层211。其中，所述第一平坦层210位于所述信号连接层靠近所述源漏极层202的一侧，所述第二平坦层211位于所述信号连接层远离所述源漏极层202的一侧，所述信号连接部209通过贯穿所述第一平坦层210的过孔与相应的器件或信号走线电性连接。

可选地，请继续参阅图2D，所述第二栅极层207还包括第一栅极部，所述驱动电路层200还包括第二有源层212、第三栅绝缘层213、第三栅极层214及第二层间介电层215。所述第二有源层212位于所述第一层间介电层208上，所述第二有源层212包括对应所述第一栅极部设置的第二有源部。所述第三栅绝缘层213位于所述第二有源层212上，所述第三栅极层214位于所述第三栅绝缘层213上，所述第三栅极层214包括对应所述第一栅极部设置的第二栅极部；所述第二层间介电层215位于所述第三栅极层214上。所述源漏极层202还包括与所述第二有源部电性连接的第二源极和第二漏极。

可选地，所述晶体管还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括所述第二有源部、所述第二源极和所述第二漏极。所述第一有源层201包括硅半导体材料，所述第二有源层212包括氧化物半导体材料。所述第一电极层101还包括对应所述第二有源部设置的屏蔽电极LE。

可选地，所述第二连接部2022通过贯穿所述第二无机层107、所述缓冲层203、所述第一栅绝缘层204、所述第二栅绝缘层206、所述第一层间介电层208、所述第三栅绝缘层213及所述第二层间介电层215的过孔与所述第二电极电性连接，所述第一连接部2021通过贯穿所述保护层108、所述第二无机层107、所述缓冲层203、所述第一栅绝缘层204、所述第二栅绝缘层206、所述第一层间介电层208、所述第三栅绝缘层213及所述第二层间介电层215的过孔与所述第一电极电性连接；所述屏蔽连接部LE1通过贯穿所述保护层108、所述第二无机层107、所述缓冲层203、所述第一栅绝缘层204、所述第二栅绝缘层206、所述第一层间介电层208、所述第三栅绝缘层213及所述第二层间介电层215的过孔与所述屏蔽电极LE电性连接。

可选地，所述第一连接部2021和所述第二连接部2022也可设于所述缓冲层203和所述第二无机层107之间，并且所述第二连接部2022通过贯穿所述第二无机层107的过孔与所述第二电极电性连接，所述第一连接部2021通过贯穿所述第二无机层107和所述保护层108的过孔与所述第一电极电性连接。

可选地，请继续参阅图2C～图2D，所述发光器件层400包括阳极层401、像素定义层402、发光层403及阴极层404。

所述阳极层401设置于所述驱动电路层200上，所述阳极层401包括多个所述发光器件Pi的阳极，多个所述阳极与对应的所述像素驱动单元DP电性连接。可选地，多个所述阳极通过贯穿所述第二平坦层211的过孔与对应的所述像素驱动单元DP电性连接。

所述像素定义层402位于阳极层401上，所述像素定义层402包括对应所述阳极设置的第二像素开口以及对应所述光感单元SE设置的第二光感开口。其中，所述像素定义层402包括黑色色阻材料。

所述发光层403位于所述像素定义层402上且位于所述第二像素开口内；所述阴极层404位于所述像素定义层402和所述发光层403上。

可选地，所述发光器件层400还包括支撑件405，所述支撑件405位于所述像素定义层402上，以在制备发光层403的过程中，利用所述支撑件405防止掩模版刮伤显示面板中已制备好的膜层图案。

可选地，所述显示面板还包括彩膜层，所述彩膜层设置于所述发光器件层400远离所述驱动电路层200的一侧，所述彩膜层包括所述遮光层300及对应所述第一像素开口设置的彩膜单元301。

可选地，所述显示面板还包括触控层500，所述触控层500设置于所述发光器件层400和所述彩膜层之间，所述触控层500包括对应所述光感单元SE设置的第三光感开口。可选地，所述阴极层包括对应所述光感单元SE设置的第四光感开口。

可选地，所述显示面板还包括位于所述触控层500和所述阴极层404之间的封装层601，位于所述触控层500和所述彩膜层之间的绝缘层602以及位于所述遮光层300上的盖板603。

如图4是本发明实施例提供的显示面板的制备方法的流程图，图5A～图5J是本发明实施例提供的制备过程的示意图。本发明还提供一种显示面板的制备方法，用于制备任一上述的显示面板。

本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括：

提供基板10，并在所述基板10上制备感测器件层100。其中，所述感测器件层100包括多个光感单元SE，如图5A～图5D所示。

在所述感测器件层100上制备驱动电路层200及发光器件层400。其中，所述驱动电路层200包括多个像素驱动单元DP，所述发光器件层400包括多个发光器件Pi，多个所述发光器件Pi与多个所述像素驱动单元DP电连接，且与多个所述光感单元SE间隔设置，如图5E～图5I所示。

在所述发光器件层400上制备遮光层300；其中，所述遮光层300包括对应所述发光器件Pi设置的第一像素开口以及对应所述光感单元SE设置的第一光感开口，如图5J所示。

可选地，在所述的在所述基板10上制备感测器件层100的步骤，包括：

在所述基板10上制备所述感测器件层100的第一电极层101，如图5A所示。其中，所述第一电极层101包括所述光感单元SE的第一电极和对应所述像素驱动单元DP设置的屏蔽电极LE。

在所述第一电极层101上制备所述感测器件层100的第二电极层102，如图5D所示。其中，所述第二电极层102包括所述光感单元SE的第二电极，所述第二电极对应所述第一电极设置。

可选地，在所述第一电极层101上制备所述感测器件层100的所述第二电极层102的步骤之前，还包括：在所述第一电极层101上制备第一掺杂层103、本征层104、第二掺杂层105及保护层108；其中，所述第一掺杂层103包括对应所述第一电极设置的第一掺杂部，所述本征层104包括对应所述第一掺杂部设置的本征部，所述第二掺杂层105包括对应所述本征部设置的第二掺杂部，所述第二电极通过贯穿所述保护层108的过孔与所述第二掺杂部电性连接，如图5B～图5D所示。

可选地，请继续参阅图5A～图5D，在所述的在所述基板10上制备所述感测器件层100的第一电极层101的步骤之前，还包括：在所述基板10上制备第一无机层106。在所述的在所述第一电极层101上制备所述感测器件层100的第二电极层102的步骤之后，还包括：在所述第二电极层102上制备第二无机层107。

请继续参阅图5E～图5I，在所述的在所述感测器件层100上制备驱动电路层200及发光器件层400的步骤，包括：

在所述感测器件层100上制备所述驱动电路层200的第一有源层201；其中，所述第一有源层201包括对应所述屏蔽电极LE设置的第一有源部；

在所述第一有源层201上制备所述驱动电路层200的源漏极层202；其中，所述源漏极层202包括与所述屏蔽电极LE电性连接的屏蔽连接部LE1以及与所述第一有源部电性连接的第一源极和第一漏极，如图5G所示。所述像素驱动单元DP包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述第一有源部、所述第一源极和所述第一漏极，所述屏蔽连接部LE1被配置为与恒定电压端电性连接。

可选地，在所述的在所述感测器件层100上制备所述驱动电路层200的第一有源层201的步骤之前，还包括：在所述感测器件层100上制备缓冲层203。

可选地，在所述的在所述第一有源层201上制备所述驱动电路层200的源漏极层202的步骤之前，还包括：

在所述有源层上制备第一栅绝缘层204、第一栅极层205、第二栅绝缘层206、第二栅极层207及第一层间介电层208；

在对应所述第二电极处制备贯穿所述第一层间介电层208、所述第二栅绝缘层206、所述第一栅绝缘层204、所述缓冲层203及所述第二无机层107且暴露出所述第二电极的过孔；在对应第一源极和第一漏极处制备贯穿所述第一层间介电层208、所述第二栅绝缘层206及所述第一栅绝缘层204且暴露出所述第一源极和第一漏极的过孔；以及在对应所述第一电极及所述屏蔽电极LE处制备贯穿所述第一层间介电层208、所述第二栅绝缘层206、所述第一栅绝缘层204、所述缓冲层203及所述第二无机层107的中间过孔，如图5E所示；

在对应所述中间过孔处制备贯穿所述保护层108且暴露出所述第二电极和所述屏蔽电极LE的深孔，如图5F所示。

可选地，在制备所述中间过孔时，还可在对应所述显示面板的弯折区制备贯穿所述第一层间介电层208、所述第二栅绝缘层206、所述第一栅绝缘层204、所述缓冲层203及所述第二无机层107的过渡过孔。在制备所述深孔时，还可在对应所述过渡过孔处制备贯穿所述保护层108及所述第一无机层106的过渡深孔。在制备所述第一平坦层上，所述第一平坦层可填充所述过渡过孔及所述过渡深孔。

可选地，在所述的在所述第一有源层201上制备所述驱动电路层200的源漏极层202的步骤之后，还包括：在所述源漏极层202上制备第一平坦层210、信号连接层及第二平坦层211。其中，所述信号连接层包括多个信号连接部209，多个信号连接部209通过贯穿所述第一平坦层210的过孔与对应的第一晶体管电性连接，如图5H所示。

可选地，还可在所述第一层间介电层208上制备第二有源层、第三栅绝缘层、第三栅极层及第二层间介电层等膜层。

可选地，在所述的在所述第一有源层201上制备所述驱动电路层200的源漏极层202的步骤之后，还包括：在所述源漏极层202上制备发光器件层400，如图5I所示。

可选地，所述的在所述源漏极层202上制备发光器件层400的步骤包括：

在所述驱动电路层200上制备阳极层401；其中，所述阳极层401包括多个所述发光器件Pi的阳极，多个所述阳极与对应的所述像素驱动单元DP电性连接。可选地，多个所述阳极通过贯穿所述第二平坦层的过孔与对应的所述像素驱动单元DP电性连接。

在所述阳极层401上制备像素定义层402；其中，所述像素定义层402包括对应所述阳极设置且暴露出所述阳极的第二像素开口以及对应所述光感单元SE设置的第二光感开口。可选地，所述像素定义层402包括黑色色阻材料。

在所述像素定义层402上的所述第二像素开口内制备发光层403；以及在所述像素定义层402和所述发光层403上制备阴极层404。

可选地，在所述的在所述阳极层401上制备像素定义层402的步骤之后，还包括：在所述像素定义层402上制备支撑件405，以在制备发光层403的过程中，利用所述支撑件405防止掩模版刮伤显示面板中已制备好的膜层图案。

可选地，请继续参阅图5J，在所述的在所述发光器件层400上制备遮光层300的步骤中，还包括：在所述发光器件层400上制备彩膜层；其中，所述彩膜层包括所述遮光层300及对应所述第一像素开口设置的彩膜单元301。

可选地，在所述的在所述发光器件层400上制备遮光层300的步骤之前，还包括：在所述阴极层404上制备封装层601；其中，所述封装层601包括薄膜封装层。

可选地，在所述的在所述发光器件层400上制备遮光层300的步骤之前，还包括：在所述封装层601上制备触控层500；其中，所述触控层500包括对应所述光感单元SE设置的第三光感开口。

可选地，在所述的在所述发光器件层400上制备遮光层300的步骤之前，还包括：在所述触控层500上制备绝缘层602。在所述的在所述发光器件层400上制备遮光层300的步骤之后，还包括：在所述遮光层300上制备盖板603。

本发明还提供一种显示装置，包括任一上述的显示面板或包括由任一上述的制备方法制备得到的显示面板。可以理解地，所述显示装置包括可移动显示装置(如笔记本电脑、手机等)、固定终端(如台式电脑、电视等)、测量装置(如运动手环、测温仪等)等。

本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

驱动电路层，设置于所述基板的一侧，包括多个像素驱动单元；

发光器件层，设置于所述驱动电路层远离所述基板的一侧，包括多个发光器件，每一所述发光器件与对应的所述像素驱动单元电连接；

感测器件层，设置于所述驱动电路层和所述基板之间，包括与多个所述发光器件间隔设置的多个光感单元；

其中，所述感测器件层包括设置于所述基板上的第一电极层，所述第一电极层包括所述光感单元的第一电极和对应所述像素驱动单元设置的屏蔽电极。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

遮光层，设置于所述发光器件层远离所述驱动电路层的一侧，包括对应所述发光器件设置的第一像素开口以及对应所述光感单元设置的第一光感开口。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动电路层包括：

第一有源层，设置于所述感测器件层上，包括对应所述屏蔽电极设置的第一有源部；以及

源漏极层，设置于所述第一有源层上，包括第一源极、第一漏极以及屏蔽连接部；

其中，所述像素驱动单元包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述第一有源部以及与所述第一有源部电性连接的所述第一源极和所述第一漏极，所述屏蔽连接部电性连接于恒定电压端和所述屏蔽电极之间。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述源漏极层还包括第二源极和第二漏极，所述驱动电路层还包括：

第二有源层，设置于所述第一有源层和所述源漏极层之间，包括第二有源部；

其中，所述像素驱动单元还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括所述第二有源部以及与所述第二有源部电性连接的所述第二源极和所述第二漏极；所述第一有源层包括硅半导体材料，所述第二有源层包括氧化物半导体材料。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述感测器件层还包括：

第一掺杂层，设置于所述第一电极层上，包括对应所述第一电极设置的第一掺杂部；

本征层，设置于所述第一掺杂层上，包括对应所述第一掺杂部设置的本征部；

第二掺杂层，设置于所述本征层上，包括对应所述本征部设置的第二掺杂部；以及

第二电极层，设置于所述第二掺杂层上，包括所述光感单元的第二电极，所述第二电极对应所述第一电极设置。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述源漏极层还包括与所述第一电极电性连接的第一连接部和与所述第二电极电性连接的第二连接部。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括：

阳极层，设置于所述驱动电路层上，包括多个所述发光器件的阳极，多个所述阳极与对应的所述像素驱动单元电性连接；

像素定义层，位于阳极层上，包括对应所述阳极设置的第二像素开口以及对应所述光感单元设置的第二光感开口；

其中，所述像素定义层包括黑色色阻材料。

8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：

彩膜层，设置于所述发光器件层远离所述驱动电路层的一侧，包括所述遮光层及对应所述第一像素开口设置的彩膜单元。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，还包括：

触控层，设置于所述发光器件层和所述彩膜层之间，包括对应所述光感单元设置的第三光感开口。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9任一所述的显示面板。