JP2018045034A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018045034A JP2018045034A JP2016178576A JP2016178576A JP2018045034A JP 2018045034 A JP2018045034 A JP 2018045034A JP 2016178576 A JP2016178576 A JP 2016178576A JP 2016178576 A JP2016178576 A JP 2016178576A JP 2018045034 A JP2018045034 A JP 2018045034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- display device
- light emitting
- terminal
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 203
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04166—Details of scanning methods, e.g. sampling time, grouping of sub areas or time sharing with display driving
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E70/00—Other energy conversion or management systems reducing GHG emissions
- Y02E70/30—Systems combining energy storage with energy generation of non-fossil origin
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【課題】光発電機能を備えた表示装置の大型化を抑制すること
【解決手段】本発明の一態様における表示装置は、表示領域において、発光領域を有する発光素子と、発光素子を覆う絶縁層と、第1電極、第2電極および第1電極と第2電極とに挟まれたダイオード特性を有する半導体層を含み、絶縁層上に設けられた検出素子と、半導体層に逆方向電圧を生じるように第1電極に対して駆動信号を入力し駆動信号に応じて第2電極に生じる応答信号を取得する検出回路に、第1電極および第2電極を接続する第1接続部と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】本発明の一態様における表示装置は、表示領域において、発光領域を有する発光素子と、発光素子を覆う絶縁層と、第1電極、第2電極および第1電極と第2電極とに挟まれたダイオード特性を有する半導体層を含み、絶縁層上に設けられた検出素子と、半導体層に逆方向電圧を生じるように第1電極に対して駆動信号を入力し駆動信号に応じて第2電極に生じる応答信号を取得する検出回路に、第1電極および第2電極を接続する第1接続部と、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、表示装置に関する。
薄型ディスプレイなどの表示装置において、外光を有効に使用するために太陽電池を用いた構成が検討されている。例えば、OLED(Organic Light Emitting Diode)による表示を行うパネルと、太陽電池による発電用のパネルとを一体の筐体に収容した太陽電池パネル付き表示装置が、特許文献1に開示されている。
中小型のディスプレイはスマートフォン等のモバイル端末に用いられることが想定されていることから、軽量化、薄型化が強く望まれている。また、表示以外の様々な機能(例えば、タッチセンサ、太陽光発電など)を表示装置として一体化することも望まれている。しかしながら、特許文献1に開示されたような技術で太陽電池を表示装置に一体化しても装置全体の大型化が避けられない。したがって、この技術によって太陽電池を一体化した表示装置をモバイル端末に採用することは困難である。
本発明の目的一つは、光発電機能を備えた表示装置の大型化を抑制することにある。
本発明の一態様は、表示領域において、発光領域を有する発光素子と、前記発光素子を覆う絶縁層と、第1電極、第2電極および前記第1電極と前記第2電極とに挟まれたダイオード特性を有する半導体層を含み、前記絶縁層上に設けられた検出素子と、前記半導体層に逆方向電圧を生じるように前記第1電極に対して駆動信号を入力し前記駆動信号に応じて前記第2電極に生じる応答信号を取得する検出回路に、前記第1電極および前記第2電極を接続する第1接続部と、を含むことを特徴とする表示装置が提供される。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
<第1実施形態>
[概略構成]
本発明の一実施形態における表示装置は、OLEDを用いた有機EL(Electro−Luminescence)表示装置である。この例での有機EL表示装置は、それぞれ異なる色を放出する複数のOLED(Organic Light Emitting Diode)を用いて、カラー表示を得ている。この例では、赤色(R)の光を放出するOLED、緑色(G)を放出するOLED、および青色(B)を放出するOLEDが用いられている。なお、白色光を放出するOLED(Organic Light Emitting Diode)が用いられてもよい。この場合には、OLEDからの白色光を、カラーフィルタに通過させてカラー表示を得てもよい。
[概略構成]
本発明の一実施形態における表示装置は、OLEDを用いた有機EL(Electro−Luminescence)表示装置である。この例での有機EL表示装置は、それぞれ異なる色を放出する複数のOLED(Organic Light Emitting Diode)を用いて、カラー表示を得ている。この例では、赤色(R)の光を放出するOLED、緑色(G)を放出するOLED、および青色(B)を放出するOLEDが用いられている。なお、白色光を放出するOLED(Organic Light Emitting Diode)が用いられてもよい。この場合には、OLEDからの白色光を、カラーフィルタに通過させてカラー表示を得てもよい。
表示装置は第1基板と第2基板とが貼り合わせ材によって貼り合わされた構成になっている。第1基板には、OLEDの発光状態を制御するための薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)等の駆動素子が配置されている。第2基板は、第1基板上に形成された素子を保護するカバーとなる基板である。なお、カバーとしての第2基板は、必ずしも必須とされるものではなく、第1基板上に形成された素子を覆うようにカバー層を直接第1基板上に形成してもよい。
第1基板に配置されたOLEDからの光は、第1基板側とは反対側に放出され、第2基板を通してユーザに視認されるトップエミッション方式が用いられている。すなわち、第2基板側が表示面となる。
本発明の一実施形態における表示装置は、以下に説明するとおり、タッチセンサ機能および光発電機能を備えた電子機器としても用いられる。この電子機器においては、タッチセンサ機能と光発電機能とは切り替えて用いられる。この例では、タッチセンサ機能は、誘電体としての半導体層を挟んで、異なる層に設けられた電極対を検出電極として用い、相互容量方式により表示面への指およびスタイラス等の接触を検出する。光発電機能は、電極対と、その間に設けられた半導体層で形成されるフォトダイオードにおいて生じる光起電力によって発電をする。
[電子機器の構成]
図1は、本発明の第1実施形態における電子機器の構成を説明する図である。電子機器2000は、例えば、スマートフォン等の端末である。電子機器2000は、表示装置1000および制御装置900を含む。表示装置1000は、第1基板1、第1基板1に貼り合わされた第2基板2、および第1基板1の接続端子199に接続されたFPC(Flexible printed circuits)950を備える。FPC950には、ドライバIC901が実装されている。制御装置900は、FPC950を介した信号の入出力によって表示装置1000の動作を制御する。
図1は、本発明の第1実施形態における電子機器の構成を説明する図である。電子機器2000は、例えば、スマートフォン等の端末である。電子機器2000は、表示装置1000および制御装置900を含む。表示装置1000は、第1基板1、第1基板1に貼り合わされた第2基板2、および第1基板1の接続端子199に接続されたFPC(Flexible printed circuits)950を備える。FPC950には、ドライバIC901が実装されている。制御装置900は、FPC950を介した信号の入出力によって表示装置1000の動作を制御する。
制御装置900は、この例では、コントローラ903、電力生成回路905、加速度センサ907および操作部909を含む。コントローラ903は、表示装置1000において用いる信号を制御し、表示装置100において生成した信号を取得して、電子機器2000の制御に用いる。具体的な制御の内容は、後述する。
電力生成回路905は、コンデンサ9051を備える。電力生成回路905は、表示装置1000の光発電機能によって得られた電力をコンデンサ9051に蓄積し、蓄積した電力から電子機器2000の各構成に必要な電力を生成する。このため、コンデンサ9051は、二次電池であるともいえる。この場合には、電子機器2000から着脱可能に構成されていてもよい。
加速度センサ907は、電子機器2000に生じた加速度を測定して、測定結果を示す信号をコントローラ903に出力する。操作部909は、電源ボタン等の入力装置を含む。操作部909は、ユーザがボタンを押すなどの操作によって入力装置に情報が入力されると、その情報を示す信号をコントローラ903に出力する。
続いて、表示装置1000について説明する。表示装置1000の第1基板1には、表示領域D1および駆動回路107が配置されている。表示領域D1には、第1方向(図1に示すx方向)に延在する走査線101、および第1方向とは異なる第2方向(図1に示すy方向)に延在するデータ信号線103が配置されている。走査線101は、第2方向に並んで配置されている。データ信号線103は、第1方向に並んで配置されている。
この例では、第1方向と第2方向とは垂直に交差している。走査線101とデータ信号線103との交差部に対応する位置には、画素105が配置されている。画素105は、マトリクス状に配置されている。なお、図1においては、1つの画素105に対して、走査線101およびデータ信号線103に沿った方向に延びる信号線がそれぞれ1本であるが、2本以上であってもよい。また、表示領域D1には電源線等の所定の電圧を供給する配線が配置されてもよい。
駆動回路107は、表示領域D1の周囲に配置され、走査線101およびデータ信号線103に所定の信号を供給する。この例では、ドライバIC901は、コントローラ903から入力される信号に基づいて駆動回路107を制御する。なお、表示領域D1の周囲に、その他の駆動回路がさらに設けられていてもよい。
各画素105には、画素回路と発光素子(OLED)とを含む表示素子が配置されている。画素回路は、例えば、薄膜トランジスタおよびコンデンサを含む。発光素子は、画素回路の制御によって発光する発光領域を含む。画素回路は、走査線101に供給される制御信号、およびデータ信号線103に供給されるデータ電圧等の各種信号によって、発光素子の発光を制御する。この発光の制御によって、表示領域D1に画像が表示される。
また、表示領域D1には、第1方向に延在する下層電極801および第2方向に延在する上層電極803を含む。下層電極801と上層電極803とが交差する部分は、タッチセンサ機能を実現するための検出素子である。この部分には、下層電極801と上層電極803とに挟まれて、ダイオード特性を有する半導体層が配置されている。なお、この例では、検出素子は、所定の波長の光を検出し、検出した光によって光起電力を発生させる光発電機能を実現することもできる。検出素子によりタッチセンサ機能を実現するか、光発電機能を実現するかは、コントローラ903の指示によって切り替えられる。具体的な構成については、後述する。
図2は、本発明の第1実施形態における下層電極と上層電極との位置関係を説明する図である。図2は、表示領域D1の一部(m1〜m5列、n1〜n5行の範囲の画素105)を拡大して表している。複数の画素105のそれぞれには、赤色の発光領域LA−R、緑色の発光領域LA−Gおよび青色の発光領域LA−Bのいずれかが配置されている。以下、特に色を区別しない場合には、発光領域LAと記載する。この例では、各画素105の発光色の配置は、第2方向には同じ色が並び、第1方向には赤色、緑色、青色の順で並んでいる。このような配置は、ストライプ配置ともいう。図2に示す例では、具体的には、m2、m5列目が赤色、m3列目が緑色、m1、m4列目が青色で発光するように配置されている。
図2の例では、2行の下層電極801−1、801−2が含まれ、2列の上層電極803−1、803−2が含まれている。図2においては、上層電極803−1、803−2との位置関係をわかりやすく示すために、下層電極801−1、801−2は破線で示されている。
この例では、下層電極801−1は、n1、n2行目の発光領域LAを囲み、発光領域LAとは重畳しないように配置されている。下層電極801−2は、n4、n5行目の発光領域LAを囲み、発光領域LAとは重畳しないように配置されている。すなわち、下層電極801−1と下層電極801−2とは、n3行目の発光領域LAを境界として分離されている。
一方、上層電極803−1は、m1、m2列目の発光領域LAを囲み、発光領域LAとは重畳しないように配置されている。上層電極803−2は、m4、m5列目の発光領域LAを囲み、発光領域LAとは重畳しないように配置されている。すなわち、上層電極803−1と上層電極803−2とは、m3列目の発光領域LAを境界として分離されている。
なお、上層電極803は下層電極801よりも狭い線幅を有しているが、広い線幅を有していてもよい。また、下層電極801と上層電極803とは、同じ線幅を有していてもよい。
下層電極801と上層電極803とが重畳している領域において検出素子が形成されている。これらの配置によっては、発光領域LAの総面積よりも検出素子が存在する領域の総面積の方が大きくなる場合もある。
[表示装置の断面構成]
続いて、図2に示す断面線A1−A2における表示装置1000の断面構成について説明する。
続いて、図2に示す断面線A1−A2における表示装置1000の断面構成について説明する。
図3は、本発明の第1実施形態における表示装置の表示領域における断面構成(図2における断面線A1−A2に対応)を示す模式図である。以下に説明する断面構成は、いずれにおいても端面図として表している。第1基板1における第1支持基板10および第2基板2は、ガラス基板である。なお、第1支持基板10および第2基板2の一方または双方が、フレキシブル性を有する有機樹脂基板であってもよい。
第1支持基板10上に、薄膜トランジスタ110が配置されている。薄膜トランジスタ110を覆うように、絶縁表面を有する層間絶縁層200が配置されている。層間絶縁層200上には画素電極300が配置されている。層間絶縁層200は、例えば、感光性のアクリル樹脂を塗布し、露光、現像、および焼成を経て、所望のパターンが形成された層である。なお、図2において、層間絶縁層200は、単層で表されているが、複数の絶縁膜の積層であってもよい。この場合、複数の絶縁膜の間に配線が設けられていてもよい。この例では、層間絶縁層200は、アクリル樹脂だけでなく、その表面側、すなわち画素電極300と接する面側に、窒化シリコン膜(SiN)を含む積層構造である。
画素電極300は、画素105のそれぞれに対応して配置され、層間絶縁層200に設けられたコンタクトホール250を介して薄膜トランジスタ110の導電層115に接続されている。導電層115は、例えば、アルミニウム(Al)をチタン(Ti)で挟んだ積層膜で形成される。画素電極300は、OLEDのアノード電極として用いられる。ここで、表示装置1000は、トップエミッション方式で画像を表示するため、画素電極300は光透過性を有しなくてもよい。この例では、画素電極300は、OLEDが放出した光を反射する層(例えば、銀を含む金属)およびOLEDと接触する面に光透過性を有する導電性金属酸化物層(例えば、ITO:Indium Tin Oxide)を含んでいる。
バンク層400は、画素電極300の端部および隣接する画素間を覆い、画素電極300の一部を露出する開口部を備えている。また、この例では、バンク層400は、アクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成されている。
発光層501は、OLEDであり、画素電極300および一部のバンク層400を覆って、これらの構成と接触する。発光層501は、複数種類の有機材料を積層した積層構造を有している。この積層構造の少なくとも一部の層は、赤色、緑色および青色のそれぞれに対応して、異なる組成を有している。この例では、異なる色に対応した隣接する画素においては、発光層501を構成する積層構造の全ての層がバンク層400上において分離されている。一方、例えば、発光層501を構成する積層構造のうち、発光色によらず共通の組成を有する層については、隣接する画素において分離されていなくてもよい。
光透過性電極503は、発光層501を覆い、OLEDのカソード電極(画素電極300に対する対向電極)を形成する。光透過性電極503は、OLEDからの光を透過する電極であり、例えば、光が透過する程度に薄い金属層等または透明導電性金属酸化物が適用される。画素電極300、発光層501および光透過性電極503によって、発光領域LAを有する発光素子500が形成される。この発光領域LAは、バンク層400によって露出された画素電極300の領域に対応する。
封止層601、603、605は、発光素子500を覆いつつ、表示領域の全体を覆って、発光層501への水分、ガス等の発光層501を劣化させる成分の到達を抑制するための層である。この例では、封止層601、605は、窒化シリコン等の無機絶縁層である。封止層603は、封止層601および封止層605に挟まれて配置されたアクリル樹脂等の有機絶縁層である。
下層電極801は、封止層605上に配置されている。半導体層805は、下層電極801上に配置され、ダイオード特性を有する層である。上層電極803は、半導体層805上に配置されている。下層電極801および上層電極803によって半導体層805を挟んでいる領域が、検出素子850として機能する。すなわち、検出素子850は、下層電極801、上層電極803およびこれらに挟まれた半導体層805によって形成されている。
この例では、半導体層805は、下層電極801側から、N層、I層、P層の順に配置されている。そのため、下層電極801が上層電極803に対して正の電位である場合に、ダイオード特性を有する半導体層805は逆方向電圧を生じた状態となる。また、下層電極801と上層電極803とが開放状態にあるとき、半導体層805への光が照射されると、光起電力として下層電極801には上層電極803に対して正の電圧が生じる。この光は、上層電極803側から半導体層805へ照射される。そのため、上層電極803は、このような光に対して透過性を有する導電材料で形成される。
貼り合わせ材700は、第1基板1と第2基板2との間に充填されて、これらを貼り合わせる材料であり、例えば、光透過性を有するアクリル樹脂である。
[表示装置1000の製造方法]
続いて、上記の表示装置1000の製造方法について、図4から図10を用いて説明する。
続いて、上記の表示装置1000の製造方法について、図4から図10を用いて説明する。
図4は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法(薄膜トランジスタを形成する工程)を説明する図である。まず、第1支持基板10に薄膜トランジスタ110を形成する。この例では、トランジスタ110のゲートと走査線101とが同じ層で形成され、トランジスタ110のソース、ドレインに接続される導電層115とデータ信号線103とは同じ層で形成されている。また、第1支持基板10と薄膜トランジスタ110との間には、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁層が形成されてもよい。この絶縁層によって、水分、ガス等の内部への侵入を抑制してもよい。
図5は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法(画素電極を形成する工程)を説明する図である。図4の工程に続いて、薄膜トランジスタ110を覆うように、コンタクトホール250を備えた層間絶縁層200を形成し、層間絶縁層200上に、コンタクトホール250を介して導電層115と接続するように画素電極300を形成する。
図6は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法(バンク層を形成する工程)を説明する図である。図5の工程に続いて、バンク層400となる材料(この例では感光性のアクリル樹脂)を塗布し、露光、現像、焼成をすることによって、所望のパターンのバンク層400が形成される。バンク層400は、画素電極300の表面の一部を露出するように形成される。
図7は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法(発光素子を形成する工程)を説明する図である。図6の工程に続いて、各色に対応した発光層501が形成され、光透過性電極503が形成される。これによって発光領域LAを有する発光素子500が形成される。
図8は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法(発光素子を封止する工程)を説明する図である。図7の工程に続いて、光透過性電極503を覆うようにい、封止層601、603、605を順に形成する。
図9は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法(下層電極を形成する工程)を説明する図である。図8の工程に続いて、封止層605上に下層電極801を形成する。下層電極801は、導電性材料で形成され、例えば、Ti、Alなどの金属または金属化合物である。ここでは、封止層605上の全面に導電性材料を形成し、フォトリソグラフィを用いて、図2に例示される所望のパターンを形成すればよい。また、印刷、インクジェット方式等で所望のパターンの導電性材料を形成してもよい。
図10は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法(検出素子を形成する工程)を説明する図である。図9の工程に続いて、半導体層805、上層電極803を形成する。これによって検出素子850が形成される。この例では、半導体層805は、例えばアモルファスシリコンであって、上述したように、下層電極801側から順にN型、I型、P型で形成されている。なお、半導体層805は、ダイオード特性(つまり、PN接合型)を有する構造であれば、どのような層構造を有していてもよい。また、半導体層805は、無機材料に限らず有機材料を用いてもよい。
上層電極803は、光透過性の導電材料である。例えば、光が透過する程度に薄い金属層または透明導電性金属酸化物層が適用される。なお、上層電極803は、必ずしも可視光線の波長帯に対する光透過性を有する場合に限らず、半導体層805が光起電力を発生させるための吸収波長に対する光透過性を有していればよい。例えば、半導体層805の吸収波長が赤外光であれば、上層電極803は、半導体層805に赤外光を到達させる程度の透過性を有していればよいため、必ずしも可視光線に対する透過性を有していなくてもよい。
この例では、半導体層805および上層電極803は、同じパターンで形成される。すなわち、図2に示す上層電極803−1、803−2と同じパターンで、半導体層805が配置されている。下層電極801をパターニングした後、半導体層805を形成し、続けて上層電極803を形成する。この例では、半導体層805を形成した後、上層電極803を形成する前には、半導体層805をフォトリソグラフィ工程によるパターニングを行わない。この後、上層電極803を所望の形状にパターニングをする。この方法によれば、半導体層805に対するマスクとして上層電極803を用いることで、自己整合的に半導体層805をパターニングすることもできる。この後、貼り合わせ材700によって第2基板2が貼り合わされると、図3に示す構造となる。以上が、表示装置1000の製造方法についての説明である。
なお、下層電極801の材料と上層電極803の材料とが所定の関係にある場合、例えば、所定のエッチング処理に対して同じようなエッチングレートを有する金属層が双方に用いられている場合、特に同じ材料が双方に用いられている場合などは、上層電極803のパターニングを行うときに下層電極801が同時にエッチングされてしまう場合がある。この場合には、半導体層805と上層電極803とを異なるパターンにするとともに、下層電極801の全てを覆うパターンを半導体層805に適用することによって、上層電極803がエッチングされるときに下層電極801が露出されないようにすればよい。
[検出素子に関連する回路構成および動作]
図11は、本発明の第1実施形態における検出素子に関連する回路構成を説明する図である。表示領域D1における下層電極801−1、801−2、・・・、801−n(それぞれを区別しない場合は下層電極801という)、と上層電極803−1、803−2、・・・、803−m(それぞれを区別しない場合には上層電極803という)のそれぞれの交点には、検出素子850が配置されている。検出素子850は、例えば、図11に示す等価回路(ダイオードおよび容量)で示される。この例では、ドライバIC901は、第1接続部910、第2接続部920、検出回路915および切替部930を含む。
図11は、本発明の第1実施形態における検出素子に関連する回路構成を説明する図である。表示領域D1における下層電極801−1、801−2、・・・、801−n(それぞれを区別しない場合は下層電極801という)、と上層電極803−1、803−2、・・・、803−m(それぞれを区別しない場合には上層電極803という)のそれぞれの交点には、検出素子850が配置されている。検出素子850は、例えば、図11に示す等価回路(ダイオードおよび容量)で示される。この例では、ドライバIC901は、第1接続部910、第2接続部920、検出回路915および切替部930を含む。
切替部930は、下層電極801および上層電極803を、第1接続部910に接続(実線)するか、または第2接続部920に接続(点線)するか、のいずれかに切り替える。この切り替えは、コントローラ903から入力される切替信号SSに応じて実行される。
第1接続部910は、切替部930を介して、下層電極801および上層電極803を検出回路915に接続する。検出回路915は、下層電極801に対して駆動信号を入力し、駆動信号に応じて上層電極803に生じる応答信号を取得する。駆動信号は、例えば、パルス状の電圧信号であり、下層電極801−1から下層電極801−nに対して順に入力される。このパルス状の電圧信号は、検出素子850(半導体層805)に対して逆方向電圧を生じる信号、すなわち、パルス期間において、下層電極801が上層電極803に対して高い電位となる信号である。
この駆動信号の入力に対して、容量結合による応答信号が上層電極803に現れる。ユーザの指などが表示領域D1へ接触すると、容量結合の程度に変化が生じるため応答信号が変化する。この応答信号の変化に基づいて、検出回路915またはコントローラ903において、ユーザの指が接触した位置が算出される。このように、切替部930が、下層電極801および上層電極803を第1接続部910に接続する場合には、タッチセンサ機能が実現されることになる。
第2接続部920は、切替部930を介して、下層電極801を第1端子951に接続し、上層電極803を第2端子953に接続する。このとき、2以上(この例では全て)の下層電極801が短絡されて第1端子951に接続される。また、2以上(この例では全て)の上層電極803が短絡されて第2端子953に接続される。この状態において、第1端子951と第2端子953とには、所定の電位差が発生する。この電位差は、検出素子850への光照射量、検出素子850の光起電力、および第1端子951と第2端子953との間の容量に応じた値となる。
第1端子951と第2端子953とが開放されている場合には、光照射量に応じた開放電圧(開放回路電圧ともいう)が現れる。一方、第1端子951と第2端子953との間に負荷が接続されると、負荷に応じた電圧および電流、すなわち負荷に応じた電力が負荷に供給される。第1端子951および第2端子953は、電力生成回路905に含まれ、例えば、充電用回路等を介してコンデンサ9051に接続されたり、負荷が接続されたりする。このように、切替部930が、下層電極801および上層電極803を第2接続部920に接続する場合には、光発電機能が実現されることになる。
切替信号SSは、上述したようにコントローラ903によって生成される。コントローラ903は、タッチセンサ機能(第1状態)が実現されているときに第1条件を満たすと、光発電機能が実現されるように切替信号SSを生成する。一方、コントローラ903は、光発電機能(第2状態)が実現されているときに第2条件を満たすと、タッチセンサ機能が実現されるように切替信号SSを生成する。
第1条件は、例えば、タッチセンサ機能により一定時間にわたって位置検出ができなかった場合、すなわち、一定時間にわたって表示領域D1への接触が検出されなかった場合である。これは、応答信号に基づいて判定される。なお、第1条件は、ディスプレイ(表示領域D1)への映像の表示が行われなくなった場合(例えば、黒画面または特定の画面が、一定時間にわたって表示された場合でもよい)であってもよい。
第2条件は、例えば、ディスプレイ(表示領域D1)への映像の表示が行われた場合(黒画面以外または特定の画面以外が、表示された場合でもよい)である。なお、第2条件は、操作部909に入力がされた場合であってもよいし、加速度センサ907の測定結果に基づいて電子機器2000が動かされたことを検出した場合であってもよい。また、第2条件は、表示領域D1への光照射量が減少して発電量がしきい値以下になったことを検出した場合であってもよい。これは、第1端子951、第2端子953の出力信号に基づいて判定される。
このように、本発明の第1実施形態に係る表示装置1000は、第1基板1に形成された検出素子850を用いて、タッチセンサ機能および光発電機能のいずれかを切り替えながら実現することができる。表示装置1000は、タッチセンサ機能および光発電機能を有していたとしても、従来の表示装置に比べて、大型化を抑制することができる。
<第2実施形態>
第2実施形態においては、各画素の発光色の配置がストライプ配置ではない例について説明する。
第2実施形態においては、各画素の発光色の配置がストライプ配置ではない例について説明する。
図12は、本発明の第2実施形態における下層電極と上層電極との位置関係を説明する図である。図12に示すように、第2実施形態における画素105Aでは、第1方向(x方向)に沿って、発光領域LA−RおよびLA−Gが交互に並び、また、発光領域LA−Bおよび検出素子850Aが交互に並んでいる。また、第2方向(y方向)に沿って、発光領域LA−RおよびLA−Bが交互に並び、また、発光領域LA−Gおよび検出素子850Aが交互に並んでいる。このような構成によれば、検出素子850Aのサイズを大きくできることから、タッチセンサ機能における検出精度を向上させ、および光発電機能における発電量を増加させることができる。
なお、この例では、下層電極801A−1は、下層電極801A−2と分離されているが、接続されていてもよい。上層電極803A−1についても、上層電極803A−2と分離されているが、接続されていてもよい。また、この例で示すように、隣接する画素105Aの間の全てにおいて、下層電極801Aまたは上層電極803Aが存在していなくてもよい。これは第1実施形態でも同じことがいえる。
<第3実施形態>
第1実施形態では、検出素子850は、発光領域LAとは重畳しないように配置されていたが、この限りではない。第3実施形態では、発光領域LAと重畳する領域を有する検出素子850Bについて説明する。
第1実施形態では、検出素子850は、発光領域LAとは重畳しないように配置されていたが、この限りではない。第3実施形態では、発光領域LAと重畳する領域を有する検出素子850Bについて説明する。
図13は、本発明の第3実施形態における表示装置の表示領域における断面構成を示す模式図である。この例によれば、第1実施形態における検出素子850と比較すると、検出素子850Bが発光領域LA−Gと重畳する領域まで拡がっている。この場合には、下層電極801Bについても、上層電極803Bと同様に、光透過性を有する導電性材料で形成される。また、半導体層805Bについても、発光領域LA−Gから放出される光の波長(緑色の波長)に対して透過性を有する。なお、半導体層805Bが他の色に対しても透過性を有する場合には、対応する色の発光領域LAとさらに重畳させてもよい。もちろん、緑色の波長に対して透過性を有していない半導体層805Bであれば、発光領域LA−Gと重畳するのではなく、別の色の発光領域と重畳するようにしてもよい。
<変形例>
上述した各実施形態では、検出回路915によって駆動信号が入力される電極(第1電極)は下層電極801であり、応答信号が取得される電極(第2電極)は上層電極803であった。一方、上層電極803を駆動信号が入力される電極(第1電極)とし、下層電極801を応答信号が取得される電極(第2電極)としてもよい。この場合には、上記実施形態とは反対の極性のダイオード特性を有する積層構造で半導体層805が形成されてもよいし、検出回路915から上層電極803に入力される駆動信号(パルス信号)の電圧極性が逆になるようにしてもよい。いずれにしても、半導体層805において逆方向電圧を生じるようになっていればよい。
上述した各実施形態では、検出回路915によって駆動信号が入力される電極(第1電極)は下層電極801であり、応答信号が取得される電極(第2電極)は上層電極803であった。一方、上層電極803を駆動信号が入力される電極(第1電極)とし、下層電極801を応答信号が取得される電極(第2電極)としてもよい。この場合には、上記実施形態とは反対の極性のダイオード特性を有する積層構造で半導体層805が形成されてもよいし、検出回路915から上層電極803に入力される駆動信号(パルス信号)の電圧極性が逆になるようにしてもよい。いずれにしても、半導体層805において逆方向電圧を生じるようになっていればよい。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
1…第1基板、2…第2基板、10…第1支持基板、101…走査線、103…データ信号線、105…画素、107…駆動回路、110…薄膜トランジスタ、199…接続端子、200…層間絶縁層、250…コンタクトホール、300…画素電極、400…バンク層、500…発光素子、501…発光層、503…光透過性電極、601,603,605…封止層、700…貼り合わせ材、801…下層電極、803…上層電極、805…半導体層、850…検出素子、900…制御装置、901…ドライバIC、903…コントローラ、905…電力生成回路、9051…コンデンサ、907…加速度センサ、909…操作部、910…第1接続部、915…検出回路、920…第2接続部、930…切替部、950…FPC、951…第1端子、953…第2端子、1000…表示装置、2000…電子機器
Claims (12)
- 表示領域において、発光領域を有する発光素子と、
前記発光素子を覆う絶縁層と、
第1電極、第2電極および前記第1電極と前記第2電極とに挟まれたダイオード特性を有する半導体層を含み、前記絶縁層上に設けられた検出素子と、
前記半導体層に逆方向電圧を生じるように前記第1電極に対して駆動信号を入力し前記駆動信号に応じて前記第2電極に生じる応答信号を取得する検出回路に、前記第1電極および前記第2電極を接続する第1接続部と、
を含むことを特徴とする表示装置。 - 前記検出素子は、前記発光領域と重畳しない位置に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記検出素子は、前記発光領域と重畳しないことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記検出素子は、前記発光領域と重畳する位置に配置され、前記発光領域からの光の波長に対して透過性を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示装置。
- 前記第1電極および前記第2電極を、電力生成回路の第1端子および第2端子にそれぞれ接続するための第2接続部をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の表示装置。
- 前記電力生成回路は、前記第1端子と前記第2端子との間に接続されたコンデンサを含むことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記電力生成回路は、前記第1端子と前記第2端子との間に接続された負荷を含むことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の表示装置。
- 複数の前記第1電極が並んで配置され、
複数の前記第2電極が並んで配置され、
前記第2接続部は、前記第1端子に2以上の前記第1電極を接続し、前記第2端子に2以上の前記第2電極を接続することを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の表示装置。 - 切替信号に応じて、前記第1接続部または前記第2接続部に前記第1電極および前記第2電極を接続する切替部を含むことを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれかに記載の表示装置。
- 請求項9に記載の表示装置と、
前記第1接続部に前記第1電極および前記第2電極を接続する第1状態であるときに第1条件を満たすと、前記第2接続部に前記第1電極および前記第2電極を接続する第2状態に切り替えるための前記切替信号を前記切替部に出力し、前記第2状態であるときに第2条件を満たすと、前記第1状態に切り替えるための前記切替信号を前記切替部に出力するコントローラと、
を含む電子機器。 - 前記第1条件は、前記応答信号を用いて判定される条件であることを特徴とする請求項10に記載の電子機器。
- 前記第2条件は、前記第1端子および前記第2端子から得られる信号を用いて判定される条件であることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178576A JP2018045034A (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 表示装置 |
US15/673,524 US10296151B2 (en) | 2016-09-13 | 2017-08-10 | Display device and electric device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016178576A JP2018045034A (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018045034A true JP2018045034A (ja) | 2018-03-22 |
Family
ID=61559855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016178576A Pending JP2018045034A (ja) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10296151B2 (ja) |
JP (1) | JP2018045034A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6253923B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置 |
US20180323239A1 (en) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | Innolux Corporation | Display device |
CN109346498B (zh) * | 2018-09-18 | 2020-06-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
DE102019110353A1 (de) * | 2019-04-18 | 2020-10-22 | Lufthansa Technik Aktiengesellschaft | Energieautarke Displayeinheit |
WO2020215275A1 (zh) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
US11488943B2 (en) * | 2019-06-14 | 2022-11-01 | X Display Company Technology Limited | Modules with integrated circuits and devices |
CN110286796B (zh) | 2019-06-27 | 2023-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子基板及其制作方法、显示面板 |
WO2021022495A1 (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111833744B (zh) * | 2020-07-02 | 2022-05-17 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4826512B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2011-11-30 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
US20120086019A1 (en) * | 2009-06-16 | 2012-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for display panel, and display device |
JP2014115526A (ja) | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Denso Corp | 太陽電池パネル付きelディスプレイ装置 |
KR102205856B1 (ko) * | 2014-06-11 | 2021-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 센서를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
US10372274B2 (en) * | 2015-04-13 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and touch panel |
-
2016
- 2016-09-13 JP JP2016178576A patent/JP2018045034A/ja active Pending
-
2017
- 2017-08-10 US US15/673,524 patent/US10296151B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10296151B2 (en) | 2019-05-21 |
US20180074614A1 (en) | 2018-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018045034A (ja) | 表示装置 | |
CN110211975B (zh) | 一种阵列基板、显示面板、显示装置 | |
US9483135B2 (en) | Organic light emitting display integrated with touch screen panel | |
US10671200B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
JP7011149B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP5364227B2 (ja) | 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器 | |
JP4910780B2 (ja) | 入力機能付有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 | |
US9886113B2 (en) | Display device | |
JP6056082B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
KR20160093184A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
CN107256880B (zh) | 一种显示器阵列基板、制备方法和显示器 | |
US8901549B2 (en) | Organic light emitting diode touch display panel | |
JP7320970B2 (ja) | 表示装置 | |
CN107885400B (zh) | 一种oled触控显示面板及其驱动方法 | |
KR20190000023A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US11392230B2 (en) | Display device | |
CN116156944A (zh) | 显示装置和显示面板 | |
CN114930442B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR102699747B1 (ko) | 터치표시장치 및 그의 제조방법 | |
US20230276664A1 (en) | Display device | |
CN115039062B (zh) | 触控显示基板和触控显示装置 | |
WO2022227043A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN117917939A (zh) | 显示装置 | |
KR20230157547A (ko) | 표시 장치 | |
KR20220150500A (ko) | 표시 장치 |