CN113394245A - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。其中，显示面板包括：第一显示区和透光率小于第一显示区的第二显示区；第一显示区包括：基底，在基底上层叠设置的驱动阵列层、平坦化层、像素限定层，基底具有第一透光开口；第一透光开口至少贯穿基底远离驱动阵列层的一侧，第一透光开口中填充有透明材料，透明材料的透光率大于基底的透光率；像素限定层上形成若干个容纳发光材料的像素开口；相邻像素开口间形成第二透光开口；第二透光开口在基底上的投影与第一透光开口在基底上的投影部分重叠或完全重叠。本发明实施例提供的技术方案可以实现全面屏显示，并保证屏下摄像头区域的透光率，并避免显示面板产生裂纹。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着泛在屏时代的到来，与普通的显示屏相比，全面屏具有较大的屏占比、超窄的边框，可以大大提高观看者的视觉享受，从而受到人们的广泛关注。
为了实现全面屏，显示设备(诸如手机)通常都会在显示区域内设置前置摄像头等。为保证摄像头能接收到更多的光，就要对显示面板的透光率有很高的要求。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，通过在与感光器件相对的第一显示区内的像素开口之间设置第二透光开口，并在透光率较小的基底上设置第一透光开口，并在第一透光开口内填充透光率较大的透明材料，以实现全面屏显示，并提高显示面板的透光率，保证屏下摄像头等感光器件能接收到更多的光，同时解决了若第一透光开口不进行填充，由于长时间的重力作用，或是在将显示面板的远离基底一侧与盖板贴合时，由于压力过大，导致驱动阵列层靠近第一透光开口的一侧向下弯曲变形并产生裂纹，裂纹经驱动阵列层延伸至平坦化层等，进而造成外界水氧入侵，导致发光材料被氧化而失效的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率；第一显示区包括：
基底，基底具有第一透光开口；
驱动阵列层，位于基底的一侧，驱动阵列层包括元件区与非元件区，第一透光开口至少贯穿基底远离驱动阵列层的一侧，第一透光开口中填充有透明材料，透明材料的透光率大于基底的透光率；
平坦化层，位于驱动阵列层远离基底的一侧；
像素限定层，位于平坦化层远离基底的一侧，像素限定层上形成若干个容纳发光材料的像素开口；相邻像素开口间形成第二透光开口；
其中，第二透光开口在基底上的投影与第一透光开口在基底上的投影部分重叠或完全重叠。通过在像素开口之间设置第二透光开口，以及在基底上设置填充有透明材料的第一透光开口，可以实现全面屏显示，并保证屏下摄像头区域的透光率，并避免显示面板产生裂纹。
进一步地，基底包括：交替层叠设置的至少一层第一无机材料层和至少一层第一有机材料层，第一无机材料层和第一有机材料层交替层叠设置，基底的最靠近驱动阵列层的膜层为无机材料层，基底的最远离驱动阵列层的膜层为有机材料层；
第一透光开口至少延伸至基底的最远离驱动阵列层的第一有机材料层靠近驱动阵列层的一侧。通过将基底设置为交替层叠设置的至少一层第一无机材料层和至少一层第一有机材料层，可以提高显示面板的弯折性能和水氧阻隔性能。
进一步地，在显示面板的厚度方向上，第二透光开口在基底上的投影位于驱动阵列层的非元件区在基底上的投影范围内；第一透光开口至少延伸至驱动阵列层靠近像素限定层的一侧，可以进一步提高透光率，避免驱动阵列层的元件区影响透光率。
进一步地，第二透光开口贯穿像素限定层、平坦化层和驱动阵列层；
其中，在显示面板的厚度方向上，第二透光开口在基底上的投影位于驱动阵列层的非元件区在基底上的投影范围内；
第二透光开口内填充透光材料，透光材料包括层叠设置的至少一层第二有机材料层和至少一层第二无机材料层；第二无机材料层与驱动阵列层续接，以提高水氧阻隔性能。
进一步地，驱动阵列层包括基底一侧层叠设置的多个金属层，以及相邻金属层之间的无机绝缘层，其中，第二无机材料层至少与一无机绝缘层续接，以提高水氧阻隔性能。
进一步地，透明材料为有机材料，或者透明材料包括交替层叠设置的至少一层第三有机材料层和至少一层第三无机材料层；优选的，透明材料包括无色聚酰亚胺；优选的，透明材料远离驱动阵列层的一侧与基底远离驱动阵列层的一侧平齐，以使第一透光开口填满透明材料，从而提高透明材料的支撑作用。
进一步地，在显示面板的厚度方向上，驱动阵列层的元件区在基底上的投影与第一透光开口在基底上的投影部分重叠或不重叠，以形成多个间隔的第一透光开口，使得从第二透光开口射入的光线从对应的第一透光开口射出，而不会从其他第一透光开口射出，从而可以提高感光器件的成像质量。
进一步地，显示面板还包括：沿远离基底方向，依次层叠设置的第一电极层、发光材料层和第二电极层，
第一电极层位于平坦化层和像素限定层之间，第一电极层包括多个第一电极，像素开口暴露第一电极，第一电极通过贯穿平坦化层的过孔与驱动阵列层电连接；
发光材料层和第二电极层覆盖像素开口和像素限定层，第二透光开口至少贯穿像素限定层、平坦化层、发光材料层和第二电极层，以避免平坦化层、像素限定层、发光材料层和第二电极层影响光透过率。
进一步地，显示面板还包括：薄膜封装层，位于第二电极层远离基底的一侧，薄膜封装层覆盖第二电极层和第二透光开口，薄膜封装层包括至少一层第四无机材料层和至少一层第四有机材料层，第四无机材料层和第四有机材料层交替层叠设置，薄膜封装层的最靠近基底的膜层为无机材料层；
薄膜封装层的最靠近基底的第四无机材料层在第二透光开口内与驱动阵列层的一无机绝缘层或基底的一无机材料层接触，以提高水氧阻隔性能，并保证薄膜封装层与其临近膜层的粘合力。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括感光器件和本发明任意实施例提供的显示面板，感光器件位于基底远离驱动阵列层的一侧，感光器件与第一透光开口相对。通过在像素开口之间设置第二透光开口，以及在基底上设置填充有透明材料的第一透光开口，可以实现全面屏显示，并保证屏下摄像头区域的透光率，并避免显示面板产生裂纹。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
提供基底；
在基底的一侧形成驱动阵列层，驱动阵列层包括元件区与非元件区；
在基底远离驱动阵列层的一侧形成第一透光开口，并在第一透光开口中填充透明材料，透明材料的透光率大于基底的透光率；
在驱动阵列层远离基底的一侧依次形成平坦化层和像素限定层，并图形化像素限定层形成多个像素开口，在像素限定层上形成第二透光开口，其中，在显示面板的厚度方向上，第二透光开口在基底上的投影与第一透光开口在基底上的投影部分重叠或完全重叠。通过在像素开口之间设置第二透光开口，以及在基底上设置填充有透明材料的第一透光开口，可以实现全面屏显示，并保证屏下摄像头区域的透光率，并避免显示面板产生裂纹。
本发明实施例的技术方案中显示面板包括第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率；第一显示区包括：基底，基底具有第一透光开口；驱动阵列层，位于基底的一侧，驱动阵列层包括元件区与非元件区，第一透光开口至少贯穿基底远离驱动阵列层的一侧，第一透光开口中填充有透明材料，透明材料的透光率大于基底的透光率；平坦化层，位于驱动阵列层远离基底的一侧；像素限定层，位于平坦化层远离基底的一侧，像素限定层上形成若干个容纳发光材料的像素开口；相邻像素开口间形成第二透光开口；其中，第二透光开口在基底上的投影与第一透光开口在基底上的投影部分重叠或完全重叠。通过在像素开口之间设置第二透光开口，并在透光率较小的基底上设置第一透光开口，并在第一透光开口内填充透光率较大的透明材料，以实现全面屏显示，并提高显示面板的透光率，保证屏下摄像头等感光器件能接收到更多的光，同时解决了若第一透光开口不进行填充，由于长时间的重力作用，或是在将显示面板的远离基底的一侧与盖板贴合时，压力过大，导致驱动阵列层靠近第一透光开口的一侧悬空，进而向下弯曲变形并产生裂纹，裂纹经驱动阵列层延伸至平坦化层等，进而造成外界水氧入侵，导致发光材料被氧化而失效的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种安装有感光器件时显示面板的局部剖面结构示意图；
图4为若第一透光开口不进行填充时显示面板产生裂纹的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图；
图11为与图10中步骤110至步骤140对应的局部剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供一种显示面板。图1为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。图2为本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图。图3为本发明实施例提供的一种安装有感光器件时显示面板的局部剖面结构示意图。该显示面板包括第一显示区4和第二显示区2，第一显示区4的透光率大于第二显示区2的透光率；第一显示区4包括：基底10、驱动阵列层20、平坦化层30和像素限定层50。
其中，基底10具有第一透光开口12；驱动阵列层20位于基底10的一侧，驱动阵列层20包括元件区21与非元件区22，第一透光开口12至少贯穿基底10远离驱动阵列层20的一侧，第一透光开口12中填充有透明材料13，透明材料13的透光率大于基底10的透光率；平坦化层30位于驱动阵列层20远离基底10的一侧；像素限定层50位于平坦化层30远离基底10的一侧，像素限定层50上形成若干个容纳发光材料的像素开口51；相邻像素开口51间形成第二透光开口80；其中，在显示面板的厚度方向CD上，第二透光开口80在基底10上的投影与第一透光开口12在基底10上的投影部分重叠或完全重叠。
其中，该显示面板可以设置于显示装置1中，该显示装置1可以是智能手机、平板电脑或笔记本电脑等。感光器件5可以采集透过第一显示区4的光线。感光器件5可以是摄像头等。基底10可以是柔性基底，例如基底10可以包括聚酰亚胺等材料。第一透光开口12可以是一个与第一显示区4的大小近似相等的较大的透光开口。可选的，第一显示区4内可设置有多个间隔的第一透光开口12。平坦化层30可以是有机材料，例如可以是聚酰亚胺等，以保证制备的第一电极层40的平整性。像素限定层50可以是有机材料，例如可以是聚酰亚胺等。第二透光开口80至少贯穿像素限定层50。驱动阵列层20的元件区21设置有薄膜晶体管，该薄膜晶体管可包括有源层23、栅极绝缘层24、栅极层25、源漏极层26和层间绝缘层27等。有源层23包括源区、沟道区和漏区。非元件区22没有设置薄膜晶体管，故非元件区22的透光率大于元件区21。可选的，在显示面板的厚度方向CD上，第二透光开口80在基底10上的投影位于驱动阵列层20的非元件区22在基底10上的投影范围内。可选的，透明材料13为有机材料。可选的，透明材料13包括无色聚酰亚胺。第二显示区2可以不设置第一透光开口12和第二透光开口80，只需实现正常显示即可。第一透光开口12和第二透光开口80可通过激光灰化等工艺形成。激光灰化工艺为真空环境下进行，且激光灰化过程不会有水产生，故可以避免水氧对发光材料层的损害。可选的，在显示面板的厚度方向CD上，像素开口51在基底10上的投影与驱动阵列层20的元件区21在基底10上的投影部分重叠或完全重叠。一个像素开口51可对应一个发光单元，发光单元可包括与其对应的像素开口51内的层叠设置的第一电机层40、发光材料层60和第二电极层70，一个发光单元可作为一个子像素。
图2和图3可为显示面板的第一显示区4沿图1中AB方向的局部剖面结构示意图。感光器件5位于基底10远离驱动阵列层20的一侧，在显示面板的厚度方向CD上，感光器件5与第一透光开口12相对。外界光线经第二透光开口80和第一透光开口12射入感光器件5。通过在像素开口51之间设置第二透光开口80，可以避免像素限定层50等具有颜色或透光率较小的有机材料影响射入感光器件的光线的强度的情况发生，并使得第一显示区4具有显示功能，通过在基底10上设置第一透光开口12，并在第一透光开口12中填充有透明材料13，以避免基底10等具有颜色或透光率较小的有机材料影响射入感光器件的光线的强度的情况发生，同时透明材料13起支撑作用，避免长时间重力作用，或是在显示面板的远离基底的一侧与盖板贴合时，压合力较大，由于不进行填充的第一透光开口12空置，导致驱动阵列层20靠近第一透光开口12的一侧悬空，进而向下弯曲变形并产生裂纹6，如图4所示，图4为若第一透光开口不进行填充时显示面板产生裂纹的结构示意图，裂纹6经驱动阵列层20延伸至平坦化层30等，由于平坦化层30和像素限定层50为有机材料，容易导致水氧入侵，造成发光材料被氧化，进而造成显示面板显示异常的情况发生。
本实施例的技术方案中显示面板包括第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率；第一显示区包括：基底，基底具有第一透光开口；驱动阵列层，位于基底的一侧，驱动阵列层包括元件区与非元件区，第一透光开口至少贯穿基底远离驱动阵列层的一侧，第一透光开口中填充有透明材料，透明材料的透光率大于基底的透光率；平坦化层，位于驱动阵列层远离基底的一侧；像素限定层，位于平坦化层远离基底的一侧，像素限定层上形成若干个容纳发光材料的像素开口；相邻像素开口间形成第二透光开口；其中，第二透光开口在基底上的投影与第一透光开口在基底上的投影部分重叠或完全重叠。通过在像素开口之间设置第二透光开口，并在透光率较小的基底上设置第一透光开口，并在第一透光开口内填充透光率较大的透明材料，以实现全面屏显示，并提高显示面板的透光率，保证屏下摄像头等感光器件能接收到更多的光，同时解决了若第一透光开口不进行填充，由于长时间的重力作用，或是在将显示面板的远离基底的一侧与盖板贴合时，压力过大，导致驱动阵列层靠近第一透光开口的一侧悬空，进而向下弯曲变形并产生裂纹，裂纹经驱动阵列层延伸至平坦化层等，进而造成外界水氧入侵，导致发光材料被氧化而失效的问题。
可选的，在上述实施的基础上，继续参见图2，第一透光开口12至少延伸至驱动阵列层20远离像素限定层50的一侧，以使第一透光开口12完全贯穿基底10，并至少延伸至基底10靠近驱动阵列层20的一侧，相比于第一透光开口12仅部分贯穿基底10的情况，可以提高透光率。
可选的，在上述实施的基础上，继续参见图2，透明材料13远离驱动阵列层20的一侧与基底10远离驱动阵列层20的一侧平齐，相比于图3中透明材料13未填满第一透光开口12的情况，具有更好的支撑作用。
可选的，在上述实施例的基础上，图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图，基底10包括：交替层叠设置的至少一层第一无机材料层15和至少一层第一有机材料层14。在沿显示面板的厚度方向CD上，第一无机材料层15和第一有机材料层14交替层叠设置。可选的，基底10的最靠近驱动阵列层20的膜层为无机材料层。可选的，基底10的最远离驱动阵列层20的膜层为有机材料层。
其中，第一有机材料层14可以包括聚酰亚胺等材料。第一无机材料层15可以包括下述至少一种材料：氮化硅和氧化硅等。可选的，基底10包括：交替层叠设置的至少一层第一无机材料层15和至少两层第一有机材料层14。通过将基底10设置为交替层叠设置的至少一层第一无机材料层15和至少一层第一有机材料层14，可以提高显示面板的弯折性能和水氧阻隔性能。
可选的，在上述实施的基础上，图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图，透明材料13包括交替层叠设置的至少一层第三有机材料层131和至少一层第三无机材料层132。
其中，第三有机材料层131可包括无色聚酰亚胺等材料。第三无机材料层132可以包括下述至少一种材料：氮化硅和氧化硅等。透明材料13中的第三无机材料层132可与基底10中的第一无机材料层15续接，透明材料13中的第三有机材料层131可与基底10中的第一有机材料层14续接。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图6，第一透光开口12至少延伸至基底10的最靠近驱动阵列层20的第一有机材料层14靠近驱动阵列层20的一侧，以使第一透光开口12贯穿基底10的所有第一有机材料层14，以提高透光率。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图5，第一透光开口12至少延伸至基底10的最远离驱动阵列层20的第一有机材料层14靠近驱动阵列层20的一侧。可选的，第一透光开口12可以连续贯穿基底10的至少一层第一有机材料层14，基底10的其余第一有机材料层14可以被第二透光开口80从另一侧所贯穿。第二透光开口80可贯穿像素限定层50、平坦化层40、驱动阵列层20和部分基底10。第一透光开口12与第二透光开口80可以连通或不连通。在显示面板的厚度方向CD上，第一透光开口12的深度和第二透光开口80的深度可根据需要进行设置，本发明实施例对此不做限定，只要保证透光率满足要求即可。
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图。在上述实施例的基础上，第二透光开口80贯穿像素限定层50、平坦化层40和驱动阵列层20。其中，在显示面板的厚度方向CD上，第二透光开口80在基底10上的投影位于驱动阵列层20的非元件区在基底10上的投影范围内；第二透光开口80内填充透光材料，透光材料包括层叠设置的至少一层第二有机材料层82和至少一层第二无机材料层81；第二无机材料层81与驱动阵列层20续接。
其中，第二有机材料层82可包括无色聚酰亚胺等材料。第二无机材料层81可以包括下述至少一种材料：氮化硅和氧化硅等。第二无机材料层81与驱动阵列层20的无机绝缘层续接，以提高水氧的阻隔性能，避免外界水氧经连续的有机材料层到达发光材料，导致发光材料被氧化而失效。
可选的，在上述实施例的基础上，结合图7和图2所示，驱动阵列层20包括基底10一侧层叠设置的多个金属层，以及相邻金属层之间的无机绝缘层，其中，第二无机材料层81至少与一无机绝缘层续接。
其中，多个金属层用于形成薄膜晶体管的栅极、源极和漏极，以及数据线、扫描线、发光控制线、电源线等，以使薄膜晶体管将扫描信号、数据信号和发光控制信号传输至对应的发光单元等。示例性的，结合图7和图2所示，多个金属层可包括：栅极层25和源漏极层26，无机绝缘层可包括栅极绝缘层24和层间绝缘层27等。多个金属层可覆盖元件区21，未覆盖非元件区22。无机绝缘层可覆盖元件区21和非元件区22，或者，无机绝缘层可覆盖元件区21，未覆盖非元件区22。无机绝缘层可以包括下述至少一种材料：氮化硅和氧化硅等。图7示例性的画出第二无机材料层81与一层间绝缘层27续接的情况。
图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图。在上述实施例的基础上，多层第二无机材料层81分别至少与一无机绝缘层续接。图8示例性的画出一第二无机材料层81与一层间绝缘层27续接，另一第二无机材料层81与栅极绝缘层24续接的情况。与一层第二无机材料层81续接的无机绝缘层的层数可以是一层或多层，以及用于续接的第二无机材料层81的层数可以是一层或多层，可根据需要设置，本发明实施例对此不做限定。
可选的，在上述实施例的基础上，如图5至图8所示，在显示面板的厚度方向CD上，驱动阵列层20的元件区21在基底10上的投影与第一透光开口12在基底10上的投影部分重叠或不重叠，即在第一显示区4内，基底10上设置有多个间隔的第一透光开口12，第一透光开口12与第二透光开口80一一对应，在显示面板的厚度方向CD上，第一透光开口12与其对应的第二透光开口80相对，使得从第二透光开口80射入的光线从对应的第一透光开口12射出，而不会从其他第一透光开口12射出，从而可以提高感光器件的成像质量。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图2，显示面板还包括：沿远离基底10方向，依次层叠设置的第一电极层40、发光材料层60和第二电极层70。第一电极层40位于平坦化层30和像素限定层50之间，第一电极层40包括多个第一电极41，像素开口51暴露第一电极41，第一电极41通过贯穿平坦化层的过孔31与驱动阵列层20电连接；发光材料层60和第二电极层70覆盖像素开口51和像素限定层50，第二透光开口80至少贯穿像素限定层50、平坦化层30、发光材料层60和第二电极层70。
其中，第一电极层40可以是阳极层。第二电极层70可以是阴极层。发光材料层60可以包括：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层等。该发光材料可为有机发光材料。第一电极层40可为导电材料，例如可以包括：氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)和银等。第二电极层70可为阴极层，第二电极层70可为导电材料，例如可以包括：镁和银等。每个像素开口51可对应一个子像素。平坦化层30、像素限定层50和发光材料层60可包括有机材料，具有颜色，例如呈黄色等，第二电极层70包括金属材料，故平坦化层30、像素限定层50、发光材料层60和第二电极层70会影响光透过率，通过将相邻像素开口51之间开设有第二透光开口80，以去除相邻开口51之间的平坦化层30、像素限定层50、发光材料层60和第二电极层70，以使外界光线通过第二透光开口80进入感光器件5，从而提高显示面板的透光率，在实现全屏显示的同时，并提高屏下摄像头的拍摄效果。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图5，显示面板还包括：薄膜封装层90，位于第二电极层70远离基底10的一侧，薄膜封装层90覆盖第二电极层70和第二透光开口80，薄膜封装层90包括至少一层第四无机材料层91和至少一层第四有机材料层92，第四无机材料层91和第四有机材料层92交替层叠设置。
其中，沿显示面板的厚度方向CD上，薄膜封装层90中的第四无机材料层91和第四有机材料层92交替层叠设置。第四无机材料层91可包括下述至少一种材料：氮化硅和氧化硅等。第四有机材料层92可包括下述至少一种材料：硅树脂和聚甲基丙烯酸甲酯等。通过设置薄膜封装层90，以提高水氧阻隔性能。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图6，薄膜封装层90的最靠近基底10的膜层为无机材料层；薄膜封装层90的最靠近基底10的第四无机材料层91在第二透光开口80内与驱动阵列层20的一无机绝缘层。相比于将无机材料层与有机材料层接触，两无机材料层更容易结合，膜层之间不易分离或脱落，以保证薄膜封装层与其临近膜层的粘合力。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图5，薄膜封装层90的最靠近基底10的膜层为无机材料层；薄膜封装层90的最靠近基底10的第四无机材料层91在第二透光开口80内与基底10的一无机材料层接触。相比于将无机材料层与有机材料层接触，两无机材料层更容易结合，膜层之间不易分离或脱落，以保证薄膜封装层与其临近膜层的粘合力。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图6，显示面板还包括缓冲层11，位于基底10和驱动阵列层20之间。缓冲层11可包括下述至少一种材料：氮化硅和氧化硅等。
可选的，在上述实施例的基础上，图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图，第一透光开口12至少延伸至驱动阵列层20靠近像素限定层50的一侧。第三无机材料层132可与驱动阵列层20的无机绝缘层续接，以提高水氧阻隔性能。
本发明实施例提供一种显示装置。在上述实施例的基础上，结合图1至图3所示，显示装置1包括感光器件5和本发明任意实施例提供的显示面板，感光器件5位于基底10远离驱动阵列层30的一侧，感光器件5与第一透光开口12相对。
其中，显示装置可以是为手机、平板电脑、电子纸和电子相框中的一种。本发明实施例提供的显示装置包括上述实施例中的显示面板，因此本发明实施例提供的显示装置也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法。图10为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图。图11为与图10中步骤110至步骤140对应的局部剖面结构示意图。该显示面板的制作方法可用于制作本发明任意实施例提供的显示面板。该方法包括：
步骤110、提供基底。
步骤120、在基底的一侧形成驱动阵列层，驱动阵列层包括元件区与非元件区。
步骤130、在基底远离驱动阵列层的一侧形成第一透光开口，并在第一透光开口中填充透明材料，透明材料的透光率大于基底的透光率。
其中，可通过激光灰化工艺形成第一透光开口12，采用激光照射基底10远离驱动阵列层20的一侧。
步骤140、在驱动阵列层远离基底的一侧依次形成平坦化层和像素限定层，并图形化像素限定层形成多个像素开口，在像素限定层上形成第二透光开口。
其中，在显示面板面板的厚度方向上，第二透光开口在基底上的投影与第一透光开口在基底上的投影部分重叠或完全重叠。需要说明的是，步骤130可在步骤140之前，还可以在步骤140之后执行。可通过激光灰化工艺形成第二透光开口80。
本发明实施例提供的显示面板的制作方法可用于制作本发明任意实施例提供的显示面板，因此本发明实施例提供的显示面板的制作方法也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
需要说明的是，可根据需要设置第二透光开口80的深度，本发明实施例对此不做限定。若形成贯穿平坦化层30、像素限定层50、发光材料层60和第二电极层70的第二透光开口80，可以是通过一步完成，例如通过一次激光照射工艺完成，或，分多步完成，即在单独形成各个膜层的过程中形成贯穿对应膜层的第二透光开口80。
其中，可通过普通掩膜板形成发光材料层中的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层，即空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层为整面连续膜层，从而可以减少精密掩膜板的使用，降低成本。通过精密掩膜板形成发光材料层中的有机发光层，即有机发光层仅位于像素开口51内，相邻像素开口51内的有机发光层是不连续的。
其中，在形成发光材料层60和第二电极层70之前，形成贯穿平坦化层30和像素限定层50的第二透光开口80，在形成发光材料层60和第二电极层70之后，通过激光灰化工艺，形成贯穿发光材料层60和第二电极层70的第二透光开口80，可以降低激光的能量和作用时间，从而降低激光的热量对像素开口51内发光材料层的影响。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率；所述第一显示区包括：
基底，所述基底具有第一透光开口；
驱动阵列层，位于所述基底的一侧，所述驱动阵列层包括元件区与非元件区，所述第一透光开口至少贯穿所述基底远离所述驱动阵列层的一侧，所述第一透光开口中填充有透明材料，所述透明材料的透光率大于所述基底的透光率；
平坦化层，位于所述驱动阵列层远离所述基底的一侧；
像素限定层，位于所述平坦化层远离所述基底的一侧，所述像素限定层上形成若干个容纳发光材料的像素开口；相邻像素开口间形成第二透光开口；
其中，所述第二透光开口在所述基底上的投影与所述第一透光开口在所述基底上的投影部分重叠或完全重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基底包括：交替层叠设置的至少一层第一无机材料层和至少一层第一有机材料层，所述第一无机材料层和所述第一有机材料层交替层叠设置，所述基底的最靠近所述驱动阵列层的膜层为无机材料层，所述基底的最远离所述驱动阵列层的膜层为有机材料层；
所述第一透光开口至少延伸至所述基底的最远离所述驱动阵列层的第一有机材料层靠近驱动阵列层的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的厚度方向上，所述第二透光开口在所述基底上的投影位于所述驱动阵列层的非元件区在所述基底上的投影范围内；所述第一透光开口至少延伸至所述驱动阵列层靠近所述像素限定层的一侧。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二透光开口贯穿所述像素限定层、所述平坦化层和所述驱动阵列层；
其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述第二透光开口在所述基底上的投影位于所述驱动阵列层的非元件区在所述基底上的投影范围内；
所述第二透光开口内填充透光材料，所述透光材料包括层叠设置的至少一层第二有机材料层和至少一层第二无机材料层；所述第二无机材料层与驱动阵列层续接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述驱动阵列层包括所述基底一侧层叠设置的多个金属层，以及相邻金属层之间的无机绝缘层，其中，所述第二无机材料层至少与一所述无机绝缘层续接。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述透明材料为有机材料，或者所述透明材料包括交替层叠设置的至少一层第三有机材料层和至少一层第三无机材料层；优选的，所述透明材料包括无色聚酰亚胺；优选的，所述透明材料远离所述驱动阵列层的一侧与所述基底远离所述驱动阵列层的一侧平齐。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的厚度方向上，所述驱动阵列层的元件区在所述基底上的投影与所述第一透光开口在所述基底上的投影部分重叠或不重叠。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：沿远离所述基底方向，依次层叠设置的第一电极层、发光材料层和第二电极层，
所述第一电极层位于所述平坦化层和所述像素限定层之间，所述第一电极层包括多个第一电极，所述像素开口暴露所述第一电极，所述第一电极通过贯穿所述平坦化层的过孔与所述驱动阵列层电连接；
所述发光材料层和所述第二电极层覆盖所述像素开口和所述像素限定层，所述第二透光开口至少贯穿所述像素限定层、所述平坦化层、所述发光材料层和所述第二电极层。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括：薄膜封装层，位于所述第二电极层远离所述基底的一侧，所述薄膜封装层覆盖所述第二电极层和所述第二透光开口，所述薄膜封装层包括至少一层第四无机材料层和至少一层第四有机材料层，所述第四无机材料层和所述第四有机材料层交替层叠设置，所述薄膜封装层的最靠近所述基底的膜层为无机材料层；
所述薄膜封装层的最靠近所述基底的第四无机材料层在所述第二透光开口内与所述驱动阵列层的一无机绝缘层或所述基底的一无机材料层接触。
10.一种显示装置，其特征在于，包括感光器件和权利要求1-9任一所述的显示面板，所述感光器件位于所述基底远离所述驱动阵列层的一侧，所述感光器件与所述第一透光开口相对。
11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底的一侧形成驱动阵列层，所述驱动阵列层包括元件区与非元件区；
在所述基底远离所述驱动阵列层的一侧形成第一透光开口，并在所述第一透光开口中填充透明材料，所述透明材料的透光率大于所述基底的透光率；
在所述驱动阵列层远离所述基底的一侧依次形成平坦化层和像素限定层，并图形化所述像素限定层形成多个像素开口，在像素限定层上形成第二透光开口，其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述第二透光开口在所述基底上的投影与所述第一透光开口在所述基底上的投影部分重叠或完全重叠。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114512520A (zh) * | 2022-02-07 | 2022-05-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN114824124A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-07-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN114823824A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-07-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 透明显示面板及透明显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110767714A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-02-07 | 昆山国显光电有限公司 | 透明阵列基板、透明显示面板、显示面板及显示终端 |
| CN110783382A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-02-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
| CN110783483A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-02-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
| CN110854176A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
-
2020
- 2020-03-13 CN CN202010175173.2A patent/CN113394245B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110767714A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-02-07 | 昆山国显光电有限公司 | 透明阵列基板、透明显示面板、显示面板及显示终端 |
| CN110783382A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-02-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
| CN110783483A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-02-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法和显示装置 |
| CN110854176A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114512520A (zh) * | 2022-02-07 | 2022-05-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN114512520B (zh) * | 2022-02-07 | 2024-01-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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| CN114824124B (zh) * | 2022-03-29 | 2023-08-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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