CN109065599B - 一种显示面板及其制备方法、以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示面板及其制备方法、以及显示装置,涉及显示技术领域。其中,显示面板包括相对设置的显示基板和封装盖板;显示基板包括衬底及依次层叠设置在衬底上的驱动背板、阳极复合层、发光层和阴极复合层;阴极复合层上形成有多个与发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过像素单元发出的部分光线;封装盖板朝向显示基板的一侧具有像素级的光敏传感器,光敏传感器与透光区域位置对应,以通过透光区域采集对应像素单元的发光强度。在本发明中,像素单元发出的光线可以透过阴极复合层的透光区域,对应透光区域位置的光敏传感器可以采集像素单元的发光强度,根据发光强度,可以调整输入像素单元的电流,从而提高了画面亮度的均一性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制备方法、以及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置因其自发光、低能耗等优点,是当今电致发光显示领域的研究热点。
然而,在OLED显示装置的显示过程中,可能会出现由于不同原因导致的画面亮度不均的现象,从而显示效果大大降低。例如,对于大尺寸、高分辨率的OLED显示装置,其面板引线的长度相较一般显示装置更长,相应的,引线电阻也越大,由于引线的电压降,将导致每个像素获得不同的驱动电流,从而每个像素的显示亮度将存在差异,也即会产生亮度不均的不良问题。再例如,OLED显示装置中薄膜晶体管的阈值电压发生偏移,或者发光材料在使用过程中逐渐劣化,也会造成各个像素在显示时存在亮度差异,产生亮度不均的不良问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法、以及显示装置,以解决现有的OLED显示装置出现画面亮度不均,从而降低了显示效果的问题。
为了解决上述问题,本发明公开了一种显示面板,包括:
相对设置的显示基板和封装盖板;
所述显示基板包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的驱动背板、阳极复合层、发光层和阴极复合层;
所述阴极复合层上形成有多个与所述发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过所述像素单元发出的部分光线;
所述封装盖板在朝向所述显示基板的一侧具有像素级的光敏传感器,所述光敏传感器与所述透光区域位置对应,以通过所述透光区域采集对应像素单元的发光强度。
可选地,所述阴极复合层包括层叠设置的透明阴极层、反射阴极层、刻蚀保护层和封装复合层;所述透明阴极层设置在所述发光层上;所述反射阴极层和所述刻蚀保护层上对应所述发光层上像素单元的位置均设置有透光孔,所述反射阴极层靠近所述透明阴极层的一侧为反射面;所述封装复合层对应所述透光孔的位置透光。
可选地,所述封装复合层包括:
透明保护层,所述透明保护层覆盖所述刻蚀保护层、所述透光孔的侧壁以及所述透明阴极层露出所述透光孔的部分;
透明平坦层,所述透明平坦层覆盖所述透明保护层;
透明封装层,所述透明封装层覆盖所述透明平坦层。
可选地,所述透光孔的孔径大于等于2微米,且小于等于50微米。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种显示装置,包括上述显示面板,以及控制模块;
所述控制模块与所述光敏传感器电连接,所述光敏传感器配置为将采集的发光强度发送至所述控制模块,所述控制模块配置为根据所述发光强度调整向所述像素单元输入的电流。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成驱动背板;
在所述驱动背板上形成阳极复合层;
在所述阳极复合层上形成发光层;
在所述发光层上形成阴极复合层,获得显示基板;所述阴极复合层上包括多个与所述发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过所述像素单元发出的部分光线;
提供封装盖板,所述封装盖板的一侧具有像素级的光敏传感器,所述光敏传感器与所述透光区域位置对应,以通过所述透光区域采集对应像素单元的发光强度;
将所述显示基板与所述封装盖板进行封装,其中,所述封装盖板具有所述光敏传感器的一侧朝向所述显示基板。
可选地,所述在所述发光层上形成阴极复合层,包括:
在所述发光层上形成透明阴极层;
在所述透明阴极层上形成层叠的反射阴极层和刻蚀保护层;所述反射阴极层和所述刻蚀保护层上对应所述发光层上像素单元的位置均设置有透光孔,所述反射阴极层靠近所述透明阴极层的一侧为反射面;
形成封装复合层;所述封装复合层对应所述透光孔的位置透光。
可选地,所述在所述透明阴极层上形成层叠的反射阴极层和刻蚀保护层,包括:
通过真空热蒸发镀膜工艺或溅射工艺,在所述透明阴极层上形成反射金属膜层;
通过沉积工艺,在所述反射金属膜层上形成保护膜层;
通过光刻工艺,在所述反射金属膜层和所述保护膜层上对应所述像素单元的位置形成透光孔,得到层叠的反射阴极层和刻蚀保护层。
可选地,所述形成封装复合层,包括:
通过沉积工艺形成透明保护层,所述透明保护层覆盖所述刻蚀保护层、所述透光孔的侧壁,以及所述透明阴极层露出所述透光孔的部分;
通过喷墨打印工艺形成透明平坦层,所述透明平坦层覆盖所述透明保护层;
通过化学气相沉积工艺形成透明封装层,所述透明封装层覆盖所述透明平坦层。
可选地,所述光刻工艺的温度大于等于50摄氏度,且小于等于100摄氏度。
与现有技术相比,本发明包括以下优点:
在本发明实施例中,显示面板的阴极复合层上形成有多个与发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过像素单元发出的部分光线,封装盖板在朝向显示基板的一侧具有像素级的光敏传感器,光敏传感器与透光区域位置对应,以通过透光区域采集对应像素单元的发光强度。在本发明实施例中,显示面板在显示时,发光层上的像素单元可以发出光线,其中部分光线可以透过阴极复合层的透光区域,封装盖板上对应透光区域位置的光敏传感器可以采集到该像素单元的发光强度。根据光敏传感器采集的发光强度,可以调整向像素单元输入的电流,从而提高了画面亮度的均一性,进而提高了显示效果。
附图说明
图1示出了本发明实施例一的一种显示面板的截面示意图;
图2示出了本发明实施例三的一种显示面板的制备方法的流程图。
附图标记说明:
10-显示基板,20-封装盖板,21-光敏传感器,11-衬底,12-驱动背板,13-阳极复合层,14-发光层,15-阴极复合层,151-透明阴极层,152-反射阴极层,153-刻蚀保护层,154-封装复合层,1541-透明保护层,1542-透明平坦层,1543-透明封装层,30-封框胶,40-填充胶。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
图1示出了本发明实施例一的一种显示面板的截面示意图,参照图1,显示面板可以包括相对设置的显示基板10和封装盖板20。其中,显示基板10包括衬底11及依次层叠设置在衬底11上的驱动背板12、阳极复合层13、发光层14和阴极复合层15,阴极复合层15上形成有多个与发光层14上的像素单元对应的透光区域,以透过像素单元发出的部分光线。封装盖板20在朝向显示基板10的一侧具有像素级的光敏传感器21,光敏传感器21与透光区域位置对应,以通过透光区域采集对应像素单元的发光强度。
驱动背板12中包括TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)驱动电路,用于驱动各个像素单元发光。阳极复合层13可以包括阳极层,以及形成在阳极层上的像素界定层。其中,阳极层可以覆盖驱动背板的平坦层,且阳极层与驱动背板TFT的源/漏极之间的各个膜层上可以设置有过孔,从而阳极层可以通过各个膜层上的过孔与驱动背板TFT的源/漏极连接,进而TFT可以通过TFT的源/漏极向阳极层施加电压。像素界定层可以形成在阳极层上对应非显示区域的位置,从而像素界定层在衬底11上的正投影可以覆盖TFT、栅线、数据线等结构,并可以限定出各个像素单元的显示区域。
参照图1,阴极复合层15具体可以包括层叠设置的透明阴极层151、反射阴极层152、刻蚀保护层153和封装复合层154。其中,透明阴极层151设置在发光层14上,透明阴极层151可以采用IZO(Indium Zinc Oxide,铟锌氧化物)等透明材料制成,因此,发光层14发出的光线可以透过透明阴极层151到达反射阴极层152。反射阴极层152和刻蚀保护层153上对应发光层14上像素单元的位置均设置有透光孔1521,因此,透过透明阴极层151的光线可以透过反射阴极层152和刻蚀保护层153到达封装复合层154。封装复合层154对应透光孔1521的位置透光,因此,透过反射阴极层152和刻蚀保护层153的光线可以透过封装复合层154。
另外,对于底发射的显示基板,由于透明阴极层151已经采用透明材料,从而无法对发光层14发出的大部分光线进行反射,进而使光线从衬底11射出,因此,反射阴极层152靠近透明阴极层151的一侧可以为反射面,从而反射阴极层152可以将发光层14发出的大部分光线反射至衬底11的方向,并从衬底11射出从而用于显示。
在实际应用中,反射阴极层152的材料可以为铝、银、铝银合金或铝钕合金等导电率高,且反射率高的材料。一方面,由于铝或银等材料本身反射率较高,因此可以对发光层14发出的大部分光线进行反射从而用于显示。另一方面,铝或银等材料的导电率高,因此可以与透明阴极层151构成复合阴极,从而增大阴极的厚度,进而可以减小阴极的电阻,显示面板的功耗也可以相应减小,尤其对于大尺寸的显示面板,可以有效减小其功耗。
进一步地,参照图1,封装复合层154具体可以包括透明保护层1541,透明平坦层1542和透明封装层1543。其中,透明保护层1541可以覆盖刻蚀保护层153、透光孔1521的表面,以及透明阴极层151露出透光孔1521的部分,透明保护层1541可以采用SiOx等透明材料制成,从而在全面保护透光孔结构的同时,还可以保证从透光孔射出的光线能够从透明保护层1541射出。另外,透明平坦层1542可以覆盖透明保护层1541,从而实现显示基板表面的平坦化,进而可以提高显示基板的厚度均一性。再者,由于发光层14通常采用有机发光材料,其光学特性极易受到水和氧气的影响,因此,透明封装层1543可以覆盖透明平坦层1542,从而能够对显示基板进行水氧隔离保护。
在实际应用中,反射阴极层152的厚度可以大于等于0.05微米,且小于等于0.3微米。透光孔1521的孔径可以大于等于2微米,且小于等于50微米。
封装盖板20在朝向显示基板10的一侧具有像素级的光敏传感器21,各个像素级的光敏传感器21可以组成光敏传感器阵列,其中,像素级光敏传感器的采光区域大小与像素单元的发光区域大小相近。光敏传感器21可以与透光区域的位置对应,从而发光层14发出的光线可以在透过阴极复合层15上的透光区域之后,被光敏传感器21采集到,进而光敏传感器21可以确定该透光区域所在像素单元的发光强度。获取到各个像素单元的发光强度之后,可以通过调整各个像素单元输入电流的方式,对各个像素单元的亮度进行调整。像素单元的发光强度较高时可以降低像素单元的亮度,像素单元的发光强度较低时可以提高像素单元的亮度。
具体地,光敏传感器21可以与外部的控制模块连接,从而光敏传感器21可以将采集的发光强度发送至控制模块,控制模块可以根据发光强度调整向像素单元输入的电流。当采集的发光强度小于预设发光强度时,可以确定透光区域对应的像素单元当前发出光线的亮度不足,此时,控制模块可以增大向该像素单元输入的电流,也即增大向该像素单元的数据线输入的电流,从而可以对该像素单元进行亮度补偿,避免该像素单元在显示时与其他像素单元存在亮度差异,进而能够避免显示面板产生亮度不均的不良问题。
在一种实现方式中,光敏传感器21的采光区域大小可以大于阴极复合层15上的透光区域大小,且光敏传感器21的采光区域可以部分正对阴极复合层15上的透光区域,另外,像素单元的发光区域大小可以大于阴极复合层15上的透光区域大小,且像素单元的发光区域可以部分正对阴极复合层15上的透光区域,从而像素单元的部分光线可以通过阴极复合层15上的透光区域,进而被透光区域对应的光敏传感器的部分采光区域采集。
在实际应用中,透光孔1521的外径可以设置得小一些,从而避免对像素单元的正常显示造成影响,相应的,当透光孔1521的外径小于光敏传感器21的外径时,透光孔1521只需对准光敏传感器21的至少部分采光区域即可。
还需要说明的是,由于像素单元尺寸很小,并且若是由于引线电压降或发光材料劣化等原因导致显示亮度减弱,则一个像素单元临近的多个像素单元,与该像素单元的亮度减弱程度基本相同,因此在实际应用中,可以在每个较小区域的其中一个像素单元对应封装盖板的位置设置一个光敏传感器,从而根据该光敏传感器采集的发光强度,可以调整该区域内各个像素单元的输入电流。当然,在实际应用中,可以多个像素单元对应设置一个光敏传感器,也可以一个像素单元对应设置一个光敏传感器,本发明实施例对此不作具体限定。
在一种实现方式中,发光层14具体可以包括依次叠层设置在阳极层上显示区域的第一空穴注入层、第一空穴传输层、蓝光发光层、第一电荷传输层、电荷产生层、空第二穴注入层、第二空穴传输层、红光发光层、绿光发光层、第二电荷传输层和电荷注入层。需要说明的是,在实际应用中,根据发光类型、驱动方式等因素的不同,显示基板中驱动背板的TFT结构,以及发光层14的结构将有所不同,本发明实施例对于驱动背板中TFT的结构,以及发光层14的结构不作具体限定。
另外,显示基板10和封装盖板20可以通过封框胶30封装,且显示基板10与封装盖板20之间的空间可以通过透明的填充胶40进行填充,从而可以进一步避免显示基板10受到水和氧气的影响。
在本发明实施例中,显示面板的阴极复合层上形成有多个与发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过像素单元发出的部分光线,封装盖板在朝向显示基板的一侧具有像素级的光敏传感器,光敏传感器与透光区域位置对应,以通过透光区域采集对应像素单元的发光强度。在本发明实施例中,显示面板在显示时,发光层上的像素单元可以发出光线,其中部分光线可以透过阴极复合层的透光区域,封装盖板上对应透光区域位置的光敏传感器可以采集到该像素单元的发光强度。根据光敏传感器采集的发光强度,可以调整向像素单元输入的电流,从而提高了画面亮度的均一性,进而提高了显示效果。
实施例二
参照图2,示出了本发明实施例二的一种显示装置的截面示意图。该显示装置可以包括上述显示面板,以及控制模块。其中,控制模块可以通过柔性电路板与光敏传感器电连接,光敏传感器相应可以配置为将采集的发光强度发送至控制模块,控制模块可以配置为根据发光强度调整向像素单元输入的电流。
具体地,发光层在通电条件下可以发出光线,大部分光线可以被反射阴极层反射至衬底进行显示,小部分光线可以从反射阴极层和刻蚀保护层上的透光孔射出,依次透过透明保护层、透明平坦层和透明封装层之后,可以被光敏传感器采集到,进而光敏传感器可以确定光线的发光强度,并将发光强度数据发送至控制模块,控制模块可以将该像素单元的发光强度与预设发光强度进行对比。
当该像素单元的发光强度小于预设发光强度,且与预设发光强度之间的差值大于预设差值时,控制模块可以确定该像素单元的亮度可能由于发光材料劣化、引线电压降等原因而低于正常亮度较多,此时,控制模块可以增大向该像素单元输入的电流,或者还可以增大向该像素单元临近的各个像素单元输入的电流,从而补偿该像素单元、或者该像素单元所在区域的显示亮度,从而提高亮度的均一性。
当该像素单元的发光强度大于预设发光强度,且与预设发光强度之间的差值大于预设差值时,控制模块可以确定该像素单元的亮度高于正常亮度较多,此时,控制模块可以减小向该像素单元输入的电流,或者还可以减小向该像素单元临近的各个像素单元输入的电流,从而降低该像素单元、或者该像素单元所在区域的显示亮度,从而提高亮度的均一性。
在本发明实施例中,显示面板的阴极复合层上形成有多个与发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过像素单元发出的部分光线,封装盖板在朝向显示基板的一侧具有像素级的光敏传感器,光敏传感器与透光区域位置对应,以通过透光区域采集对应像素单元的发光强度。在本发明实施例中,显示面板在显示时,发光层上的像素单元可以发出光线,其中部分光线可以透过阴极复合层的透光区域,封装盖板上对应透光区域位置的光敏传感器可以采集到该像素单元的发光强度,并发送给连接的控制模块。控制模块可以根据光敏传感器采集的发光强度,可以调整向像素单元输入的电流,从而提高了画面亮度的均一性,进而提高了显示效果。
实施例三
参照图2,示出了本发明实施例三的一种显示面板的制备方法的步骤流程图,该方法包括以下步骤:
步骤201:提供衬底。
在本发明实施例中,衬底具体可以为一透明玻璃基板或者透明PI(Polyimide,聚酰亚胺)基板。
步骤202:在衬底上形成驱动背板。
在一种实现方式中,可以在衬底上形成缓冲层,然后在缓冲层上通过构图工艺形成有源层,之后在有源层上通过构图工艺形成绝缘层,并在绝缘层上通过构图工艺同层形成栅极和栅线,然后可以形成层间介质层,层间介质层可以覆盖上述结构,之后在层间介质层上形成过孔,进而通过构图工艺同层形成源极、漏极,以及数据线,其中,源极和漏极均可以通过层间介质层上过孔与有源层连接,然后可以通过构图工艺在像素单元的显示区域形成滤光层,进而形成覆盖上述结构的平坦层,获得驱动背板。
步骤203:在驱动背板上形成阳极复合层。
在本发明实施例中,可以首先在阳极层与驱动背板TFT的源/漏极之间的各个膜层上形成过孔,然后在衬底上通过沉积、涂覆、溅射等方式形成阳极层,从而阳极层可以通过各个膜层上的过孔与驱动背板TFT的源/漏极连接。阳极层的材料可以为ITO(Indium TinOxide,氧化铟锡)等等。然后可以在阳极层上通过构图工艺形成像素界定层,像素界定层可以限定出各个像素单元的显示区域。对于步骤202中提供的一种驱动背板,阳极层可以通过驱动背板中平坦层上的过孔与TFT的源/漏极连接。
步骤204:在阳极复合层上形成发光层。
在一种实现方式中,可以在阳极层上的显示区域依次形成第一空穴注入层、第一空穴传输层、蓝光发光层、第一电荷传输层、电荷产生层、空第二穴注入层、第二空穴传输层、红光发光层、绿光发光层、第二电荷传输层和电荷注入层。在实际应用中,发光层的材料可以为有机发光材料。
步骤205:在发光层上形成阴极复合层,获得显示基板;阴极复合层上包括多个与发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过像素单元发出的部分光线。
在本发明实施例中,本步骤具体可以包括下述子步骤(1)至(3)。
子步骤(1):在发光层上形成透明阴极层。
其中,透明阴极层的材料可以为IZO、ITO、AZO(Aluminum doped Zinc Oxid,铝掺杂的氧化锌)等透明导电材料,从而透明阴极层在起阴极作用的同时,还可以使发光层发出的光线透过自身,从而被光敏传感器采集到。另外,透明阴极层的厚度可以大于等于0.05微米,且小于等于0.7微米。
子步骤(2):在透明阴极层上形成层叠的反射阴极层和刻蚀保护层;反射阴极层和刻蚀保护层上对应发光层上像素单元的位置均设置有透光孔,反射阴极层靠近透明阴极层的一侧为反射面。
在子步骤(2)中,可以首先通过真空热蒸发镀膜工艺或溅射工艺,在透明阴极层上形成反射金属膜层,然后可以通过沉积工艺,在反射金属膜层上形成保护膜层,之后可以通过光刻工艺,在反射金属膜层和保护膜层上对应像素单元的位置形成透光孔,得到层叠的反射阴极层和刻蚀保护层。其中,溅射工艺可以在50-100摄氏度的低温条件下进行。沉积工艺具体可以为原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)工艺或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)工艺。光刻工艺具体可以包括光刻胶涂布、前烘、曝光、显影、后烘、刻蚀,以及光刻胶灰化的步骤。其中,在刻蚀步骤中,具体可以通过电感耦合等离子体干刻工艺,在反射金属膜层和保护膜层上刻蚀出透光孔,其中,保护膜层可以在刻蚀过程中保护显示基板的其他器件,避免器件受损。另外,透明阴极层还可以同时作为电感耦合等离子体干刻工艺的截止层,从进一步避免透明阴极层及以下的器件在刻蚀过程中受损。
其中,反射阴极层的材料可以为铝、银、铝银合金或铝钕合金等等,反射阴极层的厚度可以大于等于0.05微米,且小于等于0.3微米。刻蚀保护层的材料可以为SiOxNy、SiOx、Al2O3、或SiNx等,刻蚀保护层的厚度可以为50-10000纳米。
另外,当反射阴极层的材料为铝材料时,在光刻工艺的光刻胶灰化过程中,反射阴极层还可以与作为灰化气体的氧气反应,生成40纳米左右厚度的氧化铝层,氧化铝层也能够在刻蚀过程中对显示基板器件起到暂时的保护作用。在实际制备过程中,光刻胶灰化的步骤可以在低温、低氧的条件下进行。在光刻胶灰化工艺结束后,应迅速将显示基板转移至真空腔室中,进而在真空环境下形成后续器件,避免器件受到水和氧气的影响而缩短使用寿命。
再者,为了避免显示基板中的器件因工艺温度受损,可以采用低温条件下的光刻工艺形成透光孔,例如可以采用低温条件下的前烘和后烘工艺、低温条件下的光刻胶灰化工艺,以及低温条件下的电感耦合等离子体干刻工艺等等。在实际应用中,光刻工艺的温度可以大于等于50摄氏度,且小于等于100摄氏度。
子步骤(3):形成封装复合层;封装复合层对应透光孔的位置透光。
在子步骤(3)中,可以首先通过沉积工艺形成透明保护层,透明保护层可以覆盖刻蚀保护层、透光孔的表面,以及透明阴极层露出透光孔的部分。在一种优选的方式中,沉积工艺可以为原子层沉积工艺,由于通过原子层沉积工艺可以形成原子层厚度级别的透明保护层,因此,透明保护层的同形覆盖能力强,从而可以对透光孔的侧壁等进行全面保护,当然,在实际应用中,沉积工艺也可以为化学气相沉积工艺,本发明实施例对此不作具体限定。形成透明保护层之后,然后可以通过喷墨印刷工艺(Ink Jet Printing,IJP)形成透明平坦层,透明平坦层可以覆盖透明保护层,并填充透光孔,从而实现表面平坦化,之后可以通过化学气相沉积工艺形成透明封装层,透明封装层可以覆盖透明平坦层。
在实际应用中,透明保护层的材料可以为SiNx、SiOxNy或SiOx等透明材料,透明平坦层的材料可以为有机材料,其主要成分可以包括2-甲基-2-丙烯酸-1,12-十二双醇酯,二苯基-(2,4,6-三甲基苯甲酰)氧磷。透明封装层可以包括SiNx、SiOxNy等材料构成的单层膜层或复合膜层。
步骤206:提供封装盖板,封装盖板的一侧具有像素级的光敏传感器,光敏传感器与透光区域位置对应,以通过透光区域采集对应像素单元的发光强度。
在本发明实施例中,封装盖板具体可以为一透明玻璃基板。首先可以在封装盖板设置柔性电路板,然后可以在柔性电路板上对应发光层上透光区域的位置焊接像素级的光敏传感器,从而光敏传感器后续可以通过透光区域采集对应像素单元的发光强度。另外,光敏传感器还可以通过柔性电路板与外部的控制模块连接,从而可以将采集的发光强度发送至控制模块,进而控制模块可以根据发光强度调整向像素单元输入的电流。
步骤207:将显示基板与封装盖板进行封装,其中,封装盖板具有光敏传感器的一侧朝向显示基板。
在本发明实施例中,在获得显示基板和具有光敏传感器的封装盖板之后,可以通过对位设备将显示基板与封装盖板对盒,并将透明的填充胶填充在显示基板与封装盖板之间的空间,进而通过封框胶进行粘接,然后对封框胶进行紫外固化后实现封装。其中,封装盖板具有光敏传感器的一侧朝向显示基板,从而可以将光敏传感器封装在显示面板内部,避免光敏传感器受损。
在本发明实施例中,可以在衬底上依次形成阳极复合层、发光层和阴极复合层,获得显示基板,然后可以将显示基板与一侧具有像素级光敏传感器的封装盖板进行封装。其中,阴极复合层上包括多个与发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过像素单元发出的部分光线,光敏传感器与透光区域位置对应,以通过透光区域采集对应像素单元的发光强度。在本发明实施例中,显示面板在显示时,发光层上的像素单元可以发出光线,其中部分光线可以透过阴极复合层的透光区域,封装盖板上对应透光区域位置的光敏传感器可以采集到该像素单元的发光强度。根据光敏传感器采集的发光强度,可以调整向像素单元输入的电流,从而提高了画面亮度的均一性,进而提高了显示效果。
对于前述的各方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种显示面板及其制备方法、以及显示装置,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
相对设置的显示基板和封装盖板;
所述显示基板包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的驱动背板、阳极复合层、发光层和阴极复合层;
所述阴极复合层上形成有多个与所述发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过所述像素单元发出的部分光线;
所述封装盖板在朝向所述显示基板的一侧具有像素级的光敏传感器,所述光敏传感器与所述透光区域位置对应,以通过所述透光区域采集对应像素单元的发光强度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极复合层包括层叠设置的透明阴极层、反射阴极层、刻蚀保护层和封装复合层;所述透明阴极层设置在所述发光层上;所述反射阴极层和所述刻蚀保护层上对应所述发光层上像素单元的位置均设置有透光孔,所述反射阴极层靠近所述透明阴极层的一侧为反射面;所述封装复合层对应所述透光孔的位置透光。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述封装复合层包括:
透明保护层,所述透明保护层覆盖所述刻蚀保护层、所述透光孔的侧壁以及所述透明阴极层露出所述透光孔的部分;
透明平坦层,所述透明平坦层覆盖所述透明保护层;
透明封装层,所述透明封装层覆盖所述透明平坦层。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述透光孔的孔径大于等于2微米,且小于等于50微米。
5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的显示面板,以及控制模块;
所述控制模块与所述光敏传感器电连接,所述光敏传感器配置为将采集的发光强度发送至所述控制模块,所述控制模块配置为根据所述发光强度调整向所述像素单元输入的电流。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供衬底;
在所述衬底上形成驱动背板;
在所述驱动背板上形成阳极复合层;
在所述阳极复合层上形成发光层;
在所述发光层上形成阴极复合层,获得显示基板;所述阴极复合层上包括多个与所述发光层上的像素单元对应的透光区域,以透过所述像素单元发出的部分光线;
提供封装盖板,所述封装盖板的一侧具有像素级的光敏传感器,所述光敏传感器与所述透光区域位置对应,以通过所述透光区域采集对应像素单元的发光强度;
将所述显示基板与所述封装盖板进行封装,其中,所述封装盖板具有所述光敏传感器的一侧朝向所述显示基板。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在所述发光层上形成阴极复合层,包括:
在所述发光层上形成透明阴极层;
在所述透明阴极层上形成层叠的反射阴极层和刻蚀保护层;所述反射阴极层和所述刻蚀保护层上对应所述发光层上像素单元的位置均设置有透光孔,所述反射阴极层靠近所述透明阴极层的一侧为反射面;
形成封装复合层;所述封装复合层对应所述透光孔的位置透光。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述透明阴极层上形成层叠的反射阴极层和刻蚀保护层,包括:
通过真空热蒸发镀膜工艺或溅射工艺,在所述透明阴极层上形成反射金属膜层;
通过沉积工艺,在所述反射金属膜层上形成保护膜层;
通过光刻工艺,在所述反射金属膜层和所述保护膜层上对应所述像素单元的位置形成透光孔,得到层叠的反射阴极层和刻蚀保护层。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述形成封装复合层,包括:
通过沉积工艺形成透明保护层,所述透明保护层覆盖所述刻蚀保护层、所述透光孔的侧壁,以及所述透明阴极层露出所述透光孔的部分;
通过喷墨打印工艺形成透明平坦层,所述透明平坦层覆盖所述透明保护层;
通过化学气相沉积工艺形成透明封装层,所述透明封装层覆盖所述透明平坦层。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述光刻工艺的温度大于等于50摄氏度,且小于等于100摄氏度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810949917.4A CN109065599B (zh) | 2018-08-20 | 2018-08-20 | 一种显示面板及其制备方法、以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810949917.4A CN109065599B (zh) | 2018-08-20 | 2018-08-20 | 一种显示面板及其制备方法、以及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109065599A CN109065599A (zh) | 2018-12-21 |
CN109065599B true CN109065599B (zh) | 2021-01-22 |
Family
ID=64686622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810949917.4A Active CN109065599B (zh) | 2018-08-20 | 2018-08-20 | 一种显示面板及其制备方法、以及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109065599B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109742130B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示器件及控制方法 |
CN110212111B (zh) * | 2019-05-30 | 2022-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制作方法、显示面板、显示装置 |
CN110391348A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN111429797B (zh) * | 2020-04-30 | 2023-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及制作方法 |
CN111969123B (zh) * | 2020-08-17 | 2023-01-13 | 维沃移动通信有限公司 | 显示模组和电子设备 |
CN112735328A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-04-30 | 季华实验室 | 驱动电路、像素结构、及自动调节亮度的led显示面板 |
CN113253377A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-08-13 | Oppo广东移动通信有限公司 | 偏光片及其制备方法、显示屏以及电子设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1934708A (zh) * | 2004-03-24 | 2007-03-21 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光显示器件 |
CN101529612A (zh) * | 2006-10-20 | 2009-09-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有机发光二极管器件 |
CN103426904A (zh) * | 2013-08-02 | 2013-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105870150B (zh) * | 2015-02-09 | 2020-09-25 | 三星显示有限公司 | 顶部发光装置和有机发光二极管显示装置 |
-
2018
- 2018-08-20 CN CN201810949917.4A patent/CN109065599B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1934708A (zh) * | 2004-03-24 | 2007-03-21 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光显示器件 |
CN101529612A (zh) * | 2006-10-20 | 2009-09-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有机发光二极管器件 |
CN103426904A (zh) * | 2013-08-02 | 2013-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109065599A (zh) | 2018-12-21 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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