CN111211145A - 显示装置 - Google Patents

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CN111211145A CN201911082288.0A CN201911082288A CN111211145A CN 111211145 A CN111211145 A CN 111211145A CN 201911082288 A CN201911082288 A CN 201911082288A CN 111211145 A CN111211145 A CN 111211145A
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尹净基
朴锺汉
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Abstract

公开了能够减小非显示区域的显示装置。所公开的显示装置包括包含设置在有源区内的至少一个孔区的基板、以及穿过设置在发光元件下方同时包括由不同材料制成的上绝缘膜和下绝缘膜的无机绝缘膜的至少一个阻挡孔。上无机绝缘膜的通过阻挡孔露出的侧表面分别突出超过下无机绝缘膜的通过阻挡孔露出的侧表面。因此，可以使作为非显示区域的边框区最小化，并且可以通过阻挡孔使发光叠层断开。

Description

显示装置
本申请要求于2018年11月22日提交的韩国专利申请第10-2018-0145431号的权益，通过引用将其如同在本文中完全阐述的那样并入本文。
技术领域
本公开内容涉及显示装置，并且更具体地涉及能够减小非显示区域的显示装置。
背景技术
在屏幕上呈现各种信息的图像显示装置是信息时代的核心技术。这种图像显示装置正朝着增强的薄度、增强的亮度和增强的便携性以及增强的性能发展。与此相关，能够消除阴极射线管(CRT)的重型和庞大结构的缺点的平板显示装置更为突出。
这种平板显示装置的代表性示例可以包括液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(ED)装置等。
这种平板显示装置用于各种类型的电器例如电视(TV)、监视器和便携式电话，并且通过向其添加摄像装置、扬声器和传感器而得到进一步发展。然而，摄像装置、扬声器、传感器等设置在显示装置的非显示区域中，并且因此，作为非显示区域的边框区增加。因此，常规显示装置存在显示区域减小的问题。
发明内容
因此，本公开内容涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的显示装置。
本发明的目的是提供一种能够减小非显示区域的显示装置。
本发明的另外的优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将对本领域的普通技术人员而言在审阅以下内容后变得明显，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其他优点可以通过在其书面说明书及权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其他优点，并且根据本发明的目的，如本文体现和广泛描述的，一种显示装置包括包含设置在有源区内的至少一个孔区的基板、以及穿过设置在发光元件下方同时包括由不同材料制成的上绝缘膜和下绝缘膜的无机绝缘膜的至少一个阻挡孔。上无机绝缘膜的通过阻挡孔露出的侧表面分别突出超过下无机绝缘膜的通过阻挡孔露出的侧表面。因此，可以使作为非显示区域的边框区最小化，并且可以通过阻挡孔使发光叠层断开。
应当理解的是，本发明的上述一般性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入且构成本申请的一部分的附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的有机发光显示装置的视图；
图2是沿图1中的线I-I截取的截面图，示出了具有根据本发明的第一实施方式的结构的有机发光显示装置；
图3A和图3B是示出图2中所示的阻挡孔的实施方式的截面图；
图4是示出装配在图2中所示的基板孔中的摄像模块的截面图；
图5A至图5C是说明用于形成图3A中所示的阻挡孔的方法的截面图；
图6是示出根据本发明的第二实施方式的显示装置的截面图；
图7是具体说明图6中所示的阻挡孔的截面图；
图8是示出根据本发明的第三实施方式的显示装置的截面图；
图9是具体说明图6中所示的阻挡孔的截面图；以及
图10是示出图2中所示的通孔的另一实施方式的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方式。
参照图1和图2，示出了显示装置。显示装置包括有源区AA和焊盘区PDA。
多个焊盘122形成在焊盘区PDA中，以分别向设置在有源区AA中的多个信号线供应驱动信号。这里，每个信号线106包括扫描线SL、数据线DL、高电压(VDD)供应线或低电压(VSS)供应线中的至少一个。
有源区AA包括发射区EA、边框区BA和孔区HA。
单位像素分别设置在发射区EA中，其中，单位像素中的每个单位像素包括发光元件130。每个单位像素可以如图1所示由红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素构成，或者可以由红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素和白色(W)子像素构成。每个子像素包括一个发光元件130和用于独立驱动发光元件130的像素驱动电路。
像素驱动电路包括开关晶体管TS、驱动晶体管TD和存储电容器Cst。
当扫描脉冲供应至对应的扫描线SL时，开关晶体管TS导通。在这种状态下，供应至对应数据线DL的数据信号经由开关晶体管TS供应至电容器Cst和驱动晶体管TD的栅电极。
驱动晶体管TD响应于供应至其栅电极的数据信号而控制从对应的高电压(VDD)供应线供应至发光元件130的电流I，从而调节从发光元件130发出的光的量。即使当开关晶体管TS关断时，驱动晶体管TD也通过存储电容器Cst中充有的电压来供应恒定电流I，直至供应下一帧的数据信号，并且因此，发光元件130保持光的发射。
图2示出了根据本发明的第一实施方式的显示装置。如图2所示，由附图标记“150”指示的驱动晶体管TD包括设置在有源缓冲层114上的有源层154、在栅极绝缘膜116介于有源层154与栅电极152之间的情况下与有源层154交叠的栅电极152、以及形成在层间绝缘膜102上同时接触有源层154的源电极156和漏电极158。
有源层154由非晶半导体材料、多晶半导体材料或氧化物半导体材料中的至少一种制成。有源层154包括沟道区、源极区和漏极区。在栅极绝缘膜116介于沟道区与栅电极152之间的情况下，沟道区与栅电极152交叠，并且因此，沟道区被限定在源电极156与漏电极158之间。源极区经由穿过栅极绝缘膜116和层间绝缘膜102的源极接触孔124S电连接至源电极156。漏极区经由穿过栅极绝缘膜116和层间绝缘膜102的漏极接触孔124D电连接至漏电极158。
多缓冲层112和有源缓冲层114设置在有源层154与基板101之间。多缓冲层112用作延迟渗透至基板101中的水分(moisture)和/或氧气的扩散。有源缓冲层114执行保护有源层154和阻挡从基板101传播的各种缺陷的功能。多缓冲层112、有源缓冲层114或基板101中的至少一个具有多层结构。
在这种情况下，多缓冲层112的与有源缓冲层114接触的最上层由具有与多缓冲层112、有源缓冲层114和栅极绝缘层116的其余层的蚀刻特性不同的蚀刻特性的材料制成。多缓冲层112的与有源缓冲层114接触的最上层由硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)中的一个制成。多缓冲层112、有源缓冲层114和栅极缓冲层116的其余层由SiNx和SiOx中的另一个制成。例如，多缓冲层112的与有源缓冲层114接触的最上层由SiNx制成，而多缓冲层112、有源缓冲层114和栅极缓冲层116的其余层由SiOx制成。
发光元件130包括连接至驱动晶体管150的漏电极158的阳极132、形成在阳极132上的至少一个发光叠层134以及形成在发光叠层134上以连接至低电压(VSS)供应线的阴极136。这里，低电压(VSS)供应线供应比通过高电压(VDD)供应线供应的高电压低的电压。
阳极132电连接至驱动晶体管150的通过穿过设置在驱动晶体管150上的平坦化层104的像素接触孔126露出的漏电极158。每个子像素的阳极132设置在平坦化层104上而不被堤138覆盖，使得阳极132被露出。
当如上所述的阳极132应用于底部发射型有机发光显示装置时，阳极132由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成的透明导电膜构成。另一方面，当阳极132应用于顶部发射型有机发光显示装置时，阳极132被形成为具有包括透明导电膜和具有高反射效率的不透明导电膜的多层结构。透明导电膜由具有相对高功函数的材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成。不透明导电膜被形成为具有包括铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、铅(Pb)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金的多层结构或单层结构。例如，阳极132被形成为具有其中依次层叠透明导电膜、不透明导电膜和透明导电膜的结构。
通过在阳极132上以下述顺序或以相反顺序层叠空穴传输层、发光层和电子传输层来形成发光叠层134。
在发光叠层134介于阳极132与阴极136之间的情况下，阴极136形成在发光叠层134和堤138的上表面和侧表面上，以面向阳极132。
形成封装单元140以防止外部水分或氧气渗透至抵抗水分或氧气较差的发光元件130中。为此，封装单元140包括多个无机封装层142和146以及设置在相邻的无机封装层142与146之间的有机封装层144。无机封装层146设置在封装单元140的最上面的位置处。在这种情况下，封装单元140包括至少一个无机封装层142或146和至少一个有机封装层144。将结合下述示例给出下面的描述，在该示例中，封装单元140具有根据本发明的包括第一无机封装层142和第二无机封装层146以及设置在第一无机封装层142与第二无机封装层146之间的一个有机封装层144的结构。
第一无机封装层142形成在形成有阴极136的基板101上，使得第一无机封装层142最靠近发光元件130设置。第一无机封装层142由能够在低温下沉积的无机绝缘材料例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiON)或铝氧化物(Al2O3)制成。因此，无机封装层142可以在低温环境中沉积。因此，可以在第一无机封装层142的沉积期间防止对在高温环境中较差的发光叠层134的损坏。
第二无机封装层146被形成为覆盖有机封装层144的上表面和侧表面以及第一无机封装层142的未被有机封装层144覆盖的露出的上表面。因此，有机封装层144的上表面和下表面被第一无机封装层142和第二无机封装层146密封，并且因此，可以最小化或防止外部水分或氧气渗透到有机封装层144中或者可以最小化或防止有机封装层144内存在的水分或氧气渗透到发光元件130中。第二无机封装层146由无机绝缘材料例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiON)或铝氧化物(Al2O3)制成。
有机封装层144用作缓冲器，以缓冲在有机发光显示装置的弯曲期间在层之间产生的应力，同时增强平坦化性能。另外，有机封装层144被形成为具有比无机封装层142和146大的厚度，以防止形成由异物引起的裂缝或针孔。有机封装层144由有机绝缘材料例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或硅碳氧化物(SiOC)制成。
形成有机封装层144时，形成外坝128和内坝(inner dam)108以限制有机封装层144的流动性。
如图1所示，至少一个外坝118可以被形成为完全围绕其中设置有发光元件130的有源区AA，或者可以仅形成在有源区AA与焊盘区PDA之间的区域中。当形成有多个焊盘122的焊盘区PDA设置在基板101的一侧时，外坝128仅设置在基板101的一侧。另一方面，当各自形成有多个焊盘122的焊盘区PDA分别设置在基板101的相对侧时，外坝128分别设置在基板101的相对侧。当设置多个外坝128时，外坝128平行地设置同时彼此间隔开一定距离。借助于这种外坝128，可以防止有机封装层144扩散至焊盘区PDA中。
至少一个内坝108被设置成完全围绕设置在孔区HA中的基板孔120。当设置多个内坝108时，内坝108平行地设置同时彼此间隔开一定距离。与外坝128类似，这样的内坝108被形成为具有单层结构或包括层108a和108b的多层结构。例如，内坝108和外坝128中的每一个与平坦化层104、堤138或间隔物(未示出)中的至少一个使用相同的材料同时形成，并且因此可以防止使用额外的掩模工艺和成本的增加。借助于这样的内坝108，可以防止可以用作水分渗透路径的有机封装层144扩散至孔区HA中。
边框区BA设置在孔区HA与和孔区HA相邻设置的发射区EA之间。在边框区BA中，设置有上述内坝108、至少一个阻挡孔110、和通孔170。
每个阻挡孔110设置在每个内坝108与基板孔120之间。阻挡孔110被形成为穿过设置在基板101与平坦化层104之间的多缓冲层112、有源缓冲层114、栅极绝缘膜116或具有多层结构的层间绝缘膜102中的至少一个。在这种情况下，具有多层结构的层间绝缘膜102包括交替地层叠在栅电极152与源电极156和漏电极158之间的不同无机绝缘材料的层。根据本公开的实施例，具有多层结构的层间绝缘膜102包括交替地层叠在源电极156和漏电极158中的每一个与栅电极152之间的不同无机绝缘材料的层。将结合如图3A或图3B所示其中第二层间绝缘膜102b介于第一层间绝缘膜102a与第三层间绝缘膜102c之间同时由与第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的材料不同的材料制成的层间绝缘膜102的结构给出下面的描述。
当在图3A的情况下的第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c由SiNx制成时，第二层间绝缘膜102b由SiOx制成。在这种情况下，第二层间绝缘膜102b的通过阻挡孔110露出的侧表面突出超过第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面。同时，与有源层154接触的有源缓冲层114和栅极绝缘膜116由与第二层间绝缘膜102b相同的材料即SiOx制成，以防止氢扩散到有源层154中。因此，有源缓冲层114和栅极绝缘膜116的侧表面也突出超过第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面。
由于如上所描述的第二层间绝缘膜102b的通过阻挡孔110露出的侧表面突出超过第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面，因此，设置在第二层间绝缘膜102b下方的第一层间绝缘膜102a包括底切。
当在图3B的情况下的第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c由SiOx制成时，第二层间绝缘膜102b由SiNx制成。在这种情况下，第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的通过阻挡孔110露出的侧表面突出超过第二层间绝缘膜102b的侧表面。因此，设置在第三层间绝缘膜102c下方的第二层间绝缘膜102b包括底切。
借助于图3A中所示的第一层间绝缘膜102a的底切或图3B中所示的第二层间绝缘膜102b的底切，发光叠层134和阴极136被形成为在阻挡孔110内被断开而没有连续性。因此，即使当外部水分沿设置在孔区HA附近的发光叠层134渗透时，也可以通过阻挡孔110防止或延迟将渗透的水分引入到发射区EA中。另外，即使静电沿设置在孔区HA附近的阴极136引入时，也可以通过阻挡孔110防止所引入的静电扩散到发射区EA中。此外，阻挡孔110表现出与有机绝缘材料相比较高的硬度，并且因此，可以通过去除无机绝缘层114、116和102——其在受到弯曲应力时可能容易产生裂缝——来防止裂缝传播到发射区EA中。
同时，在图3A中所示的情况下，第二层间绝缘膜102b(上无机绝缘膜)的侧表面突出超过第一层间绝缘膜102a(下无机绝缘膜)的侧表面约0.1μm至0.2μm。另一方面，在图3B中所示的情况下，第三层间绝缘膜102c(上无机绝缘膜)的侧表面突出超过第二层间绝缘膜102b(下无机绝缘膜)的侧表面约0.1μm至0.2μm。
当上无机绝缘膜的侧表面突出超过下无机绝缘膜的侧表面小于0.1μm时，发光叠层134和阴极136被没有断开地形成。因此，水分、静电和裂缝可以沿发光叠层134扩散到发射区EA中。
另一方面，当上无机绝缘膜的侧表面突出超过下无机绝缘膜的侧表面大于0.2μm时，下无机绝缘膜不能承受上无机绝缘膜的重量，并且因此，上无机绝缘膜的突出部分可能坍塌。
在封装单元140上形成由无机绝缘材料制成的无机覆盖层148。无机覆盖层148密封多个薄膜112、114、116、102、142、146、136和134当中的通过通孔170露出的界面，并且因此，可以最小化或防止外部水分或氧气渗透到多个薄膜的界面中。
通孔170被形成为穿过设置在基板101与无机覆盖层148之间的多个薄膜层。例如，通孔170被形成为穿过无机绝缘层112、114、116和102、发光叠层134、阴极136以及无机封装层142和146的设置在孔区HA和设置在孔区HA周围的区域中的部分，从而露出基板101的上表面。由于借助于通孔170去除无机绝缘层112、114、116和102、发光叠层134、阴极136以及无机封装层142和146的部分，可以实现激光微调工艺的简化。
由于孔区HA设置在有源区AA内，所以孔区HA可以被设置在有源区AA中的多个子像素SP围绕。尽管孔区HA被示出为具有圆形形状，但是孔区HA可以被形成为具有多边形形状或椭圆形形状。
包括摄像装置、扬声器、闪光光源或诸如指纹传感器的生物计量传感器的电子部件设置在孔区HA中。将结合如图4所示的其中根据本发明摄像模块160设置在孔区HA中的示例给出下面的描述。
摄像模块160包括摄像透镜164和摄像驱动器162。
摄像驱动器162设置在包括在显示面板中的基板101的下表面处，使得摄像驱动器162连接至摄像透镜164。
摄像透镜164设置在基板孔120内，基板孔120从设置在有源区AA的最低位置处的下薄膜层(例如，基板101或背板)延伸到设置在有源区AA的最高位置处的上薄膜层(例如，偏振板166)。因此，摄像透镜164被设置成面对盖玻璃(cover glass)168。在这种情况下，基板孔120被设置成与通孔170交叠，同时具有与通孔170相比较小的宽度。基板孔120可以被设置成穿过基板101、无机绝缘层148和偏振板166，或者可以被设置成穿过基板101和偏振板166。
由于摄像模块160设置在有源区AA内，因此可以使作为显示装置的非显示区域的边框区最小化。
图5A至图5C是说明用于形成图3A中所示的每个阻挡孔110的方法的截面图。
如图5A所示，首先制备基板101，在基板101上依次层叠有多缓冲层112、有源缓冲层114、栅极绝缘膜116和具有多层结构的层间绝缘膜102。此后，在具有多层结构的层间绝缘膜102的最上层的整个上表面上方形成硬掩模层。在这种情况下，使用ITO(铟锡氧化物)、MoTi(钼钛合金)、Mo(钼)或Ti(钛)中的至少一种将硬掩模层形成为具有单层结构或多层结构。然后使用光掩模通过光刻工艺在硬掩模层上形成光致抗蚀剂图案178。随后使用光致抗蚀剂图案178作为掩模通过蚀刻工艺形成硬掩模图案180。
接下来，如图5B所示，使用硬掩模图案180和光致抗蚀剂图案178作为掩模通过干法蚀刻工艺首先蚀刻层间绝缘膜102、栅极绝缘膜116和有源缓冲层114，从而形成每个阻挡孔110。在这种情况下，第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c表现出比第二层间绝缘膜102b高的蚀刻速率，并且因此，第二层间绝缘膜102b的侧表面突出超过第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面。另外，由于每个阻挡孔110的深度较大，因此长时间执行干法蚀刻工艺，所以在干法蚀刻工艺期间光致抗蚀剂图案178在与干法蚀刻气体反应的同时被移除。
此后，使用硬掩模图案180作为掩模通过湿法蚀刻工艺选择性地蚀刻第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c。因此，如图5C所示，第二层间绝缘膜102b的侧表面进一步突出超过第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面。
随后，通过蚀刻工艺去除硬掩模图案180。
同时，尽管已经描述了在图5A至图5C的情况下通过干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺来执行每个阻挡孔110的形成，但是还可以仅通过干法蚀刻工艺而不使用湿法蚀刻工艺来形成阻挡孔110。即，在第一层间绝缘膜至第三层间绝缘膜102a、102b和102c、栅极绝缘膜116和有源缓冲层114的初次干法蚀刻之后，选择性地二次干法蚀刻由SiNx制成的第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c(或第二层间绝缘膜102b)。通过将二次干法刻蚀中使用的功率调节至低于初次干法刻蚀的功率来实现对由SiNx制成的第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c(或第二层间绝缘膜102b)、有源缓冲层114以及栅极绝缘膜116的选择性二次干法刻蚀。
同时，可以在像素接触孔126形成之前或之后或者在源极接触孔124S和漏极接触孔124D形成之前或之后形成每个阻挡孔110。
图6是示出根据本发明的第二实施方式的显示装置的截面图。
除了还包括硬掩模图案180之外，图6中所示的显示装置包括与图2中所示的显示装置的构成元件相同的构成元件。因此，将不给出相同的构成元件的详细描述。
使用ITO、MoTi、Mo和Ti中的一种在具有多层结构的层间绝缘膜102的最上面的层间绝缘膜102c上形成硬掩模图案180，以具有单层结构或多层结构。尽管在图5的上述工艺中去除了硬掩模图案180，但是在这种情况下硬掩模图案180可以被留在基板101上而不被去除。例如，可以使用半色调掩模通过光刻工艺形成具有多阶梯结构的光致抗蚀剂图案，然后可以使用具有多阶梯结构的光致抗蚀剂图案通过蚀刻工艺将硬掩模图案180选择性地留在每个阻挡孔110周围的区域中。另外，可以在执行图5C中所示的湿法蚀刻工艺之后通过额外的掩模工艺将硬掩模图案180选择性地留在每个阻挡孔110周围的区域中。
在这种情况下，如图7所示，硬掩模图案180的通过每个阻挡孔110露出的侧表面突出超过最上面的层间绝缘膜即第三层间绝缘膜102c的侧表面约0.1μm至0.2μm。因此，设置在硬掩模图案180下方的最上面的层间绝缘膜即第三层间绝缘膜102c包括第一底切。
同时，第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c由与第二层间绝缘膜102b不同的材料制成。例如，第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c由SiNx制成，而第二层间绝缘膜102b由SiOx制成。在这种情况下，第二层间绝缘膜102b的通过每个阻挡孔110露出的侧表面突出超过第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面。因此，设置在第二层间绝缘膜102b下方的第一层间绝缘膜102a包括第二底切，这是因为第二层间绝缘膜102b的通过每个阻挡孔110露出的侧表面突出超过第一层间绝缘膜102a的和第三层间绝缘膜102c的侧表面约0.1μm至0.2μm。
借助于第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的底切，发光叠层134和阴极136被形成为在每个阻挡孔110内被断开而没有连续性。在这种情况下，由于图6中所示的层间绝缘膜102包括第一底切和第二底切，因此与图2中的包括一个底切的层间绝缘膜102相比，可以减少发光叠层134的断开失效。因此，即使当外部水分沿设置在孔区HA附近的发光叠层134渗透时，也可以通过阻挡孔110更有效地防止或延迟将渗透的水分引入到发射区EA中。另外，即使当静电沿设置在孔区HA附近的阴极136引入时，也可以通过阻挡孔110更有效地防止所引入的静电扩散到发射区EA中。此外，阻挡孔110表现出与有机绝缘材料相比较高的硬度，并且因此，可以通过去除无机绝缘层114、116和102——其在受到弯曲应力时可能容易产生裂缝——来防止裂缝传播到发射区EA中。
图8是示出根据本发明的第三实施方式的显示装置的截面图。
除了还包括钝化膜118之外，图8所示的显示装置包括与图2所示的显示装置的构成元件相同的构成元件。因此，将不给出相同的构成元件的详细描述。
钝化膜118形成在薄膜晶体管150与阳极132之间。即，钝化膜118被设置在具有多层结构的层间绝缘膜102的最上面的层间绝缘膜102c上。钝化膜118由与作为最上面的层间绝缘膜的第三层间绝缘膜102c的材料不同的材料形成。例如，钝化膜118和第二层间绝缘膜102b由SiOx制成，而第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c由SiNx制成。因此，如图9所示，钝化膜118的通过每个阻挡孔110露出的侧表面突出超过第三层间绝缘膜102c的侧表面，并且因此，设置在钝化膜118下方的第三层间绝缘膜102c包括第一底切。另外，第二层间绝缘膜102b的通过每个阻挡孔110露出的侧表面突出超过第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面，并且因此设置在第二层间绝缘膜102b下方的第一层间绝缘膜102a包括第二底切。
借助于第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的底切，发光叠层134和阴极136被形成为在阻挡孔110内被断开而没有连续性。在这种情况下，由于图8中所示的层间绝缘膜102包括第一底切和第二底切，因此与图2中的包括一个底切的层间绝缘膜102相比，可以减少发光叠层134的断开失效。因此，即使当外部水分沿设置在孔区HA附近的发光叠层134渗透时，也可以通过阻挡孔110更有效地防止或延迟将渗透的水分引入到发射区EA中。另外，即使当静电沿设置在孔区HA附近的阴极136引入时，也可以通过阻挡孔110更有效地防止所引入的静电扩散到发射区EA中。此外，阻挡孔110表现出与有机绝缘材料相比较高的硬度，并且因此，可以通过去除无机绝缘层114、116和102——其在受到弯曲应力时可能容易产生裂缝——来防止裂缝传播到发射区EA中。
同时，尽管如图2所示已经描述了根据本发明通孔170被形成为穿过设置在基板101与无机覆盖层148之间的无机绝缘层112、114、116和102、发光叠层134、阴极136以及无机封装层142和146，但是如图10所示通孔170可以被形成为仅延伸至第一无机封装层142和第二无机封装层146以及多缓冲层112。即，由于每个阻挡孔110被形成为穿过有源缓冲层114、栅极绝缘膜116和层间绝缘膜102的设置在孔区HA及设置在孔区HA周围的区域中的部分，所以通孔170可以被形成为仅穿过第一无机封装层142和第二无机封装层146以及多层缓冲层112。在这种情况下，第二层间绝缘膜102b的通过通孔170露出的侧表面突出超过第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面，或者第一层间绝缘膜102a和第三层间绝缘膜102c的侧表面突出超过第二层间绝缘膜102b的侧表面。
由于如上所述在通孔170形成期间仅选择性地蚀刻第一无机封装层142和第二无机封装层146以及多缓冲层112，因此可以简化形成通孔170的工艺。
如根据以上描述明显的，本发明提供以下效果。
由于根据本发明摄像模块安装在其中的基板孔设置在有源区内，因此可以使作为显示装置的非显示区域的边框区最小化。
另外，根据本发明，上无机绝缘膜的通过每个阻挡孔露出的侧表面突出超过下无机绝缘膜的侧表面，发光叠层在阻挡孔中被断开而没有连续性。因此，可以通过阻挡孔防止或延迟将外部水分引入到发射区中。
对本领域技术人员而言将明显的是，可以在不偏离本发明的精神或范围的情况下在本发明中做出各种修改和变型。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变型，只要这些修改和变型在所附权利要求及其等同内容的范围内。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，其包括有源区，所述有源区包括发射区和至少一个孔区；
设置在所述发射区中的所述基板上的发光元件；
设置在所述发光元件下方的多个无机绝缘膜，所述多个无机绝缘膜包括由不同材料制成的上绝缘膜和下绝缘膜；以及
穿过所述多个无机绝缘膜的至少一个阻挡孔，
其中，所述上无机绝缘膜的通过所述阻挡孔露出的侧表面突出超过所述下无机绝缘膜的通过所述阻挡孔露出的侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
连接至所述发光元件的薄膜晶体管，
其中，所述多个无机绝缘膜包括依次层叠在所述薄膜晶体管的源电极和漏电极中的每一个与所述薄膜晶体管的栅电极之间的第一层间绝缘膜、第二层间绝缘膜和第三层间绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述下无机绝缘膜是所述第一层间绝缘膜；
所述上无机绝缘膜是设置在所述第一层间绝缘膜上的所述第二层间绝缘膜；
所述第一层间绝缘膜和所述第三层间绝缘膜由硅氮化物制成；以及
所述第二层间绝缘膜由硅氧化物制成。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中：
所述下无机绝缘膜是所述第二层间绝缘膜；
所述上无机绝缘膜是设置在所述第二层间绝缘膜上的所述第三层间绝缘膜；
所述第一层间绝缘膜和所述第三层间绝缘膜由硅氧化物制成；以及
所述第二层间绝缘膜由硅氮化物制成。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的显示装置，还包括：
设置在所述第三层间绝缘膜上的硬掩模图案，
其中，使用铟锡氧化物、钼钛合金、钼和钛中的一个将所述硬掩模图案形成为具有单层结构或多层结构。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述硬掩模图案的通过所述阻挡孔露出的侧表面突出超过所述上无机绝缘膜的侧表面。
7.根据权利要求2至4中任一项所述的显示装置，还包括：
设置在所述薄膜晶体管与所述发光元件的阳极之间的钝化膜，
其中，所述钝化膜由与所述上无机绝缘膜的材料不同的材料制成。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述钝化膜的通过所述阻挡孔露出的侧表面突出超过所述上无机绝缘膜的所述侧表面。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
设置在所述孔区与所述发射区之间的多个内坝；以及
设置在所述孔区中同时穿过所述基板的基板孔；
其中，所述至少一个阻挡孔设置在所述多个内坝与所述基板孔之间。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
设置在所述孔区中的摄像模块。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113707652A (zh) * 2021-08-02 2021-11-26 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN113871545A (zh) * 2020-06-30 2021-12-31 乐金显示有限公司 显示装置
WO2024011718A1 (zh) * 2022-07-14 2024-01-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10964913B2 (en) * 2018-11-30 2021-03-30 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR102621016B1 (ko) * 2018-12-28 2024-01-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20200235180A1 (en) * 2019-01-18 2020-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
KR20200107026A (ko) * 2019-03-05 2020-09-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200115834A (ko) * 2019-03-27 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN110444690B (zh) * 2019-08-20 2022-03-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
KR20210118313A (ko) * 2020-03-20 2021-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210130329A (ko) * 2020-04-21 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN111584725A (zh) * 2020-05-15 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled的面板及其制造方法
KR20230035199A (ko) * 2020-05-29 2023-03-13 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 표시패널 및 이의 제조방법, 표시장치
KR20220006686A (ko) * 2020-07-08 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220031836A (ko) * 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20220062182A (ko) 2020-11-06 2022-05-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 표시 장치, 및 표시 장치의 제조방법
CN112531003B (zh) * 2020-12-01 2023-04-25 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置
CN113066834B (zh) * 2021-03-19 2024-03-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050110028A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Joon-Young Park Organic light-emitting display
US20160079564A1 (en) * 2014-09-16 2016-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emiting display apparatus
CN106469746A (zh) * 2015-08-19 2017-03-01 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
US20170148856A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Samsung Display Co., Ltd Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
US20170237037A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
EP3240036A1 (en) * 2016-04-29 2017-11-01 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN108257972A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 乐金显示有限公司 显示装置

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7402467B1 (en) * 1999-03-26 2008-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4831885B2 (ja) * 2001-04-27 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011112260A2 (en) * 2010-03-11 2011-09-15 Pacific Biosciences Of California, Inc. Micromirror arrays having self aligned features
KR101472806B1 (ko) * 2012-01-30 2014-12-15 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 터치 패널을 포함하는 표시 장치
KR20150004652A (ko) * 2013-07-03 2015-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이를 이용하는 영상 표시 방법
KR20150019989A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR101661039B1 (ko) * 2014-12-30 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 인-셀 방식 터치 센서를 구비한 초고 해상도 평판 표시장치
KR102399416B1 (ko) * 2015-05-26 2022-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102326069B1 (ko) * 2015-07-29 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102448611B1 (ko) * 2015-10-30 2022-09-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102407869B1 (ko) * 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102007435B1 (ko) * 2016-08-02 2019-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시모듈 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR101818480B1 (ko) * 2016-10-31 2018-01-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180076006A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102607697B1 (ko) * 2017-02-07 2023-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6993809B2 (ja) * 2017-08-04 2022-01-14 キヤノン株式会社 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器
KR102083646B1 (ko) * 2017-08-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
CN107579171B (zh) * 2017-08-31 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
KR102014179B1 (ko) * 2017-12-08 2019-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR102520016B1 (ko) * 2018-02-02 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20190108212A (ko) * 2018-03-13 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
KR102583898B1 (ko) * 2018-04-30 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102610254B1 (ko) * 2018-05-18 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이의 제조 방법
JP6754801B2 (ja) * 2018-05-23 2020-09-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR102663905B1 (ko) * 2018-07-31 2024-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
US10541380B1 (en) * 2018-08-30 2020-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device with substrate comprising an opening and adjacent grooves
KR102587878B1 (ko) * 2018-08-31 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102608021B1 (ko) * 2018-09-03 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조 방법
KR102612036B1 (ko) * 2018-09-27 2023-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 전자 장치
KR102624512B1 (ko) * 2018-09-28 2024-01-15 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 제조방법
KR20200036979A (ko) * 2018-09-28 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 부재 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102607379B1 (ko) * 2018-10-05 2023-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102602670B1 (ko) * 2018-10-05 2023-11-17 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치
KR102563782B1 (ko) * 2018-10-19 2023-08-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7153533B2 (ja) * 2018-10-30 2022-10-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11251224B2 (en) * 2018-10-31 2022-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
KR20200051075A (ko) * 2018-11-02 2020-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102639185B1 (ko) * 2018-11-07 2024-02-23 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치
KR102612769B1 (ko) * 2018-11-09 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR102572345B1 (ko) * 2018-11-15 2023-08-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 검사 방법
KR102528266B1 (ko) * 2018-11-16 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102570864B1 (ko) * 2018-11-29 2023-08-28 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20200066471A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
KR20200066473A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102581273B1 (ko) * 2018-11-30 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20200073544A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200073549A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114879398A (zh) * 2018-12-31 2022-08-09 乐金显示有限公司 显示装置
KR20200082582A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치
US11043651B2 (en) * 2019-05-13 2021-06-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel and manufacturing method thereof
KR20210086039A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그 구동 방법
KR20210099687A (ko) * 2020-02-04 2021-08-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050110028A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Joon-Young Park Organic light-emitting display
US20160079564A1 (en) * 2014-09-16 2016-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emiting display apparatus
CN106469746A (zh) * 2015-08-19 2017-03-01 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
US20170148856A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Samsung Display Co., Ltd Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
US20170237037A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
EP3240036A1 (en) * 2016-04-29 2017-11-01 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN108257972A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 乐金显示有限公司 显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113871545A (zh) * 2020-06-30 2021-12-31 乐金显示有限公司 显示装置
US11917852B2 (en) 2020-06-30 2024-02-27 Lg Display Co., Ltd. Display apparatus
CN113707652A (zh) * 2021-08-02 2021-11-26 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN113707652B (zh) * 2021-08-02 2023-10-24 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
WO2024011718A1 (zh) * 2022-07-14 2024-01-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置

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